JPWO2010013748A1 - 紫外線受光素子および紫外線量の測定方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- -1 rare earth metal fluoride Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 9
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 6
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 3
- XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K trifluoroneodymium Chemical compound F[Nd](F)F XRADHEAKQRNYQQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017557 NdF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009520 YbF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OEKDNFRQVZLFBZ-UHFFFAOYSA-K scandium fluoride Chemical compound F[Sc](F)F OEKDNFRQVZLFBZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K ytterbium(iii) fluoride Chemical compound F[Yb](F)F XASAPYQVQBKMIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021583 Cobalt(III) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021594 Copper(II) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021569 Manganese fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NSSRLWMIUCMHBB-UHFFFAOYSA-L [F].[Zn+2].[F-].[F-] Chemical compound [F].[Zn+2].[F-].[F-] NSSRLWMIUCMHBB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCYBZKSMUPTWEE-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) fluoride Chemical compound F[Co]F YCYBZKSMUPTWEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L copper(ii) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Cu+2] GWFAVIIMQDUCRA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L difluoromanganese Chemical compound F[Mn]F CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N germanium difluoride Chemical compound F[Ge]F GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetrafluoride Chemical compound F[Hf](F)(F)F QHEDSQMUHIMDOL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) fluoride Chemical compound F[Ni]F DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- BOTHRHRVFIZTGG-UHFFFAOYSA-K praseodymium(3+);trifluoride Chemical compound F[Pr](F)F BOTHRHRVFIZTGG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K trifluoroeuropium Chemical compound F[Eu](F)F HPNURIVGONRLQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K trifluorogadolinium Chemical compound F[Gd](F)F TYIZUJNEZNBXRS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K trifluoroterbium Chemical compound F[Tb](F)F LKNRQYTYDPPUOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AATUHDXSJTXIHB-UHFFFAOYSA-K trifluorothulium Chemical compound F[Tm](F)F AATUHDXSJTXIHB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Abstract
