JPWO2014034251A1 - 磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク - Google Patents
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Abstract
Description
また、引用文献2には、表面粗さRaについてRa≦0.15nmを満たし、かつ平均傾斜角を2度以下とした磁気ディスク用ガラス基板が記載されている。この基板を採用することで、Δθ50を低減して媒体ノイズ(130Gbpsi相当のTMRヘッドを用いて825kbpiの線記録密度で評価)を低減できるとしている。なお、線記録密度が825kbpiである場合、記録ビット長(以下、線記録密度に基づく計算値を示す。)は30nm程度である。
そこで、様々な基板の表面形状について、主表面の傾斜角の平均値(二乗平均平方根傾斜角や平均傾斜角)ではなく、個々の傾斜の値に着目したところ、高記録密度化された磁気ディスクのSNRが相対的に低い傾向を示す基板の主表面については、所定値以上の微小間隔の傾斜の頻度が高いことがわかった。なお、傾斜とは、例えば、基板の主表面上の表面性状において、主表面上の所定の微小間隔の2点を採り上げた場合に、その2点における高さの変化量を微小間隔の長さで除した値である。
すなわち、基板の主表面に大きな傾斜が存在すると、その大きな傾斜が存在する基板上の位置の直上に成膜される磁気記録層の結晶配向方向が垂直方向から大きく傾き、あるいは結晶が適切にエピタキシャル成長せずに欠陥となると考えられるが、このような問題は、従来の記録ビット長(例えば、上述した30nm程度)の場合には再生ノイズとして顕在化しなかったと考えられる。この点について、図1を参照して説明する。図1は、記録ビット長が長い場合(C1)と、記録ビット長が短い場合(C2)とで、基板上に傾斜が大きい部位が存在する場合の影響を説明するための図である。図1のC1に示すように記録ビット長が長い場合には、基板上で大きな傾斜となっている位置の直上に、垂直方向から大きく傾き、あるいは欠陥となった磁性粒が存在する場合であっても、1つの記録ビット長に含まれる他の多くの磁性粒が正しい磁界を形成しているため、全体として正しい信号が読み出され、信号品質に影響を与えないと推定される。
一方、高記録密度化によって、図1のC2に示すように記録ビット長が短くなると、基板上で大きな傾斜となっている位置の直上に、垂直方向から大きく傾き、あるいは欠陥となった磁性粒が存在する場合、その磁性粒による影響が相対的に高くなり、その磁性粒を含む領域からの再生信号が正しくなくなる(つまり、ノイズとなる)可能性が高くなる。つまり、記録ビット長が短い場合には、基板の主表面に大きな傾斜が部分的に存在することに起因して磁気ディスクのSNRが向上しないと推定される。磁気ディスクのSNRが向上しないという問題は、例えば2000kbpi以上の線記録密度(例えば、凡そ12.70nm以下の記録ビット長)で記録されるようになったことで初めて顕在化したものであると考えられる。特に高記録密度化された磁気ディスクについては記録ビット長が極めて短くなるため、上記問題が顕著となる。
従来は、スパッタリング等により成膜される付着層(例えば、CrTi)やSUL(例えば、FeCoTaZr)等のアモルファス金属層の合計膜厚が比較的大きい(例えば、50nm程度以上)ため、基板上に部分的に大きな傾斜となっている不整な部位が存在する場合であっても、成膜後にはその不整な部位がアモルファス金属の膜が基板上の不整な部位を整える(つまり、傾斜を低下させる)効果があり、それによって、磁気記録層における磁性粒の結晶の配向が良好なものになっていたと考えられる(図2のC1)。
しかしながら、近年、SUL自体の磁性に起因するノイズを低減する目的で、例えば30nm以下の程度にSULを薄膜化すること等が行われており、基板上の不整な部位の傾斜を低下させる効果が薄れてきている(図2のC2)。そのため、磁気ディスクのSNRが向上しないという上述した問題がより一層顕在化している。
より具体的には、本発明の第1の観点は、10nm間隔で主表面の傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であって、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%以下であることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板である。
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとさらに好ましい。
SiO2:45.60〜60%、
Al2O3:7〜20%、
B2O3:1.00以上8%未満、
P2O5:0.50〜7%、
TiO2:1〜15%、
ROの合計量:5〜35%(ただしRはZn及びMg)、であってもよい。
