JPWO2015068493A1 - Dielectric filter and method for adjusting attenuation characteristic of dielectric filter - Google Patents
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Abstract
本発明は、誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法に関する。誘電体ブロック(12)の対向する一対の端面(14a)及び(14b)間を貫通して、内面に内導体(16)が形成された第1共振器孔(18a)及び第2共振器孔(18b)を有する第1誘電体フィルタ(10A)において、誘電体ブロック(12)のうち、第1共振器孔(18a)及び第2共振器孔(18b)間に、第1共振器孔(18a)及び第2共振器孔(18b)に対してねじれの位置に1つの貫通孔(28)が形成されている。The present invention relates to a dielectric filter and a method for adjusting attenuation characteristics of the dielectric filter. A first resonator hole (18a) and a second resonator hole having an inner conductor (16) formed on the inner surface through a pair of opposed end faces (14a) and (14b) of the dielectric block (12). In the first dielectric filter (10A) having (18b), between the first resonator hole (18a) and the second resonator hole (18b) in the dielectric block (12), the first resonator hole ( One through hole (28) is formed at a twisted position with respect to 18a) and the second resonator hole (18b).
Description
本発明は、例えばデュプレクサ等で使用される誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法に関する。 The present invention relates to a dielectric filter used in, for example, a duplexer and a method for adjusting attenuation characteristics of the dielectric filter.
従来、誘電体ブロックの対向する一対の端面間を貫通して、内面に内導体が形成された複数の共振器孔を平行に形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、誘電体ブロックの一方の端面を短絡端面とした誘電体フィルタが知られている(特開2000−165106号公報参照)。 Conventionally, a plurality of resonator holes having inner conductors formed on the inner surface are formed in parallel through a pair of opposing end faces of the dielectric block, and outer conductors are formed on the outer surface of the dielectric block. A dielectric filter is known in which one end face of a block is a short-circuit end face (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-165106).
特に、この特開2000−165106号公報に記載の誘電体フィルタは、短絡端面側の共振器孔の間に、各共振器孔の配列方向に延びる溝とこの溝に垂直方向に延びる溝とからなる十字状溝を形成している。これにより、共振器孔間の結合を容易に設定、調整することができる、とされている。 In particular, the dielectric filter described in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-165106 includes a groove extending in the arrangement direction of the resonator holes and a groove extending in a direction perpendicular to the grooves, between the resonator holes on the short-circuit end face side. Forming a cross-shaped groove. Thereby, the coupling between the resonator holes can be easily set and adjusted.
しかしながら、従来の誘電体フィルタにおいては、溝の深さと幅しか変えることができず、所望の位置に減衰極を得ることが困難であり、設計上の自由度が低いという問題があった。 However, in the conventional dielectric filter, only the depth and width of the groove can be changed, and it is difficult to obtain an attenuation pole at a desired position, and there is a problem that the degree of freedom in design is low.
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such problems, and can adjust the position of the attenuation pole and the adjustment range of the attenuation amount, and can increase the degree of design freedom. An object of the present invention is to provide a method for adjusting attenuation characteristics of a body filter.
[1] 第1の本発明に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロックの対向する一対の端面間を貫通して、内面に内導体が形成された複数の共振器孔を有する誘電体フィルタにおいて、前記誘電体ブロックのうち、前記複数の共振器孔間に、前記複数の共振器孔に対してねじれの位置に1以上の貫通孔が形成されていることを特徴とする。 [1] A dielectric filter according to a first aspect of the present invention is a dielectric filter having a plurality of resonator holes in which inner conductors are formed on an inner surface through a pair of opposing end surfaces of a dielectric block. In the dielectric block, one or more through holes are formed between the plurality of resonator holes at positions twisted with respect to the plurality of resonator holes.
これにより、貫通孔の形成位置、貫通孔のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。 Thereby, the position of the attenuation pole and the amount of attenuation can be adjusted according to the formation position of the through hole and the size of the through hole. That is, the adjustment range of the position of the attenuation pole and the attenuation amount can be widened, and the degree of freedom in design can be improved.
[2] 第1の本発明において、前記複数の共振器孔が平行に形成されていてもよい。 [2] In the first aspect of the present invention, the plurality of resonator holes may be formed in parallel.
[3] 第1の本発明において、前記共振器孔の軸方向に沿って延び、且つ、前記共振器孔を二分する第1仮想面に前記貫通孔を投影した際の前記共振器孔と前記貫通孔とのなす角は、60°〜120°であってもよい。 [3] In the first aspect of the present invention, the resonator hole when projecting the through hole on a first virtual plane that extends along the axial direction of the resonator hole and bisects the resonator hole; The angle formed with the through hole may be 60 ° to 120 °.
[4] この場合、前記第1仮想面に前記貫通孔を投影した際の前記貫通孔と前記共振器孔とのなす角は、90°であってもよい。 [4] In this case, an angle formed by the through hole and the resonator hole when the through hole is projected onto the first virtual plane may be 90 °.
[5] 第1の本発明において、2つの前記共振器孔を有し、前記誘電体フィルタの前記端面と平行な第2仮想面に、2つの前記共振器孔の各中心軸を結ぶ線分を前記第2仮想面に投影させた線分と、該線分の中点で直交する仮想線とを設定したとき、前記貫通孔を前記第2仮想面に投影した際の前記貫通孔と前記仮想線とのなす角は、−20°〜+20°であってもよい。 [5] In the first aspect of the present invention, a line segment having two resonator holes and connecting the central axes of the two resonator holes to a second virtual plane parallel to the end face of the dielectric filter. When the line segment projected onto the second virtual plane and the virtual line orthogonal to the midpoint of the line segment are set, the through-hole when projecting the through-hole onto the second virtual plane and the The angle formed with the imaginary line may be −20 ° to + 20 °.
[6] この場合、前記貫通孔を前記第2仮想面に投影した際の前記貫通孔と前記仮想線とのなす角は、0°であってもよい。 [6] In this case, an angle formed between the through hole and the imaginary line when the through hole is projected onto the second imaginary plane may be 0 °.
[7] 第1の本発明において、2つの前記貫通孔を有し、2つの前記貫通孔が平行に形成されていてもよい。 [7] In the first aspect of the present invention, the two through holes may be provided, and the two through holes may be formed in parallel.
これにより、2つの貫通孔の形成位置、2つの貫通孔の相対位置関係、2つの貫通孔のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、1つの貫通孔を設けた場合よりも、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、さらに、設計上の自由度を向上させることができる。 Thereby, the position of the attenuation pole and the amount of attenuation can be adjusted by the formation position of the two through holes, the relative positional relationship between the two through holes, and the size of the two through holes. That is, the adjustment range of the position of the attenuation pole and the attenuation amount can be widened compared with the case where one through hole is provided, and the degree of freedom in design can be improved.
[8] 第1の本発明において、前記誘電体ブロックの前記一対の端面が共に開放端面であり、前記共振器孔が1/2波長共振器を構成してもよい。 [8] In the first aspect of the present invention, the pair of end faces of the dielectric block may be open end faces, and the resonator holes may constitute a half-wave resonator.
