JPWO2006117979A1 - 赤外線カットフィルター - Google Patents
赤外線カットフィルター Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2006117979A1 JPWO2006117979A1 JP2007514543A JP2007514543A JPWO2006117979A1 JP WO2006117979 A1 JPWO2006117979 A1 JP WO2006117979A1 JP 2007514543 A JP2007514543 A JP 2007514543A JP 2007514543 A JP2007514543 A JP 2007514543A JP WO2006117979 A1 JPWO2006117979 A1 JP WO2006117979A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cut filter
- infrared cut
- zinc oxide
- transmittance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 162
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Chemical group 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/281—Interference filters designed for the infrared light
- G02B5/282—Interference filters designed for the infrared light reflecting for infrared and transparent for visible light, e.g. heat reflectors, laser protection
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
【課題】構造が簡単で安価であるとともに、ＩＴＯ膜を使用した場合に比べて可視光領域における透過率は高く設定でき、赤外線領域における透過率は低く設定できるような赤外線カットフィルターを提供すること。【解決手段】少なくともガリウムをドーパントとしてドーピングした酸化亜鉛膜２を透明なガラス基板１の第１の面１ａにイオンプレーティング法によって成膜させる。この酸化亜鉛膜２の表面に真空蒸着法により酸化チタンと酸化ケイ素の交互多層膜から構成される誘電体膜４を成膜させる。ガラス基板１の第２の面１ｂにも同様の条件で誘電体膜４を成膜させる。このような構成とすることで簡単な構成で安価にもかかわらず性能のよい赤外線カットフィルターを提供することが可能となる。【選択図】 図１
Description
本発明は広帯域にわたって赤外線をカットする赤外線カットフィルターに関するものである。
赤外線カットフィルターは、例えばプロジェクターの光源の熱線領域をカットして温度上昇を防止したり、デジタルカメラやビデオのＣＣＤ素子と併用して可視光だけを透過させたりする目的で従来から多用されている。このような赤外線カットフィルターとして種々の構成のものが提供されている。例えば、透明な基板上に誘電体膜を成膜した赤外線カットフィルターや赤外線吸収ガラスを基板として使用する赤外線カットフィルターがある。また、これらを組み合わせ赤外線吸収ガラスに誘電体膜を成膜した赤外線カットフィルターがある。
これら従来の赤外線カットフィルターは十分な赤外線カット能を発揮させるためにはいずれもコストの点で欠点がある。また、赤外線吸収ガラスを用いる場合ではガラスが赤外線吸収に伴って高熱化するおそれがあり、割れが生じたり誘電体膜を一緒に使用する場合ではその誘電体膜の損傷が生じるおそれがある。
そのため、特許文献１に示すように誘電体膜とＩＴＯ膜（錫ドープ酸化インジウム膜）とをガラス基板に成膜した赤外線カットフィルターが提案されている。特許文献１の赤外線カットフィルターでは誘電体膜とＩＴＯ膜を組み合わせることによって誘電体膜の欠点であるカット領域の狭さを改善し、更に赤外線吸収ガラス伴う上記問題が解消されることとなり好ましい。
特開平８−２４９９１４号公報
これら従来の赤外線カットフィルターは十分な赤外線カット能を発揮させるためにはいずれもコストの点で欠点がある。また、赤外線吸収ガラスを用いる場合ではガラスが赤外線吸収に伴って高熱化するおそれがあり、割れが生じたり誘電体膜を一緒に使用する場合ではその誘電体膜の損傷が生じるおそれがある。
そのため、特許文献１に示すように誘電体膜とＩＴＯ膜（錫ドープ酸化インジウム膜）とをガラス基板に成膜した赤外線カットフィルターが提案されている。特許文献１の赤外線カットフィルターでは誘電体膜とＩＴＯ膜を組み合わせることによって誘電体膜の欠点であるカット領域の狭さを改善し、更に赤外線吸収ガラス伴う上記問題が解消されることとなり好ましい。
しかし、特許文献１の赤外線カットフィルターに使用されるＩＴＯ膜の主成分であるインジウムは極めて高価な稀少金属であり、フィルターの高価格化を招来し、安定した供給の点でもこれに替わるものが求められていた。また、ＩＴＯ膜を誘電体膜と組み合わせる場合では可視光における透過率をそれほど上げることができず（この特許文献１では８０％程度）、透過率のさらなる向上が求められていた。更に、ＩＴＯ膜を誘電体膜と組み合わせる場合では赤外線をカットできるものの、赤外線領域における透過率が比較的高く（この特許文献１では最大で４０％程度透過）十分な赤外線カット能が発揮できなかった。
そのため、誘電体膜とＩＴＯ膜を組み合わせた赤外線カットフィルターと比べて安価で可視光領域における透過率を高く設定でき、逆に赤外線領域における透過率を低く設定できるような赤外線カットフィルターが求められていた。
本発明は、上記課題を解消するためになされたものであり、その目的は、構造が簡単で安価であるとともに、ＩＴＯ膜を使用した場合に比べて可視光領域における透過率は高く設定でき、赤外線領域における透過率は低く設定できるような赤外線カットフィルターを提供することである。
そのため、誘電体膜とＩＴＯ膜を組み合わせた赤外線カットフィルターと比べて安価で可視光領域における透過率を高く設定でき、逆に赤外線領域における透過率を低く設定できるような赤外線カットフィルターが求められていた。
本発明は、上記課題を解消するためになされたものであり、その目的は、構造が簡単で安価であるとともに、ＩＴＯ膜を使用した場合に比べて可視光領域における透過率は高く設定でき、赤外線領域における透過率は低く設定できるような赤外線カットフィルターを提供することである。
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、アルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム及びシリコンから選ばれる少なくとも１種をドーパントとしてドーピングした一枚又は複数枚の酸化亜鉛膜と、複数枚の誘電体膜とを基体に対して同基体の光の入射する方向において積層し、同酸化亜鉛膜と同誘電体膜とによる複層の膜構造を構築するように成膜したことをその要旨とする。
また、請求項２に記載の発明では請求項１に記載の発明の構成に加え、１０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことをその要旨とする。
また、請求項３に記載の発明では請求項１又は２に記載の発明の構成に加え、可視光領域における光の平均透過率を８５％以上に設定したことをその要旨とする。
