JPWO2014002151A1 - Resist stripper - Google Patents

Resist stripper Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014002151A1
JPWO2014002151A1 JP2013546474A JP2013546474A JPWO2014002151A1 JP WO2014002151 A1 JPWO2014002151 A1 JP WO2014002151A1 JP 2013546474 A JP2013546474 A JP 2013546474A JP 2013546474 A JP2013546474 A JP 2013546474A JP WO2014002151 A1 JPWO2014002151 A1 JP WO2014002151A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
mass
component
carbonate
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013546474A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5437541B1 (en
Inventor
博文 大坪
博文 大坪
慶一郎 石井
慶一郎 石井
久保 賢一
賢一 久保
柳 基典
基典 柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nomura Micro Science Co Ltd
Original Assignee
Nomura Micro Science Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nomura Micro Science Co Ltd filed Critical Nomura Micro Science Co Ltd
Priority to JP2013546474A priority Critical patent/JP5437541B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5437541B1 publication Critical patent/JP5437541B1/en
Publication of JPWO2014002151A1 publication Critical patent/JPWO2014002151A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

Abstract

レジスト剥離剤としての優れたレジスト剥離性能を有するとともに、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤を提供すること。さらに、金属配線、特に銅配線に対する腐食性がなく、リユースが可能なレジスト剥離剤を提供すること。(A)炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の50〜99質量%と、(B)炭酸グリセロールの1〜50質量%とからなることを特徴とするレジスト剥離剤。Provided is a resist remover that has excellent resist removing performance as a resist remover and that does not deposit or reattach a resist remover to a substrate during rinsing with pure water. Furthermore, the present invention provides a resist stripper that is not corrosive to metal wiring, particularly copper wiring, and can be reused. (A) One or more 50-99 mass% selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone, and (B) 1-50 mass% of glycerol carbonate, paint remover.

Description

本発明は、シリコン基板やガラス基板に金属配線パターンを形成するフォトリソグラフィ工程において、エッチング操作後のレジスト被膜を剥離するために用いられるレジスト剥離剤に関する。   The present invention relates to a resist stripper used for stripping a resist film after an etching operation in a photolithography process for forming a metal wiring pattern on a silicon substrate or a glass substrate.

従来から、ノボラック樹脂からなるレジスト被膜の剥離剤として、アミン系のレジスト剥離剤が用いられている。このアミン系のレジスト剥離剤としては、例えばモノエタノールアミン、N−メチルアミノエタノール、N−メチル−2−ピロリドンなどのアミン類に、ジメチルスルホキシドのような水溶性有機溶媒と水を添加した多成分のレジスト剥離剤が知られている。(例えば、特許文献1参照。)   Conventionally, amine-based resist stripping agents have been used as stripping agents for resist films made of novolak resin. As this amine-based resist stripper, for example, a multi-component in which a water-soluble organic solvent such as dimethyl sulfoxide and water are added to amines such as monoethanolamine, N-methylaminoethanol, and N-methyl-2-pyrrolidone There are known resist strippers. (For example, refer to Patent Document 1.)

これらのアミン系のレジスト剥離剤は、ノボラック樹脂と感光剤との架橋点を切断するとともに感光剤や樹脂と塩を形成する。その結果、レジスト被膜が可溶化して基板から剥離する。
しかし、これらの多成分のアミン系のレジスト剥離剤の成分には、低沸点成分が多く、かつ各成分の蒸気圧がそれぞれ異なる。そのため使用中の各成分の蒸発量が異なることで、使用中に組成が変動し、剥離性能が低下するという問題がある。また、繰り返し使用しているとレジスト剥離剤中のレジスト剥離物の溶解量が増加するためこのレジスト剥離物の影響により剥離性能が低下するという問題がある。さらに、アミン系のレジスト剥離剤は、銅配線に対する腐食性が大きく、配線パターンのファイン化がさらに進んだ場合に断線等の原因となるおそれもある。
These amine-based resist strippers cut the crosslinking points between the novolak resin and the photosensitizer and form salts with the photosensitizer and resin. As a result, the resist film is solubilized and peeled from the substrate.
However, these multi-component amine-based resist removers have many low-boiling components and have different vapor pressures. Therefore, there is a problem that the composition varies during use due to the difference in evaporation amount of each component during use, and the peeling performance is lowered. Further, since the amount of the resist stripped material dissolved in the resist stripper increases when used repeatedly, there is a problem that the stripping performance is deteriorated due to the influence of the resist stripped material. Furthermore, the amine-based resist stripper is highly corrosive to copper wiring, and may cause disconnection or the like when the wiring pattern is further refined.

アミン系のレジスト剥離剤以外のレジスト剥離剤としては、例えば、炭酸エチレンと炭酸プロピレンを主成分とするレジスト剥離剤や炭酸エチレンとγ-ブチロラクトンを主成分とするレジスト剥離剤が知られている。これらのレジスト剥離剤においては、レジスト剥離後のレジスト剥離物が溶解した液にオゾン含有ガスを吹き込んでレジスト剥離物のみを分解した後、レジスト剥離剤をリユースすることも知られている。(例えば、特許文献2、特許文献3参照。)
また、シクロヘキサノンと酢酸ブチルとを混合したレジスト剥離剤も知られている。(例えば、特許文献4参照。)
As resist strippers other than amine-based resist strippers, for example, resist strippers mainly composed of ethylene carbonate and propylene carbonate and resist strippers mainly composed of ethylene carbonate and γ-butyrolactone are known. In these resist strippers, it is also known to reuse a resist stripper after decomposing only the resist strip by blowing ozone-containing gas into a solution in which the resist strip after the resist strip is dissolved. (For example, see Patent Document 2 and Patent Document 3.)
A resist remover in which cyclohexanone and butyl acetate are mixed is also known. (For example, see Patent Document 4)

