JPWO2012046267A1 - 加熱調理器 - Google Patents
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Abstract
Description
電気を使う加熱調理器は、誘導加熱によるものと(IH(Induction Heating)調理器)と、電気コンロ、ラジエントヒータに代表される輻射加熱によるものがある。
電気コンロやラジエントヒータはIH調理器に比べ、製造コストが1/10程度であり、鍋などの調理容器の材質を選ばないという特徴があるものの、調理物に対する安全装置(例えば、天ぷら油火災、焦げ付き防止、鍋なし調理防止)が無く、さらに調理コントロール(天ぷら、湯沸し)の機能を備えていない。
CO2削減が叫ばれる中、化石燃料を使うガス調理器から電気を使う調理器への買い換えが進まないのも、安全装置・調理コントロール機能が完備されたIH調理器具はガス器具に比べて高価であることと、安価である電気コンロやラジエントヒータは安全装置が不十分であるために天ぷらなどの揚げ物を調理できない、あるいは調理コントロールができないという不便さを伴うこと、が一因にある。
ヒータユニット20は、加熱コイル21の下方の一部が断熱材からなる基部23に埋設して固定され、この基部23の裏面を金属製のカバー25が保護・保持している。基部23の周縁にはスペーサ24がトッププレート11に向けて立ち上る。スペーサ24は基部23とトッププレート11との間に所定の空隙を設けるために設けられる。スペーサ24は、基部23と一体的に形成されていてもよいし、別体として作製され基部23に組み付けられてもよい。ヒータユニット20は、その下面を支持するばね27によりガラス製のトッププレート11に対して押し付けられている。したがって、ヒータユニット20はばね27の伸縮に伴って昇降が可能である。これは、加熱コイル21の温度上昇・降下に伴って基部23、カバー25及びトッププレート11に生じる熱膨張・収縮による歪から、基部23やトッププレート11が破損するのを避けるためである。また、ばね27は、鍋などの調理容器が落下した時にトッププレート11の撓みを吸収する作用も果たす。
加熱調理器100は、基部23の上面にサーモスタット29を備えている(例えば、特許文献1、特許文献2)。サーモスタット29は、加熱コイル21のパワーが強く、急速加熱ができるハイパワータイプの加熱調理器100に設けられる。加熱コイル21の出力を制御しないと、トッププレート11の温度がガラスの耐熱温度を超えるおそれがあるからである。そこで、サーモスタット29により加熱コイル21の温度を制御することで、トッププレート11の温度がガラスの耐熱温度を超えないようにしている。したがって、サーモスタット29は、加熱コイル21のパワーが低い加熱調理器100には必要がない。
一番基本的な問題点は、トッププレートに対する感温素子の接触状態の維持の仕方である。
ラジエントヒータのヒータユニットは、まず加熱コイルをあらかじめ最終の形状に成型したものを型に仮固定し、型に基部を構成する断熱材の材料を流し込み圧縮成型し、最後に焼き固める工程を経て作製される。このために、ヒータユニットは寸法公差が大きい。なおかつ、断熱材からなる基部には加熱コイルの加熱に応じて膨張・収縮が起きる。トッププレートと基部(断熱材)の線膨張係数の相違によるトッププレートや基部の破損を避けるために、トッププレートと基部(スペーサ)の間に隙間があると、加熱コイルによって生じた熱が周囲に洩れる。そうすると、周囲に配置された制御機器や配線を壊すおそれがあるとともに、熱が浪費されることで調理物に必要な加熱が効率的に与えることができない。
トッププレートを基部に対して固定した場合には、ガラスの耐熱温度に達しなくても、前述したようにトッププレートが破損するおそれがある。そのために、トッププレートと基部(断熱材)の線膨張係数の違いに加えて、ヒータユニットの寸法公差が大きいことにより生ずる応力を緩和する必要がある。したがって、上述したように、ヒータユニットをトッププレートに対して弾性力による押し付ける構造を採用する必要がある。
