JPWO2010079768A1 - 電力送信装置及び非接触電力伝送システム - Google Patents

Abstract

受電コイル６０と送電コイル４０との間の電磁誘導を利用して電力送信装置１０から電力受信装置５０に対して電力を送信するシステム。電力送信装置１０は、電力スイッチング回路１４と、第１キャパシタ２０と、電力取出し回路３０とを備えている。電力スイッチング回路１４は、スイッチング素子１６と出力点Ｐとを有しており、スイッチング素子１６を所定スイッチング周波数ｆでスイッチすることにより出力点Ｐにおける電位を所定変動させる。ここで、所定変動は所定の振幅を有する正弦波変動を半波整流して得られるような電位変動である。第１キャパシタ２０は、出力点Ｐと第１固定電位（グランド）との間に接続されている。電力取出し回路３０は、送電コイル４０を含んでおり、所定変動に含まれる交流的変化を送電コイル４０の両端に生じさせるように構成されている。この電力取出し回路３０は、出力点Ｐと第２固定電位（グランド）との間に接続されている。

Description

本発明は、受電コイルを有する電力受信装置と、送電コイルを有する電力送信装置とを備える非接触電力伝送システムに関する。非接触電力伝送システムにおいては、電力受信装置の受電コイルを電力送信装置の送電コイル近傍の所定位置に配置することにより受電コイルと送電コイルとの間の電磁誘導を利用して電力送信装置から電力受信装置に対して電力が送信される。例えば、電力受信装置は、携帯電話や携帯型音楽プレーヤーのような携帯型電子機器であり、電力送信装置は、その携帯電子機器用の充電台やクレードルである。

電力送信装置では、スイッチング素子を備える電力スイッチング回路により送電コイルを駆動し、送電コイルから受電コイルへ電磁誘導により電力送電を行っている。ここで、携帯電子機器等への電力送信のような近年のアプリケーションを考慮すると、スイッチング周波数を上げる必要がある。一方、電力スイッチング回路の回路構成によっては、スイッチング周波数を上げると、発熱量が多くなったり電力損失が多くなったりするといった問題もある。

このような背景の下、特許文献１では、高効率で励磁でき、発熱及び電力損失の少ない電力スイッチング回路を含む電力送信装置であってスイッチング周波数を高周波数化してなる電力送信装置が提案されている。特許文献１による電力スイッチング回路は、自励式コルピッツ発振回路をベースとするものである。ここで送電コイルは、電力スイッチング回路におけるスイッチング素子へのフィードバックループ中へ組み込まれている。

特許第２６７３８７６号公報

しかしながら、送電コイルがスイッチング素子へのフィードバックループ中へ組み込まれていると、送電コイルから受電コイルへ大きな電力を送信することはできない。

そこで、本発明は、高周波数化などの特許文献１による効果に加え、特許文献１と比較して大きな電力を送信することも可能とした電力送信装置を提供することを目的とする。

本発明の一の側面は、送電コイルを有する電力送信装置であって、電力受信装置の受電コイルを前記送電コイル近傍の所定位置に配置することにより前記受電コイルと前記送電コイルとの間の電磁誘導を利用して前記電力受信装置に対して電力を送信する電力送信装置を提供する。電力送信装置は、電力スイッチング回路と、第１キャパシタと、電力取出し回路とを備えている。前記電力スイッチング回路は、スイッチング素子と出力点とを有しており、前記スイッチング素子を所定スイッチング周波数でスイッチすることにより前記出力点における電位を所定変動させる。ここで、前記所定変動は所定の振幅を有する正弦波変動を半波整流して得られるような電位変動である。前記第１キャパシタは、前記出力点と第１固定電位との間に接続されている。前記電力取出し回路は、前記送電コイルを含んでいる。前記電力取出し回路は、前記所定変動に含まれる交流的変化を前記送電コイルの両端に生じさせるように前記出力点と第２固定電位との間に接続されている。

本発明の一の側面による電力送信装置において、送電コイルは電力スイッチング回路内ではなく電力スイッチング回路外に設けられていることから、送信コイルから受電コイルに対して大きな電力を送信することが可能である。