この場合、CaOの含有量が3.00%以下、BaOの含有量が4%以下であり、PbO、As2O3およびSb2O3およびCl−、NO−、SO3 −、F−成分を含有しないガラス組成(第2のガラス組成)を用いることも好ましい。このようなガラスに結晶化処理を施すことによって、主結晶相としてRAl2O4、R2TiO4、(ただしRはZn、Mgから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が0.5nm〜20nmの範囲であり、結晶化度が15%以下であり、比重が2.95以下である結晶化ガラスとすることができる。
すなわち、SiO2:45.60〜60%、およびAl2O3:7〜20%、およびB2O3:1.00〜8%未満、およびP2O5:0.50〜7%、およびTiO2:1〜15%、およびROの合計量:5〜35%(ただしRはZn及びMg)の各成分を含有し、CaOの含有量が3.00%以下、BaOの含有量が4%以下であり、PbO成分、As2O3成分およびSb2O3成分およびCl−、NO−、SO2−、F−成分を含有せず、主結晶相としてRAl2O4、R2TiO4、(ただしRはZn、Mgから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が0.5nm〜20nmの範囲であり、結晶化度が15%以下であり、比重が2.95以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。
SiO2:35〜65モル%、
Al2O3:5〜25モル%、
MgO:10〜40モル%、
TiO2:5〜15モル%、である。
このとき、上記組成の合計が少なくとも92モル%以上であるガラス組成(第1のガラス組成)が好ましい。このようなガラスに結晶化処理を施すことによって、主結晶がエンスタタイト及び/又はその固溶体となる結晶化ガラスとすることができる。
なお、ガラス基板の主表面の傾斜のばらつきを小さくしたことのみでは、本発明の課題を達成することができない。主表面の傾斜のばらつき(傾斜の分散等)を小さくすることで、主表面における大きな傾斜の頻度も小さくなる傾向はあるが、傾斜自体の分布は正規分布に従うとは限らないため、同程度の傾斜のばらつきの場合でも、大きな傾斜が含まれる頻度が大きく異なる場合が発生しうる。大きな傾斜が含まれる頻度が大きくなると、大きな傾斜が存在する部位の磁気信号がノイズとなる可能性がある。そこで、傾斜の二乗の平均値が所定値以下であることに加え、傾斜の二乗の値が一定量以上である頻度を低減させることで、主表面上で大きな傾斜が少ないガラス基板を得ることができる。
特に、高記録密度化された磁気ディスクについては記録ビット長が非常に短くなるが、その場合であっても、磁気ディスクの再生信号のSNRが良好となる。
例えば、図3に示すように、基板の主表面上で1μm×1μmの測定領域を、x方向及びy方向にそれぞれ512個に分割した位置の高さZ(x,y)の値を測定し、凡そ10nm(より正確には9.76nm)間隔のZ(x,y)の値を基に、下記式1に基づいて二乗平均平方根傾斜Sdqを算出する。
本発明の「傾斜の二乗の平均値」は、二乗平均平方根傾斜Sdqの二乗をとった値である。
本発明の「傾斜の二乗の値」は、傾斜dqの二乗をとった値である。
本発明において、例えば「傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%以下である」とは、主表面上で取得された傾斜の二乗の値のサンプルに対して、傾斜の二乗の値が0.004以上であるサンプルの数の比率(あるいは割合)が15%以下であることを意味する。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、凡そ10nmの間隔でサンプリングを行った場合に、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であって、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%以下であるため、このガラス基板を基に磁気ディスクを作製したときには、磁気ディスクのSNRが向上する。
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、処理毎に説明する。ただし、各処理の順番は適宜入れ替えてもよい。
例えばフロート法によって板状ガラスを形成した後、この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状のガラス素板が切り出される。フロート法の代わりに、例えば上型と下型を用いたプレス成形によってガラス素板を成形してもよい。なお、ガラス素板は、これらの方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することもできる。
なお、ガラス素板の両主表面に対して、必要に応じて、遊離砥粒を用いた粗研削加工を行ってもよい。
例えば円筒状のドリルを用いて、ガラス素板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス素板とする。
内孔形成処理の後、端部(外周端部及び内周端部)に面取り部を形成する形状加工処理が行われる。形状加工処理では、円環状のガラス素板の外周端部及び内周端部に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いた砥石等によって面取りが施され、面取り部が形成される。また、このとき同時に外径及び内径を調整してもよい。