[9] 第1の本発明において、前記誘電体ブロックの前記一対の端面のうち、一方の端面が開放端面で、他方の端面が短絡端面であり、前記共振器孔が1/4波長共振器を構成してもよい。 [9] In the first aspect of the invention, of the pair of end faces of the dielectric block, one end face is an open end face, the other end face is a short-circuit end face, and the resonator hole is a quarter wavelength resonator. May be configured.
[10] 第1の本発明において、前記誘電体ブロックのうち、前記開放端面であって、且つ、前記複数の共振器孔間に溝を有してもよい。この場合、貫通孔による減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができるほか、溝の幅や深さによっても、減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができ、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができる。 [10] In the first aspect of the present invention, a groove may be provided between the plurality of resonator holes on the open end surface of the dielectric block. In this case, the position of the attenuation pole and the amount of attenuation can be adjusted by the through hole, and the position of the attenuation pole and the amount of attenuation can also be adjusted by the width and depth of the groove. The amount adjustment range can be widened.
[11] 第1の本発明において、当業者であれば、周知の構成ではあるが、前記誘電体ブロックの前記一対の端面を除く複数の側面に第1導体が形成されていてもよい。1つの側面のみに第1導体が形成されてもよいし、側面の一部に第1導体が形成されてもよい。 [11] In the first aspect of the present invention, although a person skilled in the art has a well-known configuration, the first conductor may be formed on a plurality of side surfaces excluding the pair of end surfaces of the dielectric block. The first conductor may be formed only on one side surface, or the first conductor may be formed on a part of the side surface.
[12] もちろん、前記複数の側面全面に前記第1導体が形成されていてもよい。 [12] Of course, the first conductor may be formed on the entire surface of the plurality of side surfaces.
[13] また、もちろん、前記貫通孔の内壁全面又は内壁の一部に、前記第1導体と導通する第2導体が形成されていてもよい。 [13] Of course, a second conductor that is electrically connected to the first conductor may be formed on the entire inner wall of the through hole or a part of the inner wall.
[14] 前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、前記共振器孔の前記内導体と導通し、且つ、前記第1導体との間で容量を形成する電極が形成されていてもよい。 [14] At least one of the pair of end surfaces may be formed with an electrode that is electrically connected to the inner conductor of the resonator hole and that forms a capacitance with the first conductor. .
[15] あるいは、前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、前記第1導体と導通し、且つ、前記共振器孔との間で容量を形成する電極が形成されていてもよい。 [15] Alternatively, an electrode that is electrically connected to the first conductor and forms a capacitance with the resonator hole may be formed on at least one of the pair of end surfaces.
[16] また、前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、隣接する共振器孔間に少なくとも容量を形成する第3導体が形成されていてもよい。 [16] In addition, a third conductor that forms at least a capacitance between adjacent resonator holes may be formed on at least one of the pair of end surfaces.
[17] 前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、隣接する共振器孔間に少なくともインダクタンスを形成する第3導体が形成されていてもよい。 [17] A third conductor that forms at least inductance between adjacent resonator holes may be formed on at least one of the pair of end surfaces.
[18] 前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、隣接する共振器孔間に並列に容量とインダクタンスとを形成する第3導体が形成されていてもよい。 [18] A third conductor that forms a capacitance and an inductance in parallel between adjacent resonator holes may be formed on at least one of the pair of end surfaces.
[19] 前記一対の端面のうち、少なくとも1つの端面に、前記共振器孔と容量、又はインダクタンス、又は容量及びインダクタンスで結合する端子電極が形成されていてもよい。 [19] Of the pair of end faces, at least one end face may be formed with a terminal electrode coupled with the resonator hole and a capacity, or an inductance, or a capacity and an inductance.
[20] 第2の本発明に係る誘電体フィルタの減衰特性調整方法は、誘電体ブロックに複数の共振器孔を有する誘電体フィルタの減衰特性調整方法において、前記誘電体ブロックのうち、前記複数の共振器孔間に、前記複数の共振器孔に対してねじれの位置に1以上の貫通孔を形成することを特徴とする。 [20] A method for adjusting attenuation characteristics of a dielectric filter according to a second aspect of the present invention is the method for adjusting attenuation characteristics of a dielectric filter having a plurality of resonator holes in a dielectric block. One or more through holes are formed between the resonator holes at a twisted position with respect to the plurality of resonator holes.
[21] 第2の本発明において、前記貫通孔を形成することによって、中心周波数より低域側の減衰量を大きくしてもよい。 [21] In the second aspect of the present invention, the amount of attenuation on the lower frequency side than the center frequency may be increased by forming the through hole.
[22] 第2の本発明において、前記貫通孔の形成位置を調整することで、減衰極の位置を調整してもよい。 [22] In the second aspect of the present invention, the position of the attenuation pole may be adjusted by adjusting the formation position of the through hole.
[23] 第2の本発明において、前記貫通孔の寸法を調整することで、減衰極の位置を調整してもよい。 [23] In the second aspect of the present invention, the position of the attenuation pole may be adjusted by adjusting the dimension of the through hole.
以上説明したように、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法によれば、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。 As described above, according to the dielectric filter and the method for adjusting the attenuation characteristic of the dielectric filter according to the present invention, the adjustment range of the attenuation pole position and attenuation amount can be widened, and the degree of freedom in design is improved. Can be made.
以下、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法の実施の形態例を図1A〜図28を参照しながら説明する。なお、本明細書において数値範囲を示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。 Hereinafter, embodiments of a dielectric filter and a method for adjusting the attenuation characteristic of the dielectric filter according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 28. In the present specification, “˜” indicating a numerical range is used as a meaning including numerical values described before and after the numerical value as a lower limit value and an upper limit value.