更に、非接触電力伝送システムにおいて、透磁率が１０００以下の磁性体からなる基板に巻き数が１〜１０ターンの平面コイルを設置することにより送電コイル／受電コイルを構成することで送電コイル／受電コイルのインピーダンスを小さくし、更に、送電コイル／受電コイルの巻き線間に間隙を設けることにより、送電コイルと受電コイル間の位置ずれが生じた場合の電力伝送効率の大きな低下を緩和することができる。これにより、送電コイルと受電コイルとの間の磁気結合を強め電力伝送効率を高めることが可能となる。

本発明の第１の実施の形態による非接触電力伝送システムを示す概略ブロック図である。 図１の非接触電力伝送システムにおけるＰ点の電位変動（所定変動）を示すグラフである。 本発明の第２の実施の形態による非接触電力伝送システムを示す概略ブロック図である。 図３の非接触電力伝送システムに用いられる送電コイル／受電コイルの一例を示す概略平面図である。 図４の送電コイル／受電コイルの比較例を示す概略平面図である。 送電コイルに対して受電コイルが位置ズレした場合の出力電力の変化を示す図である。

（第１の実施の形態）
図１を参照すると、本発明の第１の実施の形態による非接触電力伝送システムは、送電コイル４０を有する電力送信装置１０と、受電コイル６０を有する電力受信装置５０とを備えている。即ち、送電コイル４０と受電コイル６０とは互いに分離可能なものである。

本実施の形態による非接触電力伝送システムは、電力受信装置５０の受電コイル６０を送電コイル４０近傍の所定位置に配置することにより、受電コイル６０と送電コイル４０との間の電磁誘導を利用して、電力送信装置から電力受信装置に対して電力を伝送するものである。ここで、電力受信装置５０は例えば携帯電子機器であり、電力送信装置１０は例えばその携帯電子機器の充電台やクレードルである。

電力送信装置１０は、発振回路１２と、電力スイッチング回路１４と、第１キャパシタ２０と、電力取出し回路３０とを備えている。発振回路１２は、所定スイッチング周波数ｆの発振信号を生成する。

電力スイッチング回路１４は、出力点Ｐとグランド（第３固定電位）との間に接続されたスイッチング素子１６と、出力点Ｐと電源ＶＤＤ（第４固定電位）との間に接続された電位変動用インダクタ１８とを備えている。本実施の形態によるスイッチング素子１６はｎＭＯＳＦＥＴであり、ドレイン端子が出力点Ｐに接続され、ソース端子がグランドに接続されている。また、スイッチング素子１６（詳しくは、ｎＭＯＳＦＥＴのゲート）には、発振回路１２が接続されており、発振回路１２から所定スイッチング周波数ｆの発振信号が入力され、所定スイッチング周波数ｆでのスイッチング動作が行われる。これにより、電力スイッチング回路１４は、出力点Ｐの電位Ｖ_Ｐを所定変動させる。

ここで、所定変動とは、図２に示されるように、所定の振幅を有する正弦波変動を半波整流して得られるような電位変動である。換言すると、所定変動とは、該正弦波変動のプラスの領域のみを取り出したような電位変動である。この所定変動は、所定スイッチング周波数ｆと電位変動用インダクタ１８のインダクタンスＬ_１の値を調整することにより設定される。なお、図２においてＶ_ＤＣで示されるものは出力点Ｐの電位Ｖ_Ｐを時間平均して得られる電位である。即ち、電位Ｖ_ＤＣは、電位Ｖ_Ｐの所定変動におけるＤＣ成分である。

第１キャパシタ２０は、出力点Ｐとグランド（第１固定電位）との間に接続されており、キャパシタンスＣ_１を有している。本実施の形態においてキャパシタンスＣ_１は、後述するように、電力取出し回路３０との関係で定められる。