【課題】紫外線に対して、選択的に感度を有する新しい紫外線受光素子、およびそれを用いた紫外線量の測定方法を提供する。【解決手段】石英ガラスやサファイアなどの基板上にフッ化セリウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムなどの金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層を形成し、更に当該紫外線検出層上に少なくとも一対の陽極と陰極を形成して紫外線受光素子とする。この紫外線受光素子は、入射した紫外線量に応じて電気抵抗率が変化するので、該変化を電気信号として取り出し測定することにより紫外線量を測定することができる。【選択図】図7
Description
本発明は、金属フッ化物薄膜を利用した新規な受光素子に関する。詳しくは、紫外線に対して高感度である一方可視光に低感度であって、選択的に紫外線を検出することが可能であり、紫外線量を測定可能な受光素子並びにその測定方法を提供する。
半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、パターン作製に必要なリソグラフィー技術に用いる露光光源には、より波長の短い紫外光源が求められている。現在はKrFエキシマレーザー(5.0eV、波長248nm)が用いられており、ArF エキシマレーザー(6.4eV、波長193nm)を用いたリソグラフィー技術も立ち上がりつつある。また次世代露光光源としてF2レーザー(7.9eV、波長157nm)、極短紫外線(95eV、波長13nm)を用いたリソグラフィー技術の開発も進められている。
これら紫外光源から発生する紫外線の検出や光量評価に紫外線受光素子が必要となる。紫外領域の受光素子としては、一般にシリコン(Si)系の受光素子(フォトダイオード)が用いられてきたが、Si系の受光素子は可視光にも感度があるため可視光遮蔽フィルターが必要となる問題があり、より短波長の光を選択的に検出できる、新しい素子の開発が期待されていた。
短波長の光を選択的に検出するには、長波長の光に感度が低く、短波長の光に感度が高い必要がある。受光素子の波長選択性は検出層に用いる材料のバンドギャップで決まる。検出層材料のバンドギャップに相当する波長より短い波長の光を入射することで、電子、正孔が生成し、検出が可能となるためである。これまでにもバンドギャップの大きい材料による受光素子が開発されてきた。具体的には、ダイヤモンド[例えば非特許文献1]や窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)[例えば非特許文献2]を用いた受光素子が開発されている。
ダイヤモンド受光素子は、シリコン(Si)基板、砒化ガルウム(GaAs)基板、あるいは炭化珪素(SiC)基板上にプラズマ気相成長法によって高配向性のダイヤモンド薄膜を形成して作製する。かかるダイヤモンド受光素子は、225nmより短波長に感度のある紫外線受光素子として既に市販されている。また、AlGaN受光素子は窒化アルミニウム(AlN)と窒化ガリウム(GaN)の混晶であり、AlXGa1−XN(X=0〜1)の化学式で表すことができ、組成に応じてバンドギャップを変えることができる。このようなAlGaN薄膜は有機金属気相成長法によってサファイア基板やSiC基板上に形成される。GaN受光素子やAl含有率の低いAlGaN受光素子については既に市販されている。しかし、ダイヤモンドのバンドギャップは5.5eV(波長225nm)、AlGaNのバンドギャップは6.2〜3.4eV(波長200〜365nm)であり、200nmより短波長の光に選択的に感度のある受光素子は理論的に実現できない。
一方、金属フッ化物は6.2eVより大きいバンドギャップを持つものが存在する。例えば、フッ化リチウム(LiF)は13.6eV(波長91nm)、フッ化カルシウム(CaF2)は10eV(波長124nm)、フッ化ストロンチウム(SrF2)は9.4eV(波長132nm)、フッ化バリウム(BaF2)は9.1eV(波長136nm)である[非特許文献3]。また、6.2eVは超えないものの、金属フッ化物は全般に比較的大きいバンドギャップを持つものが存在し、例えばフッ化セリウム(CeF3)のバンドギャップは4.13eV(波長300nm)である。
当該金属フッ化物はCZ法などの融液成長法が適用可能なものが多いため、様々なバルク単結晶が育成されており、いくつかの金属フッ化物のバルク単結晶については光伝導性が検討されている。具体的にはフッ化マブネシウム(MgF2)、Yb添加CaF2、Yb添加BaF2、Yb添加SrF2、Eu添加BaF2のバルク単結晶について調べられている[非特許文献4、非特許文献5]。しかしながら、これら金属フッ化物については、その薄膜の作製が極めて困難であるため、これまで金属フッ化物薄膜を利用した紫外線受光素子は存在しなかった。
