JPWO2006062096A1 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
装置の状態を把握でき、液体の流出や飛散を防止できる露光装置を提供する。露光装置(EX)は、露光光(EL)の光路空間(K1)を液体(LQ)で満たすときの進行状況、及び光路空間(K1)から液体(LQ)を除去するときの進行状況の少なくとも一方を表示する表示装置(D)を備えている。
Description
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置に関するものである。
本願は、2004年12月7日に出願された特願2004−353948号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2004年12月7日に出願された特願2004−353948号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンの像を感光性の基板上に投影する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献1に開示されているような、露光光の光路空間を気体よりも屈折率の高い液体で満たした状態で露光処理を行う液浸露光装置が案出されている。
国際公開第99/49504号パンフレット
液浸露光装置においては、投影光学系の像面側の光路空間を液体で満たすとき、投影光学系と基板あるいは基板ステージ等の物体とを対向させた状態で、投影光学系と物体との間を液体で満たす動作が行われる。そのとき、例えばオペレータが投影光学系と対向している物体を退かしてしまうと、液体が流出したり飛散したりする可能性がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、露光装置の状態をオペレータ等が把握できる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、液体の流出や飛散を防止できる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明の第1の態様に従えば、液体(LQ)を介して露光光(EL)を基板(P)上に照射して、基板(P)を露光する露光装置において、露光光(EL)の光路空間(K1)を液体(LQ)で満たすときの進行状況、及び光路空間(K1)から液体(LQ)を回収するときの進行状況の少なくとも一方を表示する表示装置(D)を備えた露光装置(EX)が提供される。
本発明の第1の態様によれば、表示装置の表示によって、露光光の光路空間を液体で満たすときの進行状況、及び光路空間から液体を回収するときの進行状況の少なくとも一方を把握することができる。
本発明の第2の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第2の態様によれば、露光光の光路空間を液体で満たすときの進行状況、及び光路空間から液体を回収するときの進行状況の少なくとも一方をオペレータ等が把握できる露光装置を使って、デバイスを製造することができる。
本発明によれば、露光装置の状態をオペレータ等が把握でき、液体の流出や飛散を防止することができる。
D…表示装置、EL…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、P…基板
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
図1は、本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTとを備えている。
本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構100を備えている。液浸機構100は、投影光学系PLの像面近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、ノズル部材70に設けられた供給口12を介して投影光学系PLの像面側の空間に液体LQを供給する液体供給機構10と、ノズル部材70に設けられた回収口22を介して投影光学系PLの像面側の空間の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。ノズル部材70は、基板P(基板ステージPST)の上方において、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。
露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に投影している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。具体的には、露光装置EXは、液浸機構100を使って、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の下面LSAと、投影光学系PLの像面側に配置され、基板ステージPSTに支持されている基板P上面との間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、この投影光学系PLと基板Pとの間の液体LQ及び投影光学系PLを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによってマスクMのパターンを基板Pに投影露光する。制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。
また、制御装置CONTには、露光装置EXの状態及び動作に関する情報を表示する表示装置Dが接続されている。本実施形態の表示装置Dは、例えば液晶ディスプレイを含み、液浸機構100が投影光学系PLの像面側の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすときの進行状況、及び露光光ELの光路空間K1から液体LQを除去するときの進行状況のそれぞれを表示する。