このため、ヒータユニット側に感温素子を配置し、トッププレートに対して感温素子を接触させることが好ましい。そして、トッププレートとヒータユニット(基部)との線膨張係数の相違、さらにはヒータユニットの公差を吸収するために、弾性力により感温素子を押し付けてトッププレートに接触させることが必要である。
しかもこの弾性力N1は、ヒータユニットをトッププレートに押し付ける弾性力N2より弱く設定する必要がある。そうしないと、トッププレートとヒータユニットが離間してしまうからである。
ラジエントヒータに使われるトッププレートの耐熱温度は、例えば600℃程度のもの、800℃程度のものがある。加熱コイルの発熱温度は当然これより高く、700℃〜900℃程度に至るものもある。このため、ラジエントヒータ内部の温度分布は、ヒータ線が一番高く、次にトッププレートの裏面、トッププレートの表面、調理容器、及び調理物の順に低くなる。
また、加熱調理器の平面方向の温度分布については、全体的に平均的な温度分布を得るためにヒータユニットの中央部に加熱コイルを配することがないので、中央部と外周部の温度はほぼ同じになっているが、トロイダル状に巻き回された加熱コイルの外周付近と内周付近が最も温度が高くなる。
他方、感温素子によりトッププレートの温度を検出できるのは、感温素子とトッププレートの接触点を中心にせいぜい3〜5cm程度の局部的な範囲に留まるので、大きな意味でトッププレートの平均温度を検出できるとは言い難い。このため、トッププレートの平面方向の中央部に感温素子を1個代表して設置する場合、巻き回された加熱コイルの中心から適当な半径上に感温素子を複数個設置する場合、これらを複合する場合などがある。
感温素子を中央部に配置する場合に、感温素子で検出した温度情報を信号として外部に伝える引き出し線を、トッププレートの裏面に沿って通線することが考えられる。しかし、前述したように、トッププレートの裏面は温度が高い領域であるから、リード線には必然的に耐熱温度が高いものが必要となる。また、この場合、リード線は巻き回された加熱コイルの半径以上の長さが必要となるので、耐熱材料を多く使用することによるコスト高と、リード線が長くなることに起因する線抵抗の影響がでてくる。また、ヒータの直径はヒータの消費電力に応じて数種類あり、直径に応じて線の長さを取り揃えなければならない。他方、トッププレートの裏面はガラスの耐熱温度を上げるためにディンプル加工によって凹凸が付けられたものもあり平面で構成されているとは限らない。
以上を考慮すると、感温素子をラジエントヒータ中央部に配置する際は、そのリード線は基部(断熱材)を貫通してその裏側に引き出されるように通線することが好ましい。この場合、リード線のほとんどの部分が基部の内部に配置されることになるので、耐熱性は低くてよい。また、基部を貫通する長さがあれば足りるので、コストを低減できるとともに、線抵抗の影響も少なくなる。また、この場合、リード線の形状・寸法などの仕様が統一し易い。
逆に、感温素子を円周上に複数個配置する場合は、加熱コイルを避けて絶縁して基部内を通線しなければならないので加工の手間が非常に多い。したがって、トッププレートの裏面を外周に向けて通線したほうが形状・寸法の統一、材料の消費、リード線の長さに起因する線抵抗への影響が少なくなる。
第1弾性体を金属製のばねから構成する場合、析出硬化型Ni合金によりばねを作製するのが好ましい。析出硬化型Ni合金により構成されたばねは、調理に伴い加熱されても弾性力を維持できる。
前述したように、ハイパワータイプのラジエントヒータの場合に、トッププレートの温度上昇をトッププレートの耐熱温度以下に抑制するサーモスタットを基部とトッププレートの間に設けることがある。この場合には、このサーモスタットを、一対のリード線同士の間、又は、一対の脚の間にサーモスタットを配置することにより、サーモスタットと、リード線又は脚との干渉を回避することが好ましい。
サーモスタットによりヒータがON・OFF制御されるときに、感温素子がその影響を受けトッププレート裏面の温度を正しく検出できなくなるおそれがある。そこで、加熱コイルからの熱影響を感温素子に極力伝えずにかつ、トッププレートを介して表側にある調理物の温度を計測するために、感温素子の周囲に断熱材が配置されていることが好ましい。
