JPWO2010097830A1 - Semiconductor stack and power conversion device using the same - Google Patents
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Abstract
半導体スタック1は、積層基板2、複数の半導体モジュール3、複数の電解コンデンサ、複数のヒューズ5、および、冷却フィン6を有する。積層基板2は、P相導体板21、C相導体板22およびN相導体板が絶縁板24b,24cを介して重なり合ってなる。半導体モジュール3a〜3hは、積層基板2の背面上に列をなして配置されている。また、電解コンデンサ4a〜4mは、積層基板2の背面上に半導体モジュールの列に平行な列をなして配置されている。ヒューズ5a〜5mは、積層基板2の正面上に配置されている。The semiconductor stack 1 includes a multilayer substrate 2, a plurality of semiconductor modules 3, a plurality of electrolytic capacitors, a plurality of fuses 5, and cooling fins 6. The multilayer substrate 2 includes a P-phase conductor plate 21, a C-phase conductor plate 22, and an N-phase conductor plate that are overlapped via insulating plates 24b and 24c. The semiconductor modules 3 a to 3 h are arranged in a row on the back surface of the multilayer substrate 2. Further, the electrolytic capacitors 4 a to 4 m are arranged on the back surface of the multilayer substrate 2 in a row parallel to the row of semiconductor modules. The fuses 5 a to 5 m are arranged on the front surface of the multilayer substrate 2.
Description
本発明は、半導体スタック、および、それを用いた三相回転電機用の電力変換装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor stack and a power converter for a three-phase rotating electrical machine using the semiconductor stack.
従来の電力変換装置に用いられる半導体スタックは、積層基板、複数のスイッチング素子および電解コンデンサから構成されている(例えば、特許文献1を参照。)。 A semiconductor stack used in a conventional power conversion device includes a laminated substrate, a plurality of switching elements, and an electrolytic capacitor (see, for example, Patent Document 1).
積層基板は、正極側の導体板と負極側の導体板とが絶縁板を介して積層され構成されている。各スイッチング素子の正極側の端子および負極側の端子は、それぞれ積層基板の正極側の導体板および負極側の導体板に接続されている。また、電解コンデンサの正極側の端子および負極側の端子は、それぞれ積層基板の正極側の導体板および負極側の導体板に接続されている。 The laminated substrate is configured by laminating a positive-side conductor plate and a negative-side conductor plate via an insulating plate. The positive electrode side terminal and the negative electrode side terminal of each switching element are connected to the positive electrode side conductor plate and the negative electrode side conductor plate of the multilayer substrate, respectively. Further, the positive electrode side terminal and the negative electrode side terminal of the electrolytic capacitor are connected to the positive electrode side conductor plate and the negative electrode side conductor plate of the multilayer substrate, respectively.
複数のスイッチング素子は、積層基板の表面上に上下方向に列をなして実装されている。また、電解コンデンサは、複数のスイッチング素子の列の延長上に配置されている。
上記の半導体スタックでは、電解コンデンサが複数のスイッチング素子の列の延長上に配置されているため、各スイッチング素子と電解コンデンサとの間の距離が均一でない。そのため、電解コンデンサに近いスイッチング素子に大きい電流が流れ、各スイッチング素子間の電流がアンバランスとなる。 In the above semiconductor stack, the electrolytic capacitors are arranged on the extension of the row of the plurality of switching elements, and therefore the distance between each switching element and the electrolytic capacitor is not uniform. Therefore, a large current flows through the switching element close to the electrolytic capacitor, and the current between the switching elements becomes unbalanced.
