JPWO2006080513A1 - レーザ光源の制御方法、レーザ光源装置、及び露光装置 - Google Patents

レーザ光源の制御方法、レーザ光源装置、及び露光装置 Download PDF

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Abstract

パルス発振を行うレーザ光源から出力されるレーザビームの回転角及び/又は偏光状態を制御する制御方法である。パルス発振を行うエキシマレーザ光源(8)の制御方法において、エキシマレーザ光源(8)からパルス発振されるレーザビーム(LB)をビームスプリッタ(9)を介して分岐して回転角モニター装置(10)に導いて、検出・回転演算部(11)においてレーザビーム(LB)の外形の回転角を検出する。この回転角を補正するように、記憶・補正演算部(12)が駆動部(6A〜6D)を介してエキシマレーザ光源(8)の姿勢を制御する。

Description

本発明は、パルス発振を行うレーザ光源の制御技術に関し、例えば半導体デバイス、撮像素子(CCD等)、及び液晶ディスプレイ等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパターンを基板上に転写するために使用される露光装置の露光光源として使用されるレーザ光源の制御を行う場合に適用できるものである。
例えば半導体デバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクル(又はフォトマスク等)に形成されているパターンを基板としてのレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に転写するために、露光装置が使用されている。露光装置としては、ステッパー等の一括露光型(静止露光型)の投影露光装置、スキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置(走査型露光装置)などが使用されている。
これらの露光装置においては、解像度を高めるために露光波長が次第に短波長化され、現在は露光光源として主にKrFエキシマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ(波長193nm)等の放電励起型狭帯化パルス発振のエキシマレーザ光源が用いられている。このエキシマレーザ光源からパルス発振されたレーザビームは、露光装置の照明光学系においてビーム強度(照度)の均一化処理が施され、レチクルに照射される。そのパルス発振されるレーザビームの外形(断面形状)は、放電電極の間隔、共振器の構造、及び機械的な開口等によって規定され、通常はほぼ矩形に設定されている。
さらに、エキシマレーザ光源からパルス発振されるレーザビームは、その共振器の構造によって一般に直線偏光特性を有している。最近は、解像度等を高めるために、露光ビームの偏光状態を制御して露光を行うようにした露光装置が提案されており(例えば、特許文献1参照)、このような露光装置において、偏光状態を効率的に制御するためには、直線偏光特性を持つレーザビームは好都合である。
国際公開第2004/051717号パンフレット
最近の露光装置は、スループットをさらに高めることが要求されている。これに応えるためには、露光装置本体に入射するレーザビームの外形をフライアイレンズ等の光学部材の外形にできるだけ近付けるとともに、エキシマレーザ光源においてできるだけ高出力化する必要がある。また、半導体デバイスのさらなる微細化に対応するために、レーザビームの高狭帯化及び直線偏光の程度を高めること、並びに入射するレーザビームの直線偏光の方向をできるだけ安定化することも求められている。
しかしながら、通常、エキシマレーザ光源と露光装置本体とは離れて設置されており、エキシマレーザ光源から出力されたレーザビームは、比較的長い光路の送光光学系を介して露光装置本体に導かれている。このようにレーザビームを露光装置本体に導く際に、エキシマレーザ光源、送光光学系の光学性能などに依存してレーザビームが僅かに回転することがある。特に、エキシマレーザ光源の出力を高めると、発振されるレーザビームの外形の回転角の変動は従来以上に顕著になり、露光装置本体において、入射したレーザビームの外形と対応する光学部材の外形との間にずれが生じて、照明効率が低下する恐れが出てきた。
また、露光装置においては、例えば定期的にエキシマレーザ光源のメンテナンスが行われるが、そのメンテナンスの前後でレーザビームの外形の回転角が変化することがある。この場合に、照明効率の低下を防ぐためには、レーザビームの回転角の変化を抑制する必要がある。
本発明は斯かる点に鑑み、パルス発振を行うレーザ光源から出力されるレーザビームを所望状態に制御できるレーザ技術を提供することを第1の目的とする。
さらに本発明は、そのようなレーザ技術を用いて高スループット又は高解像度で露光を行うことができる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを第2の目的とする。
本発明による第1のレーザ光源の制御方法は、パルス発振を行うレーザ光源の制御方法において、そのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する第1工程を有するものである。
本発明によれば、そのレーザビームの外形の回転角の検出結果に基づいて、そのレーザビームの外形の回転角を制御できる。また、そのレーザビームの外形の回転角の変動とそのレーザビームの偏光状態の変動とが連動している場合には、その外形の回転角の検出結果に基づいて、そのレーザビームの偏光状態を制御できる。
本発明において、その第1工程で検出される回転角に応じて、そのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を制御する第2工程をさらに有してもよい。
また、本発明による第2のレーザ光源の制御方法は、パルス発振を行うレーザ光源の制御方法において、そのレーザ光源の運転状態とそのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角との関係を予め記憶する第1工程と、その第1工程で記憶された関係に基づいてそのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を制御する第2工程とを有するものである。