K.Hyashi, et al., "Durable ultraviolet sensors using highly oriented diamond films", Diamond and Related Materials 15, 792-796(2006)
大内洋一郎他、「AlGaN系紫外線受光素子の開発」、三菱電線工業時報、第100号、2003年4月
"CRC Handbook of Laser Science and Technology", 30-37
Geoffrey P Summers, "Photoconductivity in MgF2", J. Phys. C: Solid State Phys., Vol. 8, 3621-3628(1975)
B. Moine, et al., "Photoconductivity and fluorescence properties of divalent ytterbium ions in fluoride crystals", Journal of Luminescence 48 & 49, 501-504(1991)
本発明は、紫外線に対して選択的に感度を有する新しい紫外線受光素子、およびそれを用いた紫外線量の測定方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、前記実情に鑑みて、金属フッ化物薄膜の作製方法、及び当該金属フッ化物薄膜の紫外線受光素子としての応用について鋭意検討を重ねた。その結果、金属フッ化物薄膜の作製方法として、パルスレーザー堆積法が好適であることを見出した。さらに、当該パルスレーザー堆積法によって作製した金属フッ化物薄膜の上に陽極と陰極を直接形成せしめることによって、350nm以下の波長の紫外線に対して選択的に感度を有する紫外線受光素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、
基板と、該基板上に形成された金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層と、当該紫外線検出層上に形成された少なくとも一対の陽極と陰極を具備することを特徴とする紫外線受光素子が提供される。
上記紫外線受光素子において、
(1)金属フッ化物薄膜が、希土類金属フッ化物の薄膜であること
(2)金属フッ化物薄膜が、金属フッ化物単結晶の薄膜であること
が好適である。
本発明によれば、また、
紫外線を金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層に入射させ、入射紫外線量に起因して生じる紫外線検出層の電気抵抗率の変化量を電気信号として取り出すことを特徴とする紫外線量の測定方法が提供される。
基板と、該基板上に形成された金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層と、当該紫外線検出層上に形成された少なくとも一対の陽極と陰極を具備することを特徴とする紫外線受光素子が提供される。
上記紫外線受光素子において、
(1)金属フッ化物薄膜が、希土類金属フッ化物の薄膜であること
(2)金属フッ化物薄膜が、金属フッ化物単結晶の薄膜であること
が好適である。
本発明によれば、また、
紫外線を金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層に入射させ、入射紫外線量に起因して生じる紫外線検出層の電気抵抗率の変化量を電気信号として取り出すことを特徴とする紫外線量の測定方法が提供される。
本発明の紫外線受光素子によれば、紫外線に対して選択的に感度を有する紫外線受光素子が得られる。かかる紫外線受光素子は、リソグラフィー等の分野において、紫外光源から発生する紫外線の検出や光量評価に好適に用いることができる。
以下、本発明の紫外線受光素子について説明する。本発明の紫外線受光素子は、基板と、該基板上に形成された金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層と、当該紫外線検出層上に形成された少なくとも一対の陽極と陰極とで基本的に構成される。
本発明において使用される基板の材料は特に限定されず、常温、常圧で安定な無機固体材料を任意に用いることができる。中でも、金属フッ化物薄膜を形成する工程で劣化しないような無機固体材料が好ましい。具体的には、石英ガラス、Si、サファイア、GaN、GaAs、SiC等の無機固体材料、あるいはフッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化セリウム、フッ化ネオジム、フッ化ランタンなどの金属フッ化物単結晶が採用される。
基板上に形成する金属フッ化物薄膜は、単結晶、多結晶、或いはアモルファスの何れかの形態を取る。中でも、空孔が少なく組成が均一のため、受光感度を均一にしやすい単結晶が好ましい。また、単結晶に存在する結晶欠陥は、受光素子として動作させた際にキャリアがトラップされることで再結合が起こり暗電流の原因になるなど特性悪化の原因となりやすいため、結晶欠陥の少ない単結晶を用いることが特に好ましい。
