JPWO2008023586A1 - エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 8
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 8
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXENHBSYCFFKJS-OXYODPPFSA-N (Z,E)-alpha-farnesene Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\C\C=C(\C)C=C CXENHBSYCFFKJS-OXYODPPFSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- MVYYDFCVPLFOKV-UHFFFAOYSA-M barium monohydroxide Chemical compound [Ba]O MVYYDFCVPLFOKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
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Abstract
正面方向の輝度を高めることができるエレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置を提供する。エレクトロルミネッセンス素子1は、透明基材層10と、透明基材層10の上に設けられる透明電極12Aと、透明電極12の上に設けられる発光層13と、発光層13の上に設けられる裏面電極12Bとを備える。透明基材層10における透明電極12Aとは反対側の表面10Bには、凹状または凸状の錐体を複数含んでなる凹凸構造面11が形成されている。各錐体を構成する斜面の少なくとも一部には、微小な凹凸部が形成されている。各凹凸部の深さ寸法または高さ寸法Yは、当該凹凸部が形成された錐体を構成する底面部の幅寸法の1/2の長さをXとして0.01X≦Y<0.5Xである。
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置に関し、特に、正面方向の輝度を高めることができるエレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置に関する。
従来、装置を薄型化・軽量化できる観点から、照明装置や液晶表示装置のバックライトとして、エレクトロルミネッセンス素子を用いることが検討されている。一般的なエレクトロルミネッセンス素子は、透明基材層と、この透明基材層の上に設けられる第1電極と、この第1電極の上に設けられる発光層と、発光層の上に設けられる第2電極とを備えて構成されている。このようなエレクトロルミネッセンス素子では、発光面における正面方向の輝度をさらに高めるために様々な改良がなされている。例えば、特許文献1(国際公開第WO2004/017106号パンフレット;対応出願公報 欧州特許出願公開第1548470A1号明細書)には、透明基材フィルムの表面に四角錐状の突起または窪みが複数形成されたレンズアレイシートを、エレクトロルミネッセンス素子の透明基材層に用いる技術が開示されている。
しかしながら、照明装置や液晶表示装置の各分野では、更なる高輝度化が望まれており、特許文献1に示す技術では、必ずしも十分な輝度を有するとは言えない場合があった。このため、正面方向の輝度をさらに高めることができるエレクトロルミネッセンス素子の開発が求められている。
本発明の目的は、正面方向の輝度を高めることができるエレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置を提供することである。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、透明基材層と、この透明基材層の上に設けられる第1電極と、この第1電極の上に設けられる発光層と、この発光層の上に設けられる第2電極と、をこの順に備え、前記透明基材層における前記第1電極とは反対側の表面には、凹状または凸状の錐体を複数含んでなる凹凸構造面が形成され、各錐体を構成する斜面の少なくとも一部には、微小な凹凸部が形成され、各凹凸部の深さ寸法または高さ寸法Yは、当該凹凸部が形成された錐体を構成する底面部の幅寸法の1/2の長さをXとして、0.01X≦Y<0.5Xである。ここで用いる通り、「凹凸部」は、「凹凸構造面」を構成する錐体の斜面上に形成されるものである。
ここで、前記凹凸部は、前記錐体の底面部を含む平面に略平行な線状凹部であることが好ましい。また、前記透明基材層と前記第1電極との間には、さらにガスバリア層が設けられていることが好ましい。
本発明によればさらに、前記エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置が提供される。
本発明によればさらに、前記照明装置と、この照明装置の光出射側に配置される液晶パネルとを備える液晶表示装置が提供される。
本発明によればさらに、前記照明装置と、この照明装置の光出射側に配置される液晶パネルとを備える液晶表示装置が提供される。
本発明によれば、錐体の斜面の少なくとも一部に、所定の高さ寸法または深さ寸法を有する微小な凹凸部が形成されているため、この凹凸部において発光層からの出射光が乱反射することにより、正面方向の輝度をより一層高めることができる。