トッププレートに使われるガラスは鍋などの調理容器の落下による衝撃に対して、ある程度の落下回数や鍋の重量まではガラスが割れてはならない。なぜならガラスが割れることで調理者が怪我をする恐れがあるからである。JIS(Japanese Industrial Standards:日本工業規格)にもこれに類する規格がある。
ヒータユニットは弾性体によりトッププレートに押し付けられているため、トッププレートに落下衝撃があると一旦下方に押し下げられるが、弾性体の反発によりヒータユニットがトッププレートに向けて跳ね返ってくる。
その際に、感温素子にも同様な動きが生じてトッププレートに衝突するのに加えて、さらに跳ね返ってきたヒータユニットとトッププレートとの間に挟まれることがある。この際の衝撃力が感温素子の耐久力を上回ると、感温素子が破壊されることになる。これを防止するには、感温素子を強度的に補強するためのケースに収納することが好ましい。
この中で熱電対は、温接点と冷接点を作るために一連の通線が必要であり本案のような通線は難しい、冷接点を別の温度センサで温度補償しなければならない、起電力が数mV程度であり高倍率・高精度の電圧増幅器が必要になる、など色々手間がかかる。
これに対して白金抵抗体及びサーミスタは温度信号を抵抗値として出力するため、通線上の問題は熱電対に比べればはるかに小さい。しかし、ラジエントヒータで使うにはマイナスの領域から600℃程度の広い領域に感温特性が対応するものでなければならない。
特に、安全装置として使う場合には感温素子の断線やショートなどの故障検出をすることが必須であり、電圧コンパレータなどの手段で感温素子の抵抗値が有り得ない極低温や超高温を示した際には感温素子が故障していると判断する必要がある。
このように広範な温度領域に対応するために、白金抵抗体又はサーミスタの抵抗−温度係数を小さくする必要がある。そうすると、1℃あたりの抵抗変化量が少なくなるために電圧信号に置き換えた場合、高精度・高倍率の電圧増幅器を用いて電圧を増幅しADコンバータに入力する必要があり、温度信号の処理には熱電対同様に手間が掛かる。
これに対して本発明の加熱調理器は、感温素子に温度検出電流を供給する通電回路と、感温素子が検出した温度情報をアナログ電圧信号として入力されるADコンバータと、ADコンバータで変換されたディジタル信号を温度に換算して制御動作を行うコントローラと、を備え、通電回路は、コントローラの指示に基づいて感温素子にパルス状の温度検出電流を供給するものであることが好ましい。
<第1実施形態>
本実施形態による加熱調理器10は、感温素子をトッププレートの平面方向の中央部に配置し、かつサーモスタットがないタイプの例を示す。
加熱調理器10は温度センサユニット30を除く構成が図13で示した加熱調理器100と同じである。すなわち、図1(a)には温度センサユニット30近傍のみを示しているが、加熱調理器10は、鍋などの調理容器Pを載せるトッププレート11と、調理容器Pを加熱する加熱コイル21と、加熱コイル21を保持する耐熱絶縁材料から構成される基部23と、基部23をトッププレート11に押し付けるばね27と、を備えている。このばね27が第2弾性体を構成する。平面形状が略円形の基部23の外周縁にはトッププレート11に向けて立ち上がるスペーサ24を備えており、このスペーサ24の先端がトッププレート11の裏面に突き当てられる(図13)。スペーサ24を除く基部23とトッププレート11の間には空隙が設けられ、この空隙内に加熱コイル21が露出している。
支持フレーム31は、例えば高温強度に優れる析出硬化型のNi基合金からなる板材を曲げ加工して一体的に作製されたものであり、固定部33とばね部35とから構成される。析出硬化型のNi基合金としては、JIS NCF750,751,80Aなどを用いることができる。なお、ばね部35が本発明の第1弾性体を構成する。
固定部33は、互いに平行に対向して配置され、各々が基部23に形成される貫通孔(図示なし)内に収容される一対の脚331,331と、脚331,331の下端から上方に向けた折り返し332,332と、から構成される。
ばね部35は、互いに対向して配置され、各々が脚331,331の上端に接続されるL字状に屈曲する一対のばね本体351,351と、ばね本体351,351の上端同士をつなぐ接続片352と、から構成される。