本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとをそれぞれの走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材(レジスト)を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。
本実施形態においては、液体LQとして純水が用いられている。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。
マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。マスクステージMST上には移動鏡91が設けられ、移動鏡91に対向する位置にはレーザ干渉計92が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置及びθZ方向の回転角などはレーザ干渉計92によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計92の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計92の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。
投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、本実施形態においては、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1は、鏡筒PKより露出している。
基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、投影光学系PLの像面側において、ベース部材BP上で移動可能である。基板ホルダPHは、例えば真空吸着等により基板Pを保持する。基板ステージPST上には凹部96が設けられており、基板Pを保持するための基板ホルダPHは凹部96に配置されている。そして、基板ステージPSTのうち凹部96以外の上面97は、基板ホルダPHに保持された基板Pの上面とほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面(平坦部)となっている。
基板ステージPSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDの駆動により、基板Pを基板ホルダPHを介して保持した状態で、ベース部材BP上でXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。更に基板ステージPSTは、Z軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能である。したがって、基板ステージPSTに支持された基板Pの上面は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。基板ステージPSTの側面には移動鏡93が設けられ、移動鏡93に対向する位置にはレーザ干渉計94が設けられている。基板ステージPST上の基板Pの2次元方向の位置及び回転角はレーザ干渉計94によりリアルタイムで計測される。また、露光装置EXは、基板ステージPSTに支持されている基板Pの上面の面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系(不図示)を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板Pの上面の面位置情報(Z軸方向の位置情報、及びθX及びθY方向の傾斜情報)を検出する。レーザ干渉計94の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角(θX、θY)を制御して基板Pの上面を投影光学系PLの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計94の計測結果に基づいて、基板PのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行う。
次に、液浸機構100の液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側の空間に供給するためのものであって、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管13とを備えている。供給管13の他端部はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、供給管13の他端部と供給口12とを接続する内部流路(供給流路)が形成されている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQの温度を調整する温度調整機構、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。
液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収するためのものであって、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部を接続する回収管23とを備えている。回収管23の他端部はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、回収管23の他端部と回収口22とを接続する内部流路(回収流路)が形成されている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系(吸引装置)、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。