以下、本発明のエレクトロルミネッセンス素子について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、エレクトロルミネッセンス素子1は、透明基材層10と、透明基材層10の図中上側の表面10Aに設けられる第1電極としての透明電極12Aと、透明電極12Aの上に設けられる発光層13と、発光層13の上に設けられる第2電極として裏面電極12Bとを備えている。
図1は、本発明の一実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、エレクトロルミネッセンス素子1は、透明基材層10と、透明基材層10の図中上側の表面10Aに設けられる第1電極としての透明電極12Aと、透明電極12Aの上に設けられる発光層13と、発光層13の上に設けられる第2電極として裏面電極12Bとを備えている。
透明電極12Aは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などにより構成されている。裏面電極12Bは、例えばアルミニウムや、マグネシウム銀合金等の蒸着膜などにより構成されている。これらの透明電極12Aと裏面電極12Bとの間には、電圧を印加できるように構成されている。発光層13には、従来から一般的に用いられる各種の有機材料や無機材料を用いることができ、例えば、特開2002−164170号公報や、特開2006−135101号公報等に示す材料を用いることができる。具体的には、発光層13には、青色発光材料(BAlq,Znbox2など)、黄色発光材料(Znsq2,Alph3など)、緑色発光材料(Tb(acac)3(phen)など)、赤色発光材料(Znavq2,Eu(DBM)3(phen)など)や、ホール輸送材料(PVK、NPD、TPDなど)、電子輸送材料(Alq,PBD,TAZなど)、ドーパント色素(TPBなど)等を用いることができる。
透明基材層10は、フィルム状、シート状、または板状に形成される部材であり、その外形は、例えば矩形状に形成される。透明基材層10の具体的な構成については後述する。透明基材層10は、透明樹脂材料により構成され、厚み0.1mmとした際に、全光線透過率が90%以上となることが好ましい。なお、透明樹脂材料には、必要に応じて各種の添加剤を添加したものを用いてもよい。
透明樹脂材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテンなどの鎖状ポリオレフィン樹脂;ポリスチレンなどの芳香族ビニル系樹脂;ノルボルネン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、モノ環状オレフィン系重合体、環状ジオレフィン系重合体などの脂環式オレフィン樹脂;ポリカーボネート、ポリエチレンフタレート、ポリブチレンフタレート、液晶ポリエステルなどのポリエステル系樹脂;ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂;アクリロニトリルスチレン樹脂、アクリロニトリルスチレンブタジエン樹脂などのアクリロニトリル系樹脂;ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテルなどのポリエーテル系樹脂;ポリエーテルエーテルケトンなどのケトン系樹脂などが挙げられる。中でも、活性エネルギー線の照射により容易に架橋反応などが起こり、特定の溶媒に対する溶解性が変化し易いものとしては、鎖状ポリオレフィン樹脂、脂環式オレフィン樹脂、ポリエーテル系樹脂などが好ましく、なかでも可視光の吸収が少なく、かつ吸水性が低いという理由から脂環式オレフィン樹脂が最も好ましい。
脂環式オレフィン樹脂は、分子内に脂環式構造を有するオレフィンの重合体である。脂環式オレフィン樹脂としては、脂環式構造を含有するノルボルネン系モノマーの開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系モノマーと他のモノマーとの開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系モノマーの付加重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系モノマーと他のモノマーとの付加共重合体及びその水素添加物などのノルボルネン系重合体;ポリビニルシクロアルカン、ポリビニルシクロアルケン、芳香族ビニル重合体の水素添加物などのビニル脂環式炭化水素重合体;ポリシクロペンテン、ポリシクロヘキセンなどのモノ環状オレフィン系重合体;ポリシクロヘキサジエンなどの環状ジオレフィン系重合体などを挙げることができる。これらの中でも、ノルボルネン系重合体、およびビニル脂環式炭化水素重合体が好ましい。また、ビニル脂環式炭化水素重合体は、ビニルシクロアルカンやビニルシクロアルケン、芳香族ビニル系モノマーなどと共重合可能な他のモノマー、例えば、ブタジエンやイソプレンなどのビニル系モノマーなどとの共重合体であってもよく、その重合形態も、ブロック重合体、ランダム重合体のいずれでもよい。
図1に示すように、透明基材層10における、透明電極12Aとは反対側の表面(図中下側の面)10Bには、凹凸構造面11が形成されている。ここで、透明基材層10としては、一体的に形成されたものであってもよいし、シート状(フィルム状、板状)の基材本体と、この基材本体の表面に積層され、その表面に凹凸構造面11が形成されたシートとを備えた構成としてもよい。