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体スタックは、第1電極、第2電極および第3電極がそれぞれに形成された第1導体板、第2導体板および第3導体板が絶縁板を介して重なり合ってなる積層基板と、前記積層基板の一方の面上に列をなして配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の半導体モジュールと、前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の半導体モジュールの列に平行な列をなして配置され、前記第1電極および前記第2電極に接続された複数の第1電解コンデンサと、前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の第1電解コンデンサと同じ列をなして配置され、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の第2電解コンデンサと、前記積層基板の他方の面上に配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極のそれぞれに接続された複数のヒューズとを具備している。 In order to solve the above-described problems, the semiconductor stack according to the present invention is insulated from the first conductor plate, the second conductor plate, and the third conductor plate on which the first electrode, the second electrode, and the third electrode are respectively formed. A plurality of semiconductor modules arranged in a row on one surface of the multilayer substrate and connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode; A plurality of first electrolytic capacitors arranged on the one surface of the multilayer substrate in a row parallel to the rows of the plurality of semiconductor modules and connected to the first electrode and the second electrode; A plurality of second electrolytic capacitors arranged in the same row as the plurality of first electrolytic capacitors on the one surface of the multilayer substrate and connected to the second electrode and the third electrode; and Placed on the other side The first electrode, and a plurality of fuses connected to each of the second electrode and the third electrode.
また、上記課題を解決するために、本発明に係る三相回転電機を用いた電力変換装置は、第1電極、第2電極および第3電極がそれぞれに形成された第1導体板、第2導体板および第3導体板が絶縁板を介して重なり合ってなる積層基板と、前記積層基板の一方の面上に列をなして配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の半導体モジュールと、前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の半導体モジュールの列に平行な列をなして配置され、前記第1電極および前記第2電極に接続された複数の第1電解コンデンサと、前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の第1電解コンデンサと同じ列をなして配置され、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の第2電解コンデンサと、前記積層基板の他方の面上に配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極のそれぞれに接続された複数のヒューズとを具備している。 Moreover, in order to solve the said subject, the power converter device using the three-phase rotary electric machine which concerns on this invention is the 1st conductor board in which the 1st electrode, the 2nd electrode, and the 3rd electrode were each formed, 2nd A laminated substrate in which a conductor plate and a third conductor plate overlap with each other via an insulating plate, and are arranged in a row on one surface of the laminated substrate, and the first electrode, the second electrode, and the third electrode A plurality of semiconductor modules connected to each other, and arranged on the one surface of the multilayer substrate in a row parallel to the row of the plurality of semiconductor modules, and connected to the first electrode and the second electrode A plurality of first electrolytic capacitors and a plurality of first electrolytic capacitors disposed on the one surface of the multilayer substrate in the same row as the plurality of first electrolytic capacitors and connected to the second electrode and the third electrode; 2 electrolytic capacitor and the above-mentioned laminated base Of it is placed on the other surface, the first electrode, and a plurality of fuses connected to each of the second electrode and the third electrode.
本発明に係る半導体スタックは、各半導体モジュール間の電流のバランスを良好にすることができる。 The semiconductor stack according to the present invention can improve the balance of current between the semiconductor modules.
1…半導体スタック、2…積層基板、3…半導体モジュール、4…電解コンデンサ、5…ヒューズ、6…冷却フィン、7…直流側の電極、21…第1導体板、22…第2導体板、23…第3導体板、24…絶縁板、25…接続孔、26…積層導体の長手方向、27…積層導体の短手方向 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor stack, 2 ... Laminated substrate, 3 ... Semiconductor module, 4 ... Electrolytic capacitor, 5 ... Fuse, 6 ... Cooling fin, 7 ... DC side electrode, 21 ... 1st conductor plate, 22 ... 2nd conductor plate, 23: Third conductor plate, 24: Insulating plate, 25: Connection hole, 26: Longitudinal direction of the laminated conductor, 27: Short direction of the laminated conductor
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る三相回転電機用の電力変換装置に用いられる半導体スタックについて図1ないし図4を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る半導体スタックの正面斜視図である。図2は、本実施形態に係る半導体スタックの積層基板の分解斜視図である。図3は、本実施形態に係る半導体スタックの積層基板の斜視図である。図4は、本実施形態に係る半導体スタックの回路構成の一部を示す図である。(First embodiment)
A semiconductor stack used in the power converter for a three-phase rotating electrical machine according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a front perspective view of a semiconductor stack according to the present embodiment. FIG. 2 is an exploded perspective view of the stacked substrate of the semiconductor stack according to the present embodiment. FIG. 3 is a perspective view of the laminated substrate of the semiconductor stack according to the present embodiment. FIG. 4 is a diagram showing a part of the circuit configuration of the semiconductor stack according to the present embodiment.