先ず、第1の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第1誘電体フィルタ10Aと記す)は、図1A及び図1Bに示すように、直方体状の誘電体ブロック12と、該誘電体ブロック12の対向する一対の端面14a及び14b間を貫通して、内面に内導体16が形成された2つの共振器孔(第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b)と、誘電体ブロック12の側面のうち、第1共振器孔18aに近接する第1側面20aに形成された入力端子22と、第2共振器孔18bに近接する第2側面20bに形成された出力端子24とを有する。第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bは、各中心軸26a及び26bが平行である。第1共振器孔18aと第2共振器孔18bの断面形状は円形でもよいし、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では円形とした。
First, as shown in FIGS. 1A and 1B, a dielectric filter according to the first embodiment (hereinafter, referred to as a first
そして、この第1誘電体フィルタ10Aは、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bに対して、ねじれの位置に1つの貫通孔28が形成されている。
The first
また、第1誘電体フィルタ10Aの一対の端面14a及び14bは、共に開放端面30a及び30bとなっており、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bは、共に1/2波長共振器を構成する。
The pair of end faces 14a and 14b of the first
貫通孔28は誘電体ブロック12に対して水平方向に形成されていてもよいし、垂直方向に傾いて形成されてもよい。また、貫通孔28の一方の先端が入力側寄りあるいは出力側寄りに形成されてもよい。
The through
具体的には、図2Aに示すように、例えば第1共振器孔18aの中心軸26aに沿って延び、且つ、第1共振器孔18aを二分する第1仮想面32aに、貫通孔28を投影することを考える。この場合、第1共振器孔18aの中心軸26aと貫通孔28(投影画像)の軸線34とのなす角θ1として60°〜120°が選択可能である。本実施の形態では、なす角θ1を90°とした。
Specifically, as shown in FIG. 2A, for example, a through
また、図2Bに示すように、例えば誘電体ブロック12の一方の開放端面30aと平行な第2仮想面32bに、貫通孔28を投影することを考える。この場合、第1共振器孔18aの中心軸26aと第2共振器孔18bの中心軸26bとを結ぶ線分を第2仮想面32bに投影させた線分36と、該線分36の中点で直交する仮想線38とを設定する。このとき、貫通孔28(投影画像)の軸線34と仮想線38とのなす角θaとして、−20°〜+20°が選択可能である。本実施の形態では、なす角θaを0°とした。
Further, as shown in FIG. 2B, for example, it is considered that the through
貫通孔28の断面形状は、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bと同様に、円形でもよいし、その他、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では矩形とした。
Similarly to the
この第1誘電体フィルタ10Aにおいては、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18aと第2共振器孔18b間に1つの貫通孔28を設けたので、貫通孔28の形成位置、貫通孔28のサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。ちなみに、後述する参考例1に係る誘電体フィルタ102では、図22A及び図22Bに示すように、一方の端面14aに形成した第1溝40aと、他方の端面14bに形成した第2溝40bによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことが考えられるが、調整できる部分は、第1溝40a及び第2溝40bのサイズ(幅と深さ)だけであり、形成位置はほぼ固定とされる。これに対して、第1誘電体フィルタ10Aにおいては、貫通孔28のサイズに加えて、貫通孔28の位置も調整項目として挙げることができることから、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。
In the first
また、貫通孔28を形成した構造は、溝を形成した構造と比較して機械強度を高く設計できるため、周囲温度の変化に対する寸法歪が小さい。従って、温度変化に対する特性の変化量を小さくすることができる。しかも、熱衝撃等の信頼性試験に対するクラックリスクを小さくすることができる。
Further, since the structure in which the through
上述の例では、入力端子22を誘電体ブロック12の第1側面20aに形成して、入力端子22と第1共振器孔18aとを容量を介して電気的に接続し、出力端子24を第2側面20bに形成して、出力端子24と第2共振器孔18bと容量を介して電気的に接続している。その他、図3に示すように、入力端子22及び出力端子24を例えば一方の開放端面30aに形成して、入力端子22と第1共振器孔18aとを直接接続し、出力端子24と第2共振器孔18bとを直接接続してもよい。これは、以後に説明する誘電体フィルタについても同様である。
In the above example, the
次に、第2の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第2誘電体フィルタ10Bと記す)について図4A〜図5Cを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a second embodiment (hereinafter referred to as a second
第2誘電体フィルタ10Bは、図4A及び図4Bに示すように、上述した第1誘電体フィルタ10Aとほぼ同様の構成を有するが、2つの貫通孔(第1貫通孔28a及び第2貫通孔28b)を設けた点で異なる。
As shown in FIGS. 4A and 4B, the second
すなわち、この第2誘電体フィルタ10Bは、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bに対して、ねじれの位置に第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bが形成されている。
That is, the second
第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bは誘電体ブロック12に対して水平方向に形成されていてもよいし、垂直方向に傾いて形成されてもよい。また、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの一方の各先端が入力側寄りあるいは出力側寄りに形成されてもよい。
The first through
具体的には、図5Aに示すように、例えば第1共振器孔18aの中心軸26aに沿って延び、且つ、第1共振器孔18aを二分する第1仮想面32aに、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bを投影することを考える。この場合、第1共振器孔18aの中心軸26aと第1貫通孔28a(投影画像)の軸線34aとのなす角θ1として、60°〜120°が選択可能である。同様に、第1共振器孔18aの中心軸26aと第2貫通孔28b(投影画像)の軸線34bとのなす角θ2として、60°〜120°が選択可能である。なす角θ1及びθ2は同じでもよいし、異なっていてもよい。本実施の形態では、なす角θ1及びθ2を共に90°とした。
Specifically, as shown in FIG. 5A, for example, the first through-hole is formed in the first
また、図5B及び図5Cに示すように、例えば誘電体ブロック12の一方の開放端面30aと平行な第2仮想面32bに、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bを投影することを考える。この場合、図2Bと同様に、第1共振器孔18aの中心軸26aと第2共振器孔18bの中心軸26bとを結ぶ線分を第2仮想面32bに投影させた線分36と、該線分36の中点で直交する仮想線38とを設定する。このとき、図5Aに示すように、第1貫通孔28a(投影画像)の軸線34aと仮想線38とのなす角θaとして、−20°〜+20°が選択可能であり、図5Bに示すように、第2貫通孔28b(投影画像)の軸線34bと仮想線38とのなす角θbとして、−20°〜+20°が選択可能である。なす角θa及びθbは同じでもよいし、異なっていてもよい。本実施の形態では、なす角θa及びθbを共に0°とした。
Further, as shown in FIGS. 5B and 5C, for example, the first through
なお、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの断面形状は、第1誘電体フィルタ10Aと同様に、円形でもよいし、その他、三角形、矩形、五角形、六角形等の多角形でもよい。本実施の形態では矩形とした。
The cross-sectional shapes of the first through
この第2誘電体フィルタ10Bにおいては、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18aと第2共振器孔18b間に2つの貫通孔(第1貫通孔28a及び第2貫通孔28b)を設けたので、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの形成位置、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの相対位置関係、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bのサイズによって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、第1誘電体フィルタ10Aよりも減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、さらに、設計上の自由度を向上させることができる。
In the second
次に、第3の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第3誘電体フィルタ10Cと記す)について図6を参照しながら説明する。 Next, a dielectric filter according to a third embodiment (hereinafter referred to as a third dielectric filter 10C) will be described with reference to FIG.