電力取出し回路３０は、出力点Ｐとグランド（第２固定電位）との間に接続されている。特に、本実施の形態による電力取出し回路３０は、出力点Ｐに接続された第２キャパシタ３２と、第２キャパシタ３２とグランド（第２固定電位）との間に接続された送電コイル４０とを備えている。即ち、電力取出し回路３０は、第２キャパシタ３２と送電コイル４０を直列接続してなるものである。この電力取出し回路３０は、出力点Ｐの電位Ｖ_Ｐの変動（所定変動）のうちの交流成分（Ｖ_ＡＣ＝Ｖ_Ｐ−Ｖ_ＤＣ）を送信コイル４０にて取り出すための回路である。即ち、電力取出し回路３０は、所定変動に含まれる交流的変化を送信コイル４０の両端に生じさせるためのものである。第２キャパシタ３２は、所定変動に含まれるＤＣ成分を除去するためのものであり、キャパシタンスＣ_２を有している。また、送電コイル４０は、受電コイル６０を所定位置に配置した状態において出力点Ｐ側から見た場合にインダクタンスＬ_２を有している。換言すると、インダクタンスＬ_２は、送電コイル４０のみのインダクタンスではなく、受電コイルが所定位置に配置されたことで相互インダクタンスを含むこととなった送電コイル４０のインダクタンスである。

第１キャパシタ２０と第２キャパシタ３２と送電コイル４０とで直列共振回路を構成した場合における第１共振周波数ｆ_１であって送電コイル４０がインダクタンスＬ_２を有するものとして算出される第１共振周波数ｆ_１は、下記（１）式にて示される。

同様に、第２キャパシタ３２と送電コイル４０とで直列共振回路を構成した場合における第２共振周波数ｆ_２であって送電コイル４０がインダクタンスＬ_２を有するものとして算出される第２共振周波数ｆ_２は、下記（２）式にて示される。

スイッチング素子１６がオフのとき、第１キャパシタ２０と第２キャパシタ３２と送電コイル４０とで構成される共振回路が第１共振周波数ｆ_１で動作するものと考えられる。一方、スイッチング素子１６がオンのとき、第２キャパシタ３２と送電コイル４０とで構成される共振回路が第２共振周波数ｆ_２で動作するものと考えられる。従って、電力スイッチング回路１４の出力を高効率で取り出すためには、第１共振周波数ｆ_１が所定スイッチング周波数ｆより大きく、第２共振周波数ｆ_２が所定スイッチング周波数ｆより小さいことが好ましい。即ち、第１共振周波数ｆ１、第２共振周波数ｆ２及び所定スイッチング周波数ｆは、好ましくは下記（３）式を満たす。

更に、動作信頼性の確保する観点から、第１共振周波数ｆ_１については下記（４）式を満たすことが好ましく、第２共振周波数ｆ_２については下記（５）式を満たすことが好ましい。

上述した実施の形態において、スイッチング素子１６はｎＭＯＳＦＥＴであったが他の素子を用いてもよい。また、第１固定電位、第２固定電位及び第３固定電位は、いずれもグランドであったが、固定電位であるならばグランド以外であってもよい。

電力受信装置５０は、受電コイル６０に接続された電力受信回路５２と、電力受信回路５２に接続された負荷５４と、受電コイル６０に接続された充電回路５６と、充電回路５６に接続された二次電池５８とを備えている。上述したように電力送信装置１０の送電コイル４０から電力受信装置５０の受電コイル６０に伝送された電力は、充電回路５６を介して二次電池５８に充電される一方、電力受信回路５２を介して負荷５４に供給される。受電コイル６０で電力を受けていない間（受電コイル６０が所定位置に置かれていない間）は、二次電池５８からの放電が行われ、充電回路５６及び電力受信回路５２を介して負荷５４に電力の供給が行われる。

上述したように、送電コイル４０は、電力スイッチング回路１４の外部に設けられていることから、送電可能な電力の大きさに関する制限が解除されている。また、上述した式（１）〜式（３）を満たすようにスイッチング周波数と各素子との関係を構成することとすると、スイッチング周波数の１ＭＨｚ以上の高周波数化と高送電効率（低電力損失）を達成することができ、発熱も低くすることができる。即ち、本実施の形態によれば、特性上問題を生じさせることなく、電力送信装置１０の小型化・薄型化を実現することができる。更に、図１から明らかなように、本実施の形態による電力送信装置１０の回路構成は極めてシンプルである。

（第２の実施の形態）
図３を参照すると、本発明の第２の実施の形態による非接触電力伝送システムは、上述した第１の実施の形態による非接触電力伝送システムの変形例であり、電力送信装置１０ａにおける電力取出し回路３０ａの構成が異なる以外は、上述した第１の実施の形態による非接触電力伝送システムと同じ構成を備えている。従って、以下においては、差異である電力取出し回路３０ａについて特に説明することとし、その他の点については説明を省略することとする。