温度センサ37は、センサ本体38が、温度センサユニット30の接続片352の上面に配置される。リード線39は、接続片352に形成された貫通孔(図示せず)を通って、接続片352よりも下方に引き出される。
ヒータユニット20の基部23の平面方向の中央に設けられる突部26には、固定部33の脚331,331が通る一対の貫通孔(図示省略)が形成されている。温度センサユニット30の脚331,331を突部26の上方からこの貫通孔に挿入する。脚331,331は、基部23の突部26の厚さとほぼ等しい長さに設定されており、貫通孔を脚331,331の下端の折り返し332,332が通過すると、折り返し332,332が基部23(カバー25)の下面に係止され、また、脚331,331の上端に繋がるばね本体351,351の下端が基部23の上面に係止されることで、脚331,331は基部23に保持される。
この状態で、ばね部35は基部23とトッププレート11の間の空隙内に配置され、ばね部35の接続片352の上面に配置されるセンサ本体38は、トッププレート11の下面に接触する。ばね部35のばね本体351,351は、自由状態よりも上下方向に圧縮されている。したがって、トッププレート11とヒータユニット20を互いに遠ざける向きに弾性力が働いている。この弾性力により、センサ本体38をトッププレート11の下面に押し付けられる。この弾性力N1は、基部23をトッププレート11に押し付けるばね27の弾性力N2よりも小さく(N1<N2)設定される。これが逆の関係(N1≧N2)になると、基部23(スペーサ24)がトッププレート11から離れてしまう。
図2に示すように、温度センサ37は、センサ素子ユニット1と、リード線39の後方側の一部を除いてセンサ素子ユニット1を収容する金属保護管4とから構成される。センサ素子ユニット1と金属保護管4により、センサ本体38を構成する。
センサ素子ユニット1は、温度によって電気抵抗が変化する感温素子2と、感温素子2に電極3を介して電気的に接続される一対のリード線39と、感温素子2と電極3から所定範囲内のリード線39とを封止する被覆材5とを備える。リード線39は、被覆材5の封止端6から引出される。
センサ素子ユニット1と金属保護管4の間に設けられる封止端密閉体7は、外形が円錐台形をなし、被覆材5の後端側を取り囲んで封止端6を密閉する。したがって、リード線39間に導電性の組成物が付着することがない。封止端密閉体7は、アルミナ(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)等のセラミックからなる。
リード線保護管8は、リード線39を保護するために、温度センサ37の使用時にリード線39の温度が500℃以上となる領域を収容できる長さを有していることが好ましい。
なお、リード線保護管8及び充填材9も、封止端密閉体7と同様にアルミナ(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)等により構成される。
温度センサ37は、予め一体に形成されたセンサ素子ユニット1を別途形成された金属保護管4に挿入、固定することにより製造される。このとき、封止端密閉体7とリード線保護管8とからなる遮蔽体の部分と金属保護管4の間には隙間を設けることにより、遮蔽体を金属保護管4内に遊嵌させる。
金属保護管4はパイプ状の物であり、温度を計測する感温素子2を収納する一端(先端側)が閉塞(密閉)されており、他方の端(後端側)はリード線39を引き出すために開放されている。
このような役目を果たす金属保護管4に感温素子2を収納し高温を計測する場合、高温になる金属保護管4の先端において金属保護管4の外周面と内周面の両方で酸化や還元に伴い金属の放出(蒸発)が起きる。特に金属保護管4の内周面は密閉された環境になるので、外周面に比べると金属蒸発量が多くなる。
以上より、高温度下において金属が蒸発してリード線39が細くなるのを抑制するとともに、リード線39から蒸発した金属が他の場所に飛来するのを防止し、なおかつ、金属保護管4から飛来する金属とリード線39から蒸発した金属とをリード線39間に付着させない構造にすることが好ましい。さらに、リード線保護管8から露出されるリード線39の温度が、金属が蒸発しないか、したとしても極微量に抑えられる例えば400℃以下となるように温度センサ37を構成することが好ましい。