第3誘電体フィルタ10Cは、図6に示すように、上述した第1誘電体フィルタ10Aとほぼ同様の構成を有するが、1つの貫通孔28と、2つの溝(第1溝40a及び第2溝40b)を設けた点で異なる。
As shown in FIG. 6, the third dielectric filter 10C has substantially the same configuration as the first
この場合、1つの貫通孔28による減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができるほか、第1溝40a及び第2溝40bの幅や深さによっても、減衰極の位置の調整、減衰量の調整ができ、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができる。
In this case, the position of the attenuation pole and adjustment of the attenuation amount can be adjusted by one through
上述の例では、2つの共振器孔(第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b)を有する実施の形態例を主体に説明したが、その他、次のような実施の形態例も好ましく採用することができる。
In the above-described example, the embodiment having two resonator holes (the
すなわち、第4の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第4誘電体フィルタ10Dと記す)は、図7A及び図7Bに示すように、上述した第1誘電体フィルタ10A(図1A及び図1B参照)とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
In other words, the dielectric filter according to the fourth embodiment (hereinafter referred to as the fourth
すなわち、誘電体ブロック12に4つの共振器孔(第1共振器孔18a〜第4共振器孔18d)を有する。また、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18aと第2共振器孔18b間、第2共振器孔18bと第3共振器孔18c間、第3共振器孔18cと第4共振器孔18d間にそれぞれ貫通孔28を有する。
In other words, the
次に、第5の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第5誘電体フィルタ10Eと記す)は、図8A及び図8Bに示すように、上述した第1誘電体フィルタ10A(図1A及び図1B参照)とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
Next, as shown in FIGS. 8A and 8B, the dielectric filter according to the fifth embodiment (hereinafter referred to as the fifth
すなわち、誘電体ブロック12の入力側に2つの共振器孔(第1入力共振器孔18a1及び第2入力共振器孔18a2)を有し、誘電体ブロック12の出力側に2つの共振器孔(第1出力共振器孔18b1及び第2出力共振器孔18b2)を有する。また、誘電体ブロック12のうち、第1入力共振器孔18a1と第1出力共振器孔18b1間を貫通し、第2入力共振器孔18a2と第2出力共振器孔18b2間を貫通する貫通孔28が形成されている。
In other words, the
次に、第6の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第6誘電体フィルタ10Fと記す)は、図9A及び図9Bに示すように、上述した第5誘電体フィルタ10E(図8A及び図8B参照)とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
Next, as shown in FIGS. 9A and 9B, the dielectric filter according to the sixth embodiment (hereinafter referred to as the sixth
すなわち、誘電体ブロック12のうち、第1入力共振器孔18a1と第1出力共振器孔18b1間を貫通し、第2入力共振器孔18a2と第2出力共振器孔18b2間を貫通する第1貫通孔28aが形成されている。さらに、誘電体ブロック12のうち、第1入力共振器孔18a1と第2入力共振器孔18a2間を貫通し、第1出力共振器孔18b1と第2出力共振器孔18b2間を貫通する第2貫通孔28bが形成されている。すなわち、第1貫通孔28aと第2貫通孔28bとが互いにねじれの位置となるように形成されている。
That is, in the
これら第4誘電体フィルタ10D〜第6誘電体フィルタ10Fにおいても、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。
Also in the fourth
次に、第7〜第9の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第7誘電体フィルタ10G〜第9誘電体フィルタ10Iと記す)について図10A〜図10Cを参照しながら説明する。
Next, dielectric filters according to seventh to ninth embodiments (hereinafter referred to as seventh
第7誘電体フィルタ10G〜第9誘電体フィルタ10Iでは、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bをそれぞれ1/4波長共振器に適用した点で、上述した第1誘電体フィルタ10A〜第6誘電体フィルタ10Fと異なる。
In the seventh
すなわち、第7誘電体フィルタ10G〜第9誘電体フィルタ10Iは、図10A〜図10Cに示すように、誘電体ブロック12の外面に外導体42が形成され、誘電体ブロック12の例えば一方の端面14aが開放端面30とされ、他方の端面14bが短絡端面44とされる。
That is, in the seventh
そして、第7誘電体フィルタ10Gは、図10Aに示すように、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間であって、短絡端面44に近い位置に、第1誘電体フィルタ10Aと同様の1つの貫通孔28を有する。
Then, as shown in FIG. 10A, the seventh
第8誘電体フィルタ10Hは、図10Bに示すように、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に、第2誘電体フィルタ10Bと同様の2つの貫通孔(第1貫通孔28a及び第2貫通孔28b)を有する。例えば開放端面30に近い位置に第1貫通孔28aが形成され、短絡端面44に近い位置に第2貫通孔28bが形成される。
As shown in FIG. 10B, the eighth
第9誘電体フィルタ10Iは、図10Cに示すように、誘電体ブロック12のうち、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に、第3誘電体フィルタ10Cと同様の1つの貫通孔28と1つの溝40とを有する。例えば開放端面30に溝40が形成され、短絡端面44に近い位置に貫通孔28が形成される。
As shown in FIG. 10C, the ninth dielectric filter 10I has one penetration similar to the third dielectric filter 10C between the
これら第7誘電体フィルタ10G〜第9誘電体フィルタ10Iにおいても、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。
Also in the seventh
次に、第10の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第10誘電体フィルタ10Jと記す)について図11A及び図11Bを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a tenth embodiment (hereinafter referred to as a tenth
第10誘電体フィルタ10Jは、図11A及び図11Bに示すように、上述した第1誘電体フィルタ10Aとほぼ同様の構成を有するが、誘電体ブロックの一対の端面(一方の開放端面及び他方の開放端面)を除く4つの側面(第1側面20a〜第4側面20d)に第1導体52が形成されている点で異なる。特に、図11A及び図11Bの例では、第1側面20a〜第4側面20dの全面にかけて第1導体52を形成した例を示す。
As shown in FIGS. 11A and 11B, the tenth
例えば第1誘電体フィルタ10Aにおいて、シールド構造をとる場合、外部シールド、例えば金属製の筐体を別途準備し、この筐体内に第1誘電体フィルタ10Aを収容することが挙げられる。しかし、このようなシールド構造では、サイズが大型化するという問題がある。
For example, when the first
一方、この第10誘電体フィルタ10Jでは、4つの側面20a〜20dに形成された第1導体52に一定の電位(例えば接地電位)を印加することで、シールド構造をとることができるため、第10誘電体フィルタ10Jを金属製の筐体内に収容する必要がなくなる。すなわち、外部シールド等を別途準備する必要がなくなる。これは、誘電体フィルタのサイズの小型化やコストの低廉化等において有利になる。
On the other hand, the tenth
次に、第11の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第11誘電体フィルタ10Kと記す)について図12A〜図14Bを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to an eleventh embodiment (hereinafter referred to as an eleventh
第11誘電体フィルタ10Kは、図12A及び図12Bに示すように、上述した第10誘電体フィルタ10Jとほぼ同様の構成を有するが、貫通孔28の内壁全面(図12B参照)又は内壁の一部(図13A〜図14B参照)に、第1導体52と導通する第2導体54が形成されている点で異なる。この場合、貫通孔28の形成位置、貫通孔28のサイズに加えて、第2導体54の形成位置や形成範囲(形成量)等によって、減衰極の位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。すなわち、減衰極の位置及び減衰量の調整範囲を広くすることができ、設計上の自由度を向上させることができる。また、共振器間の結合の調整量が広がり、より急峻な減衰特性を有する誘電体フィルタを得ることができる。
As shown in FIGS. 12A and 12B, the eleventh
貫通孔28の内壁の一部に第2導体54を形成する例としては、例えば図13A及び図13Bに示す誘電体フィルタ10Kaのように、貫通孔28の内壁のうち、共振器孔18a及び18bの軸線方向に関して対向する内壁については全面に第2導体54を形成し、共振器孔18a及び18bの配列方向に関して対向する内壁については第2導体54を一部だけ形成する形態が挙げられる。
