JPWO2006001119A1 - Dielectric resonator, dielectric filter, and method of manufacturing dielectric filter - Google Patents
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Abstract
誘電体フィルタ(16)において、共振周波数と容量を調整するための浮き電極部(7A)と浮き電極絶縁部(15A)を共振導体形成孔(2A)に形成する。それにより、浮き電極部(7A)全体を削除した場合と同様の特性調整効果を得ながら、より加工面積を少なくする。加工面積が少ないことで発生する加工熱も少なくし、誘電体フィルタ(16)の物性変化による無負荷Q値の低下と調整精度の劣化とを抑制する。また、レーザー加工を用いることで、小型化にも対応する。In the dielectric filter (16), a floating electrode portion (7A) and a floating electrode insulating portion (15A) for adjusting the resonance frequency and capacitance are formed in the resonance conductor forming hole (2A). Thereby, the processing area is further reduced while obtaining the same characteristic adjustment effect as when the entire floating electrode portion (7A) is deleted. The processing heat generated by the small processing area is also reduced, and the decrease in the no-load Q value and the adjustment accuracy due to the change in physical properties of the dielectric filter (16) are suppressed. In addition, by using laser processing, it can cope with downsizing.
Description
この発明は、高周波回路に適用される誘電体共振器、誘電体フィルタおよび誘電体フィルタの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a dielectric resonator applied to a high frequency circuit, a dielectric filter, and a method for manufacturing the dielectric filter.
図9は誘電体ブロックを用いた従来の誘電体共振器の構造例であり、その外観斜視図である。 FIG. 9 is a structural example of a conventional dielectric resonator using a dielectric block, and is an external perspective view thereof.
図9に示すように、略直方体形状の誘電体ブロック1の内部には、内面に共振導体3を形成した共振導体形成孔2が設けられており、共振導体形成孔2の一方の端面を除く五面の外面には外導体4が形成されている。そして誘電体ブロック1の残りの一面を、前記外導体が形成されていない開放部5としている。これら外導体4と共振導体3とにより、開放部5を開放端面とする誘電体共振器17を構成している。
As shown in FIG. 9, a resonant
また、前記誘電体共振器を備えた誘電体フィルタとして、複数の共振導体形成孔と入出力電極とを持つ構造のものもある。 In addition, some dielectric filters having the dielectric resonator have a structure having a plurality of resonant conductor forming holes and input / output electrodes.
これらの誘電体共振器の共振周波数、誘電体フィルタの周波数特性、各共振器同士の結合係数、入出力電極と共振導体形成孔との間の結合係数を調整する方法に、共振導体の一部を部分削除する方法がある(例えば特許文献1参照)。 To adjust the resonance frequency of these dielectric resonators, the frequency characteristics of the dielectric filter, the coupling coefficient between the resonators, and the coupling coefficient between the input / output electrodes and the resonant conductor formation hole, There is a method of partially deleting (see, for example, Patent Document 1).
このような構成では、共振導体に削除部位を設けることにより、外導体に設けられた入出力電極や隣接する共振導体などの導体と、その導体に対向する削除部位との間で相互容量を調整して、結合係数を調整する。また、このような構成では、外導体と対向する位置に削除部位を形成することにより、等価的な共振器長を変化させて、共振周波数を調整する。 In such a configuration, the mutual capacitance is adjusted between the input / output electrodes provided on the outer conductor and the adjacent resonant conductor, etc., and the deleted part facing the conductor by providing the deleted part on the resonant conductor. Then, the coupling coefficient is adjusted. Further, in such a configuration, the resonance frequency is adjusted by changing the equivalent resonator length by forming a deletion portion at a position facing the outer conductor.
そして、このような共振導体を削除する際には、リュータのような加工器具が用いられる。
ところで前記共振導体の部分削除による特性調整方法では、削除部位の位置、サイズ、個数により前記特性を調整できるが、前記リューター等の機械的加工器具による方法では、削除時に熱が発生する。そのため、熱による特性変化による調整精度の低下と、誘電体セラミックスが熱還元することによる無負荷Q値の劣化とが伴う。 By the way, in the characteristic adjustment method by partial deletion of the resonant conductor, the characteristic can be adjusted by the position, size, and number of deleted parts. However, in the method using a mechanical processing tool such as the router, heat is generated at the time of deletion. For this reason, there is a decrease in adjustment accuracy due to a characteristic change due to heat, and a deterioration in unloaded Q value due to thermal reduction of the dielectric ceramics.