また、請求項４に記載の発明では請求項１〜３のいずれかに記載の発明の構成に加え、透過率５０％を有する波長（以下、この波長をλとする）が、８００±２００ｎｍ の範囲内にあって、４２０ｎｍ〜（λ−５０）ｎｍにおける平均透過率が８５％よりも高く、（λ＋４０）ｎｍ〜２５００ｎｍにおける透過率が５％よりも低い分光透過率を示すように設定したことをその要旨とする。
また、請求項５に記載の発明では請求項１〜４のいずれかに記載の発明の構成に加え、複数の前記誘電体膜はＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１種の無機化合物からなる膜体であることをその要旨とする。
また、請求項６に記載の発明では請求項１〜５のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記酸化亜鉛膜単独の１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことをその要旨とする。
また、請求項７に記載の発明では請求項１〜６のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体を前記誘電体膜としたことをその要旨とする。
また、請求項８に記載の発明では請求項１〜７のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される最内層の膜体を前記誘電体膜としたことをその要旨とする。
また、請求項９に記載の発明では請求項８に記載の発明の構成に加え、前記基体はガラス製であり、同基体上に成膜される誘電体膜はＳｉＯ2であることをその要旨とする。
また、請求項２に記載の発明では請求項１に記載の発明の構成に加え、１０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことをその要旨とする。
また、請求項３に記載の発明では請求項１又は２に記載の発明の構成に加え、可視光領域における光の平均透過率を８５％以上に設定したことをその要旨とする。
また、請求項４に記載の発明では請求項１〜３のいずれかに記載の発明の構成に加え、透過率５０％を有する波長（以下、この波長をλとする）が、８００±２００ｎｍ の範囲内にあって、４２０ｎｍ〜（λ−５０）ｎｍにおける平均透過率が８５％よりも高く、（λ＋４０）ｎｍ〜２５００ｎｍにおける透過率が５％よりも低い分光透過率を示すように設定したことをその要旨とする。
また、請求項５に記載の発明では請求項１〜４のいずれかに記載の発明の構成に加え、複数の前記誘電体膜はＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１種の無機化合物からなる膜体であることをその要旨とする。
また、請求項６に記載の発明では請求項１〜５のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記酸化亜鉛膜単独の１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことをその要旨とする。
また、請求項７に記載の発明では請求項１〜６のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体を前記誘電体膜としたことをその要旨とする。
また、請求項８に記載の発明では請求項１〜７のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される最内層の膜体を前記誘電体膜としたことをその要旨とする。
また、請求項９に記載の発明では請求項８に記載の発明の構成に加え、前記基体はガラス製であり、同基体上に成膜される誘電体膜はＳｉＯ2であることをその要旨とする。
また、請求項１０に記載の発明では請求項１〜９のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記酸化亜鉛膜は前記誘電体膜によって挟持されていることをその要旨とする。
また、請求項１１に記載の発明では請求項１〜１０のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される膜体を前記酸化亜鉛膜としたことをその要旨とする。
また、請求項１２に記載の発明では請求項１〜１１のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記酸化亜鉛膜を一枚の膜体のみで成膜する場合には同酸化亜鉛膜の膜厚を５００ｎｍ〜１２００ｎｍとすることをその要旨とする。
また、請求項１３に記載の発明では請求項１〜１２のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体上に撥水膜を成膜したことをその要旨とする。
また、請求項１４に記載の発明では請求項１〜１３のいずれかに記載の発明の構成に加え、紫外線領域の波長をカットするようにしたことをその要旨とする。
また、請求項１５に記載の発明では請求項１〜１４のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記酸化亜鉛膜はイオンプレーティング法によって成膜されていることをその要旨とする。
また、請求項１１に記載の発明では請求項１〜１０のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される膜体を前記酸化亜鉛膜としたことをその要旨とする。
また、請求項１２に記載の発明では請求項１〜１１のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において前記酸化亜鉛膜を一枚の膜体のみで成膜する場合には同酸化亜鉛膜の膜厚を５００ｎｍ〜１２００ｎｍとすることをその要旨とする。
また、請求項１３に記載の発明では請求項１〜１２のいずれかに記載の発明の構成に加え、複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体上に撥水膜を成膜したことをその要旨とする。
また、請求項１４に記載の発明では請求項１〜１３のいずれかに記載の発明の構成に加え、紫外線領域の波長をカットするようにしたことをその要旨とする。
また、請求項１５に記載の発明では請求項１〜１４のいずれかに記載の発明の構成に加え、前記酸化亜鉛膜はイオンプレーティング法によって成膜されていることをその要旨とする。
ここに本発明の酸化亜鉛膜はアルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム及びシリコンから選ばれる少なくとも１種をドーパントとしてドーピングして成膜される。亜鉛はインジウムに比べて原料コストが低く、資源として安定的に供給されるため赤外線カットフィルターの構成素材として好ましい。酸化亜鉛はワイドバンドギャップ半導体であり、ドーピング前においてはｎ型伝導性を示す。酸化亜鉛に対するドナー条件としては、基本的に亜鉛（第２属）置換元素である第３属及び第４属と、酸素（第６属）の置換元素である第７属が候補とされる。但し、蒸着により成膜する場合にはドナーは次の条件を満たす必要がある。
（１）ホストマテリアルとしての酸化亜鉛への溶解度が高いこと
（２）蒸気圧がホストマテリアルとしての酸化亜鉛に近いこと
更に、亜鉛の電子配置を考慮すると、
（３）第１イオン化エネルギーが高いこと
（４）膜中での安定性が高いこと
が条件として必要である。また、一般的に
（５）低コストであること