図3は、油温と温度センサ37の検出温度には一定の相関関係があることを示している。また、鍋が無い場合も油温を検出する特性と異なる特性カーブで温度センサ37が温度検出する。つまり、本実施形態に係る加熱調理器10(温度センサ37)によりトッププレート11の温度を検出することで、調理物の温度が間接的に検出できるようになる。したがって、発火を防止することができることはもちろん、調理容器Pをトッププレート11に載せないといった誤使用による発火を防止するとともに、調理物の温度を制御することができる。
もし、調理物の温度検出ができない場合には、油温はラジエントヒータ線の加熱に応じて上昇し、油温300℃を越えるあたりから白煙を出し始め330℃付近で発火する。
また、センサ本体38をトッププレート11に押し付ける弾性力を得るばねを、基部23とトッププレート11との間に設けているが、本発明はこれに限定されない。例えば、図5に示すように、基部23、フレーム233を貫通する支持バー236の上端にセンサ本体238を配置する。支持バー236にばね係止部材234を固定する。ばね係止部材234は基部23とフレーム233の間に設けられる。そして、支持バー236の周囲であって、ばね係止部材234とフレーム233の間につるまきばね235を配置する。なお、つるまきばね235は自由状態よりも圧縮されている。
以上のように構成された温度センサ137、237によっても、温度センサ37と同様の効果を奏することができる。
第2実施形態は、図6に示すように、サーモスタット29が基部23上に設けられているハイパワータイプのラジエントヒータに適応されるものである。なお、第1実施形態と同じ構成要素には、図1、13と同じ符号を付している。
第2実施形態に係る加熱調理器110も、第1実施形態に係る加熱調理器10と同様に支持フレーム31のばね部35によりセンサ本体38をトッププレート11に押し付ける。
ただし、第1実施形態においてはセンサ本体38がトッププレート11に直接押し付けられていたが、この第2実施形態はセンサ本体38がセラミックスケース40の内部に収容されており、セラミックスケース40を介してトッププレート11の裏面に接触している。
ベース41はばね部35に固定され支持フレーム31に支持されている。そして、ばね部35(支持フレーム31)の上端部分がベース41を貫通してキャップ42に形成される収容室43内に突出している。
収容室43内には、センサ本体38が収容されている。センサ本体38は、図7(b)に示すように、キャップ42の天井内面に接触するように配置されている。キャップ42の上面がトッププレート11の裏面に接触するので、センサ本体38は、キャップ42の天井を介してトッププレート11の裏面に接触する。センサ本体38とベース41との間には隙間が設けられている。キャップ42の上面から衝撃が加えられた場合に、センサ本体38がキャップ42の天井とベース41との間に挟まれて破損するのを防止するためである。
センサ本体38に繋がるリード線39は各々ばね部35に電気的に接続されている。つまり、この実施形態はばね部35がリード線の役割を担う。
キャップ42の段差44よりも中心寄りの部分は、封止管45の上部係止リング46よりも上方、換言するとトッププレート11に向けて突出している。これは以下の理由による。つまり、金属製の封止管45は高温下で使用されると表面に酸化膜が形成される。この酸化膜は使用時間に伴って厚くなる。したがって、キャップ42の上面と封止管45の上面が面一で作製されていると、封止管45の上部係止リング46の上面(トッププレート11と対向する面)に酸化膜が形成されると、キャップ42の上面とトッププレート11の裏面の接触が解かれてしまう。これを防止して、長期に亘るキャップ42とトッププレート11の接触を確保するために、キャップ42の段差44よりも中心寄りの部分は、封止管45の上部係止リング46よりも上方に向けて突出させている。
図8に示す例では、セラミックス製の台座49を一対のばね本体351,351の間に設けている。台座49は収容溝50を備える。台座49は突部26から浮き上がらないように、台座49自体を突部26に固定するか、脚331を突部26に対して又はカバー25に対して固定する。サーモスタット29はこの収容溝50内にその一部が収容される。そうすることで、トッププレート11上に鍋などの調理容器Pが落下して衝撃を受けたとしても、サーモスタット29が基部23から受ける力によりトッププレート11に向けて跳ね返ったり、触れ回ったりするのを防止するとともに、支持フレーム31(ばね部35)と接触するのが防止される。