また、共振器の小型化に伴い、機械的加工器具を用いた削除部位の加工にも加工器具自体のサイズの限界により、共振導体形成孔の内部に挿入することに困難が伴う。 Further, along with the downsizing of the resonator, it is difficult to insert the inside of the resonant conductor forming hole due to the size limit of the processing tool itself in processing of the deleted portion using the mechanical processing tool.
そこで、この発明の目的は、上記の問題を解決し、特性調整の精度を向上させ、特性劣化を抑制し、小型化に対応した誘電体共振器、誘電体フィルタ、および誘電体フィルタの製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems, improve the accuracy of characteristic adjustment, suppress characteristic deterioration, and cope with miniaturization. A dielectric resonator, a dielectric filter, and a dielectric filter manufacturing method Is to provide.
(1) この発明の誘電体共振器は、内面に共振導体を形成した共振導体形成孔を誘電体ブロックに設け、該誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、前記共振導体形成孔の少なくとも一方の開口部付近に前記共振導体の開放部を設けており、さらに前記開放部又はその付近に、前記共振導体から電気的に絶縁された浮き電極部と、該浮き電極部を周回して形成された浮き電極絶縁部とを備えたことを特徴としている。 (1) In the dielectric resonator according to the present invention, a resonant conductor forming hole in which a resonant conductor is formed on the inner surface is provided in the dielectric block, an outer conductor is formed on the outer surface of the dielectric block, and at least the resonant conductor forming hole is provided. An open portion of the resonant conductor is provided in the vicinity of one opening, and a floating electrode portion that is electrically insulated from the resonant conductor and around the floating electrode portion is formed in or near the open portion. The floating electrode insulating part is provided.
このように、浮き電極および浮き電極絶縁部を設けることにより、これらが形成された共振器の共振導体の形状が変化して、共振器の特性が変化する。この際、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積が浮き電極絶縁部のみに抑えられる。ここで浮き電極絶縁部のみを削除した場合と、浮き電極部自体も含めて削除した場合とでは同じ調整効果が得られる。 Thus, by providing the floating electrode and the floating electrode insulating portion, the shape of the resonant conductor of the resonator in which these are formed changes, and the characteristics of the resonator change. At this time, by forming the deleted portion into a floating electrode shape, the deleted area is increased and only the floating electrode insulating portion is suppressed. Here, the same adjustment effect can be obtained when only the floating electrode insulating part is deleted and when the floating electrode part itself is also deleted.
(2) また、この発明の誘電体共振器は、前記開放部と前記浮き電極絶縁部とが、それぞれの一部を共有していることを特徴としている。 (2) Moreover, the dielectric resonator according to the present invention is characterized in that the open portion and the floating electrode insulating portion share a part thereof.
この形状により、共有する部位の削除が不要となるので、削除面積を残りの浮き電極絶縁部のみに抑えられる。 With this shape, it is not necessary to delete the shared part, so that the area to be deleted can be suppressed only to the remaining floating electrode insulating parts.
(3) また、この発明の誘電体共振器は、前記開放部と前記浮き電極絶縁部とが分離形成されていることを特徴としている。 (3) Further, the dielectric resonator according to the present invention is characterized in that the open portion and the floating electrode insulating portion are separately formed.
この形状により、浮き電極部と浮き電極絶縁部の形成箇所に制約を受けない。 Due to this shape, there are no restrictions on the locations where the floating electrode portion and the floating electrode insulating portion are formed.
(4) また、この発明の誘電体共振器は、1つの前記共振導体形成孔に設けられた前記開放部またはその付近に、2以上の前記浮き電極部を備えたことを特徴としている。 (4) Further, the dielectric resonator according to the present invention is characterized in that two or more floating electrode portions are provided in or near the open portion provided in one of the resonance conductor forming holes.