も重要な条件である。これらの諸条件を満たすドーパントとしてアルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム及びシリコンが好ましい。本発明の酸化亜鉛膜ではこれらから選択された少なくとも１種をドナーとしてドーピングして成膜されることが好ましい。また、これら選択されたドーパントのうち少なくとも１種はガリウムであることが好ましい。ドーピング濃度が上がると亜鉛原子とドーパントとの置換率が下がり、ドーピング材が酸化物として析出するようになってくる。この析出現象は基体内における内面ムラを生じ分光特性に影響を与える。上記ドーパントとしてガリウムはこの析出量が最も少ないためである。所望の赤外線カット特性に応じてドーパントを選択し、組み合わせて酸化亜鉛膜を構成することが可能である。
（１）ホストマテリアルとしての酸化亜鉛への溶解度が高いこと
（２）蒸気圧がホストマテリアルとしての酸化亜鉛に近いこと
更に、亜鉛の電子配置を考慮すると、
（３）第１イオン化エネルギーが高いこと
（４）膜中での安定性が高いこと
が条件として必要である。また、一般的に
（５）低コストであること
も重要な条件である。これらの諸条件を満たすドーパントとしてアルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム及びシリコンが好ましい。本発明の酸化亜鉛膜ではこれらから選択された少なくとも１種をドナーとしてドーピングして成膜されることが好ましい。また、これら選択されたドーパントのうち少なくとも１種はガリウムであることが好ましい。ドーピング濃度が上がると亜鉛原子とドーパントとの置換率が下がり、ドーピング材が酸化物として析出するようになってくる。この析出現象は基体内における内面ムラを生じ分光特性に影響を与える。上記ドーパントとしてガリウムはこの析出量が最も少ないためである。所望の赤外線カット特性に応じてドーパントを選択し、組み合わせて酸化亜鉛膜を構成することが可能である。
誘電体膜は親水性或いは非親水性の無機化合物であって、酸化亜鉛と接合された界面において発生する構成原子の相互拡散によって物性に支障が生じないものである必要がある。酸化亜鉛については３又は４族元素が好ましく、例えばＴｉＯ2（二酸化チタン）、Ｔａ2Ｏ5（五酸化タンタル）、ＺｒＯ2（酸化ジルコン）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、Ｎｂ2Ｏ5（五酸化ニオブ）、ＳｉＯ2（酸化ケイ素）等の酸化物あるいはＭｇＦ2（フッ化マグネシウム）等が挙げられる。本発明の複数の誘電体膜ではこれら７種から選ばれる少なくとも１種の無機化合物の光の透過する方向に積層して構成することが好ましい。また、２種の誘電体膜ならば光の透過する方向に交互に積層して構成することが好ましい。
これら誘電体膜及び酸化亜鉛膜によって構成される多層膜の膜数は特に限定されるものではない。所望の赤外線カット特性に応じて化合物を選択し、組み合わせて誘電体膜及び酸化亜鉛膜を構成することが可能である。
これら誘電体膜及び酸化亜鉛膜によって構成される多層膜の膜数は特に限定されるものではない。所望の赤外線カット特性に応じて化合物を選択し、組み合わせて誘電体膜及び酸化亜鉛膜を構成することが可能である。
酸化亜鉛膜及び誘電体膜は蒸着法やスパッタリングで成膜することが好ましく、更に酸化亜鉛膜についてはイオンプレーティング法で成膜することがより好ましい。イオンプレーティング法は蒸発粒子をプラズマ化してイオンや励起粒子に変化させ、電界により運動エネルギーを付加して基板に蒸着させる方法である。単なる真空蒸着における飛来粒子のエネルギーレベルが小さくほとんど中性粒子が大半であるのに対しイオンプレーティング法における飛来粒子のエネルギーレベルはかなり高い。そのため、この蒸着方法での成膜構造は単なる真空蒸着に比べて緻密なものとなり、赤外線領域における透過率に与える影響が特に大きい。つまり、イオンプレーティング法によって成膜された酸化亜鉛膜では特に１０００ｎｍ以上の波長における光の透過率を低く抑える傾向が強い。また、イオンプレーティング法で成膜した酸化亜鉛膜は付着性がよく、成膜構造が緻密になることから他の物質の膜内への浸入も少なくなり物性の経時的な変化が非常に小さくなる傾向となることから赤外線カットフィルター用の酸化亜鉛膜の成膜手段としてイオンプレーティング法は最適である。
このような赤外線カットフィルターは１０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長、つまり近赤外線領域における光の透過率を２０％以下に、好ましくはほぼ０％とすることが好ましい。また可視光領域（４００ｎｍ付近〜７００ｎｍ付近）における光の平均透過率を８５％以上とすることが好ましい。
また、光線カットフィルターは所定の波長の光の波長を透過させることを目的とする透過帯域と所定の波長の光をカットすることを目的とするカット帯域を有しており、それらの帯域間には通過帯域が配置されるような光学特性を示すものである。ここに、通過帯域では透過率が劇的に変化することとなり、必ずある波長において透過率が５０％となる半値波長を通過することとなる。半値波長をどこに設定するかは求める光線カットフィルターによって異なる。上記酸化亜鉛膜及び誘電体膜の構成によって任意に半値波長を調整することが可能である。例えば、デジタルカメラ等に使用される撮像素子用視感度補正フィルターとしては半値波長は６５０±５０ｎｍ付近であることが好ましい。
本発明の赤外線カットフィルターでは透過率５０％を有する波長（以下、この波長をλとする）が、８００±２００ｎｍ の範囲内にあって、４２０ｎｍ〜（λ−５０）ｎｍにおける平均透過率が８５％よりも高く、（λ＋４０）ｎｍ〜２０００ｎｍにおける透過率が５％よりも低い分光透過率を示すように設定することが好ましい。λ−５０ｎｍ、λ＋４０ｎｍとしたのは通過帯域の幅を考慮したものである。また、赤外線と同時に紫外線帯域もカットすることが好ましい。
また、光線カットフィルターは所定の波長の光の波長を透過させることを目的とする透過帯域と所定の波長の光をカットすることを目的とするカット帯域を有しており、それらの帯域間には通過帯域が配置されるような光学特性を示すものである。ここに、通過帯域では透過率が劇的に変化することとなり、必ずある波長において透過率が５０％となる半値波長を通過することとなる。半値波長をどこに設定するかは求める光線カットフィルターによって異なる。上記酸化亜鉛膜及び誘電体膜の構成によって任意に半値波長を調整することが可能である。例えば、デジタルカメラ等に使用される撮像素子用視感度補正フィルターとしては半値波長は６５０±５０ｎｍ付近であることが好ましい。
本発明の赤外線カットフィルターでは透過率５０％を有する波長（以下、この波長をλとする）が、８００±２００ｎｍ の範囲内にあって、４２０ｎｍ〜（λ−５０）ｎｍにおける平均透過率が８５％よりも高く、（λ＋４０）ｎｍ〜２０００ｎｍにおける透過率が５％よりも低い分光透過率を示すように設定することが好ましい。λ−５０ｎｍ、λ＋４０ｎｍとしたのは通過帯域の幅を考慮したものである。また、赤外線と同時に紫外線帯域もカットすることが好ましい。
更に、本発明の赤外線カットフィルターでは酸化亜鉛膜単独の可視光領域の半値波長が６５０〜９００ｎｍに設定されることが好ましい。酸化亜鉛膜は主として可視光領域よりも波長の長い領域、特に近赤外線領域と言われる１０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長の領域をカットすることが望まれているが、このように酸化亜鉛膜単独で可視光領域に近い波長領域〜可視光領域との境界に半値波長を設定することによって赤外線カットフィルター全体として誘電体膜の可視領域での成膜条件の向上に寄与する。具体的には誘電体膜の積層膜数を少なくしても可視光領域の光の平均透過率を高レベルで維持することが可能となる。酸化亜鉛膜単独の可視光領域の半値波長と誘電体膜の積層枚数は相関関係を示す。