一般にレジスト剥離剤には、優れた剥離性能、金属配線、特に銅配線に対する腐食性のないこと、加温下での作業を考慮して引火点が高く安全性の高いこと、などが求められる。
また、フォトリソグラフィ工程では、エッチング後のレジスト剥離工程に続いてリンス工程が行われる。リンス工程では、基板に付着したレジスト剥離剤を純水で洗浄除去する。この純水によるリンス工程で、レジスト剥離剤中に溶解しているレジスト剥離物が基板表面に析出したり、レジスト剥離剤中に分散しているレジスト剥離物の微粒子が基板表面に再付着したりするという問題がある。
このようなレジスト剥離物の基板表面への析出や再付着を防ぐには、高圧の純水シャワーなどにより基板に物理的な力を加えながら長時間リンスを行う方法や、純水によるリンス工程に先立って水溶性の有機溶剤によるリンスを行う方法などの方法がとられる。しかし、いずれの方法も生産性や作業性を損なうという問題がある。特に、後者の方法では、リンスに用いた純水の処理のほかにリンスに用いた水溶性の有機溶剤の処理の問題も生じる。
In general, a resist stripper is required to have excellent stripping performance, no corrosion on metal wiring, particularly copper wiring, high flash point and high safety in consideration of work under heating.
In the photolithography process, a rinsing process is performed following the resist stripping process after etching. In the rinsing step, the resist remover adhering to the substrate is washed away with pure water. In this rinsing process with pure water, the resist strips dissolved in the resist stripper are deposited on the substrate surface, or fine particles of the resist strips dispersed in the resist stripper are reattached to the substrate surface. There is a problem of doing.
In order to prevent deposition and re-deposition of such resist strips on the substrate surface, a method of rinsing for a long time while applying physical force to the substrate by a high pressure pure water shower or the like, or a rinsing process with pure water A method such as a method of rinsing with a water-soluble organic solvent is employed in advance. However, each method has a problem that productivity and workability are impaired. In particular, in the latter method, in addition to the treatment of pure water used for rinsing, there is a problem of treatment of the water-soluble organic solvent used for rinsing.

特許第2911792号明細書Japanese Patent No. 2911792 特許第3914842号明細書Japanese Patent No. 3914842 特許第4883975号明細書Japanese Patent No. 4883975 特許第4475664号明細書Japanese Patent No. 4475664

本発明は、かかる問題を解消するためになされたもので、優れたレジスト剥離性能を有するとともに、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤の提供を目的とする。
本発明の他の目的は、このレジスト剥離剤において、金属配線、特に銅配線に対する腐食性がないレジスト剥離剤の提供を目的とする。さらに、リユースが可能なレジスト剥離剤の提供を目的とする。
The present invention has been made to solve such problems, and has an excellent resist stripping performance and an object of providing a resist stripper that does not deposit or reattach a resist stripped substance on a substrate during rinsing with pure water. And
Another object of the present invention is to provide a resist remover that is not corrosive to metal wiring, particularly copper wiring. Furthermore, it aims at providing the resist stripper which can be reused.

本発明者らは、従来のレジスト剥離剤における上記問題を解消すべく鋭意研究を進めた結果、従来からレジスト剥離剤として用いられている炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上に、炭酸グリセロールを添加することにより、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着がなくなることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上に、炭酸グリセロールを添加してなる、純水リンスの際に、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤を提供しようとするものである。
As a result of diligent research to solve the above problems in conventional resist strippers, the present inventors have selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone, and cyclopentanone that have been conventionally used as resist strippers. It has been found that by adding glycerol carbonate to one or more of the above, the resist stripped material is not deposited or reattached to the substrate during rinsing with pure water.
The present invention has been made on the basis of such findings, and in the pure water rinse, in which glycerol carbonate is added to at least one selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone. It is an object of the present invention to provide a resist remover that does not deposit or reattach a resist exfoliation product to a substrate.

本発明のレジスト剥離剤の第1の実施形態は、(A)炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の50〜99質量%と、(B)炭酸グリセロールの1〜50質量%とからなることを特徴とする。
なお、本明細書において、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の化合物を、「(A)成分」、炭酸グリセロールを「(B)成分」ということがある。
本発明のレジスト剥離剤の第2の実施形態は、第1の実施形態において、(A)成分が炭酸エチレン及び炭酸プロピレンから選ばれる1種以上であることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第3の実施形態は、第1の実施形態において、炭酸エチレンの20〜80質量%と、炭酸プロピレンの5〜30質量%と、(B)炭酸グリセロールの5〜50質量%とからなることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第4の実施形態は、第1の実施形態において、炭酸エチレンの55〜75質量%と、炭酸プロピレンの5〜25質量%と、(B)炭酸グリセロールの10〜30質量%とからなることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第5乃至第8の実施形態は、第1乃至第4のいずれかの実施形態の100質量部に対して水を30質量部以下含むことを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第9及び第10の実施形態は、第1乃至第8の実施形態において60℃における粘度が10cP以下であることを特徴とする。
本発明のレジスト剥離剤の第11の実施形態は、第1乃至第10の実施形態において引火点が100℃以上であることを特徴とする。
The first embodiment of the resist stripper of the present invention comprises (A) one or more 50-99% by mass selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone, and (B) glycerol carbonate It consists of 1-50 mass%.
In this specification, one or more compounds selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone may be referred to as “component (A)”, and glycerol carbonate may be referred to as “component (B)”. .
A second embodiment of the resist stripper of the present invention is characterized in that, in the first embodiment, the component (A) is one or more selected from ethylene carbonate and propylene carbonate.
The third embodiment of the resist stripper of the present invention is the same as the first embodiment except that 20 to 80% by mass of ethylene carbonate, 5 to 30% by mass of propylene carbonate, and 5 to 50 of (B) glycerol carbonate. It consists of mass%.
In a first embodiment of the resist stripper of the present invention, in the first embodiment, 55 to 75% by mass of ethylene carbonate, 5 to 25% by mass of propylene carbonate, and (B) 10 to 30 of glycerol carbonate. It consists of mass%.
The fifth to eighth embodiments of the resist stripper of the present invention include 30 parts by mass or less of water with respect to 100 parts by mass of any one of the first to fourth embodiments.
The ninth and tenth embodiments of the resist stripper of the present invention are characterized in that, in the first to eighth embodiments, the viscosity at 60 ° C. is 10 cP or less.
An eleventh embodiment of the resist stripper of the present invention is characterized in that the flash point is 100 ° C. or higher in the first to tenth embodiments.