液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22はノズル部材70の下面70Aに形成されている。供給口12は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの第1光学素子LS1(投影光学系PLの光軸AX)を囲むように複数設けられている。また、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、第1光学素子LS1に対して供給口12よりも外側に設けられており、第1光学素子LS1及び供給口12を囲むように設けられている。
液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給部11及び液体回収部21のそれぞれを駆動する。制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。
図2は、ノズル部材70近傍を示す図である。図2において、投影光学系PLの第1光学素子LS1の下面LSAの所定位置には、液体LQを検出可能な第1センサ31が設けられている。第1センサ31は、露光光ELの照射を妨げないように、第1光学素子LS1の下面LSAのうち露光光ELの光路の外側に設けられている。また、ノズル部材70の下面70Aの複数の所定位置にも、液体LQを検出可能な第2、第3、第4センサ32、33、34のそれぞれが設けられている。第2センサ32は、ノズル部材70の下面70Aのうち、供給口12よりも内側(投影領域AR側)に設けられている。第3センサ33は、ノズル部材70の下面70Aのうち、供給口12と回収口22との間であって、回収口22近傍に設けられている。第4センサ34は、ノズル部材70の下面70Aのうち、投影領域ARに対して回収口22の外側に設けられている。第1〜第4センサ31〜34の検出結果は制御装置CONTに出力される。
第1〜第4センサ31〜34は、例えば下方(基板P側)に向かって検出光を投射することで液体LQの有無を検出するものである。第1〜第4センサ31〜34の下方に液体LQが存在している場合と存在していない場合とで、投射した検出光の反射光状態が変化するため、第1〜第4センサ31〜34は、投射した検出光の反射光を受光することで、その第1〜第4センサ31〜34のそれぞれの下方に液体LQが存在するか否かを検出することができる。なお、センサとしては、光学式に限らず、静電容量式などの各種のセンサを採用することができる。
制御装置CONTは、第1〜第4センサ31〜34の検出結果に基づいて、液浸領域LRの状態を求めることができる。具体的には、制御装置CONTは、第1〜第4センサ31〜34の検出結果に基づいて、光路空間K1に液体LQが有るか否かを求めることができるとともに、液浸領域LRの大きさ(液浸領域LRの界面)を検知することができる。例えば、第1〜第4センサ31〜34のそれぞれが液体LQを検出していないとき、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1には液体LQが無いと判断する。また、第1、第2センサ31、32のそれぞれが液体LQを検出したとき、制御装置CONTは、形成された液浸領域LRの大きさは比較的小さく、光路空間K1に液体LQが十分に満たされてないと判断する。また、第1、第2、第3センサ31、32、33のそれぞれが液体LQを検出したとき、制御装置CONTは、形成された液浸領域LRの大きさは所望の大きさであり、光路空間K1に液体LQが良好に満たされていると判断する。また、第1〜第4センサ31〜34のそれぞれが液体LQを検出したとき、制御装置CONTは、形成された液浸領域LRの大きさは比較的大きいと判断する。
図3は、基板Pを支持した基板ステージPSTを上方から見た平面図である。基板ステージPST(基板ホルダPH)に保持された基板Pの周囲を囲むように、基板ステージPSTの上面97が配置されている。基板Pのエッジと基板ステージPSTの上面97との間には所定のギャップG1が設けられている。また、基板P上には複数のショット領域SHが設定されており、制御装置CONTは、レーザ干渉計94の出力をモニタしつつ基板ステージPSTをXY方向に移動し、基板P上に設定された複数のショット領域SHを順次露光する。
また、本実施形態においては、基板Pには切欠部であるオリエンテーションフラット部OFが形成されており、基板ステージPSTのうち上面97に接続する内側面にはオリエンテーションフラット部OFの形状に対応したフラット部が形成されている。そして、オリエンテーションフラット部OFと上面97との間にも所定のギャップG2が形成されている。なお、基板Pに切欠部としてノッチ部が形成されている場合には、基板ステージPSTの上面97に接続する凹部96の内側面にはノッチ部の形状に対応した突起部が形成される。なお、ノッチ部の大きさが、ギャップG1への液体LQの浸入が抑えられるほど小さい場合には、凹部96の内側面に突起部をもうけなくてもよい。
次に、上述の露光装置を用いて基板Pを露光する手順について、図4のフローチャート図を参照しながら説明する。
露光処理されるべき基板Pが基板ステージPSTにロードされた後、制御装置CONTは、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、投影光学系PLと基板Pと対向させる。そして、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとの間の光路空間K1を液体LQで満たす動作を開始する(ステップSA1)。具体的には、制御装置CONTは、投影光学系PLと基板Pとを対向させた状態で、液浸機構100の液体供給機構10を使って投影光学系PLと基板Pとの間に対する液体LQの供給を開始する。
ここで、以下の説明においては、光路空間K1を液体LQで満たすために、液浸機構100の液体供給機構10及び液体回収機構20を使って液体LQの供給及び回収を行う動作を適宜、「液体満たし動作」と称する。
ステップSA1において、液体満たし動作を開始した後、制御装置CONTは、液浸機構100の液体供給機構10及び液体回収機構20を使った液体満たし動作を所定時間継続する(ステップSA2)。制御装置CONTは、液体満たし動作を所定時間継続することにより、光路空間K1を液体LQで満たすことができる。制御装置CONTは、光路空間K1が液体LQで満たされ、所望の状態(大きさ)の液浸領域LRが形成された時点で、液体満たし動作が完了したと判断する(ステップSA3)。