金属フッ化物薄膜を基板上に形成せしめる際には、基板の材料の種類が形成する金属フッ化物の結晶欠陥密度に影響する。従って、基板の材料と形成する金属フッ化物との格子定数および熱膨張係数の差が近い組み合わせを選ぶことが好ましい。基板の厚みは特に限定されないが、約0.3mm〜30mmの厚みが好適である。
金属フッ化物薄膜を形成する方法は特に限定されず、公知の結晶成長法を用いることができる。具体的にはパルスレーザー堆積法(レーザーアブレーション法)、真空中で蒸発させた分子状材料から結晶を成長させる分子線成長法、または高温で液体となった金属に結晶材料を溶かし種となる基板を入れて冷やすことで基板上に結晶を成長させるLPE法、などの方法を用いることができる。中でも気相成長法の一種であるパルスレーザー堆積法が好適である。パルスレーザー堆積法は、レーザーパルス照射によって原料に大きなエネルギーを与えて昇華させ基板上に堆積させる物理的気相成長法である。この方法は、形成される薄膜の光学的性質が不均一になりやすい化学的気相成長法に対し、光学的性質の均一な薄膜が容易に作製できるので受光感度が均一になり、優れている。
以下、代表的な気相成長法であるパルスレーザー堆積法を例にして、基板上に金属フッ化物薄膜を形成する具体的説明を、図1に基づいて行う。
パルスレーザー堆積法は、レーザー光を原料蒸発のエネルギー源とする物理的気相成長の一つであり、レーザーアブレーション法とも呼ばれている。高出力パルスレーザー光をレーザー光源1から入射し、ターゲット2の表面に集光、照射し、その時に起きる表面層部の瞬間的な剥離(アブレーション)を利用して、構成元素の原子、分子、イオンやクラスタを基板3に堆積させる成膜方法である。ターゲットには前記した金属フッ化物の単結晶体、多結晶体、ペレットなどを用いることができる。レーザー光としては、通常Nd:YAGレーザーの第三高調波などが用いられる。
本発明の紫外線受光素子は、紫外線検出層として金属フッ化物の薄膜を用いることを最大の特徴とする。
該金属フッ化物の種類は特に限定されず、従来公知の金属フッ化物を任意に用いることができる。具体的には、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化スカンジウム、フッ化チタン、フッ化クロム、フッ化マンガン、フッ化鉄、フッ化コバルト、フッ化ニッケル、フッ化銅、フッ化亜鉛、フッ化ガリウム、フッ化ゲルマニウム、フッ化アルミニウム、フッ化ストロンチウム、フッ化イットリウム、フッ化ジルコニウム、フッ化バリウム、フッ化ランタン、フッ化セリウム、フッ化プラセオジム、フッ化ネオジム、フッ化ユーロピウム、フッ化ガドリニウム、フッ化テルビウム、フッ化エルビウム、フッ化ツリウム、フッ化イッテルビウム、フッ化ルテシウム、フッ化ハフニウム、フッ化タンタル、フッ化鉛などの少なくとも一種類が使用される。
中でも、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化スカンジウムなど、バンドギャップが6.2eV以上の金属フッ化物の少なくとも一種類からなる紫外線検出層は、200nmより短波長の紫外線に選択的に感度のある受光素子を実現できる。特に、希土類金属フッ化物は、深紫外域や真空紫外域にバンドギャップを有するものが多いうえ、適度な導電性を有しているので紫外線検出層としたときに電気抵抗率の変化量を電気信号として取り出しやすく、好適である。
中でも、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化スカンジウムなど、バンドギャップが6.2eV以上の金属フッ化物の少なくとも一種類からなる紫外線検出層は、200nmより短波長の紫外線に選択的に感度のある受光素子を実現できる。特に、希土類金属フッ化物は、深紫外域や真空紫外域にバンドギャップを有するものが多いうえ、適度な導電性を有しているので紫外線検出層としたときに電気抵抗率の変化量を電気信号として取り出しやすく、好適である。
また、異なるバンドギャップを持つ2種類以上の金属フッ化物の固溶体を用いた金属フッ化物薄膜は、当該固溶体における金属フッ化物の混合比率を調整することで、様々な波長の光に選択的に感度のある受光素子を実現できる。特に希土類金属のフッ化物はお互いに固溶しやすく、作製が容易なため好ましい。ただし、希土類金属フッ化物は種々の組み合わせで固溶体を作ることができるが、イオン半径の差が大き過ぎると固溶しない場合もあるため、イオン半径が近い組み合わせを選択することが好ましい。具体的には、NdxLa1−xF3(x=0〜1)、CexLa1−xF3(x=0〜1)、PrxLa1−xF3(x=0〜1)などの固溶体が挙げられる。
金属フッ化物薄膜の膜厚の下限は特に限定されない。ただし、形成する金属フッ化物薄膜の膜厚が不均一となり、著しく膜厚が薄い部分が生じないようにするため、平均50nm以上とすることが好ましい。紫外線の検出効率の点では、紫外線の侵入長(入射光の強度が1/eまで減衰する長さ)と同程度の厚み以上であることが好ましい。紫外線の侵入長は、紫外線の波長や紫外線検出層に用いる金属フッ化物の種類によって変化するが、一般には約1μm以下である。ただし、膜厚を厚くすることで形成される金属フッ化物薄膜の結晶性が損なわれる場合はこの限りではなく、紫外線の侵入長よりも薄くした方が総合的な検出感度が優れる場合もある。膜厚の上限は結晶性が著しく損なわれない限りは任意であるが、小型軽量化の観点から平均1000μm未満であることが好ましい。