本発明のレジスト剥離剤は、剥離性能に優れる。また、レジスト剥離後に直接純水でリンスしても、基板表面にレジスト剥離物が析出することがなく、再付着することがない。
さらに、銅配線やアルミ配線に対する腐食作用がない。また、低沸点成分を含まないので使用中に成分組成が変化することがないので、レジスト剥離剤を加熱してレジスト被膜の剥離を行う場合でも安全である。
The resist stripper of the present invention is excellent in stripping performance. Further, even if rinsing with pure water directly after the resist is peeled off, the resist peeled material is not deposited on the surface of the substrate and is not reattached.
Furthermore, there is no corrosive action on copper wiring and aluminum wiring. Moreover, since a low boiling point component is not included, the component composition does not change during use. Therefore, it is safe even when the resist film is peeled off by heating the resist stripping agent.

本発明の実施例の基板にレジスト剥離物の析出又は付着がない状態を示す光学顕微鏡写真である。It is an optical microscope photograph which shows the state in which there is no precipitation or adhesion of a resist stripped substance on the board | substrate of the Example of this invention. 比較例の基板にレジスト剥離物の析出又は付着がある状態を示す光学顕微鏡写真である。It is an optical microscope photograph which shows the state in which there exists precipitation or adhesion of a resist stripped material to the board | substrate of a comparative example. 本発明の実施例に用いた試料を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the sample used for the Example of this invention. 図3Aに示した試料を模式的に示した側面図である。It is the side view which showed typically the sample shown to FIG. 3A. 本発明の実施例に用いた試料を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the sample used for the Example of this invention. 図4Aに示した試料を模式的に示した側面図である。FIG. 4B is a side view schematically showing the sample shown in FIG. 4A.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態は、(A)炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の50〜99質量%と、(B)炭酸グリセロールの1〜50質量%とからなる。
(First embodiment)
In the first embodiment of the present invention, (A) 50 to 99% by mass of one or more selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone, and (B) 1 to 50 mass of glycerol carbonate. %.

この実施形態に用いられる化合物は以下の表1のようなものである。
なお、例えば工場のクリーンルームにおける通常の作業環境温度は22〜27℃であるので、以下の説明における「室温」は、この温度範囲をいう。

Figure 2014002151
The compounds used in this embodiment are as shown in Table 1 below.
For example, since the normal working environment temperature in a clean room of a factory is 22 to 27 ° C., “room temperature” in the following description refers to this temperature range.
Figure 2014002151

本実施形態のレジスト剥離剤は、(A)成分、(B)成分ともに、分子構造に五員環構造を有している。そして、この五員環を構成する炭素原子の一つがカルボニル基を構成する共通の分子構造を有している。そのため相溶性がよく、容易に混合することができる。また、レジスト被膜、特にノボラック樹脂からなるレジスト被膜に対する溶解性が高く、レジスト剥離性能に優れている。
(A)成分は、それぞれレジスト剥離剤として知られているものである。しかし、(A)成分だけでは、基板のレジスト被膜を剥離した後、直接純水でリンスしたときに溶解しているレジスト剥離物が基板表面に析出したり、再付着したりするおそれがある。
(B)成分は、このレジスト剥離物の析出や再付着を防止する作用をする。
(A)成分と(B)成分の配合割合は、(A)成分50〜99質量%、(B)成分1〜50質量%であるが、好ましくは(A)成分50〜95質量%、(B)成分5〜50質量%、より好ましくは、(A)成分70〜90質量%、(B)成分10〜30質量%、である。
表1に示されるように、(B)成分は(A)成分と比較して粘度が高い。そのため、作業上低粘度のレジスト剥離剤を必要とする場合には、(A)成分の割合を適宜多くすることが望ましい。
The resist stripper of this embodiment has a five-membered ring structure in the molecular structure of both the component (A) and the component (B). One of the carbon atoms constituting this five-membered ring has a common molecular structure constituting a carbonyl group. Therefore, compatibility is good and it can mix easily. Moreover, the solubility with respect to a resist film, especially the resist film which consists of novolak resin is high, and it is excellent in resist stripping performance.
Each component (A) is known as a resist remover. However, with the component (A) alone, there is a possibility that the resist peeled material dissolved when directly rinsing with pure water is peeled off or reattached to the substrate surface after the resist film on the substrate is peeled off.
The component (B) acts to prevent the resist stripped material from being deposited and reattached.
The blending ratio of the component (A) and the component (B) is 50 to 99% by mass of the component (A) and 1 to 50% by mass of the component (B), preferably 50 to 95% by mass of the component (A), ( B) 5-50 mass% of component, More preferably, (A) 70-90 mass% of component, (B) 10-30 mass% of component.
As shown in Table 1, the component (B) has a higher viscosity than the component (A). Therefore, when a low-viscosity resist stripper is required for work, it is desirable to appropriately increase the proportion of component (A).

第1の実施形態において、(A)成分の割合が50質量%未満だと、レジスト被膜に対する剥離作用が低くなるとともに、(B)成分の割合が過大となって粘度が高くなる。その結果、処理温度が高くなるなど作業性に問題が生じるようになる。また、(A)成分の割合が99質量%を超えると(B)成分の割合が過小になって、基板のレジスト被膜を剥離した後に直接純水でリンスしたときに基板表面にレジスト剥離物が析出したり、再付着したりする可能性が生じる。   In 1st Embodiment, when the ratio of (A) component is less than 50 mass%, while the peeling action with respect to a resist film will become low, the ratio of (B) component will become excessive and a viscosity will become high. As a result, a problem arises in workability such as an increase in processing temperature. Further, when the proportion of the component (A) exceeds 99% by mass, the proportion of the component (B) becomes too small, and when the resist film on the substrate is peeled off, the resist stripped material is formed on the substrate surface when directly rinsed with pure water. There is a possibility of precipitation or redeposition.

炭酸グリセロールの添加により、リンス工程におけるレジスト剥離物の微粒子の析出やレジスト剥離物の再付着が抑制される理由は必ずしも明らかではない。しかし、(A)成分に(B)成分を添加したレジスト剥離剤は、(A)成分単独のレジスト剥離剤と比較して基板に対する接触角が小さくなっていることから、レジストに対する親和性が高くなっていることが推測されている。このことが、純水でリンスされたときにレジスト剥離物を析出しにくくなっている原因であると考えられる。   The reason why the addition of glycerol carbonate suppresses the deposition of fine particles of the resist strip and the reattachment of the resist strip in the rinsing process is not necessarily clear. However, the resist remover in which the component (B) is added to the component (A) has a higher affinity for the resist because the contact angle to the substrate is smaller than the resist remover of the component (A) alone. It is speculated that This is considered to be the reason why it is difficult to deposit the resist strip when rinsed with pure water.