この形状により、複数回での調整による削除面積の増加においても、削除面積を最小限に抑えられる。 With this shape, even when the deleted area is increased by multiple adjustments, the deleted area can be minimized.
(5) また、この発明の誘電体フィルタは、前述のいずれかの誘電体共振器と該誘電体共振器に結合する入出力手段とを備えたことを特徴としている。 (5) The dielectric filter of the present invention is characterized by including any one of the above-described dielectric resonators and input / output means coupled to the dielectric resonator.
この構成により、前述のように浮き電極部および浮き電極絶縁部が形成された共振器と、入出力電極との結合係数や、共振器間の結合係数や、共振器長に基づく各共振器の周波数を調整する場合に、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積が浮き電極絶縁部のみに抑えられ、この場合にも、前述の誘電体共振器と同様に、浮き電極部自体も含めて削除したときと同じ調整効果が得られる。 With this configuration, the resonator having the floating electrode portion and the floating electrode insulating portion formed as described above and the coupling coefficient between the input / output electrodes, the coupling coefficient between the resonators, and the resonator length based on the resonator length When adjusting the frequency, the deleted area is made the floating electrode shape, so that the deleted area can be suppressed only to the floating electrode insulating part, and in this case as well, the floating electrode part itself is the same as the dielectric resonator described above. The same adjustment effect can be obtained as when including and deleting.
(6) また、この発明の誘電体フィルタの製造方法は、前記共振導体の形成領域内に前記浮き電極絶縁部を形成することにより、前記共振導体から分離して前記浮き電極部を設ける共振導体除去工程によって、フィルタ特性を定めることを特徴としている。 (6) In the dielectric filter manufacturing method according to the present invention, the floating electrode insulating portion is formed in a region where the resonant conductor is formed, thereby providing the floating electrode portion separated from the resonant conductor. The filter characteristic is determined by the removing step.
この共振導体除去工程により、共振器間の結合係数や、共振器と入出力電極との外部結合の強さや、共振器長に基づく各共振器の共振周波数を調整する。この際、削除部位を浮き電極形状にすることにより、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑えることで、削除面積を抑制しながら、浮き電極部と浮き電極絶縁部を共に削除したときと同じ調整効果を実現する。 By this resonance conductor removing step, the resonance frequency of each resonator is adjusted based on the coupling coefficient between the resonators, the strength of external coupling between the resonator and the input / output electrodes, and the resonator length. At this time, the same adjustment as when both the floating electrode part and the floating electrode insulating part were deleted while suppressing the deleted area by limiting the deleted area to the floating electrode insulating part by making the deleted part into a floating electrode shape. Realize the effect.
(7) またこの発明の誘電体フィルタの製造方法は、共振導体除去工程が、前記浮き電極絶縁部のレーザー加工による導体の除去工程であることを特徴としている。 (7) Further, the dielectric filter manufacturing method of the present invention is characterized in that the resonant conductor removing step is a conductor removing step by laser processing of the floating electrode insulating portion.
この加工法による工程により、共振導体形成孔のサイズにかかわらず、共振導体形成孔の外部からの照射によって加工を行う。 By this process, a process is performed by irradiation from the outside of the resonant conductor forming hole regardless of the size of the resonant conductor forming hole.
(1) この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱による無負荷Qの劣化と特性変化を抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。 (1) According to the present invention, since the deleted area can be suppressed only to the floating electrode insulating portion, it is possible to suppress deterioration of the no-load Q and characteristic change due to heat generated during processing, and improve the adjustment accuracy of the dielectric resonator. Can be made.
(2) また、この発明によれば、削除面積を共有部位以外の浮き電極絶縁部のみにできるために、加工時に発生する熱がさらに抑制でき、無負荷Qの劣化と特性変化量の変化が抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。 (2) Further, according to the present invention, since the deleted area can be made only for the floating electrode insulating portion other than the shared portion, the heat generated during processing can be further suppressed, and the deterioration of the no-load Q and the change in the characteristic change amount can be achieved. Therefore, the adjustment accuracy of the dielectric resonator can be improved.
