JPWO2014122700A1 - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(第1の実施形態)
図1は本発明の第1の実施形態に係る成膜装置の代表的な構成を示し、内部機構の概略構成が判明する程度に示された平面図である。この成膜装置10はクラスタ型であり、複数の成膜チャンバを備えている。ロボット搬送装置11が備えられた搬送チャンバ12が中央位置に設置されている。ロボット搬送装置11は、伸縮自在なアームに設けられたハンド14によって基板を搭載することができる。アームの基端部は搬送チャンバ12の中心部に回転自在に取り付けられている。
AMデバイスで、カソードに搭載する材料がゲッタリング効果のあるチタンやタンタルなどに限定されると、カソード数をさらに増やす必要がある。そして、カソード数を増やすことは真空容器のサイズの増大や真空容器の数量の増加につながるため、成膜装置のコスト低減の妨げになるおそれがある。
[0006]
本発明は上記課題に鑑みたものであり、真空容器のサイズや数に影響することなく、ゲッタリング効果のある材料を装置内に成膜できる成膜装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007]
本発明の成膜装置は、成膜用のターゲットを取り付け可能な第1取り付け部を備える複数の第1ターゲット電極と、前記複数の第1ターゲット電極に対向する位置で基板を保持する基板ホルダーと、ゲッタリング用のターゲットを取り付けるための、前記第1取り付け部よりも小さい第2取り付け部を備える第2ターゲット電極と、を備えることを特徴とする。
発明の効果
[0008]
本発明の成膜装置は、成膜に用いるターゲット電極の取付け位置の隙間に、ゲッタリング効果が高いチタンやタンタルをターゲットGとして搭載する小型のターゲット電極が設けられている。そのため、ターゲットGからゲッタリング材料を、MRAMデバイスを作製する空間(成膜室)やシールド板の裏側にスパッタし、ゲッタリング効果で超高真空を得ることができる。また、ターゲットGとして搭載する小型のターゲット電極は、複数設けられた成膜用のターゲット電極の隙間に設けられるサイズに調整されているので、真空容器のサイズを大きくしたり、真空容器の数を増加したりする必要がなく、成膜装置のフットプリントを抑えられる。
[0009]
本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
図面の簡単な説明
[0010]
添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示
Claims (6)
- 成膜用のターゲットを取り付け可能な第1取り付け部を備える複数の第1ターゲット電極と、
前記複数の第1ターゲット電極に対向する位置で基板を保持する基板ホルダーと、
ゲッタリング用のターゲットを取り付け可能で、前記第1取り付け部よりも小さい第2取り付け部を備える第2ターゲット電極と、
を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記第1ターゲット電極と前記基板ホルダーとの間に設けられ、前記第1取り付け部及び前記第2取り付け部を遮蔽可能な第1シャッタ部材をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記第1シャッタ部材は、前記第1ターゲット電極と前記基板ホルダーとの間に回転可能に設けられ、回転した際に、前記第1取り付け部に対向する開口及び前記第2取り付け部に対向する開口を有することを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記第1シャッタ部材と前記基板ホルダーとの間に回転可能に設けられ、回転した際に、前記第1取り付け部に対向する開口及び前記第2取り付け部に対向する開口を有する第2シャッタ部材をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。
- 前記第2シャッタ部材の前記第2取り付け部に対向する開口は、前記第1シャッタ部材の前記第2取り付け部に対向する開口よりも寸法が大きいことを特徴とする請求項4に記載の成膜装置。
- 前記第2ターゲット電極は、前記複数の第1ターゲット電極のうち、隣接する任意の2つの第1ターゲット電極の間に設けられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置。
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