本実施の形態による電力取出し回路３０ａは、出力点Ｐに接続された送電コイル４０と、送電コイル４０とグランド（第２固定電位）との間に接続された第２キャパシタ３２とを備えている。即ち、電力取出し回路３０ａもまた、第２キャパシタ３２と送電コイル４０を直列接続してなるものであり、出力点Ｐの電位Ｖ_Ｐの変動（所定変動）のうちの交流成分（Ｖ_ＡＣ＝Ｖ_Ｐ−Ｖ_ＤＣ）を送信コイル４０にて取り出すための回路である。

本実施の形態による非接触電力伝送システムもまた、上述した式（１）〜（５）を満たすように構成されている。このことから理解されるように、式（１）〜式（３）を満たす限り、第２キャパシタ３２と送電コイル４０とのいずれが出力点Ｐ側に接続されていてもよい。更に、第２キャパシタ３２を２つのキャパシタに分割して、それらで送電コイル４０を挟むようにして２つのキャパシタと送電コイル４０とを直列接続することにより、電力取出し回路３０ａを構成することとしてもよい。いずれの場合も上掲の式（１）〜式（３）、好ましくは式（１）〜式（５）を満たしていれば、上述した第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

本実施の形態における各素子のインダクタンス及びキャパシタンスの具体的数値例を以下に記す。受電コイル６０を所定位置に配置した状態（送電コイル４０及び受電コイル６０が電磁誘導によって結合する状態に置かれたとき）の出力点Ｐから見た場合の送電コイル４０のインダクタンスＬ_２＝２．６４μＨ、電位変動用インダクタ１８のインダクタンスＬ_１＝１４．５７μＨ、第１キャパシタ２０のキャパシタンスＣ_１＝７５．６７ｐＦ、第２キャパシタ３２のキャパシタンスＣ_２＝６１．０４ｐＦとし、所定スイッチング周波数ｆを１３．５６ＭＨｚとし、式（１）に各数値を代入して計算すると、下記の結果が得られる。
ｆ＝０．６４７４ｆ_１ ・・・（６）
同様に、式（２）に各数値を代入して計算すると、下記の結果が得られる。
ｆ＝１．１７０ｆ_２ ・・・（７）
即ち、インダクタンス及びキャパシタンス並びに所定スイッチング周波数を上記のような値にすると、ｆ_２＜ｆ＜ｆ_１となり、式（３）を満足する。

実際に、インダクタンス及びキャパシタンス並びに所定スイッチング周波数を満たすように電力送信装置１０を構成し、電力受信装置５０との間で電力伝送を行った。
その際の送電コイル４０の入力インピーダンスを測定し、そのインピーダンスの実数成分（Ｒ）が２８．５Ωのとき、電力受信装置５０側への伝送電力量は２．９Ｗとなった。また、伝送電力量や送電コイル４０及び／又は受電コイル６０の特性が異なると、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｃ_１、Ｃ_２の設定値は変える必要があるが、その場合であっても、上述したように、式（３）の条件、即ち、ｆ_２＜ｆ＜ｆ_１を満足するように各素子の値及びスイッチング周波数を設定することにより、高い送電効率を得ることができる。

図４は、本実施の形態の非接触電力伝送システムに使用する送電コイル４０の構成の一例を示す平面図である。なお、受電コイル６０もこの送電コイル４０と同様の構成を有するものとする。図４に示される送電コイル４０は、コイル巻き線の互いの線間に間隙を設けて構成されたものである。詳しくは、送電コイル４０は、透磁率が１０００以下の磁性体基板４２上に巻き数が４ターンの平面コイル４４を設置して構成し、そのインピーダンスを小さくしている。

平面コイル４４は回路配線板上にパターン配線にて形成することとしてもよい。その場合、成形された回路基板上にコイルパターンのパターンニング、めっき、エッチングなどの工程を経て形成される。また平面コイル４４は、ポリウレタン銅線、ポリエステル銅線、エナメル銅線などの単線、もしくは上記単線を２本以上撚り合わせたもの、もしくは上記単線を２本以上束ねたもの、もしくは上記単線に熱可塑性樹脂、熱硬化型樹脂などの融着皮膜を焼き付けた融着銅線、もしくは上記単線を２本以上平行に並べ接着させた多本平行線などで形成することとしてもよい。なお、平面コイル４４の形状は搭載される筐体の形状に合わせて最適な形状となるよう設計することができる。