(3) また、この発明によれば、浮き電極部と浮き電極絶縁部の形成箇所の決定に制約を受けないので、誘電体共振器の設計の自由度を高くすることができる。 (3) Moreover, according to this invention, since determination of the formation location of a floating electrode part and a floating electrode insulation part is not restricted, the freedom degree of design of a dielectric resonator can be made high.
(4) また、この発明によれば、複数回での調整による削除面積の増加においても、削除面積を最小限に抑えることができ、加工時に発生する熱による無負荷Qの劣化と特性変化が抑制でき、誘電体共振器の調整精度を向上させることができる。 (4) In addition, according to the present invention, even when the deleted area is increased by multiple adjustments, the deleted area can be minimized, and deterioration of the unloaded Q due to heat generated during processing and characteristic changes Therefore, the adjustment accuracy of the dielectric resonator can be improved.
(5) また、この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱による無負荷Qの劣化と特性変化が抑制でき、誘電体フィルタの調整精度を向上させることができる。 (5) Further, according to the present invention, since the deleted area can be suppressed only to the floating electrode insulating portion, it is possible to suppress deterioration of the no-load Q and characteristic change due to heat generated during processing, and to improve the adjustment accuracy of the dielectric filter. Can be improved.
(6) また、この発明によれば、削除面積を浮き電極絶縁部のみに抑制できるために、加工時に発生する熱と加工時間が抑制でき、誘電体フィルタの無負荷Qの劣化と特性変化が抑制でき、特性調整精度を向上させることができる。 (6) Further, according to the present invention, since the deleted area can be suppressed only to the floating electrode insulating portion, heat and processing time generated during processing can be suppressed, and deterioration of the unloaded Q of the dielectric filter and characteristic change can be prevented. This can be suppressed and the characteristic adjustment accuracy can be improved.
(7) また、この発明によれば、レーザー加工により削除部位を削除することにより、加工器具を共振導体形成孔内部に挿入することなく誘電体フィルタの特性調整用の加工を行うことができる。
また、誘電体をレーザー加工すると、リューター等の機械的加工器具による加工時以上の熱が発生し、機械的加工器具による加工に比べ無負荷Qの劣化量や特性変化量は大きくなってしまう場合がある。しかし、この発明によれば削除面積を浮き電極絶縁部の面積のみに抑制するために、熱の発生も抑制できる。これにより、無負荷Qの劣化量や特性変化量を大幅に抑制することができる。
また、無負荷Qの劣化を回復させる処理を行う場合の処理前後での特性変化量も、この発明の製造方法を採用することで小さくすることができる。これにより、無負荷Qの回復処理後の特性調整精度を改善することができる。(7) Further, according to the present invention, by deleting the deleted portion by laser processing, it is possible to perform processing for adjusting the characteristics of the dielectric filter without inserting a processing tool into the resonance conductor forming hole.
In addition, when laser processing dielectrics, more heat is generated than when processing with a machine tool such as a leuter, and the amount of deterioration of the unloaded Q and the amount of change in characteristics increase compared to processing with a mechanical tool. There is. However, according to the present invention, since the deleted area is limited only to the area of the floating electrode insulating portion, generation of heat can also be suppressed. Thereby, the deterioration amount and characteristic change amount of the no-load Q can be significantly suppressed.
Further, the amount of change in characteristics before and after the process when the process of recovering the deterioration of the no-load Q can be reduced by adopting the manufacturing method of the present invention. As a result, it is possible to improve the characteristic adjustment accuracy after the unloaded Q recovery process.