図2を参照して説明したように、本実施形態においては、第1光学素子LS1の下面LSA、およびノズル部材70の下面70Aには液浸領域LRの状態(大きさ)を検出可能な第1〜第4センサ31〜34が設けられているので、制御装置CONTは、第1〜第4センサ31〜34の検出結果に基づいて、液体満たし動作の進行状況を検知して、光路空間K1が液体LQで満たされるまでの時間(液体満たし動作が完了するまでの時間)を予測することができ、液体満たし動作が完了したかどうかを判断することができる。
ここで、以下の説明においては、光路空間K1が液体LQで満たされた状態を適宜、「ウエット状態」と称する。
なおここでは、投影光学系PLと基板Pとを対向させた状態で液体満たし動作が行われているが、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面97とを対向させた状態で液体満たし動作が行われてもよい。その場合、投影光学系PLと基板ステージPSTの上面97との間に液体LQを満たした後、投影光学系PLの下面LSA側に液体LQを保持した状態で基板ステージPSTをXY方向に移動し、液体LQの液浸領域LRを基板P上まで移動すればよい。
投影光学系PLとその投影光学系PLに対向する基板Pとの間の光路空間K1が液体LQで満たされた後、制御装置CONTは、照明光学系ILより露光光ELを射出し、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する。マスクMを通過した露光光ELは、投影光学系PL及び光路空間K1の液体LQを介して基板Pに照射される。これにより、基板Pは液浸露光される(ステップSA4)。
基板Pの液浸露光が完了した後、制御装置CONTは、液体供給機構10による液体LQの供給動作を停止するとともに、液体回収機構20を使って光路空間K1の液体LQを回収する動作を開始する(ステップSA5)。すなわち、本実施形態においては、基板Pに対する液浸露光が完了する毎に、光路空間K1の液体LQをほぼすべて回収する。
ここで、以下の説明において、液浸露光完了後、液体回収機構20を使って光路空間K1の液体LQを回収する動作を適宜、「液体回収動作」と称する。
ステップSA4において、液体回収動作を開始した後、制御装置CONTは、液浸機構100の液体回収機構20を使った液体回収動作を所定時間継続する(ステップSA6)。制御装置CONTは、液体回収動作を所定時間継続することにより、光路空間K1の液体LQをほぼ全て回収することができる。制御装置CONTは、光路空間K1の液体LQがほぼ全て回収された時点で、液体回収動作が完了したと判断する(ステップSA7)。液体回収動作が完了することにより、光路空間K1には液体LQがほぼ無い状態となる。
液体満たし動作時同様、液体回収動作時においても、制御装置CONTは、第1〜第4センサ31〜34の検出結果に基づいて、液体回収動作の進行状況を検知し、光路空間K1から液体LQが回収されるまでの時間(液体回収動作が完了するまでの時間)を求め、液体回収動作が完了したかどうかを判断することができる。
ここで、以下の説明においては、光路空間K1に液体LQが無い状態を適宜、「ドライ状態」と称する。
液体回収動作が完了した後においても、基板P上や基板ステージPST上に液体LQが残留している可能性がある。そこで、制御装置CONTは、ノズル部材70の回収口22に対して基板ステージPSTを動かしつつ、基板P上や基板ステージPST上に残留している液体LQを回収口22を介して吸引回収することによって除去する動作を開始する(ステップSA8)。
ここで、以下の説明において、液体回収動作完了後、液体回収機構20を使って基板P上や基板ステージPST上に残留した液体LQを除去する動作を適宜、「液体除去動作」と称する。
図5は、基板P上及び基板ステージPST上の液体除去動作が行われている状態を示す模式図である。制御装置CONTは、液体回収機構20の回収口22と基板Pとが、図5の破線矢印y1に沿って相対的に移動するように、レーザ干渉計94の出力をモニタしつつ基板ステージPSTを移動する。基板ステージPSTのXY平面に沿った並進移動により、回収口22は基板P及び基板ステージPST上面のほぼ全域を走査する。これにより、基板P及び基板ステージPST上に残留した液体LQは、回収口22を介して液体回収機構20により吸引され、確実に除去される。
なお、図5に示した例では、基板P及び基板ステージPSTは、回収口22に対してX軸方向への走査移動とY軸方向へのステッピング移動とを繰り返すような移動軌跡を描いているが、その移動軌跡は任意に設定されてよく、例えば図6の破線矢印y2に示すように、基板Pの外側から内側(あるいは内側から外側)に向かって円を描くような螺旋状の移動軌跡を描くように移動してもよいし、複数の大きさの円軌跡を同心状に描くように移動してもよい。
あるいは、図7の破線矢印y3に示すように、回収口22が基板ステージPST上で基板Pのエッジと基板ステージPSTの上面97との間のギャップG1に沿った移動軌跡を描くようにして、基板ステージPSTを移動しながら回収口22を介して液体除去動作を行うようにしてもよい。また、制御装置CONTは、基板Pのオリエンテーションフラット部OFと液体回収機構20の回収口22とを対向するように配置し、ギャップG2近傍の液体除去動作を重点的に行うようにしてもよい。
このように、制御装置CONTは、基板ステージPSTを動かしながら、液体回収機構20による液体除去動作を所定時間継続する(ステップSA9)。制御装置CONTは、液体除去動作を所定時間継続することにより、基板P上及び基板ステージPST上に残留した液体LQをほぼ全て除去することができる。制御装置CONTは、基板P上及び基板ステージPST上に残留した液体LQが除去された時点で、液体除去動作が完了したと判断する(ステップSA10)。液体除去動作が完了することにより、光路空間K1はもちろん、基板P上及び基板ステージPST上には液体LQが無い状態となる。液体除去動作が完了した後、露光処理済みの基板Pが基板ステージPSTよりアンロードされる。