本実施形態に係る半導体スタック1は、積層基板2の表面上に半導体モジュール3、電解コンデンサ4、ヒューズ5、および、冷却フィン6が実装されることにより構成されている。
The semiconductor stack 1 according to this embodiment is configured by mounting a
まず、半導体スタック1の回路構成について図4を用いて説明する。 First, the circuit configuration of the semiconductor stack 1 will be described with reference to FIG.
半導体スタック1の回路は、8つの半導体モジュール3a〜3h、12つの電解コンデンサ4a〜4m、および、12つのヒューズ5a〜5m、および、3つの直流側の電極7(P相電極7a、C相電極7bおよびN相電極7c)から構成されている。
The circuit of the semiconductor stack 1 includes eight
半導体モジュール3a,3bは、P相電極7a、C相電極7bおよびN相電極7cに接続されている。半導体モジュール3a,3bは、互いに並列に接続されている。
電解コンデンサ4a〜4cは、P相電極7aおよびC相電極7bに接続され、互いに並列に接続されている。また、電解コンデンサ4d〜4fは、C相電極7bおよびN相電極7cに接続され、互いに並列に接続されている。
ヒューズ5aは、P相電極7aに直列に接続され、ヒューズ5bは、N相電極7cに直列に接続されている。ヒューズ5a,5bは、半導体モジュール3a,3bを保護するために設けられている。また、ヒューズ5c,5dは、C相電極7bに直列に接続され、互いに並列に接続されている。ヒューズ5c,5dは、電解コンデンサ4d〜4fを保護するために設けられている。
Fuse 5a is connected in series to P-
半導体モジュール3c,3dおよびヒューズ5e,5fにより構成された回路は、半導体モジュール3a,3bおよびヒューズ5c,5dにより構成された回路と同一であり、両回路は、互いに並列に接続されている。半導体モジュール3c,3dおよびヒューズ5e,5fと半導体モジュール3a,3bおよびヒューズ5c,5dとは、電解コンデンサ4a〜4fおよびヒューズ5a,5bを共有する。
The circuit constituted by the
半導体モジュール3a〜3d、電解コンデンサ4a〜4fおよびヒューズ5a〜5fにより構成された回路は、半導体モジュール3a〜3d、電解コンデンサ4a〜4fおよびヒューズ5a〜5fにより構成された回路と同一であり、両回路は、互いに並列に接続されている。
The circuit constituted by the
上述の回路構成により、半導体モジュール3a〜3hは、P相電極7a、C相電極7bおよびN相電極7cからの直流電流を三相交流電流に変換し、出力する。
With the circuit configuration described above, the
次に、積層基板2の構造について図2および図3を用いて説明する。
Next, the structure of the
積層基板2は、第1電極(P相電極7a)が形成された第1導体板(P相導体板)21、第2電極(C相電極7b)が形成された第2導体板(C相導体板)22、第3電極(N相電極7c)が形成された第3導体板(N相導体板)23、および、4枚の絶縁板24(絶縁板24a〜24d)を有する。
The
これらは、(図2の下方から)絶縁板24a、N相導体板23、絶縁板24b、P相導体板21、絶縁板24c、C相導体板22、絶縁板24dの順で積層されている。積層基板2は、板状であり、その板面の形状は、略長方形に形成されている。
These are laminated in the order of an
導体板21〜23および絶縁板24a〜24dの所定の位置には、穴あけ加工による複数の接続孔25が形成されていて、複数の接続孔には接続用ボルト(図示しない。)が挿入されている。この接続用ボルトにより、電極7a〜7cが互いに電気的に接続されている。
A plurality of
次に、半導体スタック1の実装構造について図1を用いて説明する。 Next, the mounting structure of the semiconductor stack 1 will be described with reference to FIG.