形成する金属フッ化物薄膜の受光面積は特に限定されず、小さ過ぎて取り扱いや電極形成ができなくなってしまわない大きさであればよい。このような金属フッ化物薄膜を基板上に一層形成するだけで紫外線検出層として動作可能であるが、必ずしも一層の膜である必要はなく多層膜としてもよい。例えば、基板と金属フッ化物薄膜の間に格子不整合を解消する何らかの緩衝層を形成することで、金属フッ化物薄膜の結晶性を向上させることが可能である。また、紫外線受光素子の最表面に酸化防止膜を形成しても良い。
金属フッ化物薄膜上に形成する電極には、金属膜もしくは導電性の金属酸化物膜を用いることができる。膜厚は特に限定されないが、最低限の耐久性を得るために1nm以上とすることが好ましく、小型軽量化の観点から1000μm以下であることが好ましい。また、複数の金属もしくは金属酸化物を用いて多層膜としても良い。該電極の材料としては、従来公知の金属、導電性酸化物を任意に用いることができる。具体的にはアルミニウム、チタン、ニッケル、コバルト、金、銀、銅、クロム、ITO(酸化インジウムスズ)などの少なくとも一種類が使用される。
金属膜を形成する方法は、従来公知の金属膜形成技術を任意に用いることができる。好ましくは真空蒸着法が採用される。真空蒸着法は、真空中で蒸着材料を加熱により昇華または蒸発させて生じた粒子を基板に沈着させて均一な膜状試料を形成する方法である。マスクと呼ばれる遮蔽物を用いることで蒸着させたくない部分を遮蔽して、任意の形状の電極を形成できる。
電極の形状に制限はない。ただし、図2に示すような一対の電極4、5が相互にかみ合ったくし型形状を有する電極(くし型電極)とすれば、一対の長方形の電極を形成するよりも受光面積を増やすことができ、その結果高感度になるため好ましい。また、電極間距離は、狭くした方が応答速度を上げられるため好ましい。尚、この一対の電極は、一方を陽極、他の一方を陰極とする。
紫外線量の測定には、光伝導効果を利用する。金属フッ化物に紫外線が入射すると、価電子帯にある電子が入射光により励起され伝導帯まで上昇する。これにより電気的に中性だった部分に電子・正孔キャリアが発生し、このキャリアが外部からの電界により駆動され電流伝導に寄与して、抵抗が減少する。その後伝導帯にある電子と、価電子帯にある正孔が再結合し伝導寄与が終了する。この効果を利用し、光伝導性物質に外部から電界を印加可能な形にして、電気抵抗率の変化量を電気的信号として検出する。
以下、具体的に紫外線量を測定する方法について説明する。図3に示すように、エレクトロメーター6と紫外線受光素子7を直列に接続する。なお、本発明において、エレクトロメーターとは電圧を印加しながら電流、電気抵抗を測定できる装置のことを云い、従来公知の装置を任意に用いることができる。抵抗率を測定する際の適切な印加電圧の範囲は、金属フッ化物薄膜の導電性や陽極、陰極と金属フッ化物薄膜との接触抵抗、陽極、陰極の面積などによって変化するため、予め実験により最適な値を求めておくことが好ましい。ここで紫外線検出層に紫外線を照射すると、照射している間は光伝導効果で抵抗率が下がる。事前に紫外線量の変化に応じた抵抗率の変化を調べて検量線を作っておくことで、紫外線量の測定が可能となる。尚、本発明の方法は、紫外線量を測定するものであるが、単に紫外線の存在の有無の検出方法としても適用できる。
以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって制限されるものではない。また、実施例の中で説明されている特徴の組み合わせすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。
実施例1
パルスレーザー堆積装置を用いて石英ガラス基板上にフッ化セリウム(CeF3)薄膜を製造した。基板には20×20×0.5 (幅×長さ×厚さ、単位mm)の石英ガラスを用いた。ターゲットにはCeF3の焼結体を用いた。先ず、ロータリーポンプと油拡散ポンプを用いてチャンバー内を約2.0×10−4Paの真空とした。次いで、成膜が行われないよう基板とターゲットを金属板で遮断した状態で、波長355nm、繰り返し周波数10Hzのパルスレーザーをターゲットに照射して、不純物が付着している可能性のあるターゲット表層の剥離・除去を10分間行った後、基板とターゲット間の金属板を外して、成膜した。ターゲットと基板間の距離は4.2cm、堆積時間は240分とし、成膜は基板温度を400℃、単位面積あたりのレーザー照射のエネルギー量を15.5(J/cm2)として成膜を行った。なお、単位面積あたりのレーザー照射のエネルギー量はレーザー照射後のターゲットのレーザー照射痕の幅Dと実験時のパルスエネルギーEから、E/πD2/4として算出した。パルスエネルギーは実験時の平均レーザーパワーPを、
E(J)=P(W)/10(Hz)、
の式より算出した。この成膜条件で作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ205nmであった。