上述の液体回収動作(ステップSA5〜SA7)は、ノズル部材70と基板ステージPSTとの相対的な位置関係をほぼ維持した状態で行われる。すなわち、液体回収動作は、ノズル部材70に対して基板ステージPSTをほぼ静止した状態で、液体回収機構20の回収口22より液体LQを吸引回収する動作であり、その動作は短時間で完了する。一方、液体除去動作(ステップSA8〜SA10)は、ノズル部材70と基板ステージPSTとを相対的に移動しながら行われる。すなわち、液体除去動作は、ノズル部材70に対して基板ステージPSTを動かしながら、液体回収機構20の回収口22を使って液体LQを除去する動作であり、液体回収動作に比べて長時間を要する。
次に、上述のステップSA1〜SA10の処理中における表示装置Dの動作(表示内容)について説明する。なお、以下の説明においては、表示装置Dは制御装置CONTの指令に基づいて表示を行うものとする。
本実施形態における表示装置Dは、露光装置EXが行っている処理内容を含む露光装置EXの状態及び動作に関する情報や、露光処理に関する各種情報を表示する機能を有している。具体的には、表示装置Dは、液浸機構100が露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすときの進行状況、及び光路空間K1から液体LQを除去するときの進行状況を表示する機能を有している。また、表示装置Dは、過去に行われた処理内容を含む露光装置EXの状態(動作)に関する情報や各種計測装置の計測結果を含む情報(ログ情報)を表示する機能も有している。
また、表示装置Dは、液浸領域LRの状態を表示する機能、基板Pの状態を表示する機能、基板Pに関する情報(使用されているレジストに関する情報、ロット情報など)を表示する機能、露光条件(走査速度、露光光の照射量など)を表示する機能なども有している。また、表示装置Dは、露光装置EXを操作する操作部としての機能も有している。具体的には、本実施形態の表示装置Dは、表示画面上に種々のボタン(アイコン)を備えており、オペレータ等は、マウスやキーボード等の操作入力部を使ってボタンを操作することにより、露光装置EXに対して操作入力可能となっている。また、表示装置Dが所謂タッチパネルである場合には、オペレータ等は、表示装置Dの画面上の所定位置に触れることによって露光装置EXに対して操作入力可能である。
図8は、上述のステップSA1、すなわち液体満たし動作開始時における表示装置Dの表示内容の一例を模式的に示した図である。表示装置Dは、液体満たし動作、液体回収動作、及び液体除去動作などを含む露光装置EXが行っている処理内容の進行状況を表示可能であって、表示画面の第1領域D1には、液体満たし動作が開始されたことが「液体満たし開始」という文字によって表示されている。また、表示装置Dの表示画面の第2領域D2には、基板Pの状態が画像によって示されている。また、表示装置Dの表示画面の第3領域D3には、ノズル部材70の状態が文字によって表示されている。
図9は、上述のステップSA2、すなわち液体満たし動作中における表示装置Dの表示内容の一例を示す図である。図9に示すように、表示装置Dの表示画面には、液体満たし動作の進行状況として、液体満たし動作中であることが表示される。液体満たし動作中の進行状況を表示するために、表示装置Dの表示画面の第4領域D4にはウインドウが表示され、進行状況が文字、数字、及び図(プログレッシブバー)によって表示される。液体満たし動作が開始されてから完了するまでには所定時間を要するが、本実施形態の表示装置Dは、液体満たし動作が完了するまでの時間を文字、数字、及び図(プログレッシブバー)によって表示する。また、液体満たし動作開始後、ノズル部材70は乾いた状態から濡れた状態に変わるため、そのノズル部材70の状態を表示するために、第3領域D3の表示内容が変更される。
図10は、上述のステップSA3、すなわち液体満たし動作完了時における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。ここでは、表示装置Dは、液体満たし動作が完了したときに、光路空間K1が液体LQで満たされた状態(ウエット状態)であることを表示する。表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、光路空間K1が液体LQで満たされた状態であることが「ウエット状態」という文字によって表示される。
図11は、上述のステップSA4、すなわち液浸露光中における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。図11に示すように、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には液浸露光中であることが「液浸露光中」という文字によって表示されている。また、表示装置Dの表示画面の第2領域D2には、基板Pの状態が画像によって表示されており、複数のショット領域SHのうち、露光が終わったショット領域が、未だ露光を終えてないショット領域に対して異なるように表示される。
図12は、上述のステップSA5、すなわち液体回収動作開始時における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。図12に示すように、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、液体回収動作が開始されたことが「液体回収開始」という文字によって表示されている。また、液体回収動作が開始されることに伴い、ノズル部材70の状態が変わるため、ノズル部材の状態を表示する第3領域D3の表示内容が変更される。