本発明によれば、その第2工程においては、その記憶してある関係に基づいて、そのレーザビームの回転角を予測することができる。従って、その予測結果に基づいて、そのレーザビームの回転角若しくは偏光状態、又はその両方を正確に制御できる。
次に、本発明による第1のレーザ光源装置は、パルス発振を行うレーザ光源を有するレーザ光源装置において、そのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する検出系を備えたものである。
本発明によれば、そのレーザビームの外形の回転角の検出結果に基づいて、そのレーザビームの回転角若しくは偏光状態、又はその両方を制御できる。
本発明において、その検出系で検出される回転角に応じて、そのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置をさらに備えてもよい。
また、本発明による第2のレーザ光源装置は、パルス発振を行うレーザ光源を有するレーザ光源装置において、そのレーザ光源の運転状態とそのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角との関係を記憶する記憶装置と、その記憶装置に記憶されている関係に基づいてそのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたものである。
本発明によれば、その記憶してある関係に基づいてそのレーザビームの回転角を予測することができる。そして、そのレーザビームの回転角に基づいて、レーザビームの回転角若しくは偏光状態、又はその両方を正確に制御できる。
本発明において、一例として、その調整装置は、そのレーザ光源を保持する保持機構と、この保持機構の姿勢を制御する駆動機構とを有する。
また、別の例として、その調整装置は、そのレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの光路上に配置される波長板を有する。
次に、本発明による第1の露光装置は、露光ビームで物体を露光する露光装置において、本発明のレーザ光源装置から出力されるレーザビームをその露光ビームとして、その物体に照射するものである。
本発明によれば、レーザビームの回転角を制御することによって、スループットを高めることができ、レーザビームの直線偏光成分の方向を制御することによって、解像度を高めることができる場合がある。
また、本発明による第2の露光装置は、露光ビームを物体に照射することによって、この物体を露光する露光装置において、その露光ビームとしてのレーザビームをパルス発振するレーザ光源と、このレーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する検出系と、その検出系で検出される回転角に応じて、そのレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたものである。
本発明によれば、レーザビームの回転角を制御することによって、スループットを高めることができ、レーザビームの直線偏光成分の方向を制御することによって、解像度を高めることができる場合がある。
また、そのレーザビームを所定のパターンに照射するための照明光学系をさらに備え、そのレーザビームの外形の回転角を検出する検出系をそのレーザビームがその照明光学系に入射する位置の近傍に配置してもよい。
また、本発明による第3の露光装置は、露光ビームを物体に照射することによって、この物体を露光する露光装置において、その露光ビームとしてのレーザビームをパルス発振するレーザ光源と、そのレーザ光源の運転状態に応じて、そのレーザビームの外形の回転角又はこのレーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたものである。
これによって、その運転状態に応じて予測される回転角に基づいて、そのレーザビームの回転角若しくは偏光状態、又はその両方を制御できる。
次に、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光装置を用いるものである。
本発明の第1の実施形態のレーザ光源装置を示す断面図である。 図1のエキシマレーザ光源8をレーザビームLBの射出面側から見た側面図である。 (A)は図1の回転角モニター装置10の受光面に1対のラインセンサ13A,13Bを配置した場合を示す図、(B)は図3(A)の構成で入射するレーザビームLBの外形が回転する場合を示す図である。 (A)及び(B)はそれぞれ図3(A)に対応するラインセンサ13A及び13Bの検出信号を示す図、(C)及び(D)はそれぞれ図3(B)に対応するラインセンサ13A及び13Bの検出信号を示す図である。 図1のレーザビームLB(LB1)の外形がエキシマレーザ光源8の運転状態によって次第に変化する様子を示す図である。 (A)は図1の回転角モニター装置10の受光面に1つのラインセンサ13Aを配置した構成例を示す図、(B)は回転角モニター装置10の受光面にエリアセンサ14を配置した構成例を示す図である。 (A)は図1のフレーム4の射出面にアパーチャ板7Aが設置された状態を示す図、(B)は図7(A)に応じて図1の回転角モニター装置10の受光面に入射するレーザビームLB1の外形を示す図である。 本発明の第2の実施形態の投影露光装置の概略構成を示す図である。 (A)は直線偏光の露光光を生成する場合の図8の1/2波長板18の回転角を説明するための図、(B)は円偏光の露光光を生成する場合の図8の1/2波長板18と1/4波長板19との関係を示す図である。
符号の説明
1…放電チャンバー部、2…部分反射ミラー、3…全反射ミラー、4…フレーム、6A〜6D…駆動部、7,7A…アパーチャ板、8…エキシマレーザ光源、9,17…ビームスプリッタ、10,10A…回転角モニター装置、11,11A…検出・回転演算部、12,12A…記憶・補正演算部、13A,13B…ラインセンサ、14…エリアセンサ、18…1/2波長板、19…1/4波長板、21…記憶装置、22…照明光学系、32…主制御系、33…光源制御系、R…レチクル、PL…投影光学系、W…ウエハ
[第1の実施形態]
以下、本発明の好ましい第1の実施形態につき図1〜図7を参照して説明する。本例は、パルス発振するレーザ光源装置に本発明を適用したものである。