パルスレーザー堆積装置を用いて石英ガラス基板上にフッ化セリウム(CeF3)薄膜を製造した。基板には20×20×0.5 (幅×長さ×厚さ、単位mm)の石英ガラスを用いた。ターゲットにはCeF3の焼結体を用いた。先ず、ロータリーポンプと油拡散ポンプを用いてチャンバー内を約2.0×10−4Paの真空とした。次いで、成膜が行われないよう基板とターゲットを金属板で遮断した状態で、波長355nm、繰り返し周波数10Hzのパルスレーザーをターゲットに照射して、不純物が付着している可能性のあるターゲット表層の剥離・除去を10分間行った後、基板とターゲット間の金属板を外して、成膜した。ターゲットと基板間の距離は4.2cm、堆積時間は240分とし、成膜は基板温度を400℃、単位面積あたりのレーザー照射のエネルギー量を15.5(J/cm2)として成膜を行った。なお、単位面積あたりのレーザー照射のエネルギー量はレーザー照射後のターゲットのレーザー照射痕の幅Dと実験時のパルスエネルギーEから、E/πD2/4として算出した。パルスエネルギーは実験時の平均レーザーパワーPを、
E(J)=P(W)/10(Hz)、
の式より算出した。この成膜条件で作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ205nmであった。
次に真空蒸着法により、金属フッ化物薄膜上にマスクを用いて図4に示す寸法の電極を形成し、本発明の金属フッ化物紫外線受光素子を得た。マスクはステンレス(SUS304)製、厚さ0.2mmのものを用いた。加熱用ヒーターとしてタングステンワイヤをらせん状に巻いた物を使用し、蒸着源にはアルミニウムを用いた。真空引きはロータリーポンプと油拡散ポンプにより4×10−4Torr以下に排気を行った。
このようにして作製した紫外線受光素子を、図3に示すようにエレクトロメーター6と接続した。エレクトロメーターにはKeithley Electrometer Model 6517を用いた。紫外線受光素子にはエレクトロメーター内蔵電源より200、400、600、800、1000(V)を印加して、電極間の電気抵抗値を測定し、紫外線受光素子の電気抵抗率を求めた。また、印加電圧と電気抵抗値を用いてオームの法則より電流を算出し、電圧電流特性を調べた。各印加電圧で暗室内、室温(23℃)時の電気抵抗値を記録し、その後、紫外光源(セン特殊光源株式会社製HLR100T−2)によって紫外線照射(紫外線受光素子の垂直上方14cmより照射)をした際の電気抵抗値を記録するという形で行った。
電流電圧特性をプロットした結果を図5に示す。600Vの電圧印加時の電気抵抗率は、紫外線非照射時に5.00×1015(Ω・m)であり、紫外線照射時は5.75×1014(Ω・m)であった。この結果より、紫外線照射時の抵抗率の低下が観察され、紫外線受光素子としての動作を実証できた。更に、蛍光分光光度計SPEX Fluorolog 2(ランプ:OSRAM製 Xe Lamp 450W、分光器:米国スペックス社製SPEX 1680 0.22m Double spectrometer MODEL 1680B S/N 1990)を用い、紫外線感度の波長依存性を調べた。図6に分光透過率と光電流の波長依存性を示す。入射紫外線の波長が300nmでは感度があり、400nm以上ではほとんど感度がないことがわかる。これにより該金属フッ化物薄膜受光素子の波長選択性が確認できた。
実施例2
ターゲットとしてCeF3の焼結体に代えてNdF3の焼結体を用いた他は実施例1と同様にして、石英ガラス基板上にNdF3薄膜を製造した。作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ200nmであった。次に、実施例1と同様の方法で紫外線受光素子を得た。このようにして作製した紫外線受光素子を、図3に示すようにエレクトロメーター6と接続した。エレクトロメーターには株式会社エーディーシー製デジタル超高抵抗/微小電流計8340Aを用いた。紫外線受光素子にはエレクトロメーター内蔵電源より300(V)までを印加して、電極間の電気抵抗値を測定し、紫外線受光素子の電気抵抗率を求めた。また、印加電圧と電気抵抗値を用いて、オームの法則より電流を算出し、電圧電流特性を調べた。各印加電圧で暗室内、室温(23℃)時の電気抵抗値を記録し、その後、紫外光源(セン特殊光源株式会社製HLR100T−2)によって紫外線照射(紫外線受光素子の垂直上方12cmより照射)をした際の電気抵抗値を記録するという形で行った。
ターゲットとしてCeF3の焼結体に代えてNdF3の焼結体を用いた他は実施例1と同様にして、石英ガラス基板上にNdF3薄膜を製造した。作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ200nmであった。次に、実施例1と同様の方法で紫外線受光素子を得た。このようにして作製した紫外線受光素子を、図3に示すようにエレクトロメーター6と接続した。エレクトロメーターには株式会社エーディーシー製デジタル超高抵抗/微小電流計8340Aを用いた。紫外線受光素子にはエレクトロメーター内蔵電源より300(V)までを印加して、電極間の電気抵抗値を測定し、紫外線受光素子の電気抵抗率を求めた。また、印加電圧と電気抵抗値を用いて、オームの法則より電流を算出し、電圧電流特性を調べた。各印加電圧で暗室内、室温(23℃)時の電気抵抗値を記録し、その後、紫外光源(セン特殊光源株式会社製HLR100T−2)によって紫外線照射(紫外線受光素子の垂直上方12cmより照射)をした際の電気抵抗値を記録するという形で行った。