(第2の実施形態)
第2の実施形態のレジスト剥離剤は、(A)成分として炭酸エチレンを用いるものである。この実施形態は、第1の実施形態の(A)成分が炭酸エチレンとされているだけで、(A)成分と(B)成分の好ましい割合、より好ましい割合は第1の実施形態と同じである。
(Second Embodiment)
The resist remover of the second embodiment uses ethylene carbonate as the component (A). In this embodiment, the component (A) of the first embodiment is only ethylene carbonate, and the preferred ratio of the (A) component and the (B) component, the more preferred ratio is the same as that of the first embodiment. is there.

なお、この実施形態では、炭酸エチレンが80質量%以上になると、常温では、炭酸エチレンが溶解しきれずに析出するようになる。したがって、この場合には、炭酸エチレンが溶解する温度まで加温して使用する必要がある。   In this embodiment, when the amount of ethylene carbonate is 80% by mass or more, the ethylene carbonate is not completely dissolved and precipitates at room temperature. Therefore, in this case, it is necessary to heat and use it up to a temperature at which ethylene carbonate dissolves.

(第3及び第4の実施形態)
第3及び第4の実施形態は、第1の実施形態において、(A)成分として炭酸エチレン及び炭酸プロピレンを所定の割合で用いるものである。
この実施形態のレジスト剥離剤の炭酸エチレンの含有割合は、20〜80質量%、より好ましくは55〜75質量%であり、炭酸プロピレンの含有割合は、5〜30質量%、より好ましくは5〜25質量%である。(A)成分としての炭酸エチレンと炭酸プロピレンの合計量と(B)成分との割合は、第1の実施形態と同じである。
(Third and fourth embodiments)
The third and fourth embodiments use ethylene carbonate and propylene carbonate at a predetermined ratio as the component (A) in the first embodiment.
The content ratio of ethylene carbonate in the resist stripper of this embodiment is 20 to 80 mass%, more preferably 55 to 75 mass%, and the content ratio of propylene carbonate is 5 to 30 mass%, more preferably 5 to 5 mass%. 25% by mass. The ratio of the total amount of ethylene carbonate and propylene carbonate as the component (A) and the component (B) is the same as in the first embodiment.

炭酸エチレンの含有割合が75質量%以下であると融点が15℃以下となり、室温で液体となって計量が容易になる等、作業性を向上させることができる。   When the content ratio of ethylene carbonate is 75% by mass or less, the melting point becomes 15 ° C. or less, and it becomes liquid at room temperature, and the workability can be improved.

(A)成分と(B)成分の好ましい割合やその理由は第1の実施形態について説明したところと同じである。   The preferred ratio of the component (A) to the component (B) and the reason thereof are the same as those described for the first embodiment.

(第5乃至第8の実施形態)
第5乃至第8の実施形態は、第1乃至第4のいずれかの実施形態のレジスト剥離剤100質量部に対して水を30質量部以下添加したものである。
第1乃至第4の実施形態のレジスト剥離剤は、低沸点成分を含まないため、常温や比較的低い温度に加温しての作業には、格別の、火災に対する配慮は不要である。しかし、より高い温度での剥離作業の際には、蒸気の発生に対する配慮が必要である。
第5乃至第8の実施形態は、第1乃至第4の実施形態のレジスト剥離剤に、さらに水を添加することにより引火点を高くし、加熱作業の際の安全性をより高くしたものである。
(Fifth to eighth embodiments)
In the fifth to eighth embodiments, 30 parts by mass or less of water is added to 100 parts by mass of the resist stripper of any one of the first to fourth embodiments.
Since the resist remover of the first to fourth embodiments does not contain a low-boiling component, special consideration for fire is not necessary for the operation of heating to room temperature or a relatively low temperature. However, consideration must be given to the generation of steam during the stripping operation at a higher temperature.
In the fifth to eighth embodiments, the flash point is increased by further adding water to the resist remover of the first to fourth embodiments, and the safety during the heating operation is further increased. is there.

この実施形態のレジスト剥離剤の水の添加量は、レジスト剥離剤全体の100質量部に対して、30質量部以下、より好ましくは10〜25質量部である。
水の添加量が30質量部を超えると、十分なレジスト剥離性能を得られないおそれがあり、10質量部より少ないと、引火点の上昇の程度が小さいものとなる。
The amount of water added to the resist remover of this embodiment is 30 parts by mass or less, more preferably 10 to 25 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the entire resist remover.
If the amount of water added exceeds 30 parts by mass, sufficient resist stripping performance may not be obtained. If it is less than 10 parts by mass, the degree of increase in flash point will be small.

(第9及び第10の実施形態)
第9及び第10の実施形態は、レジスト剥離剤の60℃における粘度が、10cP以下であることを特徴としており、好ましくは5cPである。
本発明の(B)成分は粘度が高いので、(B)成分の配合量が多い場合には、粘度が高くなり、作業に支障をきたす場合が考えられる。このような場合には、加熱して粘度を上記範囲にまで低くして剥離作業を行うことが望ましい。
(Ninth and Tenth Embodiments)
The ninth and tenth embodiments are characterized in that the viscosity of the resist stripper at 60 ° C. is 10 cP or less, and preferably 5 cP.
Since the (B) component of the present invention has a high viscosity, when the blending amount of the (B) component is large, the viscosity becomes high, which may hinder the work. In such a case, it is desirable to perform the peeling operation by heating to lower the viscosity to the above range.

なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではない。、本発明の効果を損なわない範囲で、他の添加物、例えば少量の水溶性の有機溶媒を添加することなども可能である。   In addition, this invention is not limited to the above embodiment. It is also possible to add other additives such as a small amount of a water-soluble organic solvent as long as the effects of the present invention are not impaired.