図1は本例のレーザ光源装置としてのエキシマレーザ光源装置を示す断面図であり、この図1において、ArFエキシマレーザ(発振波長193nm)又はKrFエキシマレーザ(発振波長248nm)よりなる放電チャンバー部1、その前面側の部分反射ミラー2、及び放電チャンバー部1の背面側の全反射ミラー3を、フレーム4内に所定の位置関係で固定することによって、放電励起型で狭帯化パルス発振型のエキシマレーザ光源8が構成されている。エキシマレーザ光源8の発振周波数及び発振出力(パルスエネルギー)は、不図示の光源制御系によって制御されている。その発振周波数は、一例として4kHz〜6kHz程度である。その部分反射ミラー2から外形としての断面形状がほぼ20mm角程度の矩形のレーザビームLBが外部に出力されている。レーザビームLBに設計上で位置ずれ、及び回転角の変化が生じていない状態(基準状態)では、レーザビームLBの光軸は図1の紙面に平行である。なお、そのレーザビームLBの外形を成形するための矩形開口が形成されたアパーチャ板7をフレーム4のレーザビームLBの出力部に配置してもよい。また、レーザビームLBの外形としての断面形状は、矩形以外の円形、楕円形等も可能である。
エキシマレーザ光源8のフレーム4は、4箇所のそれぞれ上下動可能な駆動部6A,6B,6C,6Dを介してベース部材5上に設置されている。フレーム4及び駆動部6A,6B,6C,6Dよりレーザビームの回転角を調整する機構の少なくとも一部が構成されている。駆動部6A,6B及び駆動部6C,6Dはそれぞれ図1の紙面に垂直な方向に所定間隔で配置されている。
図2は、図1のエキシマレーザ光源8をレーザビームLBの射出側から見た側面図であり、この図2に示すように、左側の駆動部6A,6Cの駆動量に対して右側の駆動部6B,6Dの駆動量の符号を逆にすることで、エキシマレーザ光源8の回転角、ひいてはレーザビームLBの断面形状の回転角を制御できる。このように4箇所の駆動部6A〜6Dによってフレーム4、ひいてはエキシマレーザ光源8の姿勢を制御することができ、レーザビームLBの光軸周りの回転角を調整することができる。駆動部6A〜6Dの駆動量は図1の記憶・補正演算部12によって制御される。
図1に戻り、エキシマレーザ光源8からパルス発光されたレーザビームLBは小さい反射率を持つビームスプリッタ9に入射し、ビームスプリッタ9を透過した大部分のレーザビームLBは、例えば不図示の投影露光装置の照明光学系に向かう。一方、ビームスプリッタ9でレーザビームLBから分岐された僅かな光量のレーザビームLB1は、レーザビームLB1(ひいてはレーザビームLB)の外形の回転角を検出する検出系としての回転角モニター装置10の受光部に入射する。
図3(A)は本例の回転角モニター装置10の受光部を示し、この図3(A)において、その受光部には外形がほぼ矩形のレーザビームLB1が入射している。レーザビームLB1は上記の基準状態にあるものとして、レーザビームLB1の外形の1組の対向する頂点の僅かに内側に、その1組の頂点を結ぶ対角線の方向の間隔がBLとなるように、その対角線に垂直な計測方向に沿って1組のラインセンサ13A及び13B(1次元センサ)が配置されている。例えばCCD方式のラインセンサ13A,13Bの受光部の長さは、ほぼレーザビームLB1の頂点付近の外形を横切る長さに設定されている。ラインセンサ13A及び13Bの一連の画素から読み取られた信号である検出信号SA及びSBは、回転角モニター装置10内部の信号処理部に供給され、その信号処理部で計測方向の位置に応じたデジタル信号に変換される。そのデジタル化された検出信号SA及びSBは、図1の検出・回転演算部11に供給される。
検出・回転演算部11では、一例として検出信号SA,SBのピーク位置をレーザビームLB1の対向する頂点の位置とみなして、その頂点の位置を用いてレーザビームLB1の外形の回転角θAを算出する。この場合、検出信号SA及びSBの計測方向におけるピーク位置の基準位置(原点)からの変位量をそれぞれrA及びrBとすると、検出・回転演算部11では、図3(A)のラインセンサ13A,13Bの間隔BLを用いて、次式からレーザビームLB1(ひいてはレーザビームLB)の回転角θAを算出する。
θA=arcsin{(rA−rB)/BL) …(1)
これは、回転角θAの正弦が、2つのラインセンサ13A,13Bで検出されるピーク位置の変位量の差分を間隔BLで割った値に等しいことを意味している。なお、レーザビームLB1の回転角θAの最大値は現状ではほぼ±5°程度と考えられるが、この程度の範囲内であれば、(1)式の代わりに近似的に(rA−rB)/BLを回転角θA[rad]とみなすことも可能である。
また、現在一般に使用できるラインセンサの一連の画素からの検出信号の読み取り周波数(応答周波数)は10kHz程度まで可能であり、レーザビームLBのパルス周波数が4kHz〜6kHz程度であれば、パルス毎に(1)式からレーザビームLB1の回転角θAを算出できる。そこで、本例のラインセンサ13A,13Bの読み取り周波数も10kHz程度に設定されており、検出・回転演算部11ではレーザビームLBのパルス発光毎に回転角θAを算出するものとする。なお、例えばレーザビームLBが数パルス発光する毎に回転角θAを算出するようにしてもよい。
具体的に、図4(A)及び(B)の横軸はそれぞれ図3(A)のラインセンサ13A及び13Bの検出信号SA,SBのピーク位置の変位量rA,rBを示し、図4(A)及び(B)の縦軸はそれぞれ検出信号SA及びSBを示している。レーザビームLB1が図3(A)の実線で示す基準状態にあるときには、検出信号SA及びSBは実線で示す波形SA0及びSB0となり、変位量rA及びrBはそれぞれ0(原点)である。その状態から、レーザビームLB1が図3(A)の2点鎖線で示す位置A3にΔP1だけ平行移動したときには、図4(A)及び(B)の検出信号SA,SBはそれぞれ変位量rA及びrBがΔP1の点線で示す波形SA1及びSB1となる。この変位量を(1)式に代入すると、回転角θAは0となる。即ち、図3(A)の配置の1対のラインセンサ13A,13Bを用いることによって、レーザビームLB1の平行移動の影響を除くことができる。
次に、図4(C)及び(D)もそれぞれ図3(A)のラインセンサ13A及び13Bの検出信号SA,SBのピーク位置の変位量rA,rBを示している。そして、レーザビームLB1が図3(B)の実線で示す基準状態にあるときには、検出信号SA及びSBは実線で示す波形SA0及びSB0(変位量rA及びrBが0)となる。その状態から、レーザビームLB1の外形が図3(B)の2点鎖線で示すようにθAだけ回転して位置A4に移動したときには、図4(C)及び(D)の検出信号SA,SBはそれぞれ変位量rA及びrBがΔP1及び−ΔP1の点線で示す波形SA2及びSB2となる。この変位量を(1)式に代入すると、回転角θAはarcsin(2・ΔP1/BL)となり、レーザビームLB1の回転角を正確に求めることができる(第1工程)。