図2は、凹凸構造面を模式的に示す斜視図である。図2に示すように、凹凸構造面11は、凹状または凸状の錐体11Aを複数含んで構成されている。ここで、錐体11Aとしては、例えば、三角錐や四角錐等の角錐状や、角錐台状、円錐状、円錐台状等を挙げることができる。これらの中でも、錐体としては、正面方向の輝度を向上できるとともに、成形が容易である点から、四角錐であることが好ましい。なお、本実施形態では、錐体が四角錐である。
錐体が四角錐である場合には、その四角錐の底面は正方形や長方形とすることができる。底面が長方形である場合には、短辺の長さをaとし、長辺の長さをbとした際に、a≦b≦5aの関係を満たすことが好ましく、a≦b≦1.5aの関係を満たすことがより好ましい。一辺の長さaは、0.1μm〜500μmとすることができ、好ましくは0.1μm〜100μmであり、より好ましくは0.1μm〜50μmであり、モアレの発生を防止できる観点から、さらに好ましくは0.1μm〜50μmである。
ここで、錐体の頂角は、20度〜140度であることが好ましく、30度〜120度であることがより好ましい。また、錐体を構成する底面部の幅寸法の1/2の長さX(図3参照)は、0.5μm〜50μmとすることができ、5μm〜40μmであることが好ましく、10μm〜25μmであることがより好ましい。このような寸法とすることで、正面方向の輝度を高めることができる。ここで、錐体を構成する底面部の幅寸法の1/2の長さとは、錐体が円錐状である場合には、円形の底面部の半径を示し、錐体が楕円錐状である場合には、楕円形の底面部の長径と短径の平均値の1/2の値を示す。また、錐体が角錐状である場合には、多角形状の底面部を構成する一辺の長さの平均値の1/2の値を示している。
凹凸構造面11は、略同一形状の錐体を複数含んでなる構成としてもよいし、形状の異なる複数種類の錐体を複数含んでなる構成としてもよい。また、複数の錐体は、正格子状に配置してもよいし、千鳥格子状に配置してもよいし、ランダムに配置してもよい。ただし、より高輝度にできる点で、正格子状または千鳥格子状に配置することが好ましい。さらに、隣り合う錐体は、隣接するように配置されてもよいし、離間して配置されてもよい。
図3は、各錐体を拡大して示す正面図である。
図3に示すように、四角錐として形成された錐体11Aの各斜面11Bには、凹凸部としての凹部15がそれぞれ形成されている。凹部15は、錐体11Aの各斜面11Bに1つずつ形成されている。本実施形態では、凹部15は、錐体11Aの底面部11Cを含む平面に略平行(図3中の横方向)に延びる線状に形成され、その短手方向(図3中の縦方向)の断面が三角形状である。この線状に形成された凹部15の深さ寸法(すなわち、凹部の底面部分と頂点との間の長さ)Yは、四角錐状の錐体11Aの幅寸法である一辺の長さの1/2の長さXとの間で、0.01X≦Y<0.5Xとなることが好ましく、0.05X≦Y≦0.3Xとなることがより好ましい。このような関係を満たす凹部15を設けることにより、高輝度化を奏することができる。また、各斜面11Bに形成される凹部15の面積(凹部が複数ある場合には、全凹部の合計面積とする)は、各斜面11Bの面積の10%〜50%であることが好ましく、20%〜30%であることがより好ましい。ここで「略」平行とは、完全に平行な方向から3°以内の誤差を含む。
図3に示すように、四角錐として形成された錐体11Aの各斜面11Bには、凹凸部としての凹部15がそれぞれ形成されている。凹部15は、錐体11Aの各斜面11Bに1つずつ形成されている。本実施形態では、凹部15は、錐体11Aの底面部11Cを含む平面に略平行(図3中の横方向)に延びる線状に形成され、その短手方向(図3中の縦方向)の断面が三角形状である。この線状に形成された凹部15の深さ寸法(すなわち、凹部の底面部分と頂点との間の長さ)Yは、四角錐状の錐体11Aの幅寸法である一辺の長さの1/2の長さXとの間で、0.01X≦Y<0.5Xとなることが好ましく、0.05X≦Y≦0.3Xとなることがより好ましい。このような関係を満たす凹部15を設けることにより、高輝度化を奏することができる。また、各斜面11Bに形成される凹部15の面積(凹部が複数ある場合には、全凹部の合計面積とする)は、各斜面11Bの面積の10%〜50%であることが好ましく、20%〜30%であることがより好ましい。ここで「略」平行とは、完全に平行な方向から3°以内の誤差を含む。
次に、本発明を構成する透明基材層の製造方法について説明する。
透明基材層は、例えば、(1)凹凸部が形成された金型を用いて、透明樹脂を射出成形や射出圧縮成形などにより加熱溶融成形を行う方法、(2)凹凸部が形成されたダイを用いて溶融押出成形を行う方法、(3)凹凸部が形成された金型に紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線照射して該樹脂を硬化させ、パターンを転写するいわゆる2P法、(4)樹脂製シート(フィルム、板も含む)をガラス転移点(Tg)以上の温度まで加熱し、その状態で凹凸部が形成された金型を押し当て、その後、前記Tgよりも低い温度で樹脂シートから金型を外すいわゆるナノインプリント法、などにより作成することができる。これらの中でも、成形が容易である点で、(4)の方法を好適に用いることができる。