半導体モジュール3a〜3hは、略長方形の板状である。半導体モジュール3a〜3hは、その長手方向の一方の側部には、P相側端子、C相側端子、N相側端子およびAC(交流)側端子を有する。
The
半導体モジュール3a〜3dおよび半導体モジュール3e〜3hは、互いに対向して、積層基板2の絶縁板24a側の表面(以下「積層基板2の背面」と呼ぶ。)上に配置されている。
The
半導体モジュール3a〜3dは、端子が設けられた側部のみが積層基板2の背面の短手方向の一方の側部に重なるように、積層基板2の長手方向に沿って、順に1列に並んで載置されている。
The
半導体モジュール3e〜3hは、端子が設けられた側部のみが積層基板2の背面の短手方向の他方の側部(半導体モジュール3a〜3hが配置された側部と反対側の側部)に重なるように、積層基板2の長手方向に沿って、順に1列に並んで載置されている。
In the
積層基板2の短手方向の側部には、半導体モジュール3a〜3hの端子に対応した位置に、皿絞り加工による複数の接続孔25が設けられていて、半導体モジュール3a〜3hのP相側端子とP相電極7a、C相側端子とC相電極7bおよびN相側端子とN相電極7cとが接続されている。
A plurality of connection holes 25 by dish drawing are provided at positions corresponding to the terminals of the
半導体モジュール3a〜3hの積層基板2側の面(以下「半導体モジュール3の正面」と呼ぶ。)と反対側の面(以下「半導体モジュール3の背面」と呼ぶ。)には、4つの冷却フィン6a〜6dが設けられている。
Four cooling fins are provided on the surface opposite to the surface of the
冷却フィン6a〜6dは、冷却フィン6a〜6dを通過する冷却風の向きが半導体モジュール3の列に直行する方向(積層基板2の短手方向)となるように設置される。
The cooling fins 6 a to 6 d are installed so that the direction of the cooling air passing through the cooling fins 6 a to 6 d is a direction (a short direction of the multilayer substrate 2) that is perpendicular to the row of the
電解コンデンサ4a〜4mは、円筒部41とその一端に設けられた2つの端子を有する。電解コンデンサ4a〜4cおよび電解コンデンサ4g〜4iは、それぞれP相側端子およびC相側端子を有する。一方、電解コンデンサ4d〜4fおよび電解コンデンサ4j〜4mは、それぞれC相側端子およびN相側端子を有する。
The
電解コンデンサ4a〜4fおよび電解コンデンサ4g〜4mは、互いに対向して、積層基板2の背面上に起立するように配置されている。
電解コンデンサ4a〜4fおよび電解コンデンサ4g〜4mは、積層基板2の長手方向に沿って、順に積層基板2の短手方向の中央部に2列に並んで載置されている。
The
電解コンデンサ4a〜4fと半導体モジュール3a〜3dとが隣接し、電解コンデンサ4g〜4mと半導体モジュール3e〜3hとが隣接して並んでいる。
積層基板2の短手方向の中央部には、電解コンデンサ4a〜4cおよび電解コンデンサ4g〜4iの端子に対応した位置に、皿絞り加工による複数の接続孔25が設けられていて、電解コンデンサ4a〜4cおよび電解コンデンサ4g〜4iのP相側端子とP相電極7aおよびC相側端子とC相電極7bとが接続されている。
A plurality of connection holes 25 by dish drawing are provided at positions corresponding to the terminals of the
また、積層基板2の短手方向の中央部には、電解コンデンサ4d〜4fおよび電解コンデンサ4j〜4mの端子に対応した位置に接続孔25が設けられていて、電解コンデンサ4d〜4fおよび電解コンデンサ4j〜4mのN相側端子とN相電極7cおよびC相側端子とC相電極7bとが接続されている。
In addition, a
ヒューズ5a〜5mは、略直方体形状であり、2つの端子を有する。ヒューズ5a,5gは、それぞれ2つのP相側端子を有し、ヒューズ5b,5hは、それぞれ2つのP相側端子を有する。また、ヒューズ5c〜5fおよびヒューズ5i〜5mは、それぞれ2つのC相側端子を有する。
The
ヒューズ5a〜5fおよびヒューズ5g〜5mは、互いに対向して、積層基板2の背面と反対側の面(以下「積層基板2の正面」)上に配置されている。
The
ヒューズ5a,5c〜5f,5bは、積層基板2の長手方向に沿って、半導体モジュール3a〜3dと電解コンデンサ4a〜4fとの間に配置されるように、順に積層基板2の正面に1列に並んで載置されている。
The
一方、ヒューズ5g,5i〜5m,5hは、積層基板2の長手方向に沿って、半導体モジュール3e〜3hと電解コンデンサ4g〜4mとの間に配置されるように、順に積層基板2の正面に1列に並んで載置されている。
On the other hand, the
積層基板2のヒューズ5a〜5mの端子に対応した位置には、接続孔25が設けられ、ロウ付け加工されている。ヒューズ5a,5gのP相端子は、P相側電極7aに接続され、ヒューズ5b,5hのN相端子は、N相側電極7cに接続されている。また、ヒューズ5c〜5fおよびヒューズ5i〜5mのC相端子は、C相側電極7bに接続されている。
Connection holes 25 are provided at positions corresponding to the terminals of the
半導体スタック1は、例えば、三相回転電機用の電力変換装置(図示しない。)に用いられる。 The semiconductor stack 1 is used, for example, in a power conversion device (not shown) for a three-phase rotating electrical machine.