磁性体基板４２は、例えば、厚み１ｍｍ以下であり且つ比透磁率が１０００以下であるニッケル系フェライトを用いて構成することができる。なお、磁性体基板４２の形状は搭載される筐体の形状に合わせて最適な形状に設計することができる。

また、磁性体基板４２は、上述のニッケル系フェライトの他に、マンガン系フェライト、アモルファス磁性合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金であるパーマロイ、ナノ結晶磁性材料などの磁性材料を用いて構成することとしてもよい。この磁性材料はシート状のもののほか、磁性塗料を塗布したもの、上記材料の磁性体フィラーや磁性粉を樹脂に混合したものであってもよい。

上述した送電コイル４０と、図５に示される比較例のコイル４０′とを試作し評価を行った。ここで、コイル４０′は、コイル巻き線の互いの線間に間隙を設けないで構成されたものであり、その他の点（材料等）については図４に示される送電コイル４０と同じである。

具体的には、図４の送電コイル４０（受電コイル６０）の例として、外径φ２９ｍｍ、線径０．５ｍｍ、巻き数４ターンとし、コイル巻き線の互いの線間の間隙を２ｍｍとして平面コイル４４を構成する一方、ニッケル系フェライトを使用し、外径φ３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの円盤形状の磁性体基板４２を構成した。磁性体基板４２の透磁率は８００であった。かかるコイルの場合、所定スイッチング周波数ｆ＝１３．５６ＭＨｚでの電力伝送において、６Ｗの電力を給電することができた。

一方、図５の送電コイル４０′（受電コイル６０）の例として、外径φ２５ｍｍ、線径０．５ｍｍ、巻き数４ターンとし、コイル巻き線間に間隙を設けずに平面コイル４４′を構成する一方、ニッケル系フェライトを使用し、外径φ３０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの円盤形状の磁性体基板４２を構成した。磁性体基板４２の透磁率は８００であった。かかるコイルの場合、所定スイッチング周波数ｆ＝１３．５６ＭＨｚでの電力伝送において、４．５Ｗの電力を給電することができた。

また、送電コイルと受電コイル間の位置ずれによる効率の変化を評価した。具体的には、受電コイルとしては図５に示される構成を有するコイルを用いた。一方、送電コイルとしては図４の構成を有するもの（巻き線間に間隙がある構成）と図５の構成を有するもの（巻き線間に間隙がない構成）との２つ作製し、それぞれについて送電コイルに対して受電コイルが位置ずれした場合の出力電力の変化を評価を行った。評価結果を図６に示す。
図６から明らかなように、巻き線間に間隙を設けた平面コイル４４を用いた場合、位置ずれに対して出力電力の変化が少なく、互いのコイルの位置ずれが±５ｍｍまでは５Ｖ以上の出力が得られている。

なお、送電コイル及び受電コイル用の平面コイルの巻き数及びインピーダンスは、非接触電力伝送システムの用途や小型化に対する要求の程度、所望とする給電電力などによって最適な値は異なる。しかしながら、巻き数として１から１０ターンであれば広範な応用に対して適用可能である。また、コイルの巻き線間の間隙は０．１ｍｍ以上であれば、従来のようにほぼ間隔０で構成した場合に比べ、送電コイル及び受電コイル間の位置ずれに対する冗長性を改善可能である。

本発明は上記の実施の形態に限られるものではないことはいうまでもなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で部材や構成などの変更が可能である。例えば、電力受信回路５０の負荷９は等価回路的には一般的には抵抗が想定される。しかしながら、容量成分を直列又は並列に含む負荷やインダクタンス成分を含む負荷であってもよく、その場合であっても、本発明の効果が得られる。また、電力送信装置１０に関しては図示された素子の他に電気部品や回路を付加することもできる。また、電圧駆動型のスイッチング素子には、ＦＥＴ以外の半導体スイッチ素子を用いることもできる。

