JPWO2014208718A1 - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、研削砥石 - Google Patents
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Abstract
Description
円板状のガラス基板の端面研削方法として、外周部に溝部が形成された砥石を、回転する被加工物の回転軸に対して傾斜した回転軸の回りに回転駆動し、砥石の溝部を被加工物の外周部あるいは内周部に押圧することにより、被加工物の外周部あるいは内周部の端面研削を行う方法が知られている(下記特許文献1)。この端面研削方法によれば、面接触の状態で端面の研削が行われ、衝撃的に被加工物の外周部あるいは内周部に接触するのが緩和されるので、効率良く良好な表面品質が得られる、とされている。
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度および基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
また、酸化物基準の質量%で、SiO2:45.60〜60%、およびAl2O3:7〜20%、およびB2O3:1.00〜8%未満、およびP2O5:0.50〜7%、およびTiO2:1〜15%、およびROの合計量:5〜35%(ただしRはZnおよびMg)の各成分を含有し、CaOの含有量が3.00%以下、BaOの含有量が4%以下であり、PbO成分、As2O3成分およびSb2O3成分およびCl−、NO−、SO2−、F−成分を含有せず、主結晶相としてRAl2O4、R2TiO4、(ただしRはZn、Mgから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が0.5nm〜20nmの範囲であり、結晶化度が15%以下であり、比重が2.95以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。
図1Bは、実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の外周側の端部の断面を拡大して示す図である。図1Bに示すように、磁気ディスク用ガラス基板は、一対の主表面1pと、一対の主表面1pに対して直交する方向に沿って配置された側壁面1tと、一対の主表面1pと側壁面1tとの間に配置された一対の面取面1cとを有する。図示しないが、磁気ディスク用ガラス基板の内周側の端部についても同様に、側壁面と面取面が形成されている。側壁面1tを基準として各面取面1cのなす角度(面取り角)は基本的には同一であり、例えば15〜75度とすることが好ましい。この範囲内とすることで、磁気ディスク用ガラス基板を製造する過程や、その後の磁気ディスクやHDDを製造する過程で基板の端部にキズが入ったり端部がカケたりすることを好適に防止することができる。面取り角は典型的には図示するように45度である。なお、面取面は、断面視において円弧状に形成されていてもよい。
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、処理毎に説明する。ただし、各処理の順番は適宜入れ替えてもよい。
例えばフロート法によって板状ガラスを形成した後、この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状のガラス素板が切り出される。フロート法の代わりに、例えば上型と下型を用いたプレス成形によってガラス素板を成形してもよい。なお、ガラス素板は、これらの方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することもできる。
なお、ガラス素板の両主表面に対して、必要に応じて、粗研削処理を行ってもよい。
次に、形状加工処理が行われる。形状加工処理では、ガラスブランクの成形処理後、公知の加工方法を用いて円孔を形成することにより、円孔があいた円板状のガラス基板を得る。次いで、ガラス基板の端面研削処理を実施して所望の形状の面取面を形成する。つまり、ガラス基板の端部において、側壁面と主表面を繋ぐ面取面が形成される。
ガラス基板の内周端面の加工では、研削砥石5に形成された溝50の溝方向に対してガラス基板Gを傾けた状態、つまり研削砥石5の回転軸L5に対してガラス基板Gの回転軸L1を角度α(α>0)だけ傾けた状態で、ガラス基板Gの内周端面に研削砥石5の溝50を接触させながら、ガラス基板Gと研削砥石5の両方を回転させて研削加工を行う。すなわち、研削砥石5の溝50とガラス基板Gがねじれの位置の関係となるように、ガラス基板Gに対して研削砥石5を傾斜させて研削加工を行う。これによって、ガラス基板Gの内周端面に当接する研削砥石5の溝50の軌跡が一定とはならないで、研削砥石5の砥粒が基板端面に対してランダムな位置に当接、作用するため、深掘れなどによる基板へのダメージが少なく、研削加工面の表面粗さやその面内ばらつきも小さくなり、研削加工面をより高平滑に、すなわちより高い品質要求に応えられるレベルの品位に仕上げることができる。さらには砥石寿命の向上効果も有する。
上記端面研削加工で用いる研削砥石5としては、粗研削加工用には、例えば高剛性砥石であるダイヤモンド砥粒を電着ボンドで固めた所謂電着ボンド砥石が好適である。また、仕上げの精密研削加工用には、砥粒同士を結合するバインダーが例えばフェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂等の樹脂材料であるレジンボンド砥石や、バインダーが例えば銅系合金、鋳鉄系合金、チタン系合金等の金属質結合剤であるメタルボンド砥石、バインダーがガラス質結合材であるビトリファイド砥石などが好適である。この中でも、砥石の硬度の調整が比較的容易なレジンボンド砥石が特に好適である。
また、砥粒の粒径としては、粗さを維持しながら砥石寿命に亘って研削性能を維持できるためには、例えば平均粒子径30μm以下の砥粒が好適であるが、特に精密研削加工用には、平均粒子径3〜15μmの範囲内の砥粒が好適である。砥粒としては、例えばダイヤモンド砥粒が好適である。砥粒の粒径は、例えば電気抵抗試験法で測定することが可能である。
研削砥石5の周速度の好ましい例は、500〜3000m/分、ガラス基板Gの周速度は、1〜30m/分程度である。また、ガラス基板Gの周速度に対する研削砥石5の周速度の比(周速度比)は、50〜300の範囲内であることが好ましい。