かかる場合には、半導体スタック1は、電力変換装置の筐体内に設置される。半導体スタック1は、積層基板2の正面が電力変換装置の筐体の正面側を向くように設置されている。
In such a case, the semiconductor stack 1 is installed in the casing of the power conversion device. The semiconductor stack 1 is installed such that the front surface of the
以下、本実施形態に係る半導体スタック1の効果について説明する。 Hereinafter, effects of the semiconductor stack 1 according to the present embodiment will be described.
本実施形態によれば、半導体モジュール3a〜3dと電解コンデンサ4a〜4fとが並行して配列されているため、半導体モジュール3a〜3dと電解コンデンサ4a〜4fとの配線距離を略均一にすることができる。同様に、半導体モジュール3e〜3hと電解コンデンサ4g〜4mとの配線距離を略均一にすることができる。その結果、各半導体モジュール3a〜3h間の電流のバランスが良好となる。
According to this embodiment, since the
また、本実施形態によれば、半導体モジュール3と電解コンデンサ4とを接続している各導体7a〜7cが積層されているため、各導体7a〜7c間の距離が最小となっている。その結果、各導体7a〜7cの配線インダクタンスを最小にすることができ、半導体モジュール3のサージ電圧を抑制できる。
Moreover, according to this embodiment, since each
また、本実施形態によれば、平面状の積層導体2の表面に半導体モジュール3、電解コンデンサ4およびヒューズ5を実装しているため、破損頻度の高い半導体モジュール3、電解コンデンサ4およびヒューズ5の保守交換が容易になる。
Moreover, according to this embodiment, since the
さらに、本実施形態によれば、板状の半導体モジュール3が、その端子が設けられた側部のみが積層基板2に重なって載置されている。そのため、半導体モジュール3の放熱効率が向上する。また、冷却フィン6を通過する冷却風の向きが、積層基板2の短手方向である。そのため、半導体モジュール3の冷却と同時に、電解コンデンサ3を冷却することができる。
Furthermore, according to the present embodiment, the plate-
(その他の実施形態)
上記各実施形態は単なる例示であって、本発明はこれらに限定されるものではない。(Other embodiments)
The above embodiments are merely examples, and the present invention is not limited thereto.