また、本発明の各成分は、五員環の基本構造を有するため、オゾン酸化に対して耐性が強い。そのため、レジストを溶解した使用済みの剥離剤にオゾン含有ガスを吹き込んで、不純物を分解除去し清浄化した上でリユースすることも可能である。   Moreover, since each component of the present invention has a five-membered basic structure, it is highly resistant to ozone oxidation. For this reason, ozone-containing gas is blown into a used release agent in which a resist is dissolved to decompose and remove impurities for reuse.

また本発明のレジスト剥離剤はアミン系の化合物を使用しないため、銅配線やアルミ配線に対する腐食性もない。   Further, since the resist stripper of the present invention does not use an amine compound, it does not corrode copper wiring or aluminum wiring.

なお、第2乃至第4の実施形態では、炭酸エチレン及び/又は炭酸プロピレンを(A)成分として用いた例について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。(A)成分として、γ−ブチロラクトンやシクロペンタノンを用いた場合にも同様の効果を得ることができる。   In the second to fourth embodiments, examples in which ethylene carbonate and / or propylene carbonate are used as the component (A) have been described, but the present invention is not limited to such embodiments. The same effect can be obtained when γ-butyrolactone or cyclopentanone is used as the component (A).

次に本発明の実施例について説明する。
なお、以下の記号は次の物質を示している。
EC:炭酸エチレン
PC:炭酸プロピレン
GC:炭酸グリセロール
GBL:γ−ブチロラクトン
CP:シクロペンタノン
MEA:モノエタノールアミン
DMSO:ジメチルスルホキシド
PFA:四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体
Next, examples of the present invention will be described.
The following symbols indicate the following substances.
EC: ethylene carbonate PC: propylene carbonate GC: glycerol carbonate GBL: γ-butyrolactone CP: cyclopentanone MEA: monoethanolamine DMSO: dimethyl sulfoxide PFA: tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxyethylene copolymer

(レジスト剥離剤の評価1)
模擬実験1(レジスト許容濃度の評価)
表2の混合割合で調整した試料(レジスト剥離剤)について、以下のように剥離レジスト溶解剥離剤(以下、「レジスト溶解液」という。)を調整したのち、レジスト許容濃度の評価を行った。レジスト許容濃度の評価において、リンス後の基板表面に図1に示す光学顕微鏡写真のように析出物又は付着物が生じない最大の濃度を測定し、この濃度をレジスト許容濃度とした。析出物又は付着物が生じた場合の光学顕微鏡写真を図2に示す。
(Evaluation of resist remover 1)
Mock experiment 1 (Evaluation of allowable resist density)
About the sample (resist stripping agent) adjusted with the mixing ratio of Table 2, after adjusting the stripping resist dissolving stripping agent (hereinafter referred to as “resist dissolving solution”), the resist allowable concentration was evaluated. In the evaluation of the resist allowable concentration, the maximum concentration at which no precipitate or deposit was generated as shown in the optical micrograph shown in FIG. 1 was measured on the substrate surface after rinsing, and this concentration was defined as the resist allowable concentration. An optical micrograph in the case where precipitates or deposits are generated is shown in FIG.

[レジスト溶解液の調整]
ガラスシャーレ(商品名/フラットシャーレ(アズワン(株)社製))にノボラック樹脂系ポジ型レジスト(商品名/ZPP−1800−15(日本ゼオン(株)社製))を1mL滴下し、薄膜としたものをプリベーク110℃で5分、ポストベーク130℃で5分行い硬化させた。
評価対象の試料(レジスト剥離剤)に、硬化させたノボラック樹脂系ポジ型レジストを溶解させ、各種濃度のレジスト溶解液を調整した。
[レジスト許容濃度の評価]
ホットスターラーで60℃に加温した評価対象の各種濃度のレジスト溶解液100mLにガラス基板(CORNING社製、商品名:イーグル2000、10mm×50mm、厚さ0.7mm)を60秒間浸漬し、次いで常温の純水(静水)中に60秒間浸漬してリンスし、リンス後窒素ガスで乾燥させた。10倍の光学顕微鏡(オリンパス社製、商品名:工業用検査顕微鏡MX51)で基板表面を観察し、基板表面の析出物又は付着物の有無を確認した。
試料(レジスト剥離剤)1〜33について、以下のようにレジスト許容濃度を評価した。
[Preparation of resist solution]
1 mL of a novolak resin-based positive resist (trade name / ZPP-1800-15 (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.)) was dropped on a glass petri dish (trade name / flat petri dish (manufactured by As One Co., Ltd.)), and the thin film and This was cured by pre-baking at 110 ° C. for 5 minutes and post-baking at 130 ° C. for 5 minutes.
The cured novolac resin-based positive resist was dissolved in the sample to be evaluated (resist stripper) to prepare resist solutions of various concentrations.
[Evaluation of allowable resist density]
A glass substrate (manufactured by CORNING, trade name: Eagle 2000, 10 mm × 50 mm, thickness 0.7 mm) is immersed for 60 seconds in 100 mL of a resist solution having various concentrations to be evaluated heated to 60 ° C. with a hot stirrer, and then Rinse by immersing in pure water (hydrostatic water) at room temperature for 60 seconds, and rinsing and drying with nitrogen gas. The substrate surface was observed with a 10-fold optical microscope (trade name: Industrial Inspection Microscope MX51, manufactured by Olympus Corporation), and the presence or absence of deposits or deposits on the substrate surface was confirmed.
With respect to samples (resist strippers) 1 to 33, the allowable resist concentration was evaluated as follows.

[評価]
レジスト許容濃度:
1.0質量%以上 …A
0.3質量%以上1.0質量%未満 …B
0.1質量%以上0.3質量%未満 …C
0.1質量%未満 …D
なお、工業的には、レジスト許容濃度が0.1質量%程度以上のレジスト剥離剤であれば純水リンスの際に残渣物が発生することがなく実用的である。
[Evaluation]
Resist tolerance:
1.0 mass% or more A
0.3 mass% or more and less than 1.0 mass% ... B
0.1 mass% or more and less than 0.3 mass% ... C
Less than 0.1% by mass D
Industrially, a resist stripper having an allowable resist concentration of about 0.1% by mass or more is practical because no residue is generated during pure water rinsing.