1−誘電体ブロック
2−共振導体形成孔
3−共振導体
4−外導体
5−開放部
6−入出力電極
7−浮き電極部
8−角
9−角
10−レーザー反射点
11−レーザー反射鏡
12−レーザー加工点
13−レーザー発生装置
14−結合用電極
15−浮き電極絶縁部
16−誘電体フィルタ
17−誘電体共振器1-dielectric block 2-resonance conductor forming hole 3-resonance conductor 4-outer conductor 5-opening portion 6-input / output electrode 7-floating electrode portion 8-corner 9-corner 10-laser reflection point 11-laser reflection mirror 12 -Laser processing point 13-Laser generator 14-Coupling electrode 15-Floating electrode insulator 16-Dielectric filter 17-Dielectric resonator
〈第1の実施形態〉
図1は誘電体フィルタ16の外観斜視図である。図2(A)は図1におけるB−B部分の断面図である。図2(B)は図1に記した誘電体フィルタの上面図である。<First Embodiment>
FIG. 1 is an external perspective view of the
図1において、略直方体形状の誘電体ブロック1には、それぞれの内面に共振導体3A、3B、3Cを備えた複数の共振導体形成孔2A、2B、2Cを設けている。誘電体ブロック1の上端面を除く五面は外導体4を設けている。共振導体形成孔2A、2B、2Cは、図1上端面側と下端面側とに貫通するように設け、図1下端面側では共振導体3A、3B、3Cと外導体4を導通させている。また、入出力電極6A、6Bを形成している。また、共振導体形成孔2A、2B、2Cの上端部には、それぞれ浮き電極部7A、7B、7Cと浮き電極絶縁部15A、15B、15Cとを形成している。このような構成により誘電体フィルタ16は、4分の1波長フィルタとなっている。
In FIG. 1, a substantially rectangular parallelepiped-shaped
図2において、図1と同一部分には同一符号を付している。Cabは共振導体3A−3B間の開放部付近に生じる容量を表している。また、Cbcは共振導体3B−3C間の開放部付近に生じる容量を表している。Ceは共振導体3Cと入出力電極6Bとの間に生じる容量を表している。Caは共振導体3Aと外導体4の間に生じる自己容量を表している。
In FIG. 2, the same parts as those in FIG. Cab represents a capacitance generated in the vicinity of the open portion between the
図1において、浮き電極部7Aと浮き電極絶縁部15Aとを、外導体4に対向する部位に形成している。この構造により、共振導体3Aから成る共振器の等価的な共振器長を短くするとともに、共振導体3Aと外導体4との対向する面積を減らし、自己容量(図2中のCa)を小さくする。共振器長と自己容量の変化により、共振導体3Aによる共振器の共振周波数は、相乗的に高くなる。
In FIG. 1, the floating electrode portion 7 </ b> A and the floating electrode insulating portion 15 </ b> A are formed in a portion facing the
また、浮き電極部7Bと浮き電極絶縁部15Bとを、隣り合う共振導体形成孔2Aに対向する部位に形成している。この構造により、共振導体3Bから成る共振器の等価的な共振器長を短くし、共振周波数を高く調整している。また、該構造により共振導体3A,3Bそれぞれの開放部側の対向する面積を減らし、共振器間の容量(図2中のCab)を小さくすることによって結合係数を調整している。
Further, the floating
この周波数調整と結合係数調整は、浮き電極部7Bおよび浮き電極絶縁部15Bが軸方向に長く幅方向に短い場合には、共振器間の結合係数と当該共振器の共振周波数を同時的に行うことができる。また、浮き電極部7Bおよび浮き電極絶縁部15Bが軸方向に短く幅方向に長い場合には、共振器間の結合係数のみを略独立的に行うことができる。
When the floating
また、浮き電極部7Cと浮き電極絶縁部15Cとを、入出力電極6Bに対向する部位に形成している。この構造により、共振導体3Cから成る共振器の等価的な共振器長を短くし、共振周波数を高くなるように定めている。また、該構造により共振導体3Cによる共振器と入出力電極6Bとの間の容量(図2中の容量Ce)を減少させ、その共振器と入出力電極6Bとの間の外部結合の強さを、浮き電極7Cと浮き電極絶縁部15Cが無い場合に比べて小さくなるように定めている。
Further, the floating
また、図3(A)は第1の実施形態における浮き電極部7Aと浮き電極絶縁部15Aの拡大図である。図3(B)は図3(A)におけるY−Y断面における断面拡大図である。
FIG. 3A is an enlarged view of the floating
図3(A)において、9A、9B、9C、9Dは浮き電極絶縁部の共振導体と接する角であり、8A、8B、8C、8Dは浮き電極絶縁部の浮き電極部と接する角である。 In FIG. 3A, 9A, 9B, 9C, and 9D are angles in contact with the resonant conductor of the floating electrode insulating portion, and 8A, 8B, 8C, and 8D are angles in contact with the floating electrode portion of the floating electrode insulating portion.