透明基材層は、例えば、(1)凹凸部が形成された金型を用いて、透明樹脂を射出成形や射出圧縮成形などにより加熱溶融成形を行う方法、(2)凹凸部が形成されたダイを用いて溶融押出成形を行う方法、(3)凹凸部が形成された金型に紫外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線照射して該樹脂を硬化させ、パターンを転写するいわゆる2P法、(4)樹脂製シート(フィルム、板も含む)をガラス転移点(Tg)以上の温度まで加熱し、その状態で凹凸部が形成された金型を押し当て、その後、前記Tgよりも低い温度で樹脂シートから金型を外すいわゆるナノインプリント法、などにより作成することができる。これらの中でも、成形が容易である点で、(4)の方法を好適に用いることができる。
金型を作製する方法としては、例えば切削技術や、一般的なフォトリソ技術を用いることができる、例えば、切削技術を用いる場合には、下記のようにして金型を作製できる。まず、金属製の板材(もしくは金属製のロール)を用意し、この板材の全面に、例えば約100μm厚のニッケル−リン無電解メッキ層を施す。次に、断面三角形状の単結晶ダイヤモンドチップを用意し、このチップの表面に、例えば、集束イオンビーム(Focused Ion Beam:FIB)装置を用いて、その照射強度を適宜調整して微細加工を施し、そのチップ表面の一部に線状凹部を形成する。次いで、このチップが取り付けられたバイトを微細加工用の工作機械に取り付け、前記板材の一辺に沿った第1方向に所定ピッチで切削加工した後、この第1方向に交差(例えば直交など)する第2方向に所定ピッチで切削加工して、複数の四角錐体からなる凹凸面が形成された金型を作製する。次に、ナノインプリント装置を用いて、予めシート状に形成された透明樹脂シートを、当該樹脂のガラス転移点以上の温度に加熱してから前記金型の凹凸面を押し当て、その後、当該樹脂のガラス転移点以下の温度まで冷却してから前記金型を外す。これにより、複数の錐体からなる凹凸構造面が形成された透明基材層を形成できる。なお、必要に応じて、前記第1の方向および前記第2の方向に交差する第3の方向に切削加工を施してもよい。
本実施形態によれば、透明基材層10の表面に複数の四角錐状の錐体11Aからなる凹凸構造面11を形成し、各錐体11Aの各斜面11Bに微細な半球状の凹部15を形成したので、発光層13からの光の乱反射がさらに生じ、光取出効率を高めることができる。このため、正面方向の輝度がより一層高いエレクトロルミネッセンス素子を提供できる。従って、このように高輝度な素子を用いることにより、より高輝度な照明装置や、この照明装置と、この照明装置の光出射側に配置される液晶パネルとを備えてなる液晶表示装置を提供できる。
以上のようなエレクトロルミネッセンス素子は、前述したように、十分な輝度を有するため、一般照明装置や、液晶表示装置のバックライト装置に好適に用いることができる。
なお、本発明は、前記実施形態には限定されず、本願の請求の範囲及びその均等の範囲内での変更を施すことができる。
例えば、透明基材層、第1電極、発光層、第2電極はこの順に設けられるが、これらは直接接して設けられる場合に限られず、間に他の層が介在して設けられてもよい。具体的には、前記実施形態では、透明基材層10と透明電極12Aとを直接積層していたが、これらの部材10,12Aの間に、例えばSiO2をスパッタリングすること等によりガスバリア層を積層してもよい。ガスバリア層を設けることにより、発光層13において効率よく発光させることができる。
例えば、透明基材層、第1電極、発光層、第2電極はこの順に設けられるが、これらは直接接して設けられる場合に限られず、間に他の層が介在して設けられてもよい。具体的には、前記実施形態では、透明基材層10と透明電極12Aとを直接積層していたが、これらの部材10,12Aの間に、例えばSiO2をスパッタリングすること等によりガスバリア層を積層してもよい。ガスバリア層を設けることにより、発光層13において効率よく発光させることができる。
また、前記実施形態では、各斜面に凹部を1つずつ形成したが、各斜面に凹部を複数個形成してもよい。また、一の斜面に形成する凹部の数と、他の斜面に形成する凹部の数とが異なっていてもよい。また、一の斜面に形成する凹部の形状と、他の斜面に形成する凹部の形状とが異なっていてもよいし、同一でもよい。
前記実施形態では、凹部を断面三角形の線状凹部としたが、断面多角形状や半円状の線状凹部としてもよい。この際、前記線状凹部は、錐体の底面と略平行な方向に延びるように形成したが、底面と垂直となる方向などの、底面と交差する方向に延びるように形成してもよく、その延びる方向は特に限定されない。また、これらの線状凹部は、各斜面に1つずつ形成してもよいし、各斜面に複数形成してもよい。
また、前記実施形態では、凹部を線状としたが、半球状としてもよい。このように半球状の凹部を作製する方法としては、例えば、フォトリソ技術において、照射する電子線の照射量(強さ)を適宜調整することにより、曲面加工を施すことができる。
前記実施形態では、凹凸部として凹部を採用したが、凸部としてもよい。凸部の形状としては、本実施形態の凹部と同様に、線状や、半球状等とすることができ、その数や方向も特に限定されない。
次に、本発明について、実施例および比較例1,2を用いてさらに詳細に説明する。
<実施例>