As an example of forming the
その他の例としては、図14A及び図14Bに示す誘電体フィルタ10Kbのように、貫通孔28の内壁のうち、共振器孔18a及び18bの軸線方向に関して対向する内壁については第2導体54を形成せず、共振器孔18a及び18bの配列方向に関して対向する内壁については全面に第2導体54を形成する形態が挙げられる。もちろん、その他、種々の形態が挙げられる。
As another example, like the dielectric filter 10Kb shown in FIGS. 14A and 14B, among the inner walls of the through
次に、第12の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第12誘電体フィルタ10Lと記す)について図15A及び図15Bを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a twelfth embodiment (hereinafter referred to as a twelfth
第12誘電体フィルタ10Lは、図15A及び図15Bに示すように、上述した第10誘電体フィルタ10Jとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
As shown in FIGS. 15A and 15B, the twelfth
すなわち、誘電体ブロック12の一対の端面14a及び14b(一対の開放端面30a及び30b)のうち、少なくとも1つの開放端面、例えば一方の開放端面30aに、第1共振器孔18aの内導体16と導通する第1電極56aと、第2共振器孔18bの内導体16と導通する第2電極56bとが形成されている。第1電極56a及び第2電極56bは共に、第1導体52との間で容量を形成する。もちろん、他方の開放端面30bにも第1電極56a及び第2電極56bを形成してもよい。
That is, of the pair of end faces 14a and 14b (a pair of open end faces 30a and 30b) of the
この場合、後述する図23の等価回路において、共振器48aを構成する容量C1と並列に容量が付加され、共振器48bを構成する容量C2と並列に容量が付加されることから、各共振器48a及び48bの共振周波数が低くなる。その結果、各共振器48a及び48bの共振器長を短くすることができ、第12誘電体フィルタ10Lの小型化を図ることができる。しかも、誘電体ブロック12に第1電極56a及び第2電極56bを形成した後に、第1電極56a及び第2電極56bの寸法を調整することで、各共振器48a及び48bの共振周波数を調整することが可能となる。また、第1電極56a及び第2電極56bを通じて外部回路との電気的接続も容易になる。
In this case, in the equivalent circuit of FIG. 23 described later, a capacitor is added in parallel with the capacitor C1 constituting the
第1電極56a及び第2電極56bとしては、図16A及び図16Bに示す誘電体フィルタ10Laのように、第1電極56aの一方の端面を誘電体ブロック12の第1側面20aまで延在させ、第2電極56bの一方の端面を誘電体ブロック12の第2側面20bまで延在させてもよい。この場合、第1側面20a及び第2側面20bに形成された第1導体52にそれぞれ切欠き58a及び58bを設けて、第1電極56a及び第2電極56bと接触しないようにする。切欠き58a及び58bの形成範囲は、第1電極56aと第1導体52との間に容量が形成され、第2電極56bと第1導体52との間に容量が形成される程度の範囲が好ましい。
As the
次に、第13の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第13誘電体フィルタ10Mと記す)について図17A及び図17Bを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a thirteenth embodiment (hereinafter referred to as a thirteenth
第13誘電体フィルタ10Mは、図17A及び図17Bに示すように、上述した第10誘電体フィルタ10Jとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
As shown in FIGS. 17A and 17B, the thirteenth
すなわち、誘電体ブロック12の一対の端面14a及び14b(一対の開放端面30a及び30b)のうち、少なくとも1つの開放端面、例えば一方の開放端面30aに、第1導体52と導通し、且つ、第1共振器孔18aの内導体16との間で容量を形成し、さらに、第1共振器孔18aの内導体16との間で容量を形成する電極60が形成されている点で異なる。
That is, of the pair of end faces 14a and 14b (a pair of open end faces 30a and 30b) of the
この場合も、上述した第12誘電体フィルタ10Lと同様に、各共振器48a及び48bの共振器長を短くすることができ、第12誘電体フィルタ10Lの小型化を図ることができる。しかも、誘電体ブロック12に電極を形成した後に、電極の寸法を調整することで、各共振器48a及び48bの共振周波数を調整することが可能となる。
Also in this case, similarly to the twelfth
次に、第14の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第14誘電体フィルタ10Nと記す)について図18A〜図18Cを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a fourteenth embodiment (hereinafter referred to as a fourteenth
第14誘電体フィルタ10Nは、図18Aに示すように、上述した第12誘電体フィルタ10L(図15A参照)とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
As shown in FIG. 18A, the fourteenth
すなわち、誘電体ブロック12の一対の端面14a及び14b(一対の開放端面30a及び30b)のうち、少なくとも1つの開放端面、例えば一方の開放端面30aに、隣接する第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に容量を形成する第3導体62が形成されている。具体的には、第1電極56aのうち、第2電極56bと対向する側面に一方の第3導体62aが形成され、第2電極56bのうち、第1電極56aと対向する側面に他方の第3導体62bが形成され、これら一方の第3導体62aと他方の第3導体62bとが対向することで、隣接する第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に容量が形成される。
That is, among the pair of
この場合、各第3導体62の寸法を調整することで、共振器48a及び48b間の結合度を調整することが可能となる。
In this case, it is possible to adjust the degree of coupling between the
もちろん、図18Bに示す誘電体フィルタ10Naのように、隣接する第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間にインダクタンスを形成する第3導体62を形成してもよい。この場合、インダクタンスを形成する第3導体62の寸法を調整することで、共振器48a及び48b間の結合度を調整することが可能となる。
Of course, like the dielectric filter 10Na shown in FIG. 18B, a
また、図18Cに示す誘電体フィルタ10Nbのように、隣接する第1共振器孔18a及び第2共振器孔18b間に容量を形成する第3導体62と、インダクタンスを形成する第3導体62を形成してもよい。この場合、容量を形成する第3導体62と、インダクタンスを形成する第3導体62の寸法を調整することで、共振器48a及び48b間の結合度を調整することが可能となる。
Further, like the dielectric filter 10Nb shown in FIG. 18C, a
次に、第15の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第15誘電体フィルタ10Pと記す)について図19A〜図20Bを参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to the fifteenth embodiment (hereinafter referred to as the fifteenth
第15誘電体フィルタ10Pは、図19Aに示すように、上述した第14誘電体フィルタ10N(図18A参照)とほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
As shown in FIG. 19A, the fifteenth
すなわち、誘電体ブロック12の一対の端面14a及び14b(一対の開放端面30a及び30b)のうち、少なくとも1つの開放端面、例えば一方の開放端面30aに、第1共振器孔18a側の第1電極56aと誘電体ブロック12の第1側面20aとの間に第1端子電極64aが形成され、第2共振器孔18b側の第2電極56bと誘電体ブロック12の第2側面20bとの間に第2端子電極64bが形成されている。
That is, of the pair of end faces 14a and 14b (a pair of open end faces 30a and 30b) of the
第1電極56aと第1端子電極64aとの間には容量が形成され、同様に、第2電極56bと第2端子電極64bとの間には容量が形成される。
A capacitance is formed between the
ここで、例えば複数の誘電体フィルタを直列に接続する場合を想定する。図20Aに示すように、2つの第14誘電体フィルタ10Nを直列に接続する場合、一方の第14誘電体フィルタ10Nの第2電極56bと、他方の第14誘電体フィルタ10Nの第1電極56aとを配線66を介して電気的に接続することが挙げられる。このような場合、2つの第14誘電体フィルタ10N間の電気的結合定数を調整するために、専用の整合回路68が実装された図示しない外部基板を用意する必要があり、小型化には限界が生じる。
Here, for example, a case where a plurality of dielectric filters are connected in series is assumed. As shown in FIG. 20A, when two 14th
一方、図20Bに示すように、第15誘電体フィルタ10Pでは、第1共振器孔18aと容量で結合する第1端子電極64aと、第2共振器孔18bと容量で結合する第2端子電極64bとを有することから、専用の整合回路68がなくても、第15誘電体フィルタ10P間の電気的結合定数を調整することができる。その結果、一方の第15誘電体フィルタ10Pにおける第2端子電極64bと、他方の第15誘電体フィルタ10Pにおける第1端子電極64aとを配線66で直接接続するだけで済み、専用の整合回路68が実装された外部基板を用意する必要がない。これにより、複数の誘電体フィルタを設置した各種機器の小型化を図ることができる。