当該実施形態においては共振導体に形成した浮き電極部7Aと浮き電極絶縁部15Aとを、辺9A−9Dにおいて一部共有させている。また、浮き電極絶縁部15Aの各辺の幅を0.05mm、長さを辺8A−8Bは0.45mm、9B−9Cは0.5mmとしている。また、図3(B)において浮き電極絶縁部15Aを深さ5μmの溝形状として、外導体4と浮き電極部7Aとを絶縁をしている。
In this embodiment, the floating
ここで、浮き電極部7Aおよび浮き電極絶縁部15Aがある場合と、浮き電極部7Aが除去された場合とで、導体削除工程における削除面積を比べる。図2(A)において、浮き電極部7A及び浮き電極絶縁部15Aがある場合は、導体削除面積は0.07平方mmである。一方、浮き電極部7Aも除去された場合には導体削除面積は、0.25平方mmである。浮き電極部7Aを除去する場合に比べ当該実施形態は、削除面積を3.5分の1以下に抑制している。この削除面積の抑制により、加工熱の発生を低減し、誘電体共振器における無負荷Qの劣化と特性変化を抑えている。
Here, the removal area in the conductor removal step is compared between the case where the floating
次に、図1〜図3に示した誘電体フィルタの特性調整方法について、図4〜図6を基に説明する。これらの図において、図1・図2に示したものと同一部分には同一符号を付している。 Next, a method for adjusting the characteristics of the dielectric filter shown in FIGS. 1 to 3 will be described with reference to FIGS. In these figures, the same parts as those shown in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
図4〜図6はいずれも誘電体フィルタの特性調整工程における図である。図5は、図1に示した状態で誘電体フィルタを左側面から見た図であり、誘電体フィルタ部分は、図1に示したA−A部分の断面図として示している。同様に図6は、図1に示した状態で誘電体フィルタを手前側面から見た図であり、誘電体フィルタ部分は、図1に示したB−B部分の断面図として示している。図4は、図1に示した状態で誘電体フィルタを上側から見た図である。 4 to 6 are diagrams in the characteristic adjustment process of the dielectric filter. 5 is a view of the dielectric filter as viewed from the left side in the state shown in FIG. 1, and the dielectric filter portion is shown as a cross-sectional view of the AA portion shown in FIG. Similarly, FIG. 6 is a view of the dielectric filter viewed from the front side surface in the state shown in FIG. 1, and the dielectric filter portion is shown as a cross-sectional view of the BB portion shown in FIG. FIG. 4 is a view of the dielectric filter as viewed from above in the state shown in FIG.