また、試料(レジスト剥離剤)1〜33について、以下のように粘度を評価した。
[粘度の評価]
評価対象の試料(レジスト剥離剤)を60℃に加温し、回転式粘度計(CBC社製、商品名:Viscomate Model VM−10A[円柱直径3.5mm])を用いて粘度を測定した。
粘度:
5cP未満 …A
5cP〜10cP未満 …B
10cP以上 …C
Further, the viscosity of samples (resist stripping agents) 1 to 33 was evaluated as follows.
[Evaluation of viscosity]
The sample to be evaluated (resist stripper) was heated to 60 ° C., and the viscosity was measured using a rotary viscometer (trade name: Viscomate Model VM-10A [cylinder diameter: 3.5 mm] manufactured by CBC).
viscosity:
Less than 5 cP ... A
5 cP to less than 10 cP… B
10cP or more ... C

以上の結果を、試料(レジスト剥離剤)の組成とともに表2に示す。
なお、試料2〜29は実施例であり、試料1及び試料30〜33は比較例である。
The above results are shown in Table 2 together with the composition of the sample (resist stripper).
Samples 2 to 29 are examples, and sample 1 and samples 30 to 33 are comparative examples.

Figure 2014002151
(レジスト剥離剤の評価2)
EC:PC:GC=65:15:20の混合物100質量部に、表3に示す割合で水を添加した試料(レジスト剥離剤)34〜38を調整し、上記したものと同じようにレジスト許容濃度、粘度を評価し、次のように引火性を評価した。
Figure 2014002151
(Evaluation of resist stripper 2)
Samples (resist stripping agents) 34 to 38 in which water was added at a ratio shown in Table 3 to 100 parts by mass of a mixture of EC: PC: GC = 65: 15: 20 were prepared, and resist tolerance was the same as described above. Concentration and viscosity were evaluated, and flammability was evaluated as follows.

[引火性の評価]
評価対象の試料(レジスト剥離剤)について、クリーブランド開放式を採用し、消防法危険物確認試験マニュアルに準拠して引火点の測定及び引火性の評価を行った。
引火性なし …A
引火点100℃以上…B
結果を表3に示す。
なお、試料34〜38は実施例である。
[Evaluation of flammability]
For the sample to be evaluated (resist stripper), the Cleveland open type was adopted, and the flash point was measured and the flammability was evaluated in accordance with the Dangerous Goods Confirmation Test Manual.
No flammability ... A
Flash point 100 ° C or higher ... B
The results are shown in Table 3.
Samples 34 to 38 are examples.

Figure 2014002151
Figure 2014002151

表2、3より、実施形態のレジスト剥離剤は、レジスト許容濃度が高いことが分かる。したがって、実施形態のレジスト剥離剤では、純水リンスの際の残渣物の発生が極めて抑制される。表3より、水を添加した実施形態のレジスト剥離剤は、引火点が高く、特に、水を所定の割合以上含有した試料37及び試料38は引火性がないことが分かる。したがって、水を添加した実施形態のレジスト剥離剤は、より安全性に優れるものとできる。
また、実施形態のレジスト剥離剤では、本発明の割合でEC、PC及びGCを含有するため、60℃における粘度も低く作業性に優れることが分かる。
From Tables 2 and 3, it can be seen that the resist stripper of the embodiment has a high resist allowable concentration. Therefore, in the resist stripper of the embodiment, generation of a residue during rinsing with pure water is extremely suppressed. From Table 3, it can be seen that the resist stripper of the embodiment to which water is added has a high flash point, and in particular, Sample 37 and Sample 38 containing water in a predetermined ratio or more have no flammability. Therefore, the resist stripper of the embodiment to which water is added can be made more excellent in safety.
In addition, it can be seen that the resist stripper of the embodiment contains EC, PC, and GC in the ratio of the present invention, and therefore has a low viscosity at 60 ° C. and excellent workability.

(レジスト剥離剤の評価3)
模擬実験2(レジスト剥離性能の評価)
[試料の作製]
図3Aは模擬試験2に用いた試料の平面図である。図3Bは同側面図である。
図3Aにおいて、30mm×50mm×0.7mmのガラス基板1(商品名/イーグル2000 (CORNING社製))にノボラック樹脂系ポジ型レジスト(商品名/ZPP−1800−15(日本ゼオン(株)社製))を2μmの膜厚でスリット塗布し、これをプリベーク(110℃で5分)、ポストベーク(130℃で5分)して硬化させた。
次に、このガラス基板1のレジスト塗布部2のほぼ中央に幅 19.0mm、厚さ 0.06mmのポリイミドテープ3(商品名/API−114(チューコーフロー社製))を長さ方向に貼り付けて試料とした。
貼り付けたポリイミドテープ3の幅方向の片側寄りに長さ方向にガラス基板1表面に到達する深さで切り込みを入れて外側部分のテープを除去し、図3A、図3Bに示すように、テープの切断線(符号3と2の境界線)を浸入距離のスタートラインとした。
(Evaluation of resist remover 3)
Simulation experiment 2 (Evaluation of resist stripping performance)
[Preparation of sample]
FIG. 3A is a plan view of a sample used in the simulation test 2. FIG. 3B is a side view of the same.
In FIG. 3A, a novolak resin-based positive resist (trade name / ZPP-1800-15 (Nippon Zeon Co., Ltd.) is applied to a glass substrate 1 (trade name / Eagle 2000 (manufactured by CORNING)) of 30 mm × 50 mm × 0.7 mm. Manufactured)) was applied by slitting with a film thickness of 2 μm, and this was prebaked (110 ° C. for 5 minutes) and post-baked (130 ° C. for 5 minutes) to be cured.
Next, a polyimide tape 3 (trade name / API-114 (manufactured by Chuko Flow Co., Ltd.)) having a width of 19.0 mm and a thickness of 0.06 mm is applied to the center of the resist coating portion 2 of the glass substrate 1 in the length direction. A sample was attached.
A tape is cut off at a depth reaching the surface of the glass substrate 1 in the length direction toward one side of the pasted polyimide tape 3 in the width direction, and the tape at the outer portion is removed, as shown in FIGS. 3A and 3B. The cutting line (between the reference numerals 3 and 2) was used as a start line for the penetration distance.