次に、図1の検出・回転演算部11は、算出したレーザビームLB1(ひいてはレーザビームLB)の回転角θAの情報を記憶・補正演算部12に供給する。一例として、記憶・補正演算部12では、駆動部6A〜6Dを駆動して、図2に示すようにその回転角θAを相殺するように、エキシマレーザ光源8の外形を2点鎖線の位置A1まで逆方向に回転する。これによって、レーザビームLBの回転角は2点鎖線の位置A2で示すように基準状態に復帰する(第2工程)。これによって、図1のレーザビームLBが供給される例えば不図示の照明光学系における光量損失が最小となり、レーザビームLBの利用効率が高く維持されるため、例えば露光工程においてはスループットが向上する。
また、図1のレーザビームLBはエキシマレーザ光源8から直線偏光状態で射出され、その直線偏光成分の偏光方向は、例えばレーザビームLBの矩形断面の1つの辺に平行である。そこで、レーザビームLB1(LB)の外形の回転角が検出された場合には、レーザビームLBの外形の回転角を補正することなく、その検出された回転角を相殺するようにその直線偏光成分の偏光方向を調整してもよい。この調整のためには、例えば1/2波長板を使用できる。これによって、レーザビームLBの偏光方向が重要となる用途において、常に偏光方向を基準となる方向に維持することができる。さらに、レーザビームLBの外形の回転調整とその直線偏光成分の偏光方向の回転調整とを併用してもよい。
また、本例のエキシマレーザ光源装置の光学部品交換などのメンテナンスを行う場合には、その前後でレーザビームLBの回転角が変動する恐れがある。そこで、そのメンテナンスの直後には、上記の実施形態のように、レーザビームLB1の回転角を検出し、この検出結果に基づいてレーザビームLBの外形の回転角が基準状態となるように調整を行うことが望ましい。この際に、レーザビームLBの直線偏光成分の偏光方向の調整を行ってもよい。もちろん、その両方を調整してもよい。
また、本例の別の動作として、エキシマレーザ光源8の運転状態(ここではパルス発振周波数及びパルスエネルギーの少なくとも一方)と、エキシマレーザ光源8から出力されるレーザビームLBの外形の回転角との関係を上記のように計測して、例えば発光時間の関数として予め求めておき、その関係を図1の記憶・補正演算部12に記憶しておいてもよい(第1工程)。
図5は、そのレーザビームLBの回転角の変動の状態の一例を示し、例えば或る運転状態において、発光時間の経過とともに、レーザビームLBの回転角は図5(A)、(B)、(C)、(D)、(E)のようにほぼ連続的に変化する。このレーザビームLBの回転角の変化が、運転状態及び発光時間の関数として記憶される。
この場合、そのエキシマレーザ光源8の運転状態を複数の状態に設定して、それぞれレーザビームLBの回転角の変化を、各運転状態及び発光時間の関数として記憶することが望ましい。その複数の運転状態には、例えば複数のパルス発振周波数と複数のパルスエネルギーとの組み合わせ等がある。また、運転状態を所定の発光時間毎に切り換えながら、レーザビームの回転角の変化を検出し、検出された回転角の変化を次第に変化する運転状態及び発光時間の関数として記憶してもよい。
その後でエキシマレーザ光源8を一定又は次第に変化する運転状態で発光させた場合には、記憶・補正演算部12の制御部では所定の時間間隔でその記憶してある関係からその運転状態と発光時間とに最も良く当てはまる関係を特定する。そして、特定された関係と発光時間とに基づいて、レーザビームLBの外形の回転角の基準状態からの変動量を予測し、この予測される回転角の変動量を相殺するようにエキシマレーザ光源8の姿勢を制御する(第2工程)。この際に、レーザビームLBの回転角の制御とは別に、又はその回転角の制御と併用して、上記のようにレーザビームLBの直線偏光成分の回転角を制御してもよい。これによって、回転角モニター装置10を使用することなく、エキシマレーザ光源8から射出されるレーザビームLBの外形の回転角、及び直線偏光成分の偏光方向を基準状態にほぼ維持することができる。
なお、記憶・補正演算部12に記憶されている情報に基づいてレーザビームLBの回転角と偏光状態との少なくとも一方を調整する場合には、回転角モニター装置10を設けなくてもよい。また、回転角モニター装置10を搭載している場合には、記憶・補正演算部12に運転状態に応じたレーザビームLBの回転角の変動情報を記憶しなくてもよい。もちろん、回転角モニター装置10の検出結果と、記憶・補正演算部12に記憶されている変動情報との両方を使って、レーザビームLBの回転角と偏光状態との少なくとも一方を調整することもできる。
なお、回転角モニター装置10のセンサの数、配置、センサの種類等は上述のものに限られない。本例では、回転角モニター装置10の受光面には1対のラインセンサ13A,13Bを配置していたが、図6(A)に示すように、回転角モニター装置10の受光面において、例えば基準状態のレーザビームLB1の一つの頂点付近を斜めに横切るように1つのラインセンサ13Aを配置してもよい。この構成では、ラインセンサ13Aの検出信号SAのピーク位置の変位量をrAとして、レーザビームLB1の中心からラインセンサ13Aまでの間隔をBL/2とすると、レーザビームLB1の回転角θAは次式から算出できる。
θA=arcsin(2・rA/BL) …(2)
具体的に、レーザビームLB1の外形が図6(A)の2点鎖線で示すようにθAだけ回転して位置A4に移動したときには、ラインセンサ13Aの検出信号SAの波形の変位量rAはΔP1となる。この変位量を(2)式に代入すると、回転角θAはarcsin(2・ΔP1/BL)となり、レーザビームLB1の回転角を正確に求めることができる。ただし、この図6(A)の回転角モニター装置10は構成は簡単であるが、レーザビームLB1の平行移動と回転とを識別することは困難である。
また、回転角モニター装置10の受光面には、図6(B)に示すように2次元CCDセンサ等のエリアセンサ14(2次元センサ)を設置してもよい。エリアセンサ14の画像信号を処理することによって、レーザビームLB1の外形の回転角及び中心位置を求めることができる。回転角モニター装置10としてエリアセンサ14を用いる場合には、エリアセンサ14のフレームレートに応じてレーザビームLBの所定パルス毎にその回転角を検出することができる。
なお、図1のエキシマレーザ光源8からパルス発光されるレーザビームLBの外形(断面形状)がパルス毎に変化するような場合には、本例のように回転角モニター装置10のセンサとしては、高い応答周波数のラインセンサ13A,13Bを用いることが望ましい。