１０，１０ａ 電力送信装置
１２ 発振回路
１４ 電力スイッチング回路
１６ スイッチング素子
１８ 電位変動用インダクタ
２０ 第１キャパシタ
３０，３０ａ 電力取出し回路
３２ 第２キャパシタ
４０ 送電コイル
４２ 磁性体基板
４４ 平面コイル
５０ 電力受信装置
５２ 電力受信回路
５４ 負荷
５６ 充電回路
５８ 二次電池
６０ 受電コイル
６２ 磁性体基板
６４ 平面コイル

Claims (12)

1. 送電コイルを有する電力送信装置であって、電力受信装置の受電コイルを前記送電コイル近傍の所定位置に配置することにより前記受電コイルと前記送電コイルとの間の電磁誘導を利用して前記電力受信装置に対して電力を送信する電力送信装置において、
   スイッチング素子と出力点とを有し且つ前記スイッチング素子を所定スイッチング周波数でスイッチすることにより前記出力点における電位を所定変動させる電力スイッチング回路であって、前記所定変動は所定の振幅を有する正弦波変動を半波整流して得られるような電位変動である電力スイッチング回路と、
   前記出力点と第１固定電位との間に接続された第１キャパシタと、
   前記送電コイルを含む電力取出し回路であって、前記所定変動に含まれる交流的変化を前記送電コイルの両端に生じさせるように前記出力点と第２固定電位との間に接続された電力取出し回路と
   を備える電力送信装置。
2. 請求項１記載の電力送信装置であって、
   前記スイッチング素子は、第３固定電位と前記出力点との間に接続されており、
   前記電力スイッチング回路は、第４固定電位と前記出力点との間に接続された電位変動用インダクタを更に備えており、
   前記所定変動は、前記所定スイッチング周波数ｆと前記電位変動用インダクタのインダクタンスとで設定される
   電力送信装置。
3. 請求項２記載の電力送信装置であって、前記第３固定電位はグランドである、電力送信装置。
4. 請求項２又は請求項３記載の電力送信装置であって、
   前記電力取出し回路は、前記送電コイルと、該送電コイルと直列接続された第２キャパシタとを備えており、
   前記送電コイルと前記第２キャパシタとで直列共振回路を構成した場合における第２共振周波数ｆ_２であって前記受電コイルを前記所定領域に配置した状態において前記出力点側から前記送電コイルを見た場合の前記送電コイルのインダクタンスを用いて算出される第２共振周波数ｆ_２は、前記所定スイッチング周波数ｆよりも小さい
   電力送信装置。
5. 請求項４記載の電力送信装置であって、
   前記第２共振周波数ｆ_２は、前記所定スイッチング周波数ｆに対して、０．５ｆ＜ｆ_２＜ｆを満たす、電力送信装置。
6. 請求項４又は請求項５記載の電力送信装置であって、
   前記第１キャパシタと前記第２キャパシタと前記送電コイルとで直列共振回路を構成した場合における第１共振周波数ｆ_１であって前記受電コイルを前記所定領域に配置した状態において前記出力点側から前記送電コイルを見た場合の前記送電コイルのインダクタンスを用いて算出される第１共振周波数ｆ_１は、前記所定スイッチング周波数ｆよりも大きい
   電力送信装置。
7. 請求項６記載の電力送信装置であって、
   前記第１共振周波数ｆ_１は、前記所定スイッチング周波数ｆに対して、ｆ＜ｆ_１＜２ｆを満たす、電力送信装置。
8. 請求項２乃至請求項７のいずれかに記載の電力送信装置であって、
   前記所定スイッチング周波数は１ＭＨｚ以上に設定されている
   電力送信装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電力送信装置であって、前記第１固定電位及び前記第２固定電位はいずれもグランドである、電力送信装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の電力送信装置と、
    前記受電コイルを有する前記電力受信装置と
    を備える非接触電力伝送システム。
11. 請求項１０記載の非接触電力伝送システムであって、
    前記送電コイル及び前記受電コイルは、夫々、基板に対して平面コイルを設置して構成されたものであり、
    前記基板は、透磁率が１０００以下の磁性体からなるものであり、
    前記平面コイルの巻回数は、１〜１０ターンである、
    非接触電力伝送システム。
12. 請求項１１記載の非接触電力伝送システムであって、
    前記平面コイルは、線間に０．１ｍｍ以上の間隙を設けるようにして巻き線してなるものである
    非接触電力伝送システム。

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