図13は、上述のステップSA6、すなわち液体回収動作中における表示装置Dの表示内容の一例を示す図である。図13に示すように、表示装置Dの表示画面には、液体回収動作の進行状況として、液体回収動作中であることが表示されている。液体回収動作中の進行状況を表示するために、表示装置Dの表示画面の第4領域D4にウインドウが表示され、その進行状況が文字、数字、及び図(プログレッシブバー)によって表示されている。また、液体回収動作開始後、ノズル部材70は濡れた状態から乾いた状態に変わるため、ノズル部材の状態を表示する第3領域D3の表示内容が変更される。なお上述のように、液体回収動作が開始されてから完了するまでの時間は比較的短時間であるため、図13に示すようなプログレッシブバー等の表示を省略してもよい。
図14は、上述のステップSA7、すなわち液体回収動作完了時における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。図14に示すように、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、液体回収動作が完了したことが「液体回収完了」という文字によって表示されている。また表示装置Dは、液体回収動作が完了したときに、光路空間K1に液体LQが無い状態(ドライ状態)であることを表示する。図14において、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、光路空間K1に液体LQが無い状態であることが「ドライ状態」という文字によって表示される。
図15は、上述のステップSA8、すなわち液体除去動作開始時における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。図15に示すように、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、液体除去動作が開始されたことが「液体除去開始」という文字によって表示されている。
図16は、上述のステップSA9、すなわち液体除去動作中における表示装置Dの表示内容の一例を示す図である。図16に示すように、表示装置Dの表示画面には、液体除去動作の進行状況として、液体除去動作中であることが表示されている。液体除去動作中の進行状況を表示するために、表示装置Dの表示画面の第4領域D4にウインドウが表示され、進行状況が文字、数字、及び図(プログレッシブバー)によって表示される。また、液体除去動作開始後、ノズル部材70が液体除去動作を行っている状態を表示するために、第3領域D3の表示内容が変更される。
図17は、上述のステップSA10、すなわち液体除去動作完了時における表示装置Dの表示内容の一例を示した図である。図17に示すように、表示装置Dの表示画面の第1領域D1には、液体除去動作が完了したことが「液体除去完了」という文字によって表示されている。また表示装置Dは、液体除去動作が完了したときに、光路空間K1に液体LQが無い状態(ドライ状態)であることを「ドライ状態」という文字によって表示する。また、ノズル部材70が液体除去動作を完了した状態であることを表示するために、第3領域D3の表示内容が変更される。
また、図18に示すように、表示装置Dは、露光装置EXにエラーなどが生じたことを表示することができる。図18に示す例では、エラーなどが生じて、光路空間K1に液体LQが有るか否かが不明のときの表示内容の一例が示されている。
以上説明したように、表示装置Dの表示によって、オペレータなどは、露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすときの進行状況、及び光路空間K1から液体LQを除去するときの進行状況を把握することができる。したがって、液体満たし動作中、液体回収動作中、あるいは液体除去動作中において、例えばオペレータが投影光学系PLと対向している基板Pや基板ステージPSTを動かして投影光学系PLの直下から退かしてしまうと、液体LQの流出、飛散等が生じるが、表示装置Dの表示によって、液体満たし動作、液体回収動作、あるいは液体除去動作の進行状況を把握できるので、上述の液体LQの流出、飛散を防止することができる。したがって、流出、飛散した液体LQに起因する露光装置EXの置かれている環境変動や、露光装置EXを構成する各種機器・部材の錆びや故障などの発生を防止することができ、露光装置EXを使って基板Pを精度良く露光することができる。
なお上述の実施形態においては、表示装置Dは、露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすときの進行状況、及び光路空間K1から液体LQを除去するときの進行状況のそれぞれを表示しているが、どちらか一方の進行状況のみを表示する構成であってもよい。
なお、上述の実施形態においては、第1〜第4センサ31〜34を用いて、液体満たし動作の進行状況、および液体回収動作の進行状況を検知し、その結果に基づいて、表示装置Dの表示を行うようにしているが、これらのセンサを配置せずに、例えば実験やシミュレーションなどによって、液体満たし動作を開始してから光路空間K1が液体LQで満たされるまでの時間を予め求めておき、その求めた時間に関する情報を制御装置CONTに記憶して、その記憶情報に基づいて液体満たし動作の進行状況を把握したり、液体満たし動作が完了するまでの時間を求めたり、表示装置Dに進行状況を表示したり、液体満たし動作が完了したかどうかを判断してもよい。液体回収動作についでも同様にして、記憶された時間に関する情報に基づいて、液体回収動作が完了するまでの時間を求めたり、表示装置Dに進行状況を表示したり、液体回収動作が完了したかどうかを判断してもよい。
また、上述の実施形態においては、液体回収動作が完了した後に、液体除去動作を行うようにしているが、液体LQの残留が少ない場合や液体LQの残留が許容される場合には、液体除去動作(ステップSA8〜SA10)を省略してもよい。
また、表示装置Dの表示画面中の第2領域D2に、液浸領域LRを加えて、基板Pと液浸領域LRとの位置関係を表示するようにしてもよい。
また、表示装置Dの表示画面中の第2領域D2に、液浸領域LRを加えて、基板Pと液浸領域LRとの位置関係を表示するようにしてもよい。