また、特にラインセンサ13A,13B(1次元センサ)を用いる場合には、レーザビームLB1のビーム内エネルギー分布変動に起因する誤差量を低減するため、及び信号処理の容易性などから、レーザビームLB1の外形に識別部(マーキング)を設けてもよい。
図7(A)は、そのようにレーザビームLB1の外形に識別部を設ける場合の図1のエキシマレーザ光源8の射出部のアパーチャ板7Aの一例を示し、この図7(A)において、アパーチャ板7Aには矩形の開口の1つの対角線の方向に対向するように凸部14A及び14Bが設けてある。このとき、図1の回転角モニター装置10の受光面のラインセンサ13A,13B上に照射されるレーザビームLB1の断面形状には、強度分布(照度分布)の凹部15A及び15Bが形成される。従って、ラインセンサ13A,13Bの検出信号を処理する場合に、一例として検出信号が谷型に落ち込む部分をレーザビームLB1の対向する頂点位置とみなすことによって、レーザビームLB1の回転角を高精度に求めることができる。
なお、図1のレーザ光源装置がレーザビームLBの偏光状態を検出する偏光モニタを備えている場合には、その偏光モニタの出力に基づいてレーザビームLBの外形の回転角を調整するようにしてもよい。この場合、偏光モニタの検出結果と回転角モニター装置10の検出結果とを併用して、レーザビームLBの外形の回転角を調整してもよい。
また、レーザビームLBの回転角の基準状態は適宜設定可能であり、例えばレーザビームLBの直線偏光成分の偏光方向が所定状態となる回転角を基準状態としてもよいし、あるいはレーザビームLBの回転角を変化させながらレーザビームLBが入射する光学系内の所定位置でレーザビームLBのエネルギーをモニタし、レーザビームLBのエネルギーが最大となる回転角を基準状態とすることもできる。
また、レーザビームLBの回転角の検出、及びその検出結果に基づくレーザビームLBの回転角と偏光状態との少なくとも一方の調整をレーザ光源装置のメンテナンス直後に行う場合を一例として説明したが、その調整のタイミングは、常時、あるいは所定時間毎などのように適宜決めることができる。また、レーザビームLBの回転角の検出を行った直後に、その検出結果に基づく調整を必ず実行する必要はなく、例えばレーザビームLBの回転角は常時検出し、その回転角が所定の許容量を超えたときに、レーザビームLBの回転角と偏光状態との少なくとも一方の調整を行うようにしてもよい。
また、本例はエキシマレーザ光源に本発明を適用したものであるが、本発明は、F2 レーザ(波長157nm)、Kr2 レーザ(波長146nm)、YAGレーザの高調波発生装置、又は固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波発生装置のようなパルス発光の光源一般において、レーザビームの回転角及び/又は偏光状態を制御する場合に適用できるものである。
[第2の実施形態]
以下、本発明の第2の実施形態につき図8及び図9を参照して説明する。本例は、パルス発光のレーザ光源を露光光源とする投影露光装置(露光装置)に本発明を適用したものである。以下、図8において、図1に対応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
図8は、本例のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置の概略構成を示し、この図8において、露光光源としてのエキシマレーザ光源8から射出されたレーザビームLBはビームスプリッタ9に入射し、ビームスプリッタ9で反射されたレーザビームLB1の外形の回転角が所定のサンプリングレートで回転角モニター装置10及び検出・回転演算部11を介して検出される。そして、その検出結果に基づいて、記憶・補正演算部12が駆動部6(図1の駆動部6A,6B,6C,6Dに対応している)を介してエキシマレーザ光源8の姿勢を制御することによって、ビームスプリッタ9に入射するレーザビームLBの外形の回転角が所定の基準状態に維持されている。
ビームスプリッタ9を透過したレーザビームLBは、ミラー16を含む送光光学系を経て、大きい反射率を持つビームスプリッタ17に入射し、ビームスプリッタ17で反射されたレーザビームLBは1/2波長板18及び1/4波長板19(1/4波長板19は必要に応じて挿脱される)を介して、投影露光装置の照明光学系22に入射する。
一方、ビームスプリッタ17を透過したレーザビームLB2は回転角モニター装置10A(検出系)に入射する。回転角モニター装置10Aは、回転角モニター装置10と同様に入射したレーザビームLB2の外形の回転角に応じた検出信号を検出・回転演算部11Aに供給する。検出・回転演算部11Aは、その検出信号から検出・回転演算部11と同様にレーザビームLB2の外形の基準状態からの回転角θBを求め、求めた回転角θBを記憶・補正演算部12Aに供給する。記憶・補正演算部12Aでは、その回転角θBを相殺するようにレーザビームLBの直線偏光成分を回転するために、回転駆動部20を介して1/2波長板18(波長板)を回転する(詳細後述)。回転駆動部20及び1/2波長板18よりレーザビームLBの偏光状態を調整する装置の少なくとも一部が構成されている。また、記憶・補正演算部12Aには、上記の実施形態と同様に、エキシマレーザ光源8の運転状態(例えば複数の運転状態を含む)とレーザビームLB2の外形の回転角の変化との関係を発光時間等の関数として記憶する記憶装置21が接続されている。記憶・補正演算部12Aは、必要に応じて記憶装置21から読み出した関係に基づいてレーザビームLB2の外形の回転角θBを予測し、この予測結果に基づいて回転駆動部20を介して1/2波長板18を回転する。また、記憶・補正演算部12Aには、装置全体の動作を制御する主制御系32から例えばエキシマレーザ光源8の発光時間等の情報が供給されている。
なお、第1の実施形態と同様に、記憶・補正演算部12Aに記憶されている情報に基づいてレーザビームLBの偏光状態を調整する場合には、回転角モニター装置10Aを設けなくてもよい。また、回転角モニター装置10Aを搭載している場合には、記憶・補正演算部12に運転状態に応じたレーザビームLBの回転角の変動情報を記憶しなくてもよい。もちろん、回転角モニター装置10Aの検出結果と、記憶・補正演算部12Aに記憶されている変動情報との両方を使って、レーザビームLBの偏光状態を調整することもできる。
