JPWO2011007830A1 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2011007830A1 JPWO2011007830A1 JP2011522848A JP2011522848A JPWO2011007830A1 JP WO2011007830 A1 JPWO2011007830 A1 JP WO2011007830A1 JP 2011522848 A JP2011522848 A JP 2011522848A JP 2011522848 A JP2011522848 A JP 2011522848A JP WO2011007830 A1 JPWO2011007830 A1 JP WO2011007830A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- target
- chamber
- forming apparatus
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3452—Magnet distribution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本願は、2009年7月17日に出願された特願2009−169449号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
このような用途のスパッタリング装置においては、近年の配線パターンの微細化に伴い、処理すべき基板全面に、高アスペクト比のホール又はトレンチ及び微細パターンに対して良好な被覆性で被膜を成膜できることが強く要求されている。
ターゲットは、Cu,Al,Ti,又はTa等の材料(薄膜の配線を構成する材料)によって形成されている。このため、スパッタ粒子としてCu,Al,Ti,又はTa原子がターゲットから飛び出し、この材料が基板に付着し、薄膜が基板上に形成される。
真空チャンバ内において、薄膜が形成される基板とターゲットとは所定の間隔で離間し、対向配置されている。
このように磁界が発生されている状態で、ターゲットに負の電圧を印加することにより、スパッタリングガスイオンがターゲット表面に衝突し、ターゲット材を構成する原子及び二次電子がターゲットから放出される。
この二次電子をターゲット表面に形成された磁界中で周回させることによって、スパッタリングガス(アルゴンガス等の不活性ガス)と二次電子とのイオン化衝突の頻度を増大させ、プラズマ密度を高くし、薄膜が基板上に形成されている(例えば、特許文献1参照)。
本発明の態様の成膜装置においては、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部は、前記チャンバの周囲において互いに所定の間隔で離間して設けられ、かつ、電源装置を備えたコイルであり、前記第2磁場発生部に印加される電流の極性と前記第3磁場発生部に印加される電流の極性とが互いに反対となるように、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部に電流が印加されることが好ましい。
本発明の態様の成膜装置においては、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部によって形成された磁力線を前記チャンバに誘導することが好ましい。
本発明によれば、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部は、電源装置を備えたコイルである。また、前記第2磁場発生部に印加される電流の極性と前記第3磁場発生部に印加される電流の極性とが互いに反対となるように、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部に電流が印加される。これによって、簡単な構成で所望の磁場を発生させることが可能となる。また、コイル(第2磁場発生部と第3磁場発生部)の相互間の距離、各コイルの巻数、各コイルに供給される電流値等を適宜変化させる(制御する)ことにより、所望の磁力線を形成するような磁場を発生させることができる。
また、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識し得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
真空チャンバ2の天井部には、カソードユニットCが取り付けられている。
なお、以下の説明においては、真空チャンバ2の天井部に近い位置を「上」と称し、真空チャンバ2の底部に近い位置を「下」と称する。
ターゲット3は、処理すべき基板W(被処理体)に形成される薄膜の組成に応じて適宜選択された材料、例えば、Cu,Ti,Al,又はTaで構成されている。
ターゲット3の形状は、処理すべき基板Wの形状に対応させて、スパッタ面3aの面積が基板Wの表面積より大きくなるように、公知の方法で所定形状(例えば、平面図において円形)に作製されている。
また、ターゲット3は、公知の構造を有するDC電源9(スパッタ電源、直流電源)に電気的に接続され、所定の負の電位が印加される。
磁石4b,4cの形状又は個数は、放電の安定性又はターゲットの使用効率の向上等の観点から、スパッタ面3aが露出されている空間(ターゲット3の前方)に形成される磁場(磁場の形状又は分布)に応じて適宜選択される。磁石4b,4cの形状としては、例えば、薄片形状,棒形状,又はこれら形状が適宜組み合わされた形状が採用されてもよい。また、第1磁場発生部4に移動機構が設けられてもよく、移動機構によって第1磁場発生部4がターゲット3の背面側において往復運動又は回転運動してもよい。
第2磁場発生部13及び第3磁場発生部18は、ターゲット3及び基板Wの中心間を結ぶ垂直軸CLの周りに、真空チャンバ2の外側壁に設けられている。第2磁場発生部13及び第3磁場発生部18は、真空チャンバ2の上下方向において、所定の間隔で隔てられている。
第2磁場発生部13は、真空チャンバ2の外側壁に設けられたリング状のコイル支持体14と、コイル支持体14に導線15を巻回することによって構成された第2コイル16と、第2コイル16に電力を供給する電源装置17とを備える。
第3磁場発生部18は、真空チャンバ2の外側壁に設けられたリング状のコイル支持体19と、コイル支持体19に導線20を巻回することによって構成された第3コイル21と、第3コイル21に電力を供給する電源装置22とを備える。
図2及び図3においては、磁力線M1,M2は矢印を用いて図示されているが、この矢印は説明のために便宜的に示されており、磁場の方向を限定していない。即ち、磁力線M1,M2は、磁石のN極からS極に向う方向及び磁石のS極からN極に向う方向の両方を含んでいる。
図2は、各コイル16,21共にマイナスの電流値を印加した場合の磁力線M1を示している。各コイル両方にマイナスの電流値を印加することによって、ターゲット3を基板Wとの間には磁力線M1が通るように磁場が発生する。
一方、図3は、第2コイル16にマイナス、第3コイル21にプラスの電流値を印加した場合の磁力線M2を示している。
第3コイル21に印加される電流の極性に対して第2コイル16に印加される電流の極性が逆になるように各コイル16,21に電流を印加することによって、ターゲット3の近傍では、基板Wとターゲット3との間に垂直な磁力線が発生する。しかし、この磁力線の方向を維持するように磁力線は基板Wに向けて進まず、磁力線は、基板Wから真空チャンバ2の側壁に向うように逸れる。即ち、磁力線の方向は、基板Wに対して垂直な方向から、真空チャンバ2の中央から真空チャンバ2の側壁に向う方向に変換される。