研削砥石7の溝の開口角は、図4に示したものと同様でよい。すなわち、ガラス基板Gの中心と研削砥石7の回転軸とを結ぶ直線上に位置するガラス基板Gと研削砥石7の接点を基準として、研削砥石7の回転方向の前側でガラス基板Gの面取面と接触する面取面研削領域(A)と、研削砥石7の回転方向の後側でガラス基板Gの面取面と接触する面取面研削領域(B)とからなり、面取面研削領域(A)の開口角は、面取面研削領域(B)の開口角よりも小さく設定されている。それによって、端面研削処理後のガラス基板Gの外周側の一対の面取面の面取り角を一致させることができるようになる。
外周端面の場合についても同様のことが言える。
次にガラス基板の端面研磨処理が行われる。端面研磨処理は、研磨ブラシとガラス基板の端面との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシとガラス基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、ガラス基板の内周端面および外周側端面を研磨対象とし、内周端面および外周側端面を鏡面状態にする。このとき、例えば酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含む研磨液が用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等の異物粒子が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことができる。これにより、このガラス基板を用いて磁気ディスクを製造した場合であっても、サーマルアスペリティの発生を防止することができる。
精研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて円板状のガラス基板の主表面に対して研削加工を行う。両面研削装置は、上下一対の定盤(上定盤および下定盤)を有しており、上定盤および下定盤の間に、キャリアに装着された円板状のガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることで、ガラス基板の両主表面を研削することができる。
次に、ガラス基板の主表面に第1研磨処理が施される。第1研磨処理では、遊星歯車機構を備えた両面研磨装置を用いてガラス基板の両側の主表面に対して研磨を行う。第1研磨処理では、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などの遊離砥粒と、樹脂ポリッシャが用いられる。第1研磨によって、例えば精研削処理を行った場合に主表面に残留したクラックや歪みを除去する。
ガラス基板は適宜化学強化することができる。化学強化液として、例えば硝酸カリウム,硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。
化学強化処理を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化処理の後に研磨処理を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化処理によってガラス基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。また、化学強化処理は、必要に応じて行われればよく、行われなくてもよい。
次に、化学強化処理後のガラス基板に第2研磨が施される。第2研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨においても、第1研磨に用いる両面研磨装置と同様の構成を有する両面研磨装置が用いられる。第2研磨処理では、第1研磨処理よりも、遊離砥粒の粒子サイズと研磨パッドの樹脂ポリッシャの硬度を小さくすることが好ましい。このようにすることで、ガラス基板の表面粗さを極めて小さくすることができる。
第2研磨処理は、必ずしも必須な処理ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。この後、洗浄を行うことによって、磁気ディスク用ガラス基板となる。
なお、第2研磨処理後のガラス基板の表面粗さの算術平均粗さRaが0.15nm以下となるようにガラス基板が研磨されることが、表面粗さの小さい磁気ディスク用ガラス基板を作製する点で好ましい。
結晶化したガラス基板は、例えば、粉末X線回折法で得られた回折強度分布を用いて結晶化の有無を判定することができる。なお、結晶相の平均結晶粒径は10nm以下の結晶を析出させることが、ガラス基板の主表面の表面粗さを小さくして主表面を鏡面化させる点で好ましい。
結晶相は硬いため、研磨では加工し難い。平均結晶粒径が10nmを超えると、ガラス基板の主表面の研磨による加工時間が長くなり、また、研磨で取りきれない結晶相により表面粗さは無視できない大きさになる。また、結晶化処理後で、第2研磨処理前のガラス基板の表面粗さの算術平均粗さRaは1nm以下であることが、第2研磨処理で取代量を小さくすることができる点で好ましい。
結晶化されたガラス(以降、結晶化ガラスという)は、非晶質のガラスを加熱することでガラス内部に結晶を析出させた構成の材料であり、非晶質のガラスとは区別され得る。結晶化ガラスは、内部に分散する結晶により、非晶質のガラスでは得られない特性を発揮する。例えば、ビッカース硬度、ヤング率、破壊靱性等の機械的強度、耐エッチング特性、熱膨張係数等の熱的特性について、結晶化ガラスは、非晶質ガラスでは実現しえない特性を発揮する。勿論、結晶化ガラスは紛体を焼結した構成のセラミックスとは異なる特性を発揮する。結晶化ガラスは、セラミックスと比較して、空孔が極めて少なく、緻密な構成を有する。
本実施形態においては、前記結晶化処理後のガラス基板のヤング率としては、100GPa以上、より好ましくは120GPa以上であることが好ましい。こうすることで、抗折強度や耐衝撃性が高いガラス基板とすることができる。前記結晶化処理後のガラス基板の抗折強度は、耐衝撃性を向上させる観点から7kgf以上であることが好ましく、特に8kgf以上であることが好ましい。こうすることで、10000rpm以上の高速回転のHDD向けとして好適な磁気ディスク用ガラス基板とすることができる。
磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板を用いて以下のようにして得られる。
磁気ディスクは、例えば磁気ディスク用ガラス基板(以下、単に「基板」という。)の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層(磁気記録層)、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。磁性層としては、例えばCoPt系合金を用いることができる。また、L10規則構造のCoPt系合金やFePt系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPE(パーフルオロポリエーテル)をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
作製された磁気ディスクは、好ましくは、DFH(Dynamic Flying Height)コントロール機構を搭載した磁気ヘッドと、磁気ディスクを固定するためのスピンドルとを備えた、磁気記録再生装置としての磁気ディスクドライブ装置(HDD(Hard Disk Drive))に組み込まれる。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果を確認した。使用したガラスの組成は、下記の通りである。
[ガラスの組成]
質量%表示で、SiO2を65.08%、Al2O3を15.14%、Li2Oを3.61%、Na2Oを10.68%、K2Oを0.35%、MgOを0.99%、CaOを2.07%、ZrO2を1.98%、Fe2O3を0.10%、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであり、ガラス転移温度が510℃である。
実施例、比較例の磁気ディスク用ガラス基板については、上記製造方法の各処理を順序通りに行うことで、内径が20mm、外径が65mm、厚さが0.8mmの公称2.5インチサイズの磁気ディスク用ガラス基板を作製した。このとき、形状加工では、ガラス素板を切断し、円形の内孔(内径:20mm)と円形の外形(外径:65mm)を備えたドーナツ状の円板状ガラス基板を得た。このガラス基板の外周端部および内周端部に対して、図2〜図5に示した端面研削加工を施して、外周側の面取面および内周側の面取面を形成した。このとき、内周端面の研削では、α=5度とし、外径15mmの研削砥石を使用した。外周端面の研削では、α=5度とし、外径100mmの研削砥石を使用した。内周端面の研削、外周端面の研削共に、粒度#400の電着ダイヤモンド砥石、粒度#2000のレジンボンドダイヤモンド砥石を順に用いた。側壁面研削領域50t(図4参照)の幅は、1.0mmとした。
表1、表2に示したように、実施例、比較例の磁気ディスク用ガラス基板を作製するに当たって、研削砥石の溝の開口角が異なる。なお、表1は内周側の端面研削の場合を、表2は外周側の端面研削の場合を、それぞれ示している。
表1、表2の面取り角をΘA、ΘBは、端面研削加工直後の値である。
表1、表2の各実施例が示すように、外周端面および内周端面の研削では、砥石の開口角について、開口角θAを開口角θBよりも小さくすることで、端面研削後のガラス基板の一対の面取面の面取り角ΘA,ΘBが同一となったことがわかる。
研削砥石7の溝の開口角は、図4に示したものと同様でよい。すなわち、ガラス基板Gの中心と研削砥石7の回転軸とを結ぶ直線上に位置するガラス基板Gと研削砥石7の接点を基準として、研削砥石7の回転方向の前側でガラス基板Gの面取面と接触する面取面研削領域(A)と、研削砥石7の回転方向の後側でガラス基板Gの面取面と接触する面取面研削領域(B)とからなり、面取面研削領域(A)の開口角は、面取面研削領域(B)の開口角よりも小さく設定されている。それによって、端面研削処理後のガラス基板Gの外周側の一対の面取面の面取り角を一致させることができるようになる。
Claims (6)
- 中心に円孔が形成され、側壁面および主表面と側壁面との間に形成された面取面とを有する円板状ガラス基板の端面に対して、回転する研削砥石を用いて端面研削処理を行う磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
上記端面研削処理は、研削砥石の回転軸を、基板の主表面と直交する軸に対して傾斜させて、ガラス基板の一対の面取面を同時に研削するものであり、
上記研削砥石は、ガラス基板の面取面を研削する一対の面取面研削領域を有する溝形状を有し、
上記一対の面取面研削領域は、
ガラス基板の中心と研削砥石の回転軸とを結ぶ直線上に位置するガラス基板と研削砥石の接点を基準として、研削砥石の回転方向の前側でガラス基板の面取面と接触する面取面研削領域(A)と、研削砥石の回転方向の後側でガラス基板の面取面と接触する面取面研削領域(B)とからなり、
面取面研削領域(A)の開口角は、面取面研削領域(B)の開口角よりも小さいことを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記研削砥石の溝形状は、ガラス基板の側壁面を研削する側壁面研削領域をさらに有し、
上記端面研削処理は、ガラス基板の側壁面と一対の面取面とを同時に研削することを特徴とする、
請求項1に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記磁気ディスク用ガラス基板の板厚が0.635mmより小さいことを特徴とする、
請求項1又は2に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 上記磁気ディスク用ガラス基板は結晶化ガラスであることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって作製された磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に、磁性層を形成する処理を備えたことを特徴とする、
磁気ディスクの製造方法。 - 中心に円孔が形成され、側壁面および主表面と側壁面との間に形成された面取面とを有する円板状ガラス基板の端面に対する端面研削処理において回転して使用される研削砥石であって、
上記研削砥石は、円筒状又は円柱状の回転体からなり、当該回転体の周上に溝が形成されており、