On the other hand, as shown in FIG. 20B, in the fifteenth
もちろん、図19Bに示す誘電体フィルタ10Paのように、第1電極56aと第1端子電極64aとの間、並びに第2電極56bと第2端子電極64bとの間にそれぞれインダクタンスを形成する第4導体70を形成してもよい。この場合も、専用の整合回路68がなくても、第15誘電体フィルタ10P間の電気的結合定数を調整することができる。
Of course, as in the dielectric filter 10Pa shown in FIG. 19B, fourth inductances are formed between the
また、図19Cに示す誘電体フィルタ10Pbのように、第1電極56aと第1端子電極64aとの間、並びに第2電極56bと第2端子電極64bとの間にそれぞれ容量を形成する第4導体70と、インダクタンスを形成する第4導体70を形成してもよい。この場合も、専用の整合回路68がなくても、第15誘電体フィルタ10P間の電気的結合定数を調整することができる。
Further, as in the dielectric filter 10Pb shown in FIG. 19C, a fourth capacitor is formed between the
[第1実施例]
比較例、参考例、実施例1及び実施例2についてそれぞれ減衰特性を確認した。例えば図21に示すように、誘電体ブロック12の縦Da、横Db及び高さHの寸法は、12mm、24mm及び19mmである。第1共振器孔18aの中心軸26aと第2共振器孔18bの中心軸26bとの離間距離Dcは12mmである。[First embodiment]
The attenuation characteristics of the comparative example, the reference example, the example 1 and the example 2 were confirmed. For example, as shown in FIG. 21, the dimensions of the vertical Da, the horizontal Db, and the height H of the
(比較例1)
比較例に係る誘電体フィルタ100は、図21に示すように、第1誘電体フィルタ10Aと同様に、誘電体ブロック12と、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bと、入力端子22と、出力端子24とを有するが、貫通孔28は設けられていない。(Comparative Example 1)
As shown in FIG. 21, the
(参考例1)
参考例1に係る誘電体フィルタ102は、図22A及び図22Bに示すように、第1誘電体フィルタ10Aと同様に、誘電体ブロック12と、第1共振器孔18a及び第2共振器孔18bと、入力端子22と、出力端子24とを有するが、以下の点で異なる。すなわち、各開放端面30a、30bのうち、それぞれ第1共振器孔18aと第2共振器孔18bの間に第1溝40a及び第2溝40bが形成されている。貫通孔28は設けられていない。参考例1の第1溝40a及び第2溝40bの寸法は、幅wが3mm、深さhが4mmである。(Reference Example 1)
As shown in FIGS. 22A and 22B, the
(実施例1)
実施例1は、図1A及び図1Bに示す第1誘電体フィルタ10Aと同様の構成を有する。実施例1の貫通孔28の断面形状は、誘電体ブロック12の高さ方向を一方の辺46a、誘電体ブロック12の横方向を他方の辺46bとする長方形である。一方の辺46aの長さdaは4mm、他方の辺46bの長さdbは3mmである。Example 1
Example 1 has the same configuration as the first
(実施例2)
実施例2は、図4A及び図4Bに示す第2誘電体フィルタ10Bと同様の構成を有する。実施例2の第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各断面形状は、実施例1と同様に、誘電体ブロック12の高さ方向を一方の辺46a、誘電体ブロック12の横方向を他方の辺46bとする矩形である。一方の辺46aの長さdaは4mm、他方の辺46bの長さdbは3mmである。第1貫通孔28aの軸線34aの位置は、一方の開放端面30aから3mm(=dc)の地点であり、第2貫通孔28bの軸線34bの位置は、他方の開放端面30bから3mm(=dc)の地点である。(Example 2)
Example 2 has the same configuration as the second
(等価回路)
比較例1、参考例1、実施例1及び実施例2の等価回路は、図23に示すように、第1共振器孔18aによる入力側共振器48aと、第2共振器孔18bによる出力側共振器48bと、入力端子22と入力側共振器48a間に挿入接続された入力側容量Caと、出力端子24と出力側共振器48b間に挿入接続された出力側容量Cbとを有する。さらに、入力側共振器48aと出力側共振器48bとの間に、第1共振器孔18aと第2共振器孔18b間の電界結合及び磁界結合による共振器50が接続される。入力側共振器48a及び出力側共振器48bは共に、容量C1とインダクタンスL1による並列共振回路にて構成され、共振器50は容量C2とインダクタンスL2による並列共振回路にて構成される。(Equivalent circuit)
As shown in FIG. 23, the equivalent circuits of Comparative Example 1, Reference Example 1, Example 1 and Example 2 are an
(減衰特性)
比較例1、参考例1、実施例1及び実施例2の減衰特性を図24A、図24B、図25A及び図25Bに示す。図24A〜図25Bにおいて、Pは、減衰極を示す。(Attenuation characteristics)
The attenuation characteristics of Comparative Example 1, Reference Example 1, Example 1 and Example 2 are shown in FIGS. 24A, 24B, 25A and 25B. 24A to 25B, P represents an attenuation pole.
参考例1は、図24Bに示すように、比較例1の特性(図24A参照)と比較すると、中心周波数fcより低域側に減衰極Pが現れている。これは、溝40a及び40b(図22A及び図22B参照)の形成によって、入力側共振器48a及び出力側共振器48b間の容量結合が弱まり、比較例1に示す低域側の減衰極P(図24A参照)が中心周波数fcの近傍に移動したからだと考えられる。しかし、中心周波数fcより低域側の減衰量は比較例1とほとんど同じであり、減衰量の低減は実現できていない。また、高域側にも、減衰極Pが中心周波数fcの近傍に現れているが、高域側の減衰量は比較例1と比して小さくなっている。
In the reference example 1, as shown in FIG. 24B, the attenuation pole P appears on the lower frequency side than the center frequency fc as compared with the characteristic of the comparative example 1 (see FIG. 24A). This is because the capacitive coupling between the input-
一方、実施例1は、図25Aに示すように、比較例1とほぼ同様の減衰特性を有する。しかし、比較例1では、減衰極Pの位置の調整や、低域側の減衰量の調整のために、外部回路が必要となるが、実施例1では、貫通孔28の位置、サイズ(一方の辺46aの長さda、他方の辺46bの長さdb)を適宜調整することで、減衰極Pの位置の調整や、低域側の減衰量の調整を行うことができる。
On the other hand, Example 1 has substantially the same attenuation characteristics as Comparative Example 1, as shown in FIG. 25A. However, in Comparative Example 1, an external circuit is required for adjusting the position of the attenuation pole P and adjusting the attenuation amount on the low frequency side. However, in Example 1, the position and size of the through hole 28 (one side) By appropriately adjusting the length da of the
実施例2は、図25Bに示すように、中心周波数fcより低域側であって、中心周波数fcの近傍に減衰極Pが現れ、中心周波数fcより高域側にも中心周波数fcの近傍に減衰極Pが現れている。しかも、中心周波数fcより低域側の減衰量が比較例1、参考例1及び実施例1よりも大きい。これは、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの形成によって、入力側共振器48aと出力側共振器48b間の電界結合と磁界結合を共に調整できたからだと考えられる。しかも、実施例2では、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの形成位置、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの相対位置関係、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bのサイズによって、減衰極Pの位置の調整、減衰量の調整を行うことができる。
In the second embodiment, as shown in FIG. 25B, the attenuation pole P appears on the lower side of the center frequency fc and in the vicinity of the center frequency fc, and near the center frequency fc on the higher side of the center frequency fc. An attenuation pole P appears. In addition, the amount of attenuation on the lower frequency side than the center frequency fc is larger than those of Comparative Example 1, Reference Example 1, and Example 1. This is probably because the electric field coupling and magnetic field coupling between the input-
[第2実施例]
上述した参考例1と実施例2について、減衰極の位置の調整範囲を確認した。[Second Embodiment]
For Reference Example 1 and Example 2 described above, the adjustment range of the attenuation pole position was confirmed.