図4において、レーザー発生装置13のレーザー出射口に、水平面での2次元動作をさせる。レーザー出射口から水平面と鉛直に出射させたレーザーを、反射鏡11A〜11Dの反射点10A〜10Dで反射させる。反射鏡でレーザーの軌道を水平面から鉛直面に座標変換することで、レーザーに、加工点12A〜12Dでの鉛直面での2次元軌道を描かせる。
In FIG. 4, the laser emission port of the
例えば、図5において、レーザーをレーザー反射鏡11Aで反射するように出射させて、加工点12Aを加工する場合、図4において、レーザーに反射点10Aで矢印のような軌道を描かせる。反射点10Aで反射させたレーザーに、加工点12Aで反射点10Aの矢印と相似の軌道を描かせて、共振導体を除去する。その際、レーザー加工点12Aでは、レーザーに図3の角9Aから角9Bに進み、次いで角9C、角9Dへと進む軌道を描かせる。このレーザーの軌道に沿って、浮き電極絶縁部15Aを除去し、浮き電極部7Aを形成する。
For example, in FIG. 5, when the laser beam is emitted so as to be reflected by the
また、同様にレーザーをレーザー反射鏡11Bで反射するように出射させて、加工点12Bを加工する場合、加工点12Bで反射点10Bの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部15Bを除去して、浮き電極部7Bを形成する。
Similarly, when processing the
また、同様にレーザーをレーザー反射鏡11Cで反射するように出射させて、加工点12Cを加工する場合、加工点12Cで反射点10Cの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部15Cを除去する。そして同様に、レーザーをレーザー反射鏡11Dで反射するように出射させて、加工点12Dで反射点10Dの矢印と相似の軌道を描かせて浮き電極絶縁部15Dを除去する。この浮き電極絶縁部15Cの加工と浮き電極絶縁部15Dの加工とによって浮き電極部7を形成する。
Similarly, when the laser beam is emitted so as to be reflected by the
このように、レーザーにより加工を行うが、電極の削除面積は浮き電極絶縁部の面積のみであるため、熱の発生を大きく抑え、電極や誘電体セラミックスが還元されたり半導体化されたりすることを防ぐことができる。これにより無負荷Qの劣化量や特性変化量が大幅に抑制できる。
このように、無負荷Qの劣化を抑制できるため、以後に無負荷Qを回復させる処理を行う場合の処理前後での特性変化量を抑制でき、これにより、無負荷Qの回復処理後の特性調整精度も改善できる。In this way, processing is performed with a laser, but since the area of the electrode to be deleted is only the area of the floating electrode insulating part, the generation of heat is greatly suppressed, and the electrode and dielectric ceramics are reduced or made semiconductor. Can be prevented. Thereby, the deterioration amount and characteristic change amount of the no-load Q can be significantly suppressed.
In this way, since the deterioration of the no-load Q can be suppressed, the amount of change in characteristics before and after the process when the process for recovering the no-load Q can be suppressed thereafter. Adjustment accuracy can also be improved.
〈第2の実施形態〉
図7は、共振導体形成孔2A〜2Cの両端面を開放部5A、5Bとした、誘電体フィルタ16の外観斜視図であり、誘電体フィルタ16は、2分の1波長フィルタとなっている。<Second Embodiment>
FIG. 7 is an external perspective view of the
この実施形態においては開放部5A、5Bに結合用電極14A〜14Fを設けている。共振導体形成孔2Aには、共振導体形成孔2Aと結合用電極14Aとにまたがる形状である浮き電極部7Aの一部、および共振導体形成孔2Aと結合用電極14Dとにまたがる形状である浮き電極7Eの一部を設けている。また共振導体形成孔2Bには、共振導体形成孔2Aと結合用電極14Aとにまたがる形状である浮き電極部7Bを設けている。そして、共振導体形成孔2Cには、開放部と浮き電極絶縁部が分離形成された形状の浮き電極部7Cを設けている。
In this embodiment,
また結合用電極14Aには、共振導体形成孔2Aと結合用電極14Aとにまたがる形状である浮き電極部7Aの一部を設けている。この結合用電極14A側の一部と前記共振導体形成孔2A側の一部とで、浮き電極部7Aを構成している。
The
また結合用電極14Bには、共振導体形成孔2Bと結合用電極14Bとにまたがる形状である浮き電極部7Bの一部を設けている。この結合用電極14B側の一部と前記共振導体形成孔2B側一部とで、浮き電極部7Bを構成している。それとともに結合用電極14Bには、浮き電極7Dを結合用電極の端部を一部共有するような配置で設けている。
The
また、結合用電極14Dには、共振導体形成孔2Aと結合用電極14Dとにまたがる形状である浮き電極部7Eの一部を設けている。この結合用電極14D側の一部と前記共振導体形成孔2A側の一部とで、浮き電極部7Eを構成している。
The
当該実施形態におけるレーザーによる導体除去工程では、浮き電極部7A〜7Dを前記第1の実施形態の導体除去工程と同様に形成する。また浮き電極部7Eの導体除去工程では、誘電体フィルタ16を上下反転させ、開放部5Bが図6のレーザー発生装置13と対向するように配置し、前記第1の実施形態の導体除去工程と同様に形成する。