次に、円環状のガラス素板の端面研磨が行われる。
端面研磨では、ガラス素板の内周側の側壁面(端面)及び外周側の側壁面(端面)をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウムや酸化ジルコニウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス素板の側壁面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。
精研削処理では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて円環状のガラス素板の主表面に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μm〜100μm程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤(上定盤および下定盤)を有しており、上定盤および下定盤の間に円環状のガラス素板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス素板と各定盤とを相対的に移動させることで、ガラス素板の両主表面を研削することができる。定盤としては、その表面にダイヤモンド等の砥粒が樹脂で固定された固定砥粒が貼り付けられているものを使用することができる。
次に、研削されたガラス素板の主表面に第1研磨が施される。第1研磨による取り代は、例えば1μm〜50μm程度である。第1研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、うねり、微小うねりの調整を目的とする。第1研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させた酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒など(粒子サイズ:直径1〜2μm程度)が用いられる。
第1研磨処理で使用される研磨装置について、図4及び図5を参照して説明する。図4は、第1研磨処理で使用される研磨装置(両面研磨装置)の分解斜視図である。図5は、第1研磨処理で使用される研磨装置(両面研磨装置)の断面図である。なお、この研磨装置と同様の構成は、上述した研削処理に使用される研削装置においても適用できる。
研磨装置において、下定盤50の上面および上定盤40の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド10が取り付けられている。キャリア30は、外周部に設けられて太陽歯車61及び内歯車62に噛合する歯部31と、ガラス素板Gを収容し保持するための1または複数の孔部31とを有する。太陽歯車61、外縁に設けられた内歯車62および円板状のキャリア30は全体として、中心軸CTRを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア30は、内周側で太陽歯車61に噛合し、かつ外周側で内歯車62に噛合するともに、ガラス素板G(ワーク)を1または複数を収容し保持する。下定盤50上では、キャリア30が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス素板Gと下定盤50とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車61がCCW(反時計回り)の方向に回転すれば、キャリア30はCW(時計回り)の方向に回転し、内歯車62はCCWの方向に回転する。その結果、研磨パッド10とガラス素板Gの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス素板Gと上定盤40とを相対的に移動させてよい。
なお、研磨パッドには、任意の材料を用いることができるが、ポリウレタンの樹脂ポリシャからなる研磨パッドを用いることが好ましい。
主表面の粗さは、JIS B0601:2001により規定される算術平均粗さRaで表され、例えば、AFMで計測できる。本願においては、1μm×1μm角の測定エリアにおいて、512×512ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さRaを用いることができる。
次に、第1研磨後のガラス素板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硫酸ナトリウムの混合液等を用いることができる。
このように、ガラス素板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス素板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス素板が強化される。