1.5L石英ビーカーに試料の300mLを入れ、ホットスターラーを用いて200rpmで攪拌しながら、液温を50℃に保持した。PFAで作製した冶具に評価サンプルを3枚セットし、評価対象の試料中に1分間浸漬した。次に浸漬後の評価サンプルを、18MΩ・cmの純水にて洗浄し、窒素ガスで乾燥した。
図4Aは浸漬後の評価サンプルの平面図であり、図4Bは同側面図である。
乾燥処理後、図4A、図4Bに示されるような評価サンプルの、ポリイミドテープ3を剥がし、ポリイミドテープの表面を光学顕微鏡で10倍の倍率にて観察し、レジスト剥離剤の侵入距離Sを測定して剥離性能の指標とした。浸入距離Sは、評価サンプル1枚あたり5箇所、計15箇所で測定し、その平均値を浸入距離とした。
実験の結果を表4に示す。
なお、試料39、40は実施例であり、試料41〜43は比較例である。
300 mL of the sample was placed in a 1.5 L quartz beaker, and the liquid temperature was maintained at 50 ° C. while stirring at 200 rpm using a hot stirrer. Three evaluation samples were set in a jig made of PFA and immersed in the sample to be evaluated for 1 minute. Next, the evaluation sample after immersion was washed with 18 MΩ · cm of pure water and dried with nitrogen gas.
FIG. 4A is a plan view of the evaluation sample after immersion, and FIG. 4B is a side view thereof.
After the drying treatment, the polyimide tape 3 of the evaluation sample as shown in FIGS. 4A and 4B is peeled off, the surface of the polyimide tape is observed with an optical microscope at a magnification of 10 times, and the penetration distance S of the resist remover is measured. And used as an index of peeling performance. The penetration distance S was measured at five places for each evaluation sample, for a total of 15 places, and the average value was taken as the penetration distance.
The results of the experiment are shown in Table 4.
Samples 39 and 40 are examples, and samples 41 to 43 are comparative examples.

Figure 2014002151
Figure 2014002151

表4より、GCを含む試料(試料39及び試料40)が、ECのみ(試料41)やアミン(試料43)と同等のレジスト剥離性能を有することが分かる。
なお、表4において、試料39は試料34と同じ組成であり、試料2は試料38と同じ組成である。
From Table 4, it can be seen that the samples containing GC (sample 39 and sample 40) have resist stripping performance equivalent to that of EC alone (sample 41) or amine (sample 43).
In Table 4, Sample 39 has the same composition as Sample 34, and Sample 2 has the same composition as Sample 38.

(レジスト剥離剤の評価4)
[金属配線に対する腐食性評価]
ガラス基板にCu及びAlをスパッタリングした模擬金属配線試料を60〜80℃に加温した評価対象の試料(レジスト剥離剤)200g中に撹拌下で100分間浸漬させた。浸漬後、試料(レジスト剥離剤)中に溶出した金属量をICP−MS(誘導結合プラズマ質量分析装置)で測定し、その結果からCu、Alの1分間あたりのエッチングレートを求めた。
結果を表5に示す。
なお試料44、45は実施例であり、試料46は比較例である。
(Evaluation of resist remover 4)
[Evaluation of corrosiveness to metal wiring]
A simulated metal wiring sample obtained by sputtering Cu and Al on a glass substrate was immersed for 100 minutes under stirring in 200 g of a sample to be evaluated (resist stripper) heated to 60 to 80 ° C. After immersion, the amount of metal eluted in the sample (resist stripper) was measured by ICP-MS (inductively coupled plasma mass spectrometer), and the etching rate per minute of Cu and Al was determined from the result.
The results are shown in Table 5.
Samples 44 and 45 are examples, and sample 46 is a comparative example.

Figure 2014002151
Figure 2014002151

表5よりEC:PC:GCを65:15:20で含有した試料(レジスト剥離剤)44及びEC:PC:GC:水を50:15:15:20の割合で含有した試料(レジスト剥離剤)45は一般的なアミン系剥離剤に比べCu、Alに対する腐食性がそれぞれ低いことが分かる。   From Table 5, a sample (resist stripper) 44 containing EC: PC: GC at 65:15:20 and a sample (resist stripper) containing EC: PC: GC: water at a ratio of 50: 15: 15: 20 ) 45 is less corrosive to Cu and Al than general amine release agents.

1…ガラス基板、2…レジスト塗布部、3…ポリイミドテープ、4…レジスト塗布部、S…浸入距離。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... Resist application part, 3 ... Polyimide tape, 4 ... Resist application part, S ... Infiltration distance.

Claims (11)

(A)炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の50〜99質量%と、
(B)炭酸グリセロールの1〜50質量%とからなることを特徴とするレジスト剥離剤。
(A) 50 to 99% by mass of one or more selected from ethylene carbonate, propylene carbonate, γ-butyrolactone and cyclopentanone;
(B) A resist remover comprising 1 to 50% by mass of glycerol carbonate.
前記(A)が炭酸エチレン及び炭酸プロピレンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離剤。   The resist remover according to claim 1, wherein (A) is at least one selected from ethylene carbonate and propylene carbonate. (A)炭酸エチレンの20〜80質量%と、炭酸プロピレンの5〜30質量%と、 (B)炭酸グリセロールの5〜50質量%とからなることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離剤。   The resist remover according to claim 1, comprising (A) 20 to 80% by mass of ethylene carbonate, 5 to 30% by mass of propylene carbonate, and (B) 5 to 50% by mass of glycerol carbonate. . (A)炭酸エチレンの55〜75質量%と、炭酸プロピレンの5〜25質量%と、 (B)炭酸グリセロールの10〜30質量%とからなることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離剤。   The resist stripper according to claim 1, comprising (A) 55 to 75% by mass of ethylene carbonate, 5 to 25% by mass of propylene carbonate, and (B) 10 to 30% by mass of glycerol carbonate. . 請求項1記載のレジスト剥離剤全体の100質量部に対し、水を30質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。   A resist remover comprising 30 parts by mass or less of water with respect to 100 parts by mass of the entire resist remover according to claim 1. 請求項2記載のレジスト剥離剤全体の100質量部に対し、水を30質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。   A resist remover comprising 30 parts by mass or less of water with respect to 100 parts by mass of the entire resist remover according to claim 2. 請求項3記載のレジスト剥離剤全体の100質量部に対し、水を30質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。   A resist remover comprising 30 parts by mass or less of water with respect to 100 parts by mass of the entire resist remover according to claim 3. 請求項4記載のレジスト剥離剤全体の100質量部に対し、水を30質量部以下含むことを特徴とするレジスト剥離剤。   A resist remover comprising 30 parts by mass or less of water with respect to 100 parts by mass of the entire resist remover according to claim 4. 60℃における粘度が10cP以下であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のレジスト剥離剤。   The resist remover according to any one of claims 1 to 8, wherein the viscosity at 60 ° C is 10 cP or less. 引火点が100℃以上であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項記載のレジスト剥離剤。   The resist stripping agent according to any one of claims 1 to 8, wherein the flash point is 100 ° C or higher. 引火点が100℃以上であることを特徴とする請求項9記載のレジスト剥離剤。   The resist stripping agent according to claim 9, which has a flash point of 100 ° C. or higher.
JP2013546474A 2012-06-26 2012-10-02 Resist stripper Active JP5437541B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013546474A JP5437541B1 (en) 2012-06-26 2012-10-02 Resist stripper