In the conductor removal step by laser in the embodiment, the floating
〈第3の実施形態〉
図8は、共振導体形成孔2A〜2Cの両端面に共に外導体4を形成し、共振導体形成孔内面に環状に設けた共振導体非形成部5A〜5Cを開放部とした共振器である。このような構成により誘電体フィルタ16は、4分の1波長フィルタとなっている。共振導体形成孔2Aにおいて、浮き電極部7Aを、開放部5Aと部分共有された形状としている。共振導体形成孔2Bにおいても、浮き電極絶縁部15Bを、開放部5Bと部分共有された形状としており、二つの浮き電極部7B、7Cを同時に形成している。共振導体形成孔2Cにおいては、浮き電極絶縁部15Cを、開放部5Cとは分離形成された形状としており、浮き電極部7D、7Eを同時に形成している。<Third Embodiment>
FIG. 8 shows a resonator in which the
浮き電極部7B、7Cと浮き電極部7D、7Eのように、浮き電極の数を増やすことにより、1回の調整で目標特性に達しなくても追加調整を行うことができる。
By increasing the number of floating electrodes like the floating
当該実施形態におけるレーザーによる導体除去工程では、浮き電極部7A〜7Eを前記第1の実施形態の導体除去工程と同様に除去する。
In the conductor removal step by the laser in the embodiment, the floating
〈第4の実施形態〉
請求項5の誘電体フィルタをから構成される誘電体デュプレクサの構造例としては、1つの誘電体ブロックに第1〜第3の実施形態で示したフィルタを二組備えた誘電体デュプレクサであって、それぞれのフィルタを結合する一つの励振孔をもち、共有の入出力電極を含めて三つの入出力電極を備えた構造のものが挙げられる。このように誘電体デュプレクサを構成する場合も、第1〜第3の実施形態で示した方法により浮き電極部と浮き電極絶縁部を形成することにより、無負荷Q値の低下と調整精度の劣化とを抑制する。そのため通過周波数帯域の調整が容易にできる。
尚、上述の第1の実施形態と第2の実施形態とでは、共振導体形成孔を断面四角形状と断面円形状とのステップ孔として形成しているが、第3の実施形態のように単一断面形状の孔でもよい。また、断面形状は四角形状、円形状、楕円形状、もしくは長円形状でもよく、形を問わない。<Fourth Embodiment>
An example of the structure of a dielectric duplexer comprising the dielectric filter of
In the first embodiment and the second embodiment described above, the resonant conductor forming hole is formed as a step hole having a quadrangular cross section and a circular cross section. However, as in the third embodiment, a single hole is formed. It may be a hole with a single cross-sectional shape. Further, the cross-sectional shape may be a quadrangular shape, a circular shape, an elliptical shape, or an oval shape, and the shape is not limited.
Claims (7)
前記開放部又はその付近に、前記共振導体から電気的に絶縁された浮き電極部と、該浮き電極部を周回して形成された浮き電極絶縁部とを備えたことを特徴とする誘電体共振器。A resonant conductor forming hole having a resonant conductor formed on the inner surface is provided in the dielectric block, an outer conductor is formed on the outer surface of the dielectric block, and an open portion of the resonant conductor is formed near at least one opening of the resonant conductor forming hole. In a dielectric resonator provided with
A dielectric resonance comprising: a floating electrode portion that is electrically insulated from the resonant conductor; and a floating electrode insulation portion formed around the floating electrode portion at or near the open portion. vessel.
前記共振導体の形成領域内に前記浮き電極絶縁部を形成することにより、前記共振導体から分離して前記浮き電極部を設ける共振導体除去工程によって、フィルタ特性を定めることを特徴とする誘電体フィルタの製造方法。It is a manufacturing method of the dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter characterized in that, by forming the floating electrode insulating portion in a region where the resonant conductor is formed, a filter characteristic is determined by a resonant conductor removing step in which the floating electrode portion is provided separately from the resonant conductor. Manufacturing method.
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