基部23とトッププレート11の間に位置するばね本体351,351を利用して台座49を設けているが、図5に示すようにつるまきばね235が基部23よりも下方に設けられる形態では台座49を設けることによるサーモスタット29の跳ね返り等の防止は困難である。
また、図8に示す例について、図6、図7に示すセラミックスケース40でセンサ本体38を収容することができるし、図6、図7に示す例について、図8に示すようにセンサ本体38の上部を露出させることもできる。
図9(a)より、断熱材を設けることで、ヒータの通電をON・OFFすることによる感温素子への温度リップルの影響を低減でき、温度検出性能に優れることが確認された。
図9(b)において、実際に湯沸しを行った場合の検出温度の推移は、「温度センサ(湯沸し)」が付された曲線で示されている。また、沸かされた水の温度は、「水温」が付された曲線で示されている。
水の温度が上昇し沸騰状態になると「水温」は100℃で一定の温度を示すようになる。このとき「温度センサ(湯沸し)」は少し遅れて一定の温度を示すようになる。したがって、一定の温度になったことで、水が100℃で沸騰していることを検出できる。さらに沸騰を続け水がどんどん蒸発して鍋が空になってくると『空焚き』ポイントを過ぎて「温度センサ(湯沸し)」が検出する温度が急激に上昇を始めるので、鍋が空になったことを検出することもできる。例えば、煮物を調理中に煮物の水分が全て蒸発してしまい、焦げ付き始めても同様な温度上昇の挙動を観察できる。
図11(a)には、本実施形態に係るサーミスタの25℃、200℃、400℃、600℃、800℃の静止空気中でのI−V(電流−電圧)特性を示す。このI−V特性は、サーミスタに定電流を通電したときのサーミスタの端子電圧を、縦軸が電圧値、横軸が電流値の両対数グラフにプロットしたものである。
図11(a)に示すように、ジュール熱で自己発熱しない間は、サーミスタに定電流を通電する電流値に応じて右斜め45°に電圧値が上昇する。やがて徐々にジュール熱によりサーミスタが自己発熱を開始すると電圧値の上昇がにぶり、やがて電圧極大点を通過すると電圧値が下降に転じる。一般的にサーミスタはこのようなI−V特性を示す。
さらに、図11(a)のグラフには、本実施の形態に係るサーミスタがその消費電力に応じて周囲温度から0.5℃、1℃、5℃、10℃温度上昇する消費電力を表示する左斜め上がりのプロットを示す。例えば0.5℃上昇とは、周囲温度が25℃であるにも拘わらずサーミスタの温度が25.5℃になることを示し、周囲温度25℃より0.5℃高い温度を検出することになる。
一般的に言われるサーミスタの熱放散定数(W/℃)とは、サーミスタがジュール熱により1℃自己発熱した時のことを言う。定数なので本来自己加熱温度は左斜め45°上がりになるが、広い温度範囲で測定すると、静止空気中とはいえ実際の測定において熱の伝熱形態(伝導・対流・輻射)が微妙に変化するため、図11(a)で示すような結果になることが多々ある。
さらに図11(a)には、単体ではこのようなI−V特性を示すサーミスタを、図10(a)に示す通電回路C1に接続し、増幅器Aに入力される電圧値とサーミスタに流れる電流値をI−V特性図上にプロットしたサーミスタの動作線を示す。
この実施形態の場合、周囲温度25℃〜200℃の間で自己加熱温度が最大になるが、その値は0.5℃以下であることが図11(b)に示されている。
また、同時にI−V特性と動作線の交点は、図10(a)で示した通電回路C1で温度測定した際に増幅器Aに入力される電圧値を示す。例えば、周囲温度25℃であれば、電圧値は3.8V、200℃であれば0.8Vである。
図11(b)には図11(a)で示したのと同じサーミスタの25℃、200℃、400℃、600℃、800℃の静止空気中でのパルスI−V特性を示す。このパルスI−V特性は、サーミスタに通電する期間(ON)、通電しない期間(OFF)から構成される通電周期を決めたパルス定電流を通電したとき、通電周期に応じてパルス状に発生するサーミスタの端子電圧を、縦軸がパルス電圧値、横軸がパルス電流値の両対数グラフにプロットしたものである。
ON期間中にも僅かずつサーミスタは自己発熱するので、通電時間が長いと大きく自己発熱してしまう。そこで、パルス通電することにより、通電をOFFする期間を設けてサーミスタを冷却する。
ジュール熱で自己発熱しない間は、サーミスタにパルス定電流を通電する電流値に応じて右斜め45°に電圧値が上昇すること、やがて徐々にジュール熱により自己発熱を開始するとパルス電圧値の上昇がにぶること、電圧極大点を通過するとパルス電圧値が下降に転じること、はパルス通電であっても同様に生じる。
図11(a)と図11(b)を比較すると、パルスで通電したほうが同じ消費電力でも温度上昇が小さくなる。このため、パルスI−V特性の方が連続通電によるI−V特性と比較して電圧極大点がはるかに大きくなる。
さらに図11(b)には、単体ではこのようなパルスI−V特性を示すサーミスタを、図10(b)に示す通電回路C2に接続した時に、ADコンバータCVに入力される電圧値とサーミスタに流れる電流値をI−V特性図上にプロットしたサーミスタの動作線を示す。
通電回路C2は、第1通電回路C21及び第2通電回路C22からなる2つの通電回路におけるトランジスタTr1、Tr2を、コントローラCTRからの信号で切り替えられる。
第2通電回路C22は高温側を測定するものであり、電流制限抵抗R2の抵抗値は、サーミスタのパルスI−V特性で示される自己発熱量が許容誤差以下になるように適切に選ばれる。本実施の形態の場合は、周囲温度400℃で自己加熱温度が最大になるが、その値は1℃以下であることが図11(b)に示されている。
第1通電回路C21は低温側を測定するものであり、電流制限抵抗R1の抵抗値は、図10(a)に示される通電回路C1の制限抵抗Rと同じである。
次に図10(c)には図10(b)に示した通電回路において、トランジスタTr1、Tr2を切り替えてサーミスタへ通電するタイミングを示す。
低温側のトランジスタTr1がOFFし、高温側のトランジスタTr2がONしている時間は、サーミスタ単体でパルスI−V測定する際に使ったパルス定電流の通電周期と同じである。
高温側のトランジスタTr2がOFFし、低温側のトランジスタTr1がONしている時間は、通電回路が図10(a)で示したのと実質的に同じである。したがって、連続通電しても自己発熱は十分小さいので、高温側のパルス通電周期内で低温側の測定が完了すれば、パルス状に通電しても良いし、連続通電しても良い。図10(c)にはパルス通電した例が示されている。
通電回路C2が第1通電回路C21及び第2通電回路C22と2回路あるので、図11(b)には2本の動作線が示されており、各々の動作線とパルスI−V特性の交点が存在する。
図10(c)で示される周期で通電すると、1周期の間に高温側、低温側の2つの電圧信号が1回ずつADコンバータCVに入力されコントローラCTRにディジタル信号として送信される。
コントローラCTRは、低温側の電圧値が0.2V未満ならば現在の温度は400℃以上と判断し、次に入ってくる高温側の電圧値を計算して現在温度を算出する。
逆にコントローラCTRは、低温側の電圧値が0.2V以上なら現在の温度は400℃未満と判断してこの低温側の電圧値を計算して現在温度を算出する。
なお、ここでは低温領域及び高温領域に対応するように、第1通電回路C21及び第2通電回路C22と2組の通電回路を設けたが、例えば測定温度領域を低温領域、中温領域及び高温領域と3つに区分する場合には、3組の通電回路を設けることになる。つまり、本発明の通電回路は少なくとも2組備えていればよく、3組以上通電回路を設けることを許容する。
連続通電で高温領域まで測定するには、図10(a)の通電回路C1であれば印加電圧5Vを例えば0.5Vに下げて自己発熱量を抑えるとともに、高精度な増幅器Aを組み合わせることが必須である。
これに対して、高温領域の測定のみをパルス通電とし、自己発熱を抑えて測定できれば、高精度の増幅器は不要になり経済的に優れた制御回路を提供することができる。
もちろん低温領域から高温領域までパルス通電にて測定してもよい。
7…封止端密閉体、8…リード線保護管、8h…保持孔、9…充填材