次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス素板に対して、第1研磨と同様の両面研磨装置を用いて、最終研磨が実施される。このとき、樹脂ポリシャは軟質ポリシャ(スウェード)の研磨パッド(例えば、アスカーC硬度で75の発泡ポリウレタン)が用いられる。研磨パッドの硬度は、アスカーC硬度で60〜90の範囲内とすることが好ましい。この第2研磨処理は、上述した第1研磨処理で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えばガラス基板主表面の表面粗さをRaで0.15nm以下の平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨加工である。研磨液としてはコロイダルシリカ(平均粒径(D50):10〜50nm)を分散したRO水とし、硫酸アルミニウムを所定の含有量で添加して溶かしたものを使用する。硫酸アルミニウムの濃度は、0.001〜1モル/Lとすると好ましい。なおここで、平均粒径(D50)とは、光散乱法により測定された粒度分布における粉体の集団の全体積を100%として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが50%となる点の粒径を言い、例えば、粒子径・粒度分布測定装置で測定して得られる値である。
次いで、同じ両面研磨装置をそのまま用いてリンス処理を行う。リンス処理では、例えば、研磨パッドとガラス基板との間に供給する処理液をRO水とし、硫酸アルミニウムを適量で添加して溶かしたものを使用する。硫酸アルミニウムの濃度は上記と同様でよい。
上記リンス処理を終えたガラス基板を洗浄槽に浸漬して、超音波洗浄して乾燥することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。なお、酸性の洗浄液での洗浄では主表面が荒れてしまい、主表面の傾斜角のバラツキが悪化するため、中性もしくはアルカリ性の洗浄液を使用するのがよい。なお、中性またはアルカリ性の洗浄液を使用するとき、洗浄液のpHは6〜11の範囲内とすることが好ましい。また、pHが5以下の酸性の洗浄液は用いないことが好ましい。
第2研磨処理及びリンス処理、そして洗浄を経ることによって、主表面上での傾斜のバラツキが少なく、かつ大きい傾斜の頻度が少ない磁気ディスク用ガラス基板が得られる。すなわち、凡そ10nm間隔で傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であって、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が10%以下となる磁気ディスク用ガラス基板が得られる。なお、主表面の傾斜の大きさについては、研磨時間、リンス時間、及び洗浄時間によって適宜調整することができる。
磁気ディスクは、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板上に磁気記録層を有する磁気記録媒体である。
磁気ディスクは、例えば、磁気ディスク用ガラス基板(以下、適宜「基板」という。)の主表面上に、その主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁気記録層、保護層、潤滑層が積層された構成を有する。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板主表面上に付着層から磁気記録層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。磁気記録層としては、CoPt系合金を用いることができる。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、同一チャンバ内で、表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPE(ポリフルオロポリエーテル)をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
また、付着層と磁気記録層との間には、SUL(軟磁性層)、シード層、中間層などを、スパッタ法(DCマグネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法などを含む)、真空蒸着法などの公知の成膜方法を用いて形成してもよい。上記各層の詳細については、例えば特開2009−110626号公報段落[0027]〜[0032]を参照できる。
なお、前述のとおり、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板を用いることで、SULの膜厚が30nm以下であっても高いSNRを得ることができる。
結晶化処理により結晶化ガラスとする場合は、例えば以下のような処理を行えばよい。具体的には、例えば、複数のガラス基板のそれぞれのガラス基板間にディスク状のセッターと呼ばれる板を挟んで、加熱炉に入れて熱処理を行う。セッターはセラミックス製とすることができる。熱処理では、例えば核形成温度で所定時間保持し、その後結晶成長温度で所定時間保持することによりガラス基板を結晶化させる。核形成および結晶成長の温度や時間は、ガラス基板のガラス組成によって適宜設定すればよい。加熱後の冷却では、ガラス基板に歪みや撓みが発生しないように、徐冷速度を調整することが好ましい。
結晶化したガラス基板は、例えば、粉末X線回折法で得られた回折強度分布を用いて結晶化の有無を判定することができる。なお、結晶相の平均結晶粒径は10nm以下の結晶を析出させることがガラス基板の主表面の表面粗さを小さくする点で好ましい。