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012143500 2012-06-26
JP2012143500 2012-06-26
JP2013546474A JP5437541B1 (en) 2012-06-26 2012-10-02 Resist stripper
PCT/JP2012/006286 WO2014002151A1 (en) 2012-06-26 2012-10-02 Resist stripping agent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5437541B1 JP5437541B1 (en) 2014-03-12
JPWO2014002151A1 true JPWO2014002151A1 (en) 2016-05-26

Family

ID=49782388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013546474A Active JP5437541B1 (en) 2012-06-26 2012-10-02 Resist stripper

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5437541B1 (en)
KR (1) KR102021158B1 (en)
CN (1) CN103733137B (en)
TW (1) TWI572999B (en)
WO (1) WO2014002151A1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018020837A1 (en) * 2016-07-28 2018-02-01 野村マイクロ・サイエンス株式会社 Resist stripper composition
US11460778B2 (en) * 2018-04-12 2022-10-04 Versum Materials Us, Llc Photoresist stripper
CN113777895A (en) * 2021-09-17 2021-12-10 宏伟建设工程股份有限公司 Resist stripping liquid composition

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4883975A (en) 1972-02-14 1973-11-08
JPS63168651A (en) * 1987-01-06 1988-07-12 Asahi Chem Ind Co Ltd Stripping agent composition for photoresist
JP2911792B2 (en) 1995-09-29 1999-06-23 東京応化工業株式会社 Stripper composition for resist
JP3914842B2 (en) 2001-10-23 2007-05-16 有限会社ユーエムエス Method and apparatus for removing organic coating
JP4463054B2 (en) * 2004-09-17 2010-05-12 東京応化工業株式会社 Photoresist stripping solution and substrate processing method using the same
TW200629009A (en) * 2004-10-19 2006-08-16 Purex Co Ltd Method, treatment liquid and apparatus for removing adhesive material from substrate surface
JP4698515B2 (en) * 2005-07-19 2011-06-08 昭和電工株式会社 Photosensitive composition remover
JP4475664B2 (en) 2005-12-27 2010-06-09 東京応化工業株式会社 Cleaning liquid for photolithography and method for circulating the same
WO2008152907A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Toagosei Co., Ltd. Agent for stripping resist film on electroconductive polymer, method for stripping resist film, and substrate with patterned electroconductive polymer
JP2009014938A (en) * 2007-07-03 2009-01-22 Toagosei Co Ltd Resist release agent composition
TWI490191B (en) * 2007-10-29 2015-07-01 Ekc Technology Inc Semiconductor processing composition containing amidoxime compounds
KR20100027511A (en) * 2008-09-02 2010-03-11 동우 화인켐 주식회사 Thinner composition for removing photosensitive resin and anti-reflective coating
WO2010046240A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-29 Basf Se Sulfonium derivatives and the use therof as latent acids
TWI467349B (en) * 2008-11-19 2015-01-01 Toagosei Co Ltd Manufacturing method of substrates having patterned film object of conductive polymer and substrates having patterned film object of conductive polymer
KR101807198B1 (en) 2010-11-09 2017-12-11 주식회사 동진쎄미켐 Composition for forming a photoresist top coat layer in extreme ultraviolet lithography and patterning method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103733137A (en) 2014-04-16
JP5437541B1 (en) 2014-03-12
KR102021158B1 (en) 2019-09-11
CN103733137B (en) 2019-06-25
WO2014002151A1 (en) 2014-01-03
TW201400996A (en) 2014-01-01
TWI572999B (en) 2017-03-01
KR20150037719A (en) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6006711B2 (en) Photoresist stripping composition for LCD production containing primary alkanolamine
TWI223660B (en) Polymer removal
JP4741315B2 (en) Polymer removal composition
TW556054B (en) Stripping composition
JP6277511B2 (en) Resist stripper
KR101691850B1 (en) A composition for striping of photoresist
TWI494713B (en) Photoresist stripping solution
CN103975052B (en) There is the microelectronic substrate Cleasing compositions of copper/polyarenazole polymer inhibitory action
WO2003035814A2 (en) Improved post plasma ashing wafer cleaning formulation
JPWO2010119753A1 (en) Photoresist stripper composition and photoresist stripping method
JP5437541B1 (en) Resist stripper
WO2014068801A1 (en) Photoresist stripping solution composition
JP2007003617A (en) Stripper composition
TWI470380B (en) Anti - corrosive photoresist release agent composition
JP2012246474A (en) Detergent composition for plate display device
JP5809444B2 (en) Stripper for photoresist
JP2012514765A (en) Photoresist stripper composition and photoresist stripping method using the same
KR101374565B1 (en) Stripper Composition for removing photoresist
KR20100032993A (en) Stripper composition for removing photoresist
TWI567510B (en) Stripping compositions having mixtures of alkylamides
JP5717519B2 (en) Stripper for photoresist
KR101374686B1 (en) Stripper Composition for removing photoresist
JP6293004B2 (en) Etching resist composition, substrate and method for producing the same
KR20100089917A (en) Composition for removing photoresist and method of forming a pattern using the composition
TWI410758B (en) A barrier removal fluid composition, and a method of removing the barrier layer

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5437541

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250