酸化亜鉛膜及び誘電体膜は基体に対し光の入射する方向において複層の膜構造を構築できれば配置順序や各膜層の配置枚数は限定されるものではない。基体の材質は適宜変更可能である。
誘電体膜、酸化亜鉛膜、基体をそれぞれＤ，Ｓ，Ｇで表した場合、光が入射する方向からの配置順序として、例えばＤＳＧ、ＤＳＤＧ、ＤＳＤＧ、ＤＧＳ、ＤＳＧＤ、ＤＳＤＧＤ、ＤＳＧＳＤ、ＤＳＤＧＤＳＤ等の配列の層構造が想定される（Ｄ位置には一枚又は複数枚数の種類の異なる誘電体膜を配置することが可能である）。
基本的には基体上に成膜されるのは誘電体膜でも酸化亜鉛膜でもどちらでもよいが、特に基体がガラス製である場合にはＳｉＯ2の誘電体膜を使用することがより好ましい。陽元素としてのＳｉが誘電体膜と基体とで共通するため両者の密着性がよくＳｉ元素の同士の相互拡散が生じても物性の変化が少なく、特に光学的及び電気的物性が安定するからである。
誘電体膜、酸化亜鉛膜、基体をそれぞれＤ，Ｓ，Ｇで表した場合、光が入射する方向からの配置順序として、例えばＤＳＧ、ＤＳＤＧ、ＤＳＤＧ、ＤＧＳ、ＤＳＧＤ、ＤＳＤＧＤ、ＤＳＧＳＤ、ＤＳＤＧＤＳＤ等の配列の層構造が想定される（Ｄ位置には一枚又は複数枚数の種類の異なる誘電体膜を配置することが可能である）。
基本的には基体上に成膜されるのは誘電体膜でも酸化亜鉛膜でもどちらでもよいが、特に基体がガラス製である場合にはＳｉＯ2の誘電体膜を使用することがより好ましい。陽元素としてのＳｉが誘電体膜と基体とで共通するため両者の密着性がよくＳｉ元素の同士の相互拡散が生じても物性の変化が少なく、特に光学的及び電気的物性が安定するからである。
複層に構築された上記膜構造において酸化亜鉛膜を一枚の膜体のみで成膜する場合にはその膜厚を５００ｎｍ〜１２００ｎｍとすることが好ましい。長波長領域、特に近赤外線領域と言われる１０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長を透過率を２０％以下に抑制するためには膜厚を５００ｎｍよりも厚くする必要がある。しかし、厚みがますと内部応力によってクラックが生じやすくなる。近赤外線領域における透過率を０％とし、なおかつ応力を考慮した妥当な膜厚としては８００±１００ｎｍが最も好ましい。
酸化亜鉛膜への荷重の軽減（つまり内部応力の軽減）のために酸化亜鉛膜は膜構造において誘電体膜に挟持されていることが好ましい。また、酸化亜鉛膜を複数枚数で構成する場合にはトータルの膜厚で光学特性を発現させることができるためクラックが生じにくくなる点で有利である（但し、単一膜のほうがコスト面では有利である）。
酸化亜鉛膜への荷重の軽減（つまり内部応力の軽減）のために酸化亜鉛膜は膜構造において誘電体膜に挟持されていることが好ましい。また、酸化亜鉛膜を複数枚数で構成する場合にはトータルの膜厚で光学特性を発現させることができるためクラックが生じにくくなる点で有利である（但し、単一膜のほうがコスト面では有利である）。
複層に構築された上記膜構造において最外層の膜体を前記誘電体膜とすることが好ましい。酸化亜鉛膜は比較的耐薬品性が低いためである。一方、誘電体膜は耐薬品性が高い。そのため最外層の膜体を誘電体膜とすることが好ましい。更に、透明な基体の場合ではフィルターの透過率を向上させるためには最終層は空気の屈折率に近いほうがよい。そのため、誘電体膜の屈折率が酸化亜鉛膜よりも空気の屈折率に近い場合には酸化亜鉛膜を最外層とせず誘電体膜を酸化亜鉛膜の外方に配置することが好ましい。特にＳｉＯ2を最外層とすることが好ましい。
更に、最外層の膜体上に撥水膜を成膜することが好ましい。撥水膜は、例えば有機ケイ素化合物を重縮合させたものである。重縮合によって、被膜の厚膜化、緻密化が可能となり、基材との密着性および表面硬度が高く、汚れの拭き取り性に優れた被膜が得られやすくなる。撥水膜は公知の蒸着法やイオンスパッタリング法等により形成される。
重縮合前の有機ケイ素化合物は、−ＳｉＲyＸ3-y（Ｒは１価の有機基、Ｘは加水分解可能な基、ｙは０から２までの整数）で表される含ケイ素官能基を有する化合物である。ここにＸとしては、例えばＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3等のアルコキシ基、ＯＣＯＣＨ3等のアシロキシ基、ＯＮ＝ＣＲaＲb等のケトオキシム基、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン基、ＮＲcＲd等のアミノ基（Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ一価の有機基を表す）などの基が挙げられる。
このような有機ケイ素化合物として含フッ素有機ケイ素化合物が好適である。含フッ素有機ケイ素化合物は撥水撥油性、電気絶縁性、離型性、耐溶剤性、潤滑性、耐熱性、消泡性にトータル的に優れている。特に、分子内にパーフルオロアルキル基あるいはパーフルオロポリエーテル基を持つ分子量１０００〜５００００程度の比較的大きな有機ケイ素化合物は防汚性に優れる。
更に、最外層の膜体上に撥水膜を成膜することが好ましい。撥水膜は、例えば有機ケイ素化合物を重縮合させたものである。重縮合によって、被膜の厚膜化、緻密化が可能となり、基材との密着性および表面硬度が高く、汚れの拭き取り性に優れた被膜が得られやすくなる。撥水膜は公知の蒸着法やイオンスパッタリング法等により形成される。
重縮合前の有機ケイ素化合物は、−ＳｉＲyＸ3-y（Ｒは１価の有機基、Ｘは加水分解可能な基、ｙは０から２までの整数）で表される含ケイ素官能基を有する化合物である。ここにＸとしては、例えばＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ3等のアルコキシ基、ＯＣＯＣＨ3等のアシロキシ基、ＯＮ＝ＣＲaＲb等のケトオキシム基、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン基、ＮＲcＲd等のアミノ基（Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ一価の有機基を表す）などの基が挙げられる。
このような有機ケイ素化合物として含フッ素有機ケイ素化合物が好適である。含フッ素有機ケイ素化合物は撥水撥油性、電気絶縁性、離型性、耐溶剤性、潤滑性、耐熱性、消泡性にトータル的に優れている。特に、分子内にパーフルオロアルキル基あるいはパーフルオロポリエーテル基を持つ分子量１０００〜５００００程度の比較的大きな有機ケイ素化合物は防汚性に優れる。
このような赤外線カットフィルターとして上記撮像素子用視感度補正フィルターの他、赤外線、遠赤外線を含み長波長領域をカットする遮熱用ガラスフィルター、赤外線センサーやリモコン等において所定の波長（８８０ｎｍ、９４０ｎｍ）以外の長波長側ノイズを除去するためのフィルター等に応用することが考えられる。
上記各請求項に記載の発明によれば、簡単な構成で安価にもかかわらず性能のよい赤外線カットフィルターを提供することが可能となる。
（実施例１）
（製造方法）
図１に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａにイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。膜材料として酸化亜鉛に対してガリウムを８．０重量％を添加したものを使用し、住友機械工業（株）製のイオンプレーティング装置を使用して膜厚を約５００ｎｍを形成させた。成膜条件は次の通りである。
・基板温度２００度Ｃ
・酸素ガス流量５ｓｃｃｍ
・蒸着速度３ｎｍ／ｓｅｃ
・成膜中の真空度は約４〜９×１０-4ｔｏｒｒ
・放電電流：１００Ａ
（製造方法）
図１に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａにイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。膜材料として酸化亜鉛に対してガリウムを８．０重量％を添加したものを使用し、住友機械工業（株）製のイオンプレーティング装置を使用して膜厚を約５００ｎｍを形成させた。成膜条件は次の通りである。
・基板温度２００度Ｃ
・酸素ガス流量５ｓｃｃｍ
・蒸着速度３ｎｍ／ｓｅｃ
・成膜中の真空度は約４〜９×１０-4ｔｏｒｒ
・放電電流：１００Ａ
この酸化亜鉛膜２の表面に真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表１のグラフＡに示す。この分光特性から可視光領域（４２０〜６３０ｎｍ）では平均９３％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の（６８０ｎｍ〜）でも透過率１０％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例１の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例１では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表１のグラフＢとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長において透過率が約１６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表１のグラフＡに示す。この分光特性から可視光領域（４２０〜６３０ｎｍ）では平均９３％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の（６８０ｎｍ〜）でも透過率１０％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例１の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例１では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表１のグラフＢとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長において透過率が約１６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
また、本実施例１に使用した酸化亜鉛膜２及びＳｉＯ2について併せてその耐アルカリ性と耐水性を検証した。
まず、酸化亜鉛膜２及びＳｉＯ2がそれぞれ最外層として露出した試料１及び試料２についてそれぞれ純水に１５分間浸漬し、取り出してスピン乾燥にて乾燥させたものの透過分光特性を検証したが、いずれも浸漬前と透過分光特性に変化はなかった。
一方、試料１についてアルカリ洗剤（ｐＨ１０）にそれぞれ１分間、２分間及び６分間浸漬し、取り出して純水で洗浄後スピン乾燥にて乾燥させたものの透過分光特性を浸漬前の透過分光特性と比較検証した。その結果を表２に示す。
表２によれば１分間浸漬した場合（グラフａ）と２分間浸漬した場合（グラフｂ）及び６分間浸漬した場合（グラフｃ）はいずれも浸漬前の透過分光特性（グラフｄ）と比較して特性が明らかに変化し、特に近赤外線領域でのカット能がの低下が確認された。特性変化は浸漬時間が長いほうが大きい傾向となる。
まず、酸化亜鉛膜２及びＳｉＯ2がそれぞれ最外層として露出した試料１及び試料２についてそれぞれ純水に１５分間浸漬し、取り出してスピン乾燥にて乾燥させたものの透過分光特性を検証したが、いずれも浸漬前と透過分光特性に変化はなかった。
一方、試料１についてアルカリ洗剤（ｐＨ１０）にそれぞれ１分間、２分間及び６分間浸漬し、取り出して純水で洗浄後スピン乾燥にて乾燥させたものの透過分光特性を浸漬前の透過分光特性と比較検証した。その結果を表２に示す。
表２によれば１分間浸漬した場合（グラフａ）と２分間浸漬した場合（グラフｂ）及び６分間浸漬した場合（グラフｃ）はいずれも浸漬前の透過分光特性（グラフｄ）と比較して特性が明らかに変化し、特に近赤外線領域でのカット能がの低下が確認された。特性変化は浸漬時間が長いほうが大きい傾向となる。
一方、試料２についても試料１と同様の操作で透過分光特性を検証したが、表３に示すように、浸漬前の透過分光特性と特に変化はなかった。
この結果、耐水性については酸化亜鉛膜２及びＳｉＯ2ともに十分であるが、耐アルカリ性については酸化亜鉛膜２は低いため、実施例１のように最外層には酸化亜鉛膜２を成膜しないほうが好ましいことが確認できた。この結果を受けて以下の実施例も酸化亜鉛膜２よりも外方に誘電体膜３を成膜させた。
この結果、耐水性については酸化亜鉛膜２及びＳｉＯ2ともに十分であるが、耐アルカリ性については酸化亜鉛膜２は低いため、実施例１のように最外層には酸化亜鉛膜２を成膜しないほうが好ましいことが確認できた。この結果を受けて以下の実施例も酸化亜鉛膜２よりも外方に誘電体膜３を成膜させた。
（実施例２）
実施例１と同様に図１に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａにイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。膜材料として酸化亜鉛に対してガリウムを８．０重量％を添加したものを使用し、住友機械工業（株）製のイオンプレーティング装置を使用して膜厚を約５００ｎｍを形成させた。成膜条件は実施例１と同じである。
この酸化亜鉛膜２の表面に真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。つまり、実施例２では誘電体膜３の膜構成が実施例１とは異なる。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表２のグラフＣに示す。この分光特性から可視光領域（４２０〜６３０ｎｍ）では平均９２％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）でも透過率５％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例２の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例２では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表２のグラフＤとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約１６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
実施例１と同様に図１に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａにイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。膜材料として酸化亜鉛に対してガリウムを８．０重量％を添加したものを使用し、住友機械工業（株）製のイオンプレーティング装置を使用して膜厚を約５００ｎｍを形成させた。成膜条件は実施例１と同じである。
この酸化亜鉛膜２の表面に真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。つまり、実施例２では誘電体膜３の膜構成が実施例１とは異なる。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表２のグラフＣに示す。この分光特性から可視光領域（４２０〜６３０ｎｍ）では平均９２％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）でも透過率５％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例２の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例２では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表２のグラフＤとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約１６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
（実施例３）
図２に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2からなる誘電体膜３を成膜させ、同誘電体膜３の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。酸化亜鉛膜２の上にＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。但し、実施例３では酸化亜鉛膜２の膜厚を約８００ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表３のグラフＥとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜６５０ｎｍ付近）では平均９２％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）でも透過率３％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例３の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例３では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表３のグラフＦとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
図２に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2からなる誘電体膜３を成膜させ、同誘電体膜３の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。酸化亜鉛膜２の上にＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。但し、実施例３では酸化亜鉛膜２の膜厚を約８００ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表３のグラフＥとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜６５０ｎｍ付近）では平均９２％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）でも透過率３％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例３の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例３では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表３のグラフＦとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
（実施例４）
図２に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2からなる誘電体膜３を成膜させ、同誘電体膜３の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。酸化亜鉛膜２の上にＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。実施例４では酸化亜鉛膜２の膜厚を約５００ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表４のグラフＧとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜７３０ｎｍ付近）では平均８９％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（７８０ｎｍ〜）でも透過率３％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例４の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を７５０ｎｍに設定した。
また、本実施例４では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表４のグラフＨとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
図２に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2からなる誘電体膜３を成膜させ、同誘電体膜３の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させた。酸化亜鉛膜２の上にＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（４１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。実施例４では酸化亜鉛膜２の膜厚を約５００ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表４のグラフＧとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜７３０ｎｍ付近）では平均８９％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（７８０ｎｍ〜）でも透過率３％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
また、紫外線領域でも（〜＜４００ｎｍ）低い非常に低い透過率を達成させることができた。本実施例４の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を７５０ｎｍに設定した。
また、本実施例４では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表４のグラフＨとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約６％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
（実施例５）
図３に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（３１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。そして最外層のＳｉＯ2の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させ、以後交互に酸化亜鉛膜２とＳｉＯ2を成膜し、全体の最外層（４９層目）をＳｉＯ2とした。酸化亜鉛膜２とＳｉＯ2の交互多層膜は本実施例５では１９層とした。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。実施例５では酸化亜鉛膜２のトータルの膜厚を約１１５０ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。また、実施例５では最外層となるＳｉＯ2に含フッ素有機ケイ素化合物からなる撥水膜４を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表５のグラフＩとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜６３０ｎｍ付近）では平均９１％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）では透過率ほぼ０％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
本実施例５の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例５では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表４のグラフＪとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約２％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
図３に示すように、透明かつ平板なガラス基板１（厚さ０．７ｍｍ）の第１の面１ａに真空蒸着法によってＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（３１層）からなる誘電体膜３を成膜させた。そして最外層のＳｉＯ2の上にイオンプレーティング法によって酸化亜鉛膜２を成膜させ、以後交互に酸化亜鉛膜２とＳｉＯ2を成膜し、全体の最外層（４９層目）をＳｉＯ2とした。酸化亜鉛膜２とＳｉＯ2の交互多層膜は本実施例５では１９層とした。イオンプレーティング法の成膜条件は実施例１と同じである。実施例５では酸化亜鉛膜２のトータルの膜厚を約１１５０ｎｍとした。
また、ガラス基板１の第２の面１ｂには同じく真空蒸着法により最外層からＳｉＯ2、ＴｉＯ2の順に２種類の酸化物を交互に積層配置させた交互多層膜（７層）からなる誘電体膜３を成膜させた。また、実施例５では最外層となるＳｉＯ2に含フッ素有機ケイ素化合物からなる撥水膜４を成膜させた。
このようにして構成された赤外線カットフィルターの透過分光特性を表５のグラフＩとして示す。この分光特性から可視光領域（４２０ｎｍ付近〜６３０ｎｍ付近）では平均９１％の非常に高い透過率を達成させることができた。次に、近赤外線領域の長波長側（６８０ｎｍ〜）では透過率ほぼ０％以下の非常に低い透過率を達成させることができた。
本実施例５の赤外線カットフィルターでは半値波長（Ｔ＝５０％）を６５０ｎｍに設定した。
また、本実施例５では酸化亜鉛膜２単独の透過分光特性を表４のグラフＪとして示す。酸化亜鉛膜２は１１００ｎｍ付近の波長以上において透過率が約２％に設定されており、なおかつ１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率２０％以下を実現している。
１…基体としてのガラス基板、２…酸化亜鉛膜、３…誘電体膜。
Claims (15)
- アルミニウム、インジウム、ホウ素、ガリウム及びシリコンから選ばれる少なくとも１種をドーパントとしてドーピングした一枚又は複数枚の酸化亜鉛膜と、複数枚の誘電体膜とを基体に対して同基体の光の入射する方向において積層し、同酸化亜鉛膜と同誘電体膜とによる複層の膜構造を構築するように成膜したことを特徴とする赤外線カットフィルター。
- １０００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことを特徴とする請求項１に記載の赤外線カットフィルター。
- 可視光領域における光の平均透過率を８５％以上に設定したことを特徴とする請求項１又は２に記載の赤外線カットフィルター。
- 透過率５０％を有する波長（以下、この波長をλとする）が、８００±２００ｎｍ の範囲内にあって、４２０ｎｍ〜（λ−５０）ｎｍにおける平均透過率が８５％よりも高く、（λ＋４０）ｎｍ〜２５００ｎｍにおける透過率が５％よりも低い分光透過率を示すように設定したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複数の前記誘電体膜はＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１種の無機化合物からなる膜体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 前記酸化亜鉛膜単独の１１００ｎｍ以上かつ２５００ｎｍ以下の波長における光の透過率を２０％以下に設定したことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体を前記誘電体膜としたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される膜体を前記誘電体膜としたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 前記基体はガラス製であり、同基体上に成膜される誘電体膜はＳｉＯ2であることを特徴とする請求項８に記載の赤外線カットフィルター。
- 前記酸化亜鉛膜は前記誘電体膜によって挟持されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複層に構築された前記膜構造において前記基体上に成膜される膜体を前記酸化亜鉛膜としたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複層に構築された前記膜構造において前記酸化亜鉛膜を一枚の膜体のみで成膜する場合には同酸化亜鉛膜の膜厚を５００ｎｍ〜１２００ｎｍとすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 複層に構築された前記膜構造において最外層の膜体上に撥水膜を成膜したことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 紫外線領域の波長をカットするようにしたことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
- 前記酸化亜鉛膜はイオンプレーティング法によって成膜されていることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の赤外線カットフィルター。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005114095 | 2005-04-12 | ||
| JP2005114095 | 2005-04-12 | ||
| PCT/JP2006/307580 WO2006117979A1 (ja) | 2005-04-12 | 2006-04-10 | 赤外線カットフィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2006117979A1 true JPWO2006117979A1 (ja) | 2008-12-18 |
Family
ID=37307782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007514543A Pending JPWO2006117979A1 (ja) | 2005-04-12 | 2006-04-10 | 赤外線カットフィルター |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2006117979A1 (ja) |
| WO (1) | WO2006117979A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4648813B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-03-09 | Ｈｏｙａ株式会社 | 赤外カットコート膜、赤外カットコート膜を有する光学素子及び係る光学素子を有する内視鏡装置 |
| JP2009139925A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-25 | Epson Toyocom Corp | 光学多層膜フィルタ、光学多層膜フィルタの製造方法および電子機器装置 |
| DK2726920T3 (da) | 2011-07-01 | 2017-11-27 | Tropiglas Tech Ltd | Spektralselektiv luminescens koncentratorpanel med et fotovoltaisk element |
| JP5677491B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | 光学フィルタ及び撮像装置 |
| WO2015056594A1 (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | コニカミノルタ株式会社 | 赤外遮蔽フィルムおよび合わせガラス |
| JP6732138B2 (ja) | 2017-09-25 | 2020-07-29 | 富士フイルム株式会社 | 赤外吸収材料、赤外センサー、波長選択光源及び放射冷却システム |
| CN108802883A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-11-13 | 湖北五方光电股份有限公司 | 一种低反射红外截止滤光片的制备技术 |
| KR102250409B1 (ko) * | 2019-01-14 | 2021-05-12 | 경기대학교 산학협력단 | 전자기파의 선택적 필터링 소자 및 이를 이용한 전자기파 센서 시스템 |
| JP7305439B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-07-10 | キヤノン株式会社 | 光学素子、およびそれを有する光学系、撮像装置 |
| CN114859455A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-05 | 山东中科际联光电集成技术研究院有限公司 | 一种透明柔性的防激光探测薄膜 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61132902A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Osaka Tokushu Gokin Kk | 紫外線及び赤外線透過阻止用透明材料 |
| JPH08104547A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-04-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 断熱ガラス |
| JPH08249914A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Iwasaki Electric Co Ltd | 広帯域熱線カットフィルタ |
| JP2002114029A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-16 | Kato Works Co Ltd | 車窓用赤外線遮蔽器具 |
-
2006
- 2006-04-10 WO PCT/JP2006/307580 patent/WO2006117979A1/ja active Application Filing
- 2006-04-10 JP JP2007514543A patent/JPWO2006117979A1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006117979A1 (ja) | 2006-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2006117979A1 (ja) | 赤外線カットフィルター | |
| US20200239360A1 (en) | Transparent substrate laminated body and method for producing same | |
| JP4824254B2 (ja) | 反射防止コーティングを有する透明基材 | |
| JP6255541B2 (ja) | 親水性多層膜及びその製造方法、並びに、撮像システム | |
| KR101971651B1 (ko) | 광학 제품 및 그 제조 방법 | |
| KR102187048B1 (ko) | 적외선 대역 통과 필터 | |
| EP2668142A1 (en) | Heat treatable four layer anti-reflection coating | |
| WO2010016242A1 (ja) | 光学部品及び光学部品の製造方法 | |
| JP2021103305A (ja) | 機能処理を施した光学層スタックを備えた光学デバイス | |
| JP2022115885A (ja) | 光学フィルタおよび撮像装置 | |
| US20220291423A1 (en) | Optical device having optical and mechanical properties | |
| JP6954754B2 (ja) | 撥水性反射防止膜付きレンズ及びその製造方法 | |
| WO2018110017A1 (ja) | 光学製品 | |
| JP3381150B2 (ja) | 赤外線透過フィルタ及びその製造方法 | |
| JP2010237639A (ja) | 光学多層膜フィルターおよびその製造方法 | |
| JP7216471B2 (ja) | 車載レンズ用のプラスチックレンズ及びその製造方法 | |
| JP2021026163A (ja) | 反射防止膜付き光学部材及びその製造方法 | |
| JP6259155B1 (ja) | 光学フィルタ及び撮像装置 | |
| JP2014002270A (ja) | カメラ用ｎｄフィルタ及びその製造方法 | |
| JP2748066B2 (ja) | 反射鏡 | |
| JP2006215081A (ja) | 光学物品及び製造方法 | |
| JP7156312B2 (ja) | 遮熱ガラス | |
| JP6989289B2 (ja) | 親水性反射防止膜付きレンズ及びその製造方法 | |
| KR102085747B1 (ko) | 불화물 결합제로 인해 광 투과도가 향상된 반사 방지막 | |
| WO2022210114A1 (ja) | 眼鏡用プラスチックレンズ |