結晶化されたガラス(以降、結晶化ガラスという)は、非晶質のガラスを加熱することでガラス内部に結晶を析出させた構成の材料であり、非晶質のガラスとは区別され得る。
本実施形態においては、結晶化処理後のガラス基板のヤング率としては、100GPa以上、より好ましくは120GPa以上であることが好ましい。こうすることで、抗折強度や耐衝撃性が高いガラス基板とすることができる。前記結晶化処理後のガラス基板の抗折強度は、耐衝撃性を向上させる観点から7kgf以上であることが好ましく、特に8kgf以上であることが好ましい。こうすることで、10000rpm以上の高速回転のHDD(ハードディスクドライブ装置)向けとして好適な磁気ディスク用ガラス基板とすることができる。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果を確認するために、製造した磁気ディスク用ガラス基板から2.5インチの磁気ディスクを作製した。作製した磁気ディスク用ガラス基板のガラスの組成1は、下記の通りである。
(ガラスの組成1)
質量%表示で、SiO2を65.08%、Al2O3を15.14%、Li2Oを3.61%、Na2Oを10.68%、K2Oを0.35%、MgOを0.99%、CaOを2.07%、ZrO2を1.98%、Fe2O3を0.10%、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであり、ガラス転移温度が510℃である。
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の各処理を順序通りに行った。
ここで、
(1)のガラス素板の成形は、プレス成形方法を用いた。粗研削では、アルミナ系遊離砥粒を用いた。
(4)の端面研磨では、酸化セリウムを遊離砥粒として用いて、研磨ブラシにより研磨した。
(5)の精研削では、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めた固定砥粒を定盤に貼り付けた研削装置を用いて研削した。
(6)の第1研磨では、図4及び図5の研磨装置を用いて60分間研磨した。平均粒径1μmの酸化セリウム砥粒、研磨パッドとして硬質ウレタンパッドを使用した。
(7)の化学強化では、化学強化液として硝酸カリウム(60重量%)と硝酸ナトリウム(40重量%)の混合液等を用い、化学強化液の温度を350℃とし、予め200℃に予熱されたガラス素板を化学強化液内に4時間浸漬させた。
(8)の第2研磨は、図4及び図5と同様の別の研磨装置を用いて行った。ポリシャを軟質ポリシャ(スウェード)の研磨パッド(アスカーC硬度で75の発泡ポリウレタン)を用いた。研磨液としてはコロイダルシリカ(平均粒径(D50):30nm)を分散したRO水とし、硫酸アルミニウムを0.01モル/Lの含有量で添加して溶かしたものを使用した。荷重100g/cm2、研磨取代を5μmとした。次いで、同じ研磨装置をそのまま用いてリンス処理を行った。リンス処理では、研磨パッドとガラス基板との間に供給する処理液をRO水とし、硫酸アルミニウムを0.01モル/Lの含有量で添加して溶かしたものを使用した。荷重100g/cm2、処理時間5分とした。上記リンス処理を終えたガラス基板を、中性洗剤、アルカリ性の洗浄液(pH:10以下)、純水、IPA、でそれぞれ満たした洗浄槽に浸漬して超音波洗浄し、その後IPA(蒸気乾燥)にて乾燥した。これにより、磁気ディスク用ガラス基板を得た。作製された磁気ディスク用ガラス基板は公称2.5インチサイズ(内径20mm、外径65mm、板厚0.635mm)の磁気ディスク用の基板である。
その結果、傾斜の二乗の平均値が0.0025より大きいもの、及び、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であるが傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%を超えるものについては、比較例(表1の比較例1,2)とし、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であり、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%以下であるものを実施例(表1の実施例1,2)とした。
なお、実施例の磁気ディスク用ガラス基板について、AFMを用いて、1μm×1μm角の測定エリアにおいて、512×512ピクセルの解像度で算術平均粗さRaを測定したところ、いずれも0.15nm以下であった。
次に、比較例及び実施例の磁気ディスク用ガラス基板を基に磁気ディスクを作製した。