(参考例1)
上述した参考例1における第1溝40a及び第2溝40bの深さhを2mm、4mm及び6mmとしたときの減衰特性を確認した。この減衰特性を図26に示す。この図26において、曲線Ia(破線で示す)が深さ2mmの特性を示し、曲線Ib(実線で示す)が深さ4mmの特性を示し、曲線Ic(一点鎖線で示す)が深さ6mmの特性を示す。(Reference Example 1)
The attenuation characteristics were confirmed when the depth h of the
(実施例2)
上述した実施例2における第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置を変更した場合の減衰特性と、第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各一方の辺46aの長さdaを変更した場合の減衰特性、並びに第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各他方の辺46bの長さdbを変更した場合の減衰特性を確認した。これらの減衰特性を図27及び図28に示す。(Example 2)
Attenuation characteristics when the positions of the
図27において、曲線Ja、Jb、Jc、Jd及びJeは、以下の減衰特性を示す。 In FIG. 27, curves Ja, Jb, Jc, Jd and Je indicate the following attenuation characteristics.
曲線Ja(実線で示す):第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置が一方の開放端面30a及び他方の開放端面30bから3mmの地点(特定地点という)にある。
曲線Jb(破線で示す):第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置が、特定地点よりも0.5mmだけ深い位置にある。
曲線Jc(一点鎖線で示す):第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置が、特定地点よりも1.0mmだけ深い位置にある。
曲線Jd(二点鎖線で示す):第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置が、特定地点よりも0.5mmだけ浅い位置にある。
曲線Je(点線で示す):第1貫通孔28aの軸線34a及び第2貫通孔28bの軸線34bの位置が、特定地点よりも1.0mmだけ浅い位置にある。Curve Ja (indicated by a solid line): the positions of the
Curve Jb (shown by a broken line): The positions of the
Curve Jc (indicated by the alternate long and short dash line): The positions of the
Curve Jd (indicated by a two-dot chain line): The positions of the
Curve Je (indicated by a dotted line): The positions of the
図28において、曲線Ka、Kb及びKcは、以下の減衰特性を示す。 In FIG. 28, curves Ka, Kb and Kc show the following attenuation characteristics.
曲線Ka(実線で示す):第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各一方の辺46aの長さdaが4mm、各他方の辺46bの長さdbが3mmである。
曲線Kb(破線で示す):第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各一方の辺46aの長さdaが3mm、各他方の辺46bの長さdbが3mmである。
曲線Kc(一点鎖線で示す):第1貫通孔28a及び第2貫通孔28bの各一方の辺46aの長さdaが4mm、各他方の辺46bの長さdbが3.5mmである。Curve Ka (shown by a solid line): The length da of each one
Curve Kb (indicated by a broken line): The length da of each one
Curve Kc (indicated by the alternate long and short dash line): The length da of each one
(結果)
参考例1は、図26に示すように、中心周波数fcより低域側の減衰極の位置の変化は、100MHzの範囲であり、中心周波数fcより高域側の減衰極の位置の変化は、50MHzの範囲であった。(result)
In Reference Example 1, as shown in FIG. 26, the change in the position of the attenuation pole on the lower frequency side than the center frequency fc is in the range of 100 MHz, and the change in the position of the attenuation pole on the higher frequency side from the center frequency fc is The range was 50 MHz.
これに対して、実施例2は、図27及び図28に示すように、中心周波数fcより低域側の減衰極の位置の変化は、150MHzの範囲であり、中心周波数fcより高域側の減衰極の位置の変化は、300MHzの範囲であった。 On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIGS. 27 and 28, the change in the position of the attenuation pole on the lower frequency side than the center frequency fc is in the range of 150 MHz, which is higher on the higher frequency side than the center frequency fc. The change in the position of the attenuation pole was in the range of 300 MHz.
このように、実施例2は、参考例1よりも減衰極の位置の調整を広範囲に行うことができることがわかる。 Thus, it can be seen that the second embodiment can adjust the position of the attenuation pole in a wider range than the first reference example.
なお、本発明に係る誘電体フィルタ及び誘電体フィルタの減衰特性調整方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 It should be noted that the dielectric filter and the method for adjusting the attenuation characteristic of the dielectric filter according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention. .
Claims (23)
前記誘電体ブロック(12)のうち、前記複数の共振器孔(18a,18b)間に、前記複数の共振器孔(18a,18b)に対してねじれの位置に1以上の貫通孔(28)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。In a dielectric filter having a plurality of resonator holes (18a, 18b) in which inner conductors (16) are formed on an inner surface through a pair of opposed end surfaces (14a, 14b) of a dielectric block (12) ,
In the dielectric block (12), between the plurality of resonator holes (18a, 18b), one or more through holes (28) are disposed at a twisted position with respect to the plurality of resonator holes (18a, 18b). A dielectric filter characterized by being formed.
前記複数の共振器孔(18a,18b)が平行に形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 1, wherein
The dielectric filter, wherein the plurality of resonator holes (18a, 18b) are formed in parallel.
前記共振器孔(18a)の軸方向に沿って延び、且つ、前記共振器孔(18a)を二分する第1仮想面(32a)に前記貫通孔(28)を投影した際の前記共振器孔(18a)と前記貫通孔(28)とのなす角(θ1)は、60°〜120°であることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 1 or 2,
The resonator hole when the through hole (28) is projected onto a first virtual plane (32a) that extends along the axial direction of the resonator hole (18a) and bisects the resonator hole (18a). An angle (θ1) formed by (18a) and the through hole (28) is 60 ° to 120 °.
前記第1仮想面(32a)に前記貫通孔(28)を投影した際の前記共振器孔(18a)と前記貫通孔(28)とのなす角(θ1)は、90°であることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 3, wherein
An angle (θ1) formed by the resonator hole (18a) and the through hole (28) when the through hole (28) is projected onto the first imaginary plane (32a) is 90 °. A dielectric filter.
2つの前記共振器孔(18a,18b)を有し、
前記誘電体フィルタの前記端面(30a)と平行な第2仮想面(32b)に、2つの前記共振器孔(18a,18b)の各中心軸(26a,26b)を結ぶ線分を前記第2仮想面(32b)に投影させた線分(36)と、該線分(36)の中点で直交する仮想線(38)とを設定したとき、前記貫通孔(28)を前記第2仮想面(32b)に投影した際の前記貫通孔(28)と前記仮想線(38)とのなす角(θa)は、−20°〜+20°であることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to any one of claims 1 to 4,
Two resonator holes (18a, 18b),
A line segment connecting the central axes (26a, 26b) of the two resonator holes (18a, 18b) to the second virtual surface (32b) parallel to the end face (30a) of the dielectric filter is defined as the second segment. When the line segment (36) projected on the virtual plane (32b) and the virtual line (38) orthogonal to the midpoint of the line segment (36) are set, the through hole (28) is moved to the second virtual An angle (θa) formed by the through hole (28) and the imaginary line (38) when projected onto the surface (32b) is -20 ° to + 20 °.