半導体モジュール3、電解コンデンサ4およびヒューズ5の個数は、上記実施形態に限定されない。例えば、第1の実施形態に係る半導体スタック1より小規模な半導体スタックの場合には、半導体モジュールを4つ(3a〜3d)、電解コンデンサを6つ(4a〜4f)、ヒューズを4つ(5a〜5f)としても良い。
The number of
また、第1導体板21、第2導体板22および第3導体板23の積層の順序は、上記実施形態に限定されない。
Further, the order of stacking the first conductor plate 21, the
さらには、各電極7a〜7c間の電気的な接続、および、電極7a〜7cと半導体モジュール3等との間の電気的な接続は、接続用ボルトに限られず、銅線、半田およびロウ付け等でも良い。
Furthermore, the electrical connection between the
半導体モジュール3e〜3h、電解コンデンサ4g〜4mおよびヒューズ5i〜5mにより構成された回路は、半導体モジュール3a〜3d、電解コンデンサ4a〜4fおよびヒューズ5a〜5fにより構成された回路と同一であり、両回路は、互いに並列に接続されている。
冷却フィン6a〜6dは、冷却フィン6a〜6dを通過する冷却風の向きが半導体モジュール3の列に直交する方向(積層基板2の短手方向)となるように設置される。
Cooling fins 6a~6d is installed so that the direction of the cooling air passing through the cooling fins 6a~6d is Cartesian directions (widthwise direction of the laminated substrate 2) to the columns of the
電解コンデンサ4a〜4mは、円筒部とその一端に設けられた2つの端子を有する。電解コンデンサ4a〜4cおよび電解コンデンサ4g〜4iは、それぞれP相側端子およびC相側端子を有する。一方、電解コンデンサ4d〜4fおよび電解コンデンサ4j〜4mは、それぞれC相側端子およびN相側端子を有する。
さらに、本実施形態によれば、板状の半導体モジュール3が、その端子が設けられた側部のみが積層基板2に重なって載置されている。そのため、半導体モジュール3の放熱効率が向上する。また、冷却フィン6を通過する冷却風の向きが、積層基板2の短手方向である。そのため、半導体モジュール3の冷却と同時に、電解コンデンサ4を冷却することができる。
Furthermore, according to the present embodiment, the plate-
Claims (5)
前記積層基板の一方の面上に列をなして配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の半導体モジュールと、
前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の半導体モジュールの列に平行な列をなして配置され、前記第1電極および前記第2電極に接続された複数の第1電解コンデンサと、
前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の第1電解コンデンサと同じ列をなして配置され、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の第2電解コンデンサと、
前記積層基板の他方の面上に配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極のそれぞれに接続された複数のヒューズと
を具備することを特徴とする半導体スタック。A first conductive plate on which a first electrode, a second electrode, and a third electrode are formed, a laminated substrate in which the second conductive plate and the third conductive plate are overlapped via an insulating plate;
A plurality of semiconductor modules arranged in a row on one surface of the multilayer substrate and connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode;
A plurality of first electrolytic capacitors disposed on the one surface of the multilayer substrate in a row parallel to the rows of the plurality of semiconductor modules and connected to the first electrode and the second electrode;
A plurality of second electrolytic capacitors disposed on the one surface of the multilayer substrate in the same row as the plurality of first electrolytic capacitors and connected to the second electrode and the third electrode;
A semiconductor stack, comprising: a plurality of fuses disposed on the other surface of the multilayer substrate and connected to each of the first electrode, the second electrode, and the third electrode.
前記積層基板の一方の面上に列をなして配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の半導体モジュールと、
前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の半導体モジュールの列に平行な列をなして配置され、前記第1電極および前記第2電極に接続された複数の第1電解コンデンサと、
前記積層基板の前記一方の面上に前記複数の第1電解コンデンサと同じ列をなして配置され、前記第2電極および前記第3電極に接続された複数の第2電解コンデンサと、
前記積層基板の他方の面上に配置され、前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極のそれぞれに接続された複数のヒューズと
を具備することを特徴とする三相回転電機用の電力変換装置。A first conductive plate on which a first electrode, a second electrode, and a third electrode are formed, a laminated substrate in which the second conductive plate and the third conductive plate are overlapped via an insulating plate;
A plurality of semiconductor modules arranged in a row on one surface of the multilayer substrate and connected to the first electrode, the second electrode, and the third electrode;
A plurality of first electrolytic capacitors disposed on the one surface of the multilayer substrate in a row parallel to the rows of the plurality of semiconductor modules and connected to the first electrode and the second electrode;
A plurality of second electrolytic capacitors disposed on the one surface of the multilayer substrate in the same row as the plurality of first electrolytic capacitors and connected to the second electrode and the third electrode;
A plurality of fuses disposed on the other surface of the multilayer substrate and connected to each of the first electrode, the second electrode, and the third electrode. Power conversion device.
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