上述したように、本実施形態における液体LQは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子LS1が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。この場合、マスク側の光路空間の液体満たし動作の進行状況と液体回収動作の進行状況との少なくともどちらか一方を表示装置Dで表示するようにしてもよい。
なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体LQの極性に応じて行われる。
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
また、本発明は、例えば特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、例えば特開平11−135400号公報に開示されている基板ステージと計測ステージとの備えた露光装置にも適用できる。この場合、投影光学系PLが計測ステージと対向している状態で、上述の液満たし動作と液体回収動作の少なくとも一方を行ってもよい。
また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
本実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図19に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
Claims (9)
- 液体を介して露光光を基板上に照射して、前記基板を露光する露光装置において、
前記露光光の光路空間を前記液体で満たすときの進行状況、及び前記光路空間から前記液体を回収するときの進行状況の少なくとも一方を表示する表示装置を備えた露光装置。 - 前記表示装置は、前記光路空間を液体で満たす動作が完了したときに、前記光路空間が液体で満たされた状態であることを表示する請求項1記載の露光装置。
- 前記表示装置は、前記光路空間から液体を回収する動作が完了したときに、前記光路空間に液体が無い状態であることを表示する請求項1又は2記載の露光装置。
- 前記光路空間の液体で形成される液浸領域の大きさを見知するセンサを有し、
前記センサの検出結果に基づいて、前記液体で満たすときの進行状況、及び前記液体を回収するときの進行状況の少なくとも一方が前記表示装置に表示される請求項1〜請求項3のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記表示装置は、前記光路空間から前記液体を回収する動作が完了した後に行われる、前記基板上に残留した液体の除去動作の進行状況を表示する請求項1〜請求項4のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記露光光を射出する投影光学系をさらに備え、
前記光路空間は、前記投影光学系に対向する物体と前記投影光学系との間の空間を含む請求項1〜請求項5のいずれか一項記載の露光装置。 - 前記表示装置は、前記投影光学系と前記物体との間の空間が液体で満たされているか否かを表示する請求項6記載の露光装置。
- 前記表示装置は、前記投影光学系と前記物体との間の空間が液体で満たされているか否かが判別できないことも表示する請求項7記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項8のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
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JP3559999B2 (ja) * | 1994-07-29 | 2004-09-02 | 株式会社オーク製作所 | マスク整合機構付露光装置およびワークの整合、露光、ならびに搬送方法。 |
US5591299A (en) * | 1995-04-28 | 1997-01-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for providing integrated monitoring, control and diagnostics functions for semiconductor spray process tools |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5740053A (en) * | 1995-07-31 | 1998-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling monitor used in cleaning machine and object processing machine and monitor apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
EP0890136B9 (en) * | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5953010A (en) * | 1997-08-01 | 1999-09-14 | Sun Microsystems, Inc. | User-friendly iconic message display indicating progress and status of loading and running system program in electronic digital computer |
US6368884B1 (en) * | 2000-04-13 | 2002-04-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Die-based in-fab process monitoring and analysis system for semiconductor processing |
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