上記溝は、上記回転体の回転軸を含む面による断面視において、ガラス基板の側壁面と接触する側壁面研削面と、ガラス基板の側壁面を挟んで一方の面取面と接触する面取面研削面(A)と、他方の面取面と接触する面取面研削面(B)とからなり、
面取面研削面(A)と面取面研削面(B)の、側壁面研削面からの開口角が異なることを特徴とする、研削砥石。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013135865 | 2013-06-28 | ||
JP2013135865 | 2013-06-28 | ||
PCT/JP2014/067139 WO2014208718A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-06-27 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、研削砥石 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014208718A1 true JPWO2014208718A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6170557B2 JP6170557B2 (ja) | 2017-07-26 |
Family
ID=52142043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015524130A Active JP6170557B2 (ja) | 2013-06-28 | 2014-06-27 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、研削砥石 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6170557B2 (ja) |
CN (1) | CN105164753B (ja) |
MY (1) | MY181286A (ja) |
SG (1) | SG11201509668RA (ja) |
WO (1) | WO2014208718A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI754192B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-02-01 | 孫春雨 | 透過刀鋒夾角調整鋒利度之切割刀輪 |
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---|---|---|---|---|
JPH03251356A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Toyota Motor Corp | 溝面取り加工方法 |
JP2007165712A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法 |
JP2010005772A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の加工方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラス基板、並びに磁気ディスクの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5556800B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2014-07-23 | 旭硝子株式会社 | 研磨ブラシ、ガラス基板の端面研磨方法、およびガラス基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-06-27 WO PCT/JP2014/067139 patent/WO2014208718A1/ja active Application Filing
- 2014-06-27 JP JP2015524130A patent/JP6170557B2/ja active Active
- 2014-06-27 CN CN201480024099.7A patent/CN105164753B/zh active Active
- 2014-06-27 MY MYPI2015704241A patent/MY181286A/en unknown
- 2014-06-27 SG SG11201509668RA patent/SG11201509668RA/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03251356A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Toyota Motor Corp | 溝面取り加工方法 |
JP2007165712A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの面取り部の加工方法及び砥石の溝形状の修正方法 |
JP2010005772A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の加工方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、及び磁気ディスク用ガラス基板、並びに磁気ディスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105164753A (zh) | 2015-12-16 |
JP6170557B2 (ja) | 2017-07-26 |
WO2014208718A1 (ja) | 2014-12-31 |
SG11201509668RA (en) | 2016-01-28 |
MY181286A (en) | 2020-12-21 |
CN105164753B (zh) | 2018-04-17 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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