前記貫通孔(28)を前記第2仮想面(32b)に投影した際の前記貫通孔(28)と前記仮想線(38)とのなす角(θa)は、0°であることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 5, wherein
An angle (θa) formed by the through hole (28) and the virtual line (38) when the through hole (28) is projected onto the second virtual plane (32b) is 0 °. Dielectric filter.
2つの前記貫通孔(28a,28b)を有し、
2つの前記貫通孔(28a,28b)が平行に形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。In the dielectric filter according to any one of claims 1 to 6,
Two through holes (28a, 28b),
The dielectric filter, wherein the two through holes (28a, 28b) are formed in parallel.
前記誘電体ブロック(12)の前記一対の端面(14a,14b)が共に開放端面(30a,30b)であり、
前記共振器孔(18a,18b)が1/2波長共振器を構成することを特徴とする誘電体フィルタ。In the dielectric filter according to any one of claims 1 to 7,
Both of the pair of end faces (14a, 14b) of the dielectric block (12) are open end faces (30a, 30b);
The dielectric filter, wherein the resonator holes (18a, 18b) constitute a half-wave resonator.
前記誘電体ブロック(12)の前記一対の端面(14a,14b)のうち、一方の端面(14a)が開放端面(30a)で、他方の端面(14b)が短絡端面(44)であり、
前記共振器孔(18a,18b)が1/4波長共振器を構成することを特徴とする誘電体フィルタ。In the dielectric filter according to any one of claims 1 to 6,
Of the pair of end faces (14a, 14b) of the dielectric block (12), one end face (14a) is an open end face (30a), and the other end face (14b) is a short-circuit end face (44),
The dielectric filter, wherein the resonator holes (18a, 18b) constitute a quarter wavelength resonator.
前記誘電体ブロック(12)のうち、前記端面であって、且つ、前記複数の共振器孔(18a,18b)間に溝を有することを特徴とする誘電体フィルタ。In the dielectric filter according to any one of claims 1 to 9,
A dielectric filter having a groove between the plurality of resonator holes (18a, 18b) on the end face of the dielectric block (12).
前記誘電体ブロック(12)の前記一対の端面(14a,14b)を除く複数の側面に第1導体(52)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。In the dielectric filter according to any one of claims 1 to 10,
A dielectric filter, wherein a first conductor (52) is formed on a plurality of side surfaces excluding the pair of end surfaces (14a, 14b) of the dielectric block (12).
前記複数の側面全面に前記第1導体(52)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 11, wherein
The dielectric filter, wherein the first conductor (52) is formed on the entire surface of the plurality of side surfaces.
前記貫通孔(28)の内壁全面又は内壁の一部に、前記第1導体(52)と導通する第2導体(54)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 11 or 12,
A dielectric filter, wherein a second conductor (54) electrically connected to the first conductor (52) is formed on the entire inner wall of the through hole (28) or a part of the inner wall.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、前記共振器孔(18a,18b)の内導体と導通し、且つ、前記第1導体(52)との間で容量を形成する電極(56a,56b)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to any one of claims 11 to 13,
Of the pair of end faces (14a, 14b), at least one end face (14a) is electrically connected to the inner conductor of the resonator hole (18a, 18b), and between the first conductor (52). A dielectric filter, wherein electrodes (56a, 56b) for forming capacitors are formed.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、前記第1導体(52)と導通し、且つ、前記共振器孔(18a,18b)との間で容量を形成する電極(60)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to any one of claims 11 to 13,
Of the pair of end faces (14a, 14b), at least one end face (14a) is electrically connected to the first conductor (52) and forms a capacitance between the resonator holes (18a, 18b). A dielectric filter, characterized in that an electrode (60) is formed.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、隣接する共振器孔(18a,18b)間に少なくとも容量を形成する第3導体(62)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 14, wherein
Of the pair of end faces (14a, 14b), at least one end face (14a) is formed with a third conductor (62) that forms at least a capacitance between adjacent resonator holes (18a, 18b). A dielectric filter characterized by the above.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、隣接する共振器孔(18a,18b)間に少なくともインダクタンスを形成する第3導体(62)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 14, wherein
Of the pair of end faces (14a, 14b), at least one end face (14a) is formed with a third conductor (62) that forms at least an inductance between adjacent resonator holes (18a, 18b). A dielectric filter characterized by the above.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、隣接する共振器孔(18a,18b)間に並列に容量とインダクタンスとを形成する第3導体(62)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to claim 14, wherein
A third conductor (62) for forming a capacitance and an inductance in parallel between adjacent resonator holes (18a, 18b) is formed on at least one end surface (14a) of the pair of end surfaces (14a, 14b). A dielectric filter characterized by being made.
前記一対の端面(14a,14b)のうち、少なくとも1つの端面(14a)に、前記共振器孔(18a,18b)と容量、又はインダクタンス、又は容量及びインダクタンスで結合する端子電極(64a,64b)が形成されていることを特徴とする誘電体フィルタ。The dielectric filter according to any one of claims 16 to 18, wherein
Of the pair of end faces (14a, 14b), at least one end face (14a) is coupled to the resonator hole (18a, 18b) with the capacitance, or the inductance, or the terminal electrode (64a, 64b) with the capacitance and the inductance. A dielectric filter characterized by being formed.
前記誘電体ブロック(12)のうち、前記複数の共振器孔(18a,18b)間に、前記複数の共振器孔(18a,18b)に対してねじれの位置に1以上の貫通孔(28)を形成することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。In the method for adjusting the attenuation characteristics of a dielectric filter having a plurality of resonator holes (18a, 18b) in the dielectric block (12),
In the dielectric block (12), between the plurality of resonator holes (18a, 18b), one or more through holes (28) are disposed at a twisted position with respect to the plurality of resonator holes (18a, 18b). A method for adjusting the attenuation characteristic of a dielectric filter, comprising: forming a dielectric filter.
前記貫通孔(28)を形成することによって、中心周波数より低域側の減衰量を大きくすることを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。The method for adjusting attenuation characteristics of a dielectric filter according to claim 20,
A method for adjusting an attenuation characteristic of a dielectric filter, wherein the attenuation amount on a lower frequency side than a center frequency is increased by forming the through hole (28).
前記貫通孔(28)の形成位置を調整することで、減衰極の位置を調整することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。The method for adjusting attenuation characteristics of a dielectric filter according to claim 20 or 21,
A method for adjusting the attenuation characteristic of a dielectric filter, wherein the position of the attenuation pole is adjusted by adjusting the formation position of the through hole (28).
前記貫通孔(28)の寸法を調整することで、減衰極の位置を調整することを特徴とする誘電体フィルタの減衰特性調整方法。The method for adjusting attenuation characteristics of a dielectric filter according to any one of claims 20 to 22,
A method for adjusting the attenuation characteristic of a dielectric filter, wherein the position of the attenuation pole is adjusted by adjusting the dimension of the through hole (28).
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