50mm×50mmのステンレス鋼SUS430製の矩形板材の全面に、厚さ100μmのニッケル−リン無電解メッキを施した。次いで、頂角90度の単結晶ダイヤモンドチップ(コンツールファインツーリング社製)の表面に、集束イオンビーム装置(日立ハイテクノロジー社製)を用いて、幅寸法5μmで、深さ寸法2μmの断面三角形状の凹部を微細加工し、微細加工済みチップを作製した。このチップをバイトに取り付けて微細加工済みチップが取り付けられたバイトを作製した。
50mm×50mmのステンレス鋼SUS430製の矩形板材の全面に、厚さ100μmのニッケル−リン無電解メッキを施した。次いで、頂角90度の単結晶ダイヤモンドチップ(コンツールファインツーリング社製)の表面に、集束イオンビーム装置(日立ハイテクノロジー社製)を用いて、幅寸法5μmで、深さ寸法2μmの断面三角形状の凹部を微細加工し、微細加工済みチップを作製した。このチップをバイトに取り付けて微細加工済みチップが取り付けられたバイトを作製した。
次に、このような微細加工済みチップが取り付けられたバイトを、微細加工用の工作機械(例えば、ナノグルーバ AMG71P、不二越社製)に用いて、ニッケル−リン無電解メッキ面に対して、板材の短辺方向に沿って、幅20μm、高さ10μm、ピッチ20μm、頂角90度の断面二等辺三角形状の線状部を複数切削加工した。次いで、板材の長辺方向に沿って、前記同様のピッチで線状部を複数切削加工した。これにより、矩形の板材に複数の四角錐が正格子状に配置された凹凸面を有する金型を作製した。この際、金型表面に形成された四角錐の各斜面には、四角錐の底面に沿った方向に延びる断面三角形で凸状の線状部が1本形成されていた。
次に、ナノインプリント装置(例えば、ホットエンボス装置「EVG520HE」、EVG社製)を用いて、脂環式オレフィン樹脂からなる透明樹脂シート(ゼオノアフィルムZF16、日本ゼオン社製)を、当該樹脂のガラス転移点(160度)以上の温度である190度に加熱してから前記金型の凹凸面を押し当て、その後、当該樹脂のガラス転移点以下の温度である150度まで冷却してから前記金型を外した。これにより、複数の錐体からなる凹凸構造面が形成された透明基材層フィルムを形成した。得られた透明基材層には、底面部が20μm×20μmの正方形である四角錐が複数形成されていた。この四角錐は、その頂角が90度であり、その高さが10μmであった。四角錐の各斜面には、底面の沿った方向に延びるとともに、その深さ寸法が2μmで断面三角形状の線状凹部が形成されていた。このように、正方形の底面部の一辺の長さの1/2であるXが10μmであり、凹部の深さYが2μmであるため、0.01X≦Y<0.5X、さらには0.05X≦Y≦0.3Xを満たしていた。
次に、透明基材層に厚み300ÅのITOを蒸着して透明電極を形成した後、このITOを蒸着した面を純水で洗浄した後IPAの蒸気洗浄を行い、真空蒸着装置にセッティングした。次に、チャンバー内の真空度を10−5〜10−6Torr(10−3〜10−4Pa)程度の真空とし、水晶振動子によりあらかじめ用意した検量線を使用し、ホール輸送材料であるTPD(420Å)/青色発光材料であるZnBox2(280Å)/黄色発光材料であるAlph3(20Å)/赤色発光材料であるZnavq2(310Å)を順次成膜して、白色有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層を形成した。次いで、この発光層の上にマグネシウム銀合金を蒸着して裏面電極を形成して積層体を得た。こうして得られた積層体を窒素で充満したドライボックスに移動させ、このボックス内で、BaOHの粉末を吸湿剤とした封止管をUV接着剤で封止固定した。このようにして、エレクトロルミネッセンス素子を得た。得られた素子に対して、透明電極と裏面電極との間に電圧を印加し、その時の正面方向の輝度を積分球で測定したところ、その視感効率が16.4(lm/W)であった。
<比較例1>
透明基材層の表面に線状凹部を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、エレクトロルミネッセンス素子を得た。実施例1と同様にして評価したところ、その視感効率が12.6(lm/W)であった。
透明基材層の表面に線状凹部を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、エレクトロルミネッセンス素子を得た。実施例1と同様にして評価したところ、その視感効率が12.6(lm/W)であった。
<比較例2>
透明基材層の表面に凹凸構造面を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、エレクトロルミネッセンス素子を得た。実施例1と同様にして評価したところ、その視感効率が5.5(lm/W)であった。
透明基材層の表面に凹凸構造面を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして、エレクトロルミネッセンス素子を得た。実施例1と同様にして評価したところ、その視感効率が5.5(lm/W)であった。
実施例は、比較例1,2に比べて視感効率が1.5〜3倍程度に増加していることが分かった。このため、正面方向の輝度がさらに向上していることが分かった。
Claims (5)
- 透明基材層と、この透明基材層の上に設けられる第1電極と、この第1電極の上に設けられる発光層と、この発光層の上に設けられる第2電極と、をこの順に備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、
前記透明基材層における前記第1電極とは反対側の表面には、凹状または凸状の錐体を複数含んでなる凹凸構造面が形成され、
各錐体を構成する斜面の少なくとも一部には、微小な凹凸部が形成され、
各凹凸部の深さ寸法または高さ寸法Yは、当該凹凸部が形成された錐体を構成する底面部の幅寸法の1/2の長さをXとして、0.01X≦Y<0.5Xであるエレクトロルミネッセンス素子。 - 前記凹凸部は、前記錐体の底面部を含む平面に略平行な線状凹部である請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 前記透明基材層と前記第1電極との間には、さらにガスバリア層が設けられている請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。
- 請求項4に記載の照明装置と、この照明装置の光出射側に配置される液晶パネルとを備える液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006227170 | 2006-08-23 | ||
JP2006227170 | 2006-08-23 | ||
PCT/JP2007/065783 WO2008023586A1 (fr) | 2006-08-23 | 2007-08-10 | élément d'électroluminescence, appareil d'éclairage et appareil d'affichage à cristaux liquides |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008023586A1 true JPWO2008023586A1 (ja) | 2010-01-07 |
Family
ID=39106672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008530859A Pending JPWO2008023586A1 (ja) | 2006-08-23 | 2007-08-10 | エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および液晶表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2008023586A1 (ja) |
WO (1) | WO2008023586A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104460108B (zh) * | 2013-09-22 | 2017-03-08 | 纬创资通股份有限公司 | 背光模块 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06250182A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Enplas Corp | 面光源装置用プリズムシート |
JPH07220512A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Tokai Rika Co Ltd | 照明用レンズ |
JP4027569B2 (ja) * | 2000-06-05 | 2007-12-26 | 友▲達▼光電股▲ふん▼有限公司 | 多方向拡散性対称斜面反射器 |
WO2004017106A1 (ja) * | 2002-08-13 | 2004-02-26 | Zeon Corporation | レンズアレイシート |
JP2004302329A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学シート |
JP2005063926A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-03-10 | Toyota Industries Corp | 発光デバイス |
JP2005111702A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dainippon Printing Co Ltd | ガスバリア性基材とディスプレイ用基板および有機elディスプレイ |
WO2005112513A1 (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Zeon Corporation | エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および表示装置 |
-
2007
- 2007-08-10 JP JP2008530859A patent/JPWO2008023586A1/ja active Pending
- 2007-08-10 WO PCT/JP2007/065783 patent/WO2008023586A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008023586A1 (fr) | 2008-02-28 |
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