1/4波長板19を透過したレーザビームLBは、ビーム成形系23を経てオプティカル・インテグレータ(ユニフォマイザ、又はホモジナイザ)としてのフライアイレンズ24に入射する。なお、フライアイレンズ24の代わりに回折光学素子等を使用してもよい。フライアイレンズ24の射出面、即ち照明光学系の瞳面には開口絞り板25が配置されている。開口絞り板25には、通常照明用の円形の開口絞り、輪帯照明用の開口絞り、複数(例えば2極、4極)の偏心した小開口よりなる変形照明用の開口絞り、及び小さいコヒーレンスファクタ(σ値)用の小さい円形の開口絞り等が切り換え自在に配置されている。主制御系32が不図示の駆動機構を介して開口絞り板25から選択された開口絞りをその射出面に配置することで、照明条件が設定される。
フライアイレンズ24から射出されて開口絞り板25中の所定の開口絞りを通過したレーザビームLBは、露光光IL(露光ビーム)としてレンズ系26を経て照明系ブラインド27に入射する。照明系ブラインド27は、固定ブラインド(固定照明視野絞り)及び可動ブラインド(可動照明視野絞り)を備えている。後者の可動ブラインドはレチクルRのパターン面(レチクル面)に対する共役面に設置され、前者の固定ブラインドはその共役面から所定量だけデフォーカスした面に配置されている。固定ブラインドは、例えば特開平4−196513号公報に開示されているように、投影光学系PLの円形視野内の中央で走査方向と直交した方向に直線スリット状、又は矩形状(以下、単に「スリット状」とも言う。)に伸びるように配置された開口部を有する。更に、可動ブラインドは、ウエハW上の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時に不要な露光を防止するために、照明領域の走査方向及び非走査方向の幅を可変とするために使用される。
照明系ブラインド27を通過した露光光ILは、第1コンデンサレンズ系28、第2コンデンサレンズ系29、及び光路折り曲げ用のミラー30を介してマスクとしてのレチクルRのパターン面の照明領域を照明する。ビーム成形系23からミラー30までの部材を含んで照明光学系22が構成されている。
露光光ILのもとで、レチクルRの照明領域内の回路パターンの像が両側(又は片側)テレセントリックな投影光学系PLを介して所定の投影倍率β(βは例えば1/4,1/5等)で、投影光学系PLの結像面に配置された基板(物体)としてのウエハW上の一つのショット領域上のレジスト層のスリット状の露光領域に転写される。レチクルR及びウエハWはそれぞれ第1物体及び第2物体(感光体)とも見なすことができる。以下、投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で走査方向(ここでは図8の紙面に平行な方向)にY軸を取り、走査方向に直交する非走査方向(ここでは図8の紙面に垂直な方向)にX軸を取って説明する。
図8において、レチクルRは、レチクルステージRST上の保持面に吸着保持され、レチクルステージRSTは、レチクルベース(不図示)上にY方向に等速移動できると共に、X方向、Y方向、回転方向に微動できるように載置されている。レチクルステージRST(レチクルR)の2次元的な位置は不図示のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果に基づいて主制御系32が不図示のステージ駆動系を介してレチクルステージRSTの動作を制御する。
一方、ウエハWは、ウエハホルダ31を介してウエハステージWST上に吸着保持され、ウエハステージWSTは、ウエハベース(不図示)上で投影光学系PLの像面と平行なXY平面に沿って2次元移動する。ウエハステージWSTのX方向、Y方向の位置、及びX軸、Y軸、Z軸の回りの回転角は不図示のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果に基づいて主制御系32が不図示のステージ駆動系を介してウエハステージWSTの動作を制御する。また、レチクルR及びウエハWのアライメントを行うアライメントセンサ(不図示)も備えられている。さらに、主制御系32は、露光光ILの光量をモニタする不図示のセンサ(インテグレータセンサ)の検出結果に基づいて、ウエハW上で最適な照度が得られるように、光源制御系33を介してエキシマレーザ光源8のパルス発振周波数及びパルスエネルギーの少なくとも一方を制御する。
露光時には、露光光IL(レーザビームLB)をレチクルRに照射して、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを介してレチクルR及びウエハWを投影光学系PLに対して投影倍率を速度比として同期移動する動作と、露光光ILの照射を停止してウエハステージWSTを駆動してウエハWをステップ移動する動作とがステップ・アンド・スキャン方式で繰り返される。この動作によって、ウエハW上の全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が転写露光される。
さて、このようにウエハWの各ショット領域にレチクルRのパターンの像を転写する際に、レチクルRのパターンによっては、レチクルRに照射される露光光ILを所定方向に偏光した直線偏光とすることが望ましいことがある。特に、投影光学系PLの開口数NAが0.9を超えるような場合には、直線偏光状態(偏光度80%以上)の露光光ILを用いることが望ましい。このように直線偏光状態の露光光ILをレチクルRに照射する場合には、一例として1/4波長板19は使用されない。また、本例のエキシマレーザ光源8から射出されるレーザビームLBは直線偏光であり、その偏光方向はレーザビームLBの矩形の外形の1つの辺にほぼ平行である。この場合、第1の実施形態と同様に、エキシマレーザ光源8から射出されるレーザビームLBの外形が次第に回転すると、照明光学系22に入射するレーザビームLBの偏光方向も回転して、露光光ILの偏光方向がレチクルR上で所望の方向からずれる恐れがある。これに関して、本例では、エキシマレーザ光源8にレーザビームLBの外形の回転角を調整する記憶・補正演算部12が設けられているが、回転角の調整残差が発生する恐れもある。さらに、レーザビームLBがエキシマレーザ光源8から1/2波長板18に入射するまでの送光光路上で、レーザビームLBの回転角が変化する恐れもある。
そこで、本例では、照明光学系22にレーザビームLBが入射する位置の近傍で、回転角モニター装置10A及び検出・回転演算部11AによってレーザビームLB2の外形の基準状態からの回転角θBを検出している。