まず、被膜が形成される基板Wとして、Siウエハを準備する。このSiウエハの表面にはシリコン酸化物膜Iが形成されており、このシリコン酸化物膜Iには公知の方法を用いて配線用の微細ホールHが予めパターニングによって形成されている。
次に、成膜装置1を用いたスパッタリングにより、シード層であるCu膜LをSiウエハ上に成膜する場合について説明する。
次に、ステージ10に基板W(Siウエハ)を搭載し、それと同時に、電源装置17,22を作動させて第2コイル16及び第3コイル21に通電し、ターゲット3及び基板Wの間に磁場を発生させる。そして、真空チャンバ2内の圧力が所定値に達した後に、真空チャンバ2内にアルゴンガス等(スパッタガス)を所定の流量で導入しつつ、DC電源9よりターゲット3に所定の負の電位を印加(電力投入)する。これによって、真空チャンバ2内にプラズマ雰囲気を生成する。
この場合、第1磁場発生部4によって発生した磁場によって、スパッタ面3aが露出されている空間(前方空間)において電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子が捕捉され、スパッタ面3aが露出されている内部空間においてプラズマが発生する。
これによって、基板Wにスパッタ粒子を入射させながら、アルゴンイオン及び電子が基板Wに入射することを防ぐことができる。
一方、プラズマ中のアルゴンイオンがスパッタ面3aに衝突し、これによってスパッタ面3aがスパッタリングされ、スパッタ面3aから基板Wに向かってCu原子又はCuイオンが飛散する。このCu原子又はCuイオンが飛散する方向は、ターゲット3の近傍に発生した垂直磁場によって変更され、Cu原子又はCuイオンは、基板Wに向かって誘導される。
このとき、特に、適切な上コイル16及び下コイル21に印加される電流量及び極性を制御し選択することにより、真空チャンバ2の中央から真空チャンバ2の側壁に向かう磁力線によって、アルゴンイオンと同様に正電荷を有するCuが基板へ入射することを防ぐことができる。
イオン(電子)電流は、基板Wのスパッタ粒子が衝突する場所に所定のプローブを固定して測定されている。この電流は、図5において、基板イオン・電子電流によって示されている。
このイオン(電子)電流値が高いほど、基板Wにイオン及び電子が到達している、つまり、基板Wが損傷したり、基板Wが加熱されたりすることを意味している。
その結果、同方向電流の場合は、コイル無しの場合と比較して、イオン電流が大幅に増加した。
これは、垂直磁場M1(図2参照)によって、コイル無しの場合よりも多く電子が基板Wに到達することによって生じた結果であると考えられる。
一方、電流反転の場合においては、同方向電流と比較してイオン電流が減少し、更にコイル無しの場合と比較してもイオン電流は減少した。
これは、第3コイル21の電流の極性に対して第2コイル16の電流の極性を逆転させ、第2コイル16に起因する磁力線に対して第3コイル21に起因する磁力線を反転させることにより、基板Wに到達する電子が積極的に排除された結果であると考えられる。
Claims (3)
- 成膜装置であって、
被膜が形成される被処理体とスパッタ面を有するターゲットとが対向するように前記被処理体及び前記ターゲットの両方が配置される内部空間と、側壁とを有するチャンバと、
前記チャンバ内を減圧する排気部と、
前記スパッタ面が露出されている前記内部空間に磁場を発生させる第1磁場発生部と、
前記ターゲットに負の直流電圧を印加する直流電源と、
前記チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入部と、
前記ターゲットに近い位置に配置され、前記ターゲットに隣接する位置において垂直な磁力線が通るように磁場を発生させる第2磁場発生部と、
前記被処理体に近い位置に配置され、前記磁力線を前記チャンバの前記側壁に誘導するように磁場を発生させる第3磁場発生部と、
を含むことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部は、前記チャンバの周囲において互いに所定の間隔で離間して設けられ、かつ、電源装置を備えたコイルであり、
前記第2磁場発生部に印加される電流の極性と前記第3磁場発生部に印加される電流の極性とが互いに反対となるように、前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部に電流が印加されること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項2に記載の成膜装置であって、
前記第2磁場発生部及び前記第3磁場発生部によって形成された磁力線を前記チャンバに誘導することを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011522848A JP5373903B2 (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-15 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009169449 | 2009-07-17 | ||
JP2009169449 | 2009-07-17 | ||
PCT/JP2010/061973 WO2011007830A1 (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-15 | 成膜装置 |
JP2011522848A JP5373903B2 (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-15 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011007830A1 true JPWO2011007830A1 (ja) | 2012-12-27 |
JP5373903B2 JP5373903B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=43449439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011522848A Active JP5373903B2 (ja) | 2009-07-17 | 2010-07-15 | 成膜装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120118732A1 (ja) |
JP (1) | JP5373903B2 (ja) |
KR (1) | KR101429069B1 (ja) |
CN (1) | CN102471879B (ja) |
TW (1) | TWI386506B (ja) |
WO (1) | WO2011007830A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6009220B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2016-10-19 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
US9953813B2 (en) * | 2014-06-06 | 2018-04-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improved metal ion filtering |