10,110,120…加熱調理器
11…トッププレート
20…ヒータユニット、21…加熱コイル、23…基部、24…スペーサ、25…カバー
26…突部、27…ばね、29…サーモスタット
30…温度センサユニット、31…支持フレーム、33…固定部、35…ばね部、
37,137,237…温度センサ、38,138…センサ本体、39…リード線
40…セラミックスケース、41…ベース、42…キャップ、43…収容室
44…段差、45…封止管、48…埋設部、49…台座
233…フレーム、234…ばね係止部材、236…支持バー
331…脚、351…ばね本体、352…接続片
C1,C2,C21,C22…通電回路、CTR…コントローラ、CV…ADコンバータ
Tr1,Tr2…トランジスタ
P…調理容器
Claims (10)
- 表面に調理容器を載せるトッププレートと、
前記トッププレートと所定の間隔を隔てて配置されるラジエントヒータと、
前記トッププレートと前記ラジエントヒータの間に設けられ、前記所定の間隔を規定するスペーサと、
前記トッププレートの裏面に直接又は間接に接触して前記トッププレートの温度を測定する感温素子と、
一端側が前記ラジエントヒータに支持され、他端側で前記感温素子を前記トッププレートに押し付ける第1弾性体と、
前記ラジエントヒータを前記トッププレートに向けて押し付ける第2弾性体と、を備え、
前記第1弾性体が前記感温素子を前記トッププレートに押し付ける弾性力N1が、
前記第2弾性体が前記ラジエントヒータを前記トッププレートに向けて押し付ける弾性力N2よりも小さい、
ことを特徴とする加熱調理器。 - 前記ラジエントヒータは、
加熱コイルと、断熱材からなる前記加熱コイルを支持する基部と、を備え、
前記感温素子からの電気信号を伝える一対のリード線が、前記基部を貫通して前記基部の裏側に引き出される、
ことを特徴とする請求項1に記載の加熱調理器。 - 前記ラジエントヒータは、
加熱コイルと、断熱材からなる前記加熱コイルを支持する基部と、を備え、
前記第1弾性体は、金属製の一対のばね片により構成されており、
各々の前記ばね片の一端側に固定されるセラミックス製の支持体上に支持される前記感温素子からの電気信号を伝える一対のリード線が、前記一対のばね片の各々に接続され、
各々の前記ばね片に一体的に繋がるか又は接続されて繋がる金属製の一対の脚が、前記基部を貫通して前記基部の裏側に引き出される、
ことを特徴とする請求項1に記載の加熱調理器。 - 前記基部と前記トッププレートの間に設けられるサーモスタットが、
一対の前記リード線同士の間、又は、前記一対の脚の間に配置される、
請求項2又は3に記載の加熱調理器。 - 前記サーモスタットが前記トッププレートに向けた移動を拘束する台座を備え、
前記台座は前記第1弾性体に固定される、
請求項4に記載の加熱調理器。 - 前記感温素子の周囲に断熱材が配置されている、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の加熱調理器。 - 前記感温素子がサーミスタである、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の加熱調理器。 - 前記弾性体が析出硬化型Ni合金製のばねからなる、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の加熱調理器。 - 前記感温素子は、耐熱材からなるケースの内部に収容される、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の加熱調理器。 - 前記感温素子に温度検出電流を供給する通電回路と、
前記感温素子が検出した温度情報をアナログ電圧信号として入力されるADコンバータと、
前記ADコンバータで変換されたディジタル信号を温度に換算して制御動作を行うコントローラと、
を備え、
前記通電回路は、
前記コントローラの指示に基づいて前記感温素子にパルス状の温度検出電流を供給する、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の加熱調理器。
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