図9(A)は、図8の1/2波長板18に入射するレーザビームLBの外形(断面形状)を示し、この図9(A)において、図8のレチクルR上で露光光ILの直線偏光の方向を所望の方向とするために必要な、レーザビームLBの直線偏光成分の方向を基準方向35とする。これに対して、入射するレーザビームLBの外形、即ち直線偏光成分の方向34は基準方向35から反時計周りに角度θBだけ回転している。この場合、図8の回転駆動部20を用いて1/2波長板18の主軸36の回転方向を基準方向35から反時計周りにθB/2とすることによって、1/2波長板18を通過した後のレーザビームLBの直線偏光成分の偏光方向は基準方向35に一致する。従って、レチクルRのパターンを高解像度でウエハW上に転写できる。
なお、基準方向35は、例えばレチクルRのパターンに合わせて決めることができる。例えば、レチクルRのパターンから、S偏光成分(TE偏光成分)、すなわちラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分の回折光が多く射出されるように基準方向35を定めることができる。
なお、例えば1ロットのウエハに露光する場合には、例えばロット先頭、各ウエハの各ショット領域内への露光中の複数のタイミング、各ショット領域への露光の間のタイミング、又はウエハ交換のタイミング等で回転角モニター装置10A及び検出・回転演算部11Aを用いてレーザビームLBの外形の回転角(即ち、直線偏光成分の回転角)を検出し、その結果に基づいて1/2波長板18を回転してレーザビームLBの直線偏光成分の偏光方向を調整することができる。
なお、回転角モニター装置10の検出結果に基づくレーザ光源8の姿勢調整(レーザビームLBの回転角調整)は、回転角モニター装置10Aの検出結果に基づく1/2波長板18の回転調整(レーザビームLBの偏光状態調整)と一緒に行ってもよいし、別々に行ってもよい。回転角モニター装置10の検出結果に基づくレーザ光源8の姿勢調整を短時間で実行するのが困難な場合には、許容される調整時間を考慮して、それぞれの調整タイミングを決めればよい。例えばロット先頭(ロット交換中)に、回転角モニター装置10Aの検出結果に基づくレーザ光源8の姿勢調整と、回転角モニター装置10Aの検出結果に基づく1/2波長板18の回転調整とを行い、1ロットのウエハ(例えば25枚)の露光処理中は、回転角モニター装置10Aの検出結果に基づく1/2波長板18の回転調整のみを実行するようにしてもよい。
また、例えばレチクルRを円偏光の露光光ILで照明したい場合には、図8に示すように、一例として1/2波長板18の後に1/4波長板19を設置する。そして、図9(B)に示すように1/2波長板18の回転によって、レーザビームLBの直線偏光成分の偏光方向37の1/4波長板19の主軸35に対する角度φを例えば45°に設定することによって、レチクルRをほぼ完全な円偏光の露光光ILで照明できる。この例では、1/2波長板18を光路から除いて、1/4波長板19の回転角を制御することによっても、レーザビームLBをほぼ完全な円偏光とすることができる。
なお、図8の露光装置にレーザビームLBの偏光状態を検出する偏光モニタを搭載してもよい。この場合、その偏光モニタの出力に基づいて1/2波長板18を回転させることができる。
また、図8の実施形態においては、レーザ光源8でレーザビームLBの回転角を調整し、照明光学系22の直前に配置された1/2波長板でレーザビームLBの偏光状態を調整するようにしているが、これに限られることなく、第1実施形態で述べたように、レーザ光源8でレーザビームLBの回転角と偏光状態との両方を調整するようにしてもよいし、照明光学系22の直前にレーザビームの回転角と偏光状態を調整する機構(例えば像回転光学系など)を設けてもよい。あるいは照明光学系22内にレーザビームLBの回転角と偏光状態との少なくとも一方を調整する機構を配置してもよい。
また、図8の実施形態においては、レーザビームLBの回転角の検出結果に基づいてレーザビームLBの回転角と偏光状態との調整の両方を行うようにしているが、どちらか一方を省略してもよい。どちらか一方を省いてもレーザビームLB(露光光IL)の偏光状態を調整することができる。
また、図8の実施形態において、エキシマレーザ光源8側の回転角モニター装置10、検出・回転演算部11、及び記憶・補正演算部12と、回転角モニター装置10A、検出・回転演算部11A、記憶・補正演算部12Aとのどちらか一方を省いて、どちらか一方のレーザビームの外形の検出結果のみを用いて、レーザビームLBの外形の回転角又はレーザビームLBの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を制御するようにしてもよい。
なお、上述の実施形態の投影露光装置は、不図示のコラム機構を設置した後、複数のレンズから構成される照明光学系、反射屈折系からなる投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージ、ウエハステージなどを露光装置本体に取り付けて配線、配管などを接続し、総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
また、上記の実施形態の投影露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、エッチング等の回路パターンを形成するステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、及び検査ステップ等を経て製造される。
なお、本発明は、走査型露光装置のみならず、ステッパー等の一括露光型(静止露光型)の投影露光装置で露光を行う場合にも適用できることは明きらかである。また、本発明は、例えば国際公開第99/49504号で開示されている液浸型の露光装置で露光を行う場合にも適用できる。また、本発明は、波長数nm〜100nm程度の極端紫外光(EUV光)を露光ビームとして用いる投影露光装置で露光を行う場合にも適用できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程(露光装置)にも適用することができる。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(または位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む2005年1月31日付け提出の日本国特許出願第2005−024601の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