電流電圧特性をプロットした結果を図8に示す。300Vの電圧印加時の電気抵抗率は、紫外線非照射時に8.25×1013(Ω・m)であり、紫外線照射時は4.23×1013(Ω・m)であった。この結果より、紫外線照射時の抵抗率の低下が観察され、紫外線受光素子としての動作を実証できた。また、本紫外線受光素子に波長633nm、出力15mWのHe−Neレーザーを照射したところ電気抵抗率の変化は認められなかった。
実施例3
ターゲットとしてCeF3の焼結体に代えてYbF3の焼結体を用いた他は実施例1と同様にして、石英ガラス基板上にYbF3薄膜を製造した。作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ600nmであった。次に、実施例1と同様の方法で紫外線受光素子を得た。このようにして作製した紫外線受光素子の電気抵抗率及び電圧電流特性を、実施例2と同様の方法で調べた。
ターゲットとしてCeF3の焼結体に代えてYbF3の焼結体を用いた他は実施例1と同様にして、石英ガラス基板上にYbF3薄膜を製造した。作製した金属フッ化物薄膜の膜厚を断面SEM像の観察によって評価したところ600nmであった。次に、実施例1と同様の方法で紫外線受光素子を得た。このようにして作製した紫外線受光素子の電気抵抗率及び電圧電流特性を、実施例2と同様の方法で調べた。
電流電圧特性をプロットした結果を図9に示す。300Vの電圧印加時の電気抵抗率は、紫外線非照射時に6.20×1015(Ω・m)であり、紫外線照射時は3.63×1015(Ω・m)であった。この結果より、紫外線照射時の抵抗率の低下が観察され、紫外線受光素子としての動作を実証できた。また、本紫外線受光素子に波長633nm、出力15mWのHe−Neレーザーを照射したところ電気抵抗率の変化は認められなかった。
1 レーザー光源
2 ターゲット
3 基板
4 電極
5 電極
6 エレクトロメーター
7 紫外線受光素子
8 電極
9 電極
10 紫外線検出層
11 基板
2 ターゲット
3 基板
4 電極
5 電極
6 エレクトロメーター
7 紫外線受光素子
8 電極
9 電極
10 紫外線検出層
11 基板
Claims (4)
- 基板と、該基板上に形成された金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層と、当該紫外線検出層上に形成された少なくとも一対の陽極と陰極を具備することを特徴とする紫外線受光素子。
- 金属フッ化物薄膜が、希土類金属フッ化物薄膜であること特徴とする請求項1に記載の紫外線受光素子。
- 金属フッ化物薄膜が、金属フッ化物単結晶薄膜であることを特徴とする請求項1に記載の紫外線受光素子。
- 紫外線を金属フッ化物薄膜からなる紫外線検出層に入射させ、入射紫外線量に起因して生じる紫外線検出層の電気抵抗率の変化量を電気信号として取り出すことを特徴とする紫外線量の測定方法。
Applications Claiming Priority (3)
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---|---|---|---|
JP2008195618 | 2008-07-30 | ||
JP2008195618 | 2008-07-30 | ||
PCT/JP2009/063495 WO2010013748A1 (ja) | 2008-07-30 | 2009-07-29 | 紫外線受光素子および紫外線量の測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010013748A1 true JPWO2010013748A1 (ja) | 2012-01-12 |
Family
ID=41610447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010522740A Withdrawn JPWO2010013748A1 (ja) | 2008-07-30 | 2009-07-29 | 紫外線受光素子および紫外線量の測定方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110122400A1 (ja) |
EP (1) | EP2312644A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2010013748A1 (ja) |
KR (1) | KR20110050428A (ja) |
CN (1) | CN102099928A (ja) |
CA (1) | CA2731361A1 (ja) |
WO (1) | WO2010013748A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4853596B1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-01-11 | オムロン株式会社 | 酸化金属膜を備えたセンサおよびその利用 |
CN104347755B (zh) * | 2013-08-05 | 2016-12-28 | 天津恒电空间电源有限公司 | 太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法 |
