JPWO2004077564A1 - 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 246
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 246
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 128
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 16
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 15
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 14
- FNMJFZYRSQTKIH-HXPMCKFVSA-N (4ar,7as)-2-amino-7a-(2,4-difluorophenyl)-6-(5-fluoro-4-methoxy-6-methylpyrimidin-2-yl)-3-methyl-5,7-dihydro-4ah-pyrrolo[3,4-d]pyrimidin-4-one Chemical compound CC1=C(F)C(OC)=NC(N2C[C@@]3(N=C(N)N(C)C(=O)[C@@H]3C2)C=2C(=CC(F)=CC=2)F)=N1 FNMJFZYRSQTKIH-HXPMCKFVSA-N 0.000 claims description 12
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 113
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 107
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 18
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 13
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 and 0 ≦ x ≦ 1 Chemical compound 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexanoic acid titanium Chemical compound [Ti].CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O.CCCCC(CC)C(O)=O NJLQUTOLTXWLBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- DLWBHRIWCMOQKI-UHFFFAOYSA-L strontium;2-ethylhexanoate Chemical compound [Sr+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O DLWBHRIWCMOQKI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003114 SrVO Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K bis(2-ethylhexanoyloxy)bismuthanyl 2-ethylhexanoate Chemical compound [Bi+3].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O NUMHJBONQMZPBW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- AGOