JP2006109236A - Filter device and duplexer device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば誘電体材料に共振器を形成してなるフィルタ装置、デュプレクサ装置に関する。 The present invention relates to a filter device and a duplexer device in which a resonator is formed in a dielectric material, for example.
通信装置の小型化と利用周波数の高周波数化に伴い、フィルタ装置の小型化に関する技術開発が進められている。このようなフィルタ装置として、誘電体材料に共振器を形成してなる誘電体フィルタが知られている。コムラインタイプの誘電体フィルタにおいては、径大部を有する複数の共振器を結合させることによりフィルタ回路を構成する。隣り合う共振器間の結合のあり方としては、容量性結合と磁界性結合の二つが知られている。この関連技術として、磁界性結合を得るための貫通孔に径大部(座ぐり)と径小部を設ける技術(例えば特許文献1)、共振孔に屈曲型の偏心部を設けて段間結合を得る技術(例えば特許文献2)などが提案されている。共振器を磁界性結合により結合させたフィルタ装置においては、径大部を互いに離間する方向へ偏心させて径大部間に磁界性結合を生じさせ、通過帯域の高域側へ極を発生させている。 With the miniaturization of communication devices and the increase in the frequency of use, technological development relating to the miniaturization of filter devices has been promoted. As such a filter device, a dielectric filter formed by forming a resonator in a dielectric material is known. In the comb line type dielectric filter, a filter circuit is configured by coupling a plurality of resonators having a large diameter portion. There are two known types of coupling between adjacent resonators, capacitive coupling and magnetic coupling. As this related technique, a technique (for example, Patent Document 1) in which a through hole for obtaining magnetic coupling is provided with a large-diameter part (bore face) and a small-diameter part, and a bending-type eccentric part is provided in the resonance hole to provide interstage coupling. The technique (for example, patent document 2) etc. which obtains are proposed. In the filter device in which the resonators are coupled by magnetic coupling, the large diameter portions are decentered in a direction away from each other to generate magnetic coupling between the large diameter portions, and a pole is generated on the high band side of the pass band. ing.
ところで、このような構造を有するフィルタ装置では、入出力端子と共振器とを容量性結合させており、入出力端子を他の接地導体部から分離させる為に誘電体部材の露出部が必要となるが、この露出部は入出力端子と対向する共振器の共振周波数を高くする作用があることが知られている。一方、当該露出部により高くなった共振器の共振周波数を周波数の低い方向へ補整するには、共振器の軸方向の長さ、すなわち共振器全体の共振長を長くする方法が知られているが、結果としてフィルタ装置の大きさを大きくしてしまう。同様に、共振器の共振周波数を低い方向へ補整するには、共振器の径大部の径を大きくする方法も知られているが、この方法もフィルタ装置の大きさを大きくしてしまう。従って、共振器の共振周波数を目的の周波数にすることとフィルタ装置全体の大きさを小さくすることの両立は困難であった。 By the way, in the filter device having such a structure, the input / output terminal and the resonator are capacitively coupled, and an exposed portion of the dielectric member is required to separate the input / output terminal from other ground conductor portions. However, it is known that this exposed portion has an effect of increasing the resonance frequency of the resonator facing the input / output terminal. On the other hand, in order to compensate the resonance frequency of the resonator, which has become higher due to the exposed portion, in the direction of lower frequency, a method of increasing the axial length of the resonator, that is, the resonance length of the entire resonator is known. However, as a result, the size of the filter device is increased. Similarly, in order to compensate the resonance frequency of the resonator in a lower direction, a method of increasing the diameter of the large diameter portion of the resonator is also known, but this method also increases the size of the filter device. Therefore, it has been difficult to make the resonance frequency of the resonator the target frequency and to reduce the overall size of the filter device.
特に、フィルタ装置の小型化を進めることにより、隣り合う共振器間の距離も小さくなるため隣合う共振器間の結合が強くなることに加えて、入出力端子を他の接地導体部と分離する為のセラミック露出部(電極除去部)の影響によって隣り合う共振器間の容量性結合が大きくなることから、所望の磁界性結合が弱まって充分な帯域を得ることができないという問題があった。すなわち、誘電体部材に共振器を形成してなるフィルタ装置においては、フィルタ装置の小型化によりフィルタ特性も変化するため、小型化を図りつつ所望のフィルタ特性をもつフィルタ装置を得ることが困難であった。
このように従来のフィルタ装置、デュプレクサ装置では、小型化を図りつつ所望のフィルタ特性をもつフィルタ装置を得ることが困難であるという問題がある。 As described above, the conventional filter device and duplexer device have a problem that it is difficult to obtain a filter device having desired filter characteristics while achieving downsizing.
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、フィルタ装置の小型化を図りつつ所望のフィルタ特性を得ることのできるフィルタ装置、デュプレクサ装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a filter device and a duplexer device capable of obtaining desired filter characteristics while reducing the size of the filter device.
上記した目的を達成するために、本発明の第1の発明に係るフィルタ装置は、誘電体部材に、並列する複数の貫通孔を形成し、貫通孔が開口する第1および第2の端面のうち第1の端面を除いた誘電体部材の外周面および各貫通孔の内面に導体層を形成して、貫通孔内の導体層を互いに磁界性結合とした複数の共振器からなるフィルタ装置において、共振器の配列方向の両端面に導体層を除去して一対の対向する端子電極を形成するとともに、これらの端子電極と第2の端面の貫通孔の開口部との間の外周面に導体層の一部を除去した周波数調整部を設けたことを特徴としている。 In order to achieve the above-described object, a filter device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of parallel through holes formed in a dielectric member, and first and second end faces at which the through holes are opened. In the filter device comprising a plurality of resonators in which a conductor layer is formed on the outer peripheral surface of the dielectric member excluding the first end surface and the inner surface of each through hole, and the conductor layers in the through hole are magnetically coupled to each other. The conductor layers are removed from both end faces in the arrangement direction of the resonators to form a pair of opposing terminal electrodes, and a conductor is formed on the outer peripheral surface between the terminal electrodes and the opening of the through hole in the second end face. It is characterized in that a frequency adjustment unit from which a part of the layer is removed is provided.
第2の発明に係るフィルタ装置は、第1の発明に係るフィルタ装置において、周波数調整部は、端子電極と第2の端面との間の両側面に導体層の一部を除去してなることを特徴としている。 A filter device according to a second invention is the filter device according to the first invention, wherein the frequency adjusting unit is formed by removing a part of the conductor layer on both side surfaces between the terminal electrode and the second end surface. It is characterized by.
第3の発明に係るフィルタ装置は、第1の発明に係るフィルタ装置において、周波数調整部は、第2の端面に形成されたことを特徴としている。 A filter device according to a third aspect of the present invention is the filter device according to the first aspect of the present invention, characterized in that the frequency adjustment unit is formed on the second end face.
第4の発明に係るフィルタ装置は、第3の発明に係るフィルタ装置において、周波数調整部は、第2の端面の共振器配列方向の両端に形成されたことを特徴としている。 A filter device according to a fourth invention is the filter device according to the third invention, characterized in that the frequency adjusting portions are formed at both ends of the second end face in the resonator arrangement direction.
第5の発明に係るフィルタ装置は、第4の発明に係るフィルタ装置において、周波数調整部は、第2の端面の共振器配列方向の両縁部に形成されたことを特徴としている。 The filter device according to a fifth aspect of the present invention is the filter device according to the fourth aspect of the present invention, characterized in that the frequency adjustment section is formed at both edges of the second end face in the resonator arrangement direction.
第6の発明に係るデュプレクサ装置は、第1ないし第5の発明に係るフィルタ装置を少なくとも1つ具備したことを特徴としている。 A duplexer device according to a sixth aspect of the invention includes at least one filter device according to the first to fifth aspects of the invention.
本発明によれば、フィルタ装置の小型化を図りつつ所望のフィルタ特性を得ることができる。 According to the present invention, desired filter characteristics can be obtained while reducing the size of the filter device.
以下、本発明の1実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係る一つの実施形態のフィルタ装置の原理的回路構成を示す図である。図1に示すように、このフィルタ装置1は、共振器を3つ備えたコムラインタイプのフィルタであり、共振器L1ないしL3、結合インダクタL11ないしL13、結合容量C11ないしC13、入出力容量C1およびC2から構成されている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a basic circuit configuration of a filter device according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
共振器L1は、一端が入出力容量C1を介して入出力端子T1と接続され、他端が接地された共振体である。共振器L1は、誘電体材料に貫通孔を形成し、当該貫通孔内壁面に導体層を形成して管状導体をなすことにより構成される。共振器L1は、フィルタ装置1の通過周波数に応じた大きさに形成され、目標周波数の波長の略四分の一の長さの共振長を有している。
The resonator L1 is a resonator having one end connected to the input / output terminal T1 via the input / output capacitor C1 and the other end grounded. The resonator L1 is configured by forming a through hole in a dielectric material, forming a conductor layer on the inner wall surface of the through hole, and forming a tubular conductor. The resonator L1 is formed in a size corresponding to the pass frequency of the
共振器L2は、一端が、互いに並列接続された結合インダクタL11および結合容量C11を介して共振器L1および入出力容量C1の接続点と接続され、他端が接地された共振体である。共振器L2は、共振器L1と同様に誘電体材料に貫通孔を形成し、その内壁面に導体層を形成して管状導体をなすことにより構成されるが、共振器L1とは異なる立体形状を有している。共振器L2は、フィルタ装置1の通過周波数に応じた大きさに形成され、目標周波数の波長の略四分の一の長さの共振長を有している。
The resonator L2 is a resonator in which one end is connected to a connection point of the resonator L1 and the input / output capacitor C1 via a coupling inductor L11 and a coupling capacitor C11 connected in parallel to each other, and the other end is grounded. The resonator L2 is configured by forming a through-hole in a dielectric material and forming a tubular conductor by forming a conductor layer on the inner wall surface in the same manner as the resonator L1, but a three-dimensional shape different from that of the resonator L1. have. The resonator L2 is formed in a size corresponding to the pass frequency of the
共振器L3は、一端が、互いに並列接続された結合インダクタL12および結合容量C12を介して共振器L2および結合インダクタL11ならびに結合容量C11の接続点と接続され、他端が接地された共振体である。共振器L3は、共振器L1と対をなしており、略同一の大きさおよび形状を有している。共振器L3の一端はまた、入出力容量C2を介して入出力端子T2と接続されている。さらに、共振器L3の一端は、互いに並列接続された結合インダクタL13および結合容量C13を介して共振器L1の一端とも接続されている。 The resonator L3 is a resonator in which one end is connected to a connection point of the resonator L2, the coupling inductor L11, and the coupling capacitor C11 via a coupling inductor L12 and a coupling capacitor C12 connected in parallel to each other, and the other end is grounded. is there. The resonator L3 is paired with the resonator L1 and has substantially the same size and shape. One end of the resonator L3 is also connected to the input / output terminal T2 via the input / output capacitor C2. Furthermore, one end of the resonator L3 is also connected to one end of the resonator L1 through a coupling inductor L13 and a coupling capacitor C13 connected in parallel to each other.
このように、この実施形態に係るフィルタ装置1は、それぞれ並列接続された結合インダクタL11ないしL13および結合容量C11ないしC13を介して、共振器L1ないしL3を並列接続してなる。すなわち、このフィルタ装置1は、三段構成の共振器からなり、その回路構成は対称構造となっている。
As described above, the
続いて、図2ないし図4を参照して、この実施形態に係るフィルタ装置の構成を詳細に説明する。図2は、この実施形態に係るフィルタ装置1の外観を示す斜視図であり、図3は、図2と逆の視点からみた斜視図であり、図4は、図2の矢視ABから底面13方向の断面を示す断面図である。
Next, the configuration of the filter device according to this embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. 2 is a perspective view showing the appearance of the
図2に示すように、このフィルタ装置1は、例えばセラミックなどの誘電体材料を直方体形状に形成した誘電体部材10からなり、正面11、平面12、底面13、背面14、側面15および16を有している。正面11には、貫通孔111ないし113と、座ぐり孔121ないし123と、接地導体131とが形成されている。平面12には、電極141および142と、接地導体132とが形成されている。底面13には、接地導体133が形成されている。背面14には、貫通孔111ないし113と、接地導体134とが形成されている。側面15および16には、それぞれ接地導体135および136と、補助電極155および156と、切り欠き部165および166とが形成されている。
As shown in FIG. 2, the
貫通孔111ないし113は、正面11から背面14へ向けて貫通した貫通孔であり、略円形断面を有している。貫通孔111ないし113は、正面11の短手方向の略中心位置で正面11の長手方向にほぼ一列に形成されている。
The through
座ぐり孔121ないし123は、正面11から背面14へ向けて形成された凹型領域(盲穴)であり、互いに略同一断面を有している。座ぐり孔121ないし123は、長軸が正面11の短辺と平行となるような長円の断面を有している。座ぐり孔122の正面11における断面の中心軸は、貫通孔112の同じく断面の中心軸と略同一位置に形成されるが、座ぐり孔121および123の正面11における断面の中心軸は、それぞれ貫通孔111および113の同じく断面の中心軸と正面11の長手方向に離間する方向に偏心して形成されている。座ぐり孔121ないし123の断面は、貫通孔111ないし113の断面とそれぞれ正面11の並行方向に重複して形成されている。従って、座ぐり孔121ないし123は、貫通孔111および113とその断面が重複する部分において背面14へ向けて貫通している。
The
また、図4に示すように、座ぐり孔121ないし123は、それぞれ貫通孔111ないし113と段部を介して一体的に形成されている。そして、座ぐり孔121ないし123ならびに貫通孔111ないし113の内壁面は、接地導体134と一体的に形成された導体層により管状導体171ないし173を構成している。
Further, as shown in FIG. 4, the counterbore holes 121 to 123 are integrally formed with the through
座ぐり孔121ないし123と貫通孔111ないし113は、前述のとおりそれぞれ段部を介して一体的に形成され、それぞれ大径部と小径部とからなる管状導体171ないし173を構成する。そして、管状導体171ないし173は、その小断面側において接地導体134と一体的に形成され、それぞれ図1に示す共振器L1ないしL3を構成する。管状導体171ないし173からなる共振器L1ないしL3は、誘電体部材10による仮想的な結合インダクタL11ないしL13および結合容量C11ないしC13を介してそれぞれ互いに結合している。管状導体171ないし173は、例えば銀などの導体材料を誘電体部材10の壁面に塗布して焼成すること、及び銅などの導体材料をメッキすることで形成される。前述のとおり、座ぐり孔121および123の正面11における断面の中心軸は、それぞれ貫通孔111および113の同じく断面の中心軸と正面11の長手方向に離間する方向に偏心して形成されているから、結合容量よりも結合インダクタの方が支配的となり、共振器L1ないしL3は、互いに磁界性結合している。
The counterbore holes 121 to 123 and the through
接地導体131ないし136は、フィルタ装置1が実装されたときに接地されるグラウンド電極であり、互いに一体的に形成されている。接地導体131ないし136は、例えば銀などの導体材料を誘電体部材10の壁面に塗布して焼成すること、及び銅などの導体材料をメッキすることで形成される。
接地導体131は、座ぐり孔121ないし123が形成された正面11に形成された小片状の導体層である。接地導体131は、貫通孔111ないし113の列と平行する正面11の二つの長辺上で、それぞれ座ぐり孔121および122の間と座ぐり孔122および123の長辺方向(貫通孔配列方向)の略中間位置に、平面12に形成された接地導体132と跨るように一体的に形成されている。なお、接地導体131は、正面11の面上に限られず、正面11の長辺上の所定位置に切り欠き部を形成して該切り欠き部内壁面に導体層を形成してもよい。接地導体131は、座ぐり孔121および122、座ぐり孔122および123のそれぞれの開口端の間に接地電位領域を形成して、管状導体171ないし173が形成する共振器L1ないしL3のそれぞれの間の結合が、磁界性結合(容量性結合よりも磁界性結合が支配的な状態)となるよう調整する作用をする。
接地導体132は、貫通孔111ないし113の列がなす面と平行する平面12上に形成された導体層であり、例えば銀厚膜や銅厚膜などである。接地導体132には、貫通孔111ないし113の列方向に対向する両辺に沿わせて、誘電体部材10の露出部により接地導体132から分離された電極141および142が形成されている。
接地導体133は、接地導体132と対向する底面13のほぼ全面に形成された導体層である。接地導体134は、座ぐり孔121ないし123が形成された正面11と対向する背面14の全面に形成された導体層である。接地導体135および136は、貫通孔111および113の列方向に対向する側面15および16に形成された導体層である。側面15および16には、電極141および142と対応する位置に当該電極141および142と一体的に形成された補助電極155および156が形成されるとともに、貫通孔111ないし113の短絡端が接地導体134に接する背面14と接する領域に切り欠き部165および166が形成されている。
The
The
The
The
電極141および142は、平面12上における正面11近傍に形成された矩形の面状導体領域であり、このフィルタ装置1の入出力端子T1およびT2に対応する。電極141および142は、平面12の平行方向での座ぐり孔121および123の位置および大きさに対応して形成され、座ぐり孔121および123との間で入出力容量C1およびC2を形成している。電極141および142は、例えば接地導体132とともにスクリーン印刷等により矩形形状に取り囲むような誘電体部材10の露出部を設けることにより形成される。
The
補助電極155および156は、側面15および16においてそれぞれ電極141および142と一体的に形成された矩形の面状導体領域である。補助電極155および156は、誘電体部材を露出させて接地導体と分離させて形成される。したがって、接地導体133、135および136には、補助電極155および156を形成する誘電体部材露出部が形成されている。
The
この実施形態のフィルタ装置1では、正面11から背面14に向けて貫通孔111ないし113および座ぐり孔121ないし123からなる共振器L1ないしL3が構成されている。そして、電極141および142は、共振器L1ないしL3の列がなす平面と平行する平面12上に形成され、入出力容量C1およびC2を構成している。補助電極155および156は、共振器L1ないしL3の列方向に共振器L1およびL3と対向する側面15および16に、それぞれ電極141および142と一体的に形成されている。すなわち、電極141および142は、補助電極155および156とそれぞれ一体となって共振器L1およびL3を取り囲むように配置されることになる。補助電極155および156は、入出力容量C1およびC2の容量を大きくしてフィルタ装置1の周波数特性を向上する作用をする。
In the
切り欠き部165および166は、共振器L1ないしL3の列方向に対向する側面15および16上であって、貫通孔111ないし113の開口部が形成された背面14の接地導体134と接する端部に矩形に形成された誘電体部材10の露出領域である。切り欠き部165および166は、座ぐり孔121ないし123が形成された正面11と対向する背面14と接するように、それぞれ接地導体135および136とともにスクリーン印刷などにより、誘電体部材10が露出するように形成される。そして、切り欠き部165および166は、その面積や形を調整することで共振器L1およびL3を構成する貫通孔111および113を囲む接地導体を増減し、共振器L1およびL3の特性周波数を調整する周波数調整部として作用をする。
The
図4に示すように、管状導体171ないし173は、正面11における開口部が背面14における開口部よりも大きい断面を有している。管状導体171ないし173は、正面11側から貫通孔111ないし113の長さの略30%ほどの位置において段部を有しており、貫通孔111ないし113と、これらより大径の座ぐり孔121ないし123とを結合している。管状導体171および173については、断面の大きい座ぐり孔121および123の領域が貫通孔111および113の領域より貫通孔112から離間する方向にそれぞれ寄せられている。一方、管状導体172は、大径部の中心軸と小径部の中心軸とが略同一である。
As shown in FIG. 4, the
このフィルタ装置1では、入出力端子141に入力された高周波信号は、等価的なキャパシタである入出力容量C1を介して管状導体171の座ぐり孔121に入力される。共振器L1ないしL3に対応する管状導体171ないし173相互間は、等価的に互いに並列接続された結合インダクタL11ないしL13および結合容量C11ないしC13を介して高周波的に結合している。そのため、座ぐり孔121に入力された高周波信号は、共振器L1ないしL3において共振する。共振器L3に共振して励起された高周波信号は、座ぐり孔123から等価的なキャパシタである入出力容量C2を介して入出力端子142に出力される。入出力端子142に高周波信号が入力される場合は、逆の手順により入出力端子141に高周波信号が出力される。
In the
続いて、図1ないし図4を参照して、この実施形態に係るフィルタ装置1の構造と作用との関係について詳細に説明する。
この実施形態に係るフィルタ装置1では、共振器L1およびL3を構成する座ぐり孔121および123が、共振器列の中心に位置する座ぐり孔122から離間するように形成されており、共振器L1ないしL3間の結合インダクタが結合容量よりも支配的な状態にある。すなわち、共振器L1ないしL3は、磁界性結合(容量性結合よりも磁界性結合が支配的な状態)により高周波的に結合している。磁界性結合をなすフィルタ装置は、通過周波数帯域の高周波側に減衰特性の極を生ずることが一般に知られている。
Next, with reference to FIGS. 1 to 4, the relationship between the structure and operation of the
In the
ところで、入出力端子T1およびT2を設けるために接地導体132に露出部を設けて電極141および142を形成すると、共振器の中心周波数が設計周波数よりも高い周波数にシフトすることが経験的に知られている。特に、この実施形態に係るフィルタ装置のように、補助電極155および156を設けるために接地導体133、135および136に誘電体部材露出領域を設けると、その傾向は大きくなる。これは、本来接地導体で囲まれるべき共振器L1ないしL3が、誘電体部材10の露出部が増えることにより周波数特性が変化するためと考えられている。一方、こうして生じた周波数特性の変化を相殺すべく通過周波数帯域を全体的に低くするには、共振器L1ないしL3の共振長を長くする方法や、共振器L1ないしL3を構成する座ぐり孔121ないし123の径を大きくする方法が考えられる。
By the way, it is empirically known that if the
しかし、共振器L1ないしL3の共振長を長くする場合も、座ぐり孔121ないし123の径を大きくする場合も、フィルタ装置1全体の大きさを大きくしなければならない。従って、誘電体部材に設けた貫通孔を共振器として構成するフィルタ装置において小型化を図る上で障害となっていた。
However, when the resonance lengths of the resonators L1 to L3 are increased and the diameters of the counterbore holes 121 to 123 are increased, the size of the
この実施形態に係るフィルタ装置では、管状導体171ないし173の接地導体134における開口部近傍に切り欠き部165および166を設けることで、共振器L1およびL3の共振周波数を下げ、結果として共振器の中心周波数を下げることができるものである。すなわち、共振器L1およびL3に対応する管状導体171および173の接地側端近傍の接地導体を切削して誘電体部材10を露出させたので、フィルタ装置1全体の大きさを大きくすることなく共振器の中心周波数を低い方向へシフトすることができる。より具体的には、管状導体171ないし173がなす列方向に対向する表面(側面15および16)の、当該管状導体171ないし173の接地側端の接地導体を切削して誘電体部材10の露出部を設けたので、フィルタ装置1全体の大きさを大きくすることなく共振器の中心周波数を低い方向へシフトすることができる。
In the filter device according to this embodiment, the
続いて、図2、図3および図5を参照してこの実施形態に係るフィルタ装置1の実施例について説明する。図5は、この実施形態に係るフィルタ装置の1実施例の通過特性(減衰特性)および反射特性を示す図である。
まず図2に示す誘電体部材10として、比誘電率45のセラミックを幅2.80mm、高さ1.44mm、奥行(長さ)4.64mmの直方体に切り出した。そして、切り出した誘電体部材の正面11(2.80mm×1.44mmの面)の短手方向の略中央位置に、直径0.4mmの貫通孔111ないし113を3つ一列に形成した。貫通孔間の距離は、0.7mmとした。正面における3つの貫通孔の断面について、長円の座ぐり孔121ないし123を形成した。このうち、両端の座ぐり孔121および123は、中央の座ぐり孔122から離間するように寄せてその中心軸を貫通孔111および113の貫通孔から偏心させた。正面の長辺における座ぐり孔121および122と、座ぐり孔122および123の略中間位置には、接地導体131を形成するための矩形の小片状の溝を形成した。
Subsequently, an example of the
First, as the
得られたフィルタ装置1の特性例を図5に示す。図5において、実線で示すのはフィルタ装置1の通過特性(減衰特性)であり、破線で示すのは同じく反射特性である。図5に示すように、通過周波数帯域の高周波側の減衰特性(減衰カーブ)が急峻であり、2.08GHz付近に減衰の極が得られた。また、反射特性は、通過周波数帯域全域においておよそ15dB以上であり、良好なフィルタ装置が得られた。
An example of characteristics of the obtained
続いて、この実施形態に係るフィルタ装置の第1の変形例について説明する。図6および図7は、この実施形態のフィルタ装置1の第1の変形例を示す斜視図である。なお、図2および図3と同一の構成部分については同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
図6および図7に示す変形例は、図2および図3に示す第1の実施形態と同様の貫通孔111ないし113、座ぐり孔121ないし123、接地導体131ないし136、電極141および142、ならびに補助電極155および156を有している。この変形例が第1の実施形態と異なるのは、側面15および16に形成された切り欠き部165および166に代えて、背面14に切り欠き部265および266を形成した点である。
Subsequently, a first modification of the filter device according to this embodiment will be described. 6 and 7 are perspective views showing a first modification of the
6 and 7 are similar to the first embodiment shown in FIGS. 2 and 3, and the through
図7に示すように、この変形例に係るフィルタ装置2では、電極141および142が形成された平面12と接する背面14の長辺と、貫通孔111および113の短絡端との間に、それぞれ長辺が背面14の長辺と平行の矩形の切り欠き部265および266が形成されている。切り欠き部265および266は、第1の実施形態における切り欠き部165および166と同様、共振器L1およびL3に対応する管状導体171および173の接地側に誘電体部材露出部を設けるものであり、共振器L1およびL3に対応する接地導体を減らすことでフィルタ装置2全体の通過周波数帯域全体を低周波側へシフトさせる作用をする。
As shown in FIG. 7, in the
次に、この実施形態に係るフィルタ装置の第2の変形例について説明する。図8は、この実施形態のフィルタ装置の第2の変形例を示す斜視図である。なお、図6および図7と同一の構成部分については同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
第2の変形例においても、図6および図7に示す第1の変形例と同様、貫通孔111ないし113、座ぐり孔121ないし123、接地導体131ないし136、電極141および142、ならびに補助電極155および156を有している。この変形例が第1の変形例と異なるのは、背面14に形成された切り欠き部265および266に代えて切り欠き部365および366を形成した点である。
Next, a second modification of the filter device according to this embodiment will be described. FIG. 8 is a perspective view showing a second modification of the filter device of this embodiment. Note that the same components as those in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
Also in the second modification, as in the first modification shown in FIGS. 6 and 7, the through
図8に示すように、この変形例に係るフィルタ装置3では、背面14の短辺に沿わせた矩形の切り欠き部365および366が形成されている。切り欠き部365および366は、第1の変形例における切り欠き部265および266と同様、共振器L1およびL3に対応する管状導体171および173の接地側に誘電体部材露出部を設けるものであり、共振器L1およびL3に対応する接地導体を減らすことでフィルタ装置3全体の通過周波数帯域全体を低周波側へシフトさせる作用をする。
As shown in FIG. 8, in the filter device 3 according to this modification,
さらに、この実施形態に係るフィルタ装置の第3の変形例について説明する。図9は、この実施形態のフィルタ装置の第3の変形例を示す斜視図である。なお、図6および図7と同一の構成部分については同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
第3の変形例においても、図6および図7に示す第1の変形例と同様、貫通孔111ないし113、座ぐり孔121ないし123、接地導体131ないし136、電極141および142、ならびに補助電極155および156を有している。この変形例は、第1の実施形態に、第1の変形例の切り欠き部255および256と、第2の変形例の切り欠き部365および366とを追加したものである。
Furthermore, a third modification of the filter device according to this embodiment will be described. FIG. 9 is a perspective view showing a third modification of the filter device of this embodiment. Note that the same components as those in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
Also in the third modified example, as in the first modified example shown in FIGS. 6 and 7, the through
図8に示すように、この変形例に係るフィルタ装置4では、管状導体171ないし173における接地導体134と接する近傍に設けられた切り欠き部165および166と、電極141および142が形成された平面12と接する背面14の長辺と貫通孔111および113の開放端との間に形成された切り欠き部265および266と、背面14の短辺に沿わせた矩形の切り欠き部365および366とが形成されている。このように構成することで、共振器L1およびL3に対応する管状導体171および173の接地側に設けられる誘電体部材露出部の露出面積がより大きくなり、共振器L1およびL3に対応する接地導体領域をさらに減らしてフィルタ装置4全体の通過周波数帯域全体を低周波側へシフトさせることができる。
As shown in FIG. 8, in the
続いて、図10および図11を参照して、本発明の第2の実施形態について詳細に説明する。図10および図11は、第2の実施形態に係るデュプレクサ装置の全体構成を示す斜視図である。この実施形態に係るデュプレクサ装置は、本発明の第1の実施形態に係るフィルタ装置を用いてデュプレクサ装置を構成したものである。 Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 10 and 11. 10 and 11 are perspective views showing the overall configuration of the duplexer apparatus according to the second embodiment. The duplexer device according to this embodiment is a duplexer device configured using the filter device according to the first embodiment of the present invention.
図10に示すように、このデュプレクサ装置5は、例えばセラミックなどの誘電体材料を直方体形状に形成した誘電体部材50からなり、貫通孔511ないし517と、座ぐり孔521ないし526と、接地導体531ないし536と、電極541ないし543と、補助電極556と、切り欠き部566とが形成されている。貫通孔、座ぐり孔、電極、補助電極は、それぞれ第1の実施形態に係る貫通孔、座ぐり孔、電極、補助電極と対応している。
この実施形態に係るデュプレクサ装置5は、貫通孔511ないし513と座ぐり孔521ないし523とにより構成される共振器からなる低域側に減衰極を有するフィルタ装置と、貫通孔514ないし516と座ぐり孔524ないし526により構成される共振器からなる高域側に減衰極を有するフィルタ装置とを組み合わせたものである。
As shown in FIG. 10, the
The
貫通孔511ないし516は、誘電体部材50の正面51から背面54へ向けて貫通した貫通孔であり、略円形断面を有している。貫通孔511ないし516は、正面51の短手方向の略中心位置で正面51の長手方向にほぼ一列に形成されている。座ぐり孔521ないし526は、誘電体部材50の正面51から背面54へ向けて形成された凹型領域(盲穴)である。座ぐり孔521ないし526は、長軸が正面の短辺と平行となるような長円の断面を有している。座ぐり孔521および523は、その断面の中心軸がそれぞれ貫通孔511および513の同じく断面の中心軸と、正面51の長手方向に互いに接近する方向に偏心して形成されている。すなわち、貫通孔511ないし513と座ぐり孔521ないし523は、互いに容量性結合をなしており、通過周波数帯域の低周波側に極をもつフィルタ装置を構成している。一方、座ぐり孔524および526は、第1の実施形態と同様に、その断面の中心軸がそれぞれ貫通孔514および516の同じく断面の中心軸と、正面51の長手方向に互いに離間する方向に偏心して形成されている。すなわち、貫通孔514ないし516と座ぐり孔524ないし526は、互いに磁界性結合をなしており、通過周波数帯域の高周波側に極を持つフィルタ装置を構成している。
The through
電極541および542は、平面52上における正面51近傍に、矩形形状に取り囲むような誘電体部材50の露出部を設けることにより形成された矩形の面状導体領域であり、座ぐり孔521および526と等価的入出力容量を介して結合し、電極543は、貫通孔517と接続されている。貫通孔517は座ぐり孔523および524と電磁的に結合している。すなわち、このデュプレクサ装置5は、電極543を共通入出力端子、電極541及び電極542を送信或いは受信端子としたデュプレクサを構成している。
The
そして、貫通孔516と貫通孔列方向に対向する側面56には、貫通孔516の接地端側に切り欠き部566が形成され、誘電体部材50の露出領域が形成されている。従って、このデュプレクサ装置5では、切り欠き部566を有するので、電極542および補助電極556を形成する誘電体露出部に起因する通過周波数帯のずれを、貫通孔や座ぐり孔の大きさを大きくすることなく調整することができる。
A
なお、本発明は上記実施形態のみに限定されるものではない。
上記実施形態では、フィルタ装置の誘電体部材を直方体としているが、これには限定されない。すなわち、貫通孔および座ぐり孔からなる共振器が同一方向に併設されるものであれば、同様の効果を得ることができる。
In addition, this invention is not limited only to the said embodiment.
In the above embodiment, the dielectric member of the filter device is a rectangular parallelepiped, but is not limited to this. That is, the same effect can be obtained as long as the resonator composed of the through hole and the counterbore is provided in the same direction.
また、上記実施形態では、誘電体部材をセラミックにより構成しているが、これにも限定されない。すなわち、フィルタ装置を構成するのに適した比誘電率を有する誘電体材料であれば、同様に適用することができる。 Moreover, in the said embodiment, although the dielectric material member is comprised with the ceramic, it is not limited to this. That is, any dielectric material having a relative dielectric constant suitable for constituting a filter device can be applied in the same manner.
さらに、上記実施形態では、特性周波数を調整する切り欠き部を、フィルタ装置の入出力端子が形成された平面の両側面端部や、接地された貫通孔開口部が形成された背面端部等に形成しているが、これにも限定されない。すなわち、接地された貫通孔開口部と入出力端子をなす電極部との間の外周面上の位置、より好ましくは、当該接地された貫通孔開口部に寄せた位置に形成されていても同様の効果を奏することができる。 Further, in the above-described embodiment, the notch for adjusting the characteristic frequency is formed on both sides of the plane where the input / output terminals of the filter device are formed, the rear end where the grounded through-hole opening is formed, and the like. However, the present invention is not limited to this. That is, even if it is formed at a position on the outer peripheral surface between the grounded through-hole opening and the electrode part forming the input / output terminal, more preferably, it is formed at a position close to the grounded through-hole opening. The effect of can be produced.
本発明は、電気通信機器製造業等に適用することができる。 The present invention can be applied to the telecommunication equipment manufacturing industry and the like.
1…フィルタ装置、5…デュプレクサ装置、10…誘電体部材、11…正面、12…平面、13…底面、14…背面、15,16…側面、111ないし113…貫通孔、121ないし123…座ぐり孔、131ないし136…接地導体、141,142…入出力端子、155,156…補助電極、165,166,265,266,365,366…切り欠き部、171ないし173…管状導体。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記共振器の配列方向の両端面に前記導体層を除去して一対の対向する端子電極を形成するとともに、
これらの端子電極と前記第2の端面の前記貫通孔の開口部との間の外周面に前記導体層の一部を除去した周波数調整部を設けたこと
を特徴とするフィルタ装置。 A plurality of parallel through-holes are formed in the dielectric member, and the outer peripheral surface of the dielectric member excluding the first end surface of the first and second end surfaces where the through-holes open, and the through-holes In the filter device comprising a plurality of resonators in which a conductor layer is formed on the inner surface and the conductor layers in the through hole are magnetically coupled to each other,
While removing the conductor layer on both end faces in the arrangement direction of the resonator to form a pair of opposing terminal electrodes,
A filter device, wherein a frequency adjusting unit from which a part of the conductor layer is removed is provided on an outer peripheral surface between the terminal electrodes and the opening of the through hole on the second end surface.
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JP2004294925A JP2006109236A (en) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | Filter device and duplexer device |
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---|---|---|---|---|
JP2006228869A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Seiko Epson Corp | Semiconductor memory device |
-
2004
- 2004-10-07 JP JP2004294925A patent/JP2006109236A/en not_active Withdrawn
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