GB201505578D0 (en) | 2015-03-31 | 2015-05-13 | Spts Technologies Ltd | Method and apparatus for depositing a material |
US11056324B2 (en) * | 2018-08-13 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for particle control in MRAM processing |
CN113737143A (zh) * | 2021-08-24 | 2021-12-03 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 磁控溅射装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136230A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Ulvac Corp | 基板表面の整形装置 |
JP2674995B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | 基板処理方法およびその装置 |
JPH01132765A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マグネトロンスパッタ装置 |
JPH02156536A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Hitachi Ltd | 膜形成方法およびそれに用いるスパッタ装置ならびにこれを用いた高集積型半導体装置の製造方法 |
JPH03111563A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-13 | Ube Ind Ltd | イオンアシストスパッタリング方法および装置 |
JP4360716B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2009-11-11 | 株式会社アルバック | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 |
US7504006B2 (en) * | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
US7686926B2 (en) * | 2004-05-26 | 2010-03-30 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor |
KR101141391B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2012-05-03 | 가부시키가이샤 아루박 | 용량 결합형 자기 중성선 플라즈마 스퍼터장치 |
WO2009040972A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
US20100096255A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Gap fill improvement methods for phase-change materials |
-
2010
- 2010-07-15 KR KR1020117031073A patent/KR101429069B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-15 US US13/383,688 patent/US20120118732A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-15 JP JP2011522848A patent/JP5373903B2/ja active Active
- 2010-07-15 WO PCT/JP2010/061973 patent/WO2011007830A1/ja active Application Filing
- 2010-07-15 CN CN201080026409.0A patent/CN102471879B/zh active Active
- 2010-07-16 TW TW099123543A patent/TWI386506B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102471879A (zh) | 2012-05-23 |
TW201109457A (en) | 2011-03-16 |
CN102471879B (zh) | 2014-05-07 |
KR101429069B1 (ko) | 2014-08-11 |
JP5373903B2 (ja) | 2013-12-18 |
US20120118732A1 (en) | 2012-05-17 |
WO2011007830A1 (ja) | 2011-01-20 |
TWI386506B (zh) | 2013-02-21 |
KR20120027033A (ko) | 2012-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5373905B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
US20090314206A1 (en) | Sheet Plasma Film-Forming Apparatus | |
TWI548766B (zh) | Sputtering device | |
JP5373903B2 (ja) | 成膜装置 | |
US20110048927A1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
JP5550565B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
US20140048413A1 (en) | Film-forming apparatus | |
JP5373904B2 (ja) | 成膜装置 | |
US20140246325A1 (en) | Film-forming apparatus and film-forming method | |
US20110056829A1 (en) | Cathode unit and sputtering apparatus provided with the same | |
JP2010248576A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JP2011179068A (ja) | 金属薄膜の形成方法 | |
JP2012111996A (ja) | スパッタリング方法 | |
JP2012001761A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2007154230A (ja) | 成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5373903 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |