JPWO2006129757A1 - 半導体レーザ励起固体レーザ制御装置、及びこれを備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置、並びにこれを備えた画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100Aは、半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Aと、半導体レーザ励起固体レーザ2とを備えている。半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Aは、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射したレーザ光を出力光LOと制御光LCとに分岐するためのビームスプリッタ11Aと、ビームスプリッタ11Aによって分岐された制御光LCの光量を検出する受光素子12と、受光素子12によって検出される光量が一定となるように、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射するレーザ光の光量を制御する制御手段13とを備えている。
図2は、本発明の第2実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置の概略構成を示すブロック図である。なお、図2において、図1に示す第1実施形態と実質的に同じ構成、機能を有する要素には同じ参照符号を付し、その詳細な説明は省略する。図2に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100Bは、半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Bと、半導体レーザ励起固体レーザ2とを備えている。半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Bは、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射したレーザ光から直線偏光を取り出すための直線偏光子14と、直線偏光子14を透過した光を出力光LOと制御光LCとに分岐するためのビームスプリッタ11と、ビームスプリッタ11によって分岐された制御光LCの光量を検出する受光素子12と、受光素子12によって検出される光量が一定となるように、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射するレーザ光の光量を制御する制御手段13とを備えている。
図3は、本発明の第3実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置の概略構成を示すブロック図である。なお、図3において、図1に示す第1実施形態や図2に示す第2実施形態と実質的に同じ構成、機能を有する要素には同じ参照符号を付し、その詳細な説明は省略する。図3に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置100Cは、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射したレーザ光を第1の光LC’と第2の光LO’とに分岐するためのビームスプリッタ11と、ビームスプリッタ11によって分岐された第1の光LC’から直線偏光を取り出して制御光LCとするための第1の直線偏光子14Aと、ビームスプリッタ11によって分岐された第2の光LO’から直線偏光を取り出して出力光LOとするための第2の直線偏光子14Bと、第1の直線偏光子14Aを透過した制御光LCの光量を検出する受光素子12と、受光素子12によって検出される光量が一定となるように、半導体レーザ励起固体レーザ2から出射するレーザ光の光量を制御する制御手段13とを備えている。
図1に概略構成を示す半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Aを用いて、半導体レーザ励起固体レーザ2の出力光の光量を安定化させる試験を行った。
図2に概略構成を示す半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Bを用いて、半導体レーザ励起固体レーザ2の出力光の光量を安定化させる試験を行った。
・波長532nmでのP偏光の透過率53%、反射率47%
・波長532nmでのS偏光の透過率76%、反射率24%
・裏面ARコート付
図3に概略構成を示す半導体レーザ励起固体レーザ制御装置1Cを用いて、半導体レーザ励起固体レーザ2の出力光の光量を安定化させる試験を行った。
一般的なビームスプリッタ11の代わりに、実施例1のビームスプリッタ11Aを用いた点を除き、実施例2に準じた試験を行った。
一般的なビームスプリッタ11の代わりに、実施例1のビームスプリッタ11Aを用いた点を除き、実施例3に準じた試験を行った。
ビームスプリッタ11Aの代わりに、実施例2、3の一般的なビームスプリッタ11を用いた点を除き、実施例1に準じた試験を行った。
を解決し得ることに想到し、さらに鋭意検討した結果、本発明を完成したものである。
[0011]
すなわち、前記課題を解決するべく、本発明は、半導体レーザ励起固体レーザの出力光の光量を安定化させるための制御装置であって、半導体レーザ励起固体レーザから出射したレーザ光を出力光と制御光とに分岐するためのビームスプリッタと、前記ビームスプリッタによって分岐された制御光の光量を検出する受光素子と、前記受光素子によって検出される光量が一定となるように、前記半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の光量を制御する制御手段とを備え、前記ビームスプリッタは、前記半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の偏光特性が変化したとしても出力光と制御光との光量比が略一定となるように、その透過率及び反射率が前記レーザ光の偏光特性に依存しない無偏光ビームスプリッタとされていることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ制御装置を提供するものである。
[0012]
なお、本発明において、「透過率及び反射率が前記レーザ光の偏光特性に依存しない」とは、半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光と同じ波長の光をその偏光方向を種々変更してビームスプリッタに入射した場合において、得られる最大透過率に対する最小透過率の比が0.8以上(好ましくは0.95以上)、最大反射率に対する最小反射率の比が0.8以上(好ましくは0.95以上)であることを意味する。
[0013]
斯かる発明によれば、半導体レーザ励起固体レーザから出射したレーザ光を出力光と制御光とに分岐するためのビームスプリッタとして、透過率及び反射率が前記レーザ光の偏光特性に依存しないものを用いる構成とされる。従って、たとえ温度変化等によって半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光(すなわち、ビームスプリッタに入射するレーザ光)の偏光特性が変化したとしても、透過率及び反射率が偏光特性に依存しないため、出力光(例えば、ビームスプリッタを透過する光)と制御光(例えば、ビームスプリッタで反射する光)との光量比は略一定となる。よって、受光素子によって検出される制御光の光量が一定となるように、制御手段によって半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の光量を制御すれば、制御光に対して略一定の光量比となる出力光の光量も略一定に安定化させることが可能である。
[0014]
また、本発明によれば、従来提案されている制御装置を構成する一般的なビームスプリッタを、透過率及び反射率がレーザ光の偏光特性に依存しない無偏光ビームスプリッタに置き換えるだけで良く、その他の光学デバイスを必要としない。従って、制御装置を従来と同等に小型化できると共に、半導体レーザ励起固体レーザとビームスプリッ
Claims (5)
- 半導体レーザ励起固体レーザの出力光の光量を安定化させるための制御装置であって、
半導体レーザ励起固体レーザから出射したレーザ光を出力光と制御光とに分岐するためのビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタによって分岐された制御光の光量を検出する受光素子と、
前記受光素子によって検出される光量が一定となるように、前記半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の光量を制御する制御手段とを備え、
前記ビームスプリッタは、透過率及び反射率が前記レーザ光の偏光特性に依存しないことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ制御装置。 - 半導体レーザ励起固体レーザの出力光の光量を安定化させるための制御装置であって、
半導体レーザ励起固体レーザから出射したレーザ光から直線偏光を取り出すための直線偏光子と、
前記直線偏光子を透過した光を出力光と制御光とに分岐するためのビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタによって分岐された制御光の光量を検出する受光素子と、
前記受光素子によって検出される光量が一定となるように、前記半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の光量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ制御装置。 - 半導体レーザ励起固体レーザの出力光の光量を安定化させるための制御装置であって、
半導体レーザ励起固体レーザから出射したレーザ光を第1の光と第2の光とに分岐するためのビームスプリッタと、
前記ビームスプリッタによって分岐された第1の光から直線偏光を取り出して制御光とするための第1の直線偏光子と、
前記ビームスプリッタによって分岐された第2の光から直線偏光を取り出して出力光とするための第2の直線偏光子と、
前記第1の直線偏光子を透過した制御光の光量を検出する受光素子と、
前記受光素子によって検出される光量が一定となるように、前記半導体レーザ励起固体レーザから出射するレーザ光の光量を制御する制御手段とを備え、
前記第1の直線偏光子の偏光方向と、前記第2の直線偏光子の偏光方向とが互いに同一であることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ制御装置。 - 請求項1から3の何れかに記載の半導体レーザ励起固体レーザ制御装置と、
半導体レーザ励起固体レーザとを備えることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 請求項4に記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置を備えることを特徴とする画像形成装置。
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