なお、磁気ディスク用ガラス基板に対する成膜は以下の通り行った。まず、真空引きを行った成膜装置を用い、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板上に付着層/SUL/前下地層/下地層/磁気記録層/補助記録層/保護層/潤滑層を順次成膜した。なお、断らない限り成膜時のArガス圧は0.6Paで行った。付着層としては、Cr−50Tiを4nm成膜した。SULとしては、0.7nmのRu層を挟んで、92Co−3Ta−5Zrをそれぞれ10nm成膜した。前下地層としては、Ni−10Wを8nm成膜した。下地層としては、0.6PaでRuを10nm成膜した上に5PaでRuを10nm成膜した。磁気記録層としては、3Paで90(72Co−10Cr−18Pt)−5(SiO2)−5(TiO2)を15nm成膜した。補助記録層としては、62Co−18Cr−15Pt−5Bを6nm成膜した。保護層としては、CVD法によりC2H4を用いて4nm成膜し、表層を窒化処理した。潤滑層としては、ディップコート法によりPFPE(パーフロロポリエーテル)を用いて1nm形成した。
以上の製造工程により、比較例及び実施例の磁気ディスク用ガラス基板に対応する磁気ディスクを得た。
磁気記録層の磁性粒の粒径(直径)を平面TEMにて調査したところ、平均8nmであった。また、断面TEMにて成膜状態を確認したところ、CrTiとSULはアモルファス状態で粒界等は見えなかったが、NiWから補助記録層までは粒界が観察され、カラム状に結晶成長している様子が観察された。
以下の条件にて、作製した磁気ディスクについて再生信号のSNR(信号対雑音比)を測定した。なお、DFH機構搭載ヘッドを使用した。DFH機構により、記録再生素子部の先端と磁気ディスク表面との距離は1nmとなるように設定した。
・信号書き込み時の線記録密度:2000kbpi
・磁気ディスクの回転数:5400rpm
○○○:Ref+0.5[dB] ≦ SNR
○○:Ref+0.3[dB] ≦ SNR
○:Ref < SNR < Ref+0.3[dB]
×:Ref同等以下
次に、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の効果をさらに確認するために、上記組成1とは異なる組成2の磁気ディスク用ガラス基板から2.5インチの磁気ディスクを作製した。磁気ディスク用ガラス基板の作製方法は、組成1の場合(つまり、上記(1)〜(8))と同じである。ガラスの組成2は、下記の通りである。なお、ガラスの組成2は、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に使用されるガラスの組成として好ましい。
(ガラスの組成2)
SiO2を65モル%(64.7質量%)、Al2O3を6モル%(10.13質量%)、Li2Oを1モル%(0.5質量%)、Na2Oを9モル%(9.24質量%)、MgOを17モル%(11.35質量%)、CaOを0モル%(0質量%)、SrOを0モル%(0質量%)、BaOを0モル%(0質量%)、ZrO2を2モル%(4.08質量%)
なお、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量に対するCaOの含有量のモル比(CaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))は0であり、ガラス転移温度が671℃のアモルファスのアルミノシリケートガラスである。
30 キャリア
40 上定盤
50 下定盤
61 太陽歯車
62 内歯車
71 研磨液供給タンク
72 配管
Claims (7)
- 10nm間隔で主表面の傾斜のサンプルを取得した場合に、傾斜の二乗の平均値が0.0025以下であって、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が15%以下であることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度が10%以下であることを特徴とする、
請求項1に記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - アモルファスガラスからなることを特徴とする、
請求項1に記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - ガラス転移温度が650℃以上のガラスからなることを特徴とする、
請求項1〜3のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 前記主表面の算術平均粗さRaが0.15nm以下であることを特徴とする、
請求項1〜4のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板。 - 請求項1〜5に記載された磁気ディスク用ガラス基板の表面に少なくとも磁気記録層が成膜されたことを特徴とする、
磁気ディスク。 - 一対の平坦な主表面を有する磁気ディスク用ガラス基板において、前記主表面の上方に磁気記録層を成膜して磁気ディスクとした後、当該磁気記録層に対して2000kbpi以上の線記録密度で信号の書き込みを行ったときの再生信号の信号対雑音比が良好なレベルとなるように、10nm間隔で前記主表面の傾斜のサンプルを取得した場合の傾斜の二乗の平均値の最大値が決定され、かつ傾斜の二乗の値が0.004以上である頻度の最大値が決定されていることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板。
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