US9649079B1 (en) | 2014-10-09 | 2017-05-16 | General Electric Company | System and method to illustrate a radiation dose applied to different anatomical stages of an exposed subject |
JP6679064B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2020-04-15 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外線センサ |
CN112909118B (zh) | 2021-01-28 | 2023-04-07 | 广州大学 | 一种微分转换型宽光谱光电探测器及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3560462B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2004-09-02 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド膜紫外線センサ及びセンサアレイ |
JP2003177063A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 紫外線受光器、及びそれを用いた紫外線光量測定方法 |
JP2004077433A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド膜紫外線センサ |
EP1576419A4 (en) * | 2002-12-09 | 2006-07-12 | Pixelligent Technologies Llc | PROGRAMMABLE PHOTOLITHOGRAPHIC MASKS AND REVERSIBLE PHOTO-BLEACHABLE MATERIALS BASED ON NANOGRAPHER SEMICONDUCTOR PARTICLES AND APPLICATIONS THEREFOR |
US8016942B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-09-13 | Tokuyama Corporation | Process for producing metal fluoride single crystal |
JP2007045870A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Stella Chemifa Corp | 低吸湿性、高発光量フッ化物シンチレータ材料、及び放射線検出器並びにx線ct装置 |
TWI288234B (en) * | 2006-06-13 | 2007-10-11 | Ghitron Technology Co Ltd | Multi-directional-absorbing ultraviolet sensor |
-
2009
- 2009-07-29 CN CN2009801276707A patent/CN102099928A/zh active Pending
- 2009-07-29 CA CA2731361A patent/CA2731361A1/en not_active Abandoned
- 2009-07-29 WO PCT/JP2009/063495 patent/WO2010013748A1/ja active Application Filing
- 2009-07-29 EP EP09802990A patent/EP2312644A4/en not_active Withdrawn
- 2009-07-29 JP JP2010522740A patent/JPWO2010013748A1/ja not_active Withdrawn
- 2009-07-29 KR KR1020117000879A patent/KR20110050428A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-07-29 US US13/054,763 patent/US20110122400A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2731361A1 (en) | 2010-02-04 |
EP2312644A4 (en) | 2011-09-07 |
KR20110050428A (ko) | 2011-05-13 |
EP2312644A1 (en) | 2011-04-20 |
WO2010013748A1 (ja) | 2010-02-04 |
US20110122400A1 (en) | 2011-05-26 |
CN102099928A (zh) | 2011-06-15 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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