本発明の露光装置によれば、高スループット又は高解像度で露光を行うことができる。従って、微細なパターンを含むデバイスを高スループットで又は高精度に製造できる。

Claims (22)

  1. パルス発振を行うレーザ光源の制御方法において、
    前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する第1工程を有することを特徴とするレーザ光源の制御方法。
  2. 前記第1工程で検出される回転角に応じて、前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を制御する第2工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源の制御方法。
  3. 前記レーザビームの断面形状は矩形であり、
    前記第1工程は、前記レーザビームの断面形状の角部の変位を検出する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ光源の制御方法。
  4. 前記レーザビームの断面形状に変位検出用の識別部を設けたことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のレーザ光源の制御方法。
  5. パルス発振を行うレーザ光源の制御方法において、
    前記レーザ光源の運転状態と前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角との関係を予め記憶する第1工程と、
    前記第1工程で記憶された関係に基づいて前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を制御する第2工程とを有することを特徴とするレーザ光源の制御方法。
  6. 前記第1工程において、前記レーザ光源の運転状態を変更しながら前記回転角の検出が行われることを特徴とする請求項5に記載のレーザ光源の制御方法。
  7. 前記レーザ光源の運転状態は、前記レーザ光源のパルス発振周波数とパルスエネルギーとの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項6に記載のレーザ光源の制御方法。
  8. パルス発振を行うレーザ光源を有するレーザ光源装置において、
    前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する検出系を備えたことを特徴とするレーザ光源装置。
  9. 前記検出系で検出される回転角に応じて、前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置をさらに備えたことを特徴とする請求項8に記載のレーザ光源装置。
  10. 前記レーザビームの断面形状は矩形であり、
    前記検出系は、前記レーザビームの断面形状の角部に対応する位置に配置された撮像素子を含むことを特徴とする請求項8又は9に記載のレーザ光源装置。
  11. 前記レーザビームの断面形状に変位検出用の識別部を設けるアパーチャ部材をさらに備えたことを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載のレーザ光源装置。
  12. パルス発振を行うレーザ光源を有するレーザ光源装置において、
    前記レーザ光源の運転状態と前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角との関係を記憶する記憶装置と、
    前記記憶装置に記憶されている関係に基づいて前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたことを特徴とするレーザ光源装置。
  13. 前記調整装置は、前記レーザ光源を保持する保持機構と、該保持機構の姿勢を制御する駆動機構とを有することを特徴とする請求項9又は12に記載のレーザ光源装置。
  14. 前記調整装置は、前記レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの光路上に配置される波長板を有することを特徴とする請求項9又は12に記載のレーザ光源装置。
  15. 露光ビームで物体を露光する露光装置において、
    請求項8から14のいずれか一項に記載のレーザ光源装置から出力されるレーザビームを前記露光ビームとして、前記物体に照射することを特徴とする露光装置。
  16. 露光ビームを物体に照射することによって、該物体を露光する露光装置において、
    前記露光ビームとしてのレーザビームをパルス発振するレーザ光源と、
    該レーザ光源からパルス発振されるレーザビームの外形の回転角を検出する検出系と、
    前記検出系で検出される回転角に応じて、前記レーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
  17. 前記レーザビームを所定のパターンに照射するための照明光学系をさらに備え、
    前記レーザビームの外形の回転角を検出する検出系を前記レーザビームが前記照明光学系に入射する位置の近傍に配置したことを特徴とする請求項16に記載の露光装置。
  18. 露光ビームを物体に照射することによって、該物体を露光する露光装置において、
    前記露光ビームとしてのレーザビームをパルス発振するレーザ光源と、
    前記レーザ光源の運転状態に応じて、前記レーザビームの外形の回転角又は該レーザビームの直線偏光成分の回転角の少なくとも一方を調整する調整装置とを備えたことを特徴とする露光装置。
  19. 前記調整装置は、前記レーザ光源を保持する保持機構と、該保持機構の姿勢を制御する駆動機構とを有することを特徴とする請求項16から18のいずれか一項に記載の露光装置。
  20. 前記調整装置は、前記レーザビームの光路中に配置される波長板を有することを特徴とする請求項16から18のいずれか一項に記載の露光装置。
  21. 前記レーザビームは直線偏光状態で前記物体に照射されることを特徴とする請求項15から20のいずれか一項に記載の露光装置。
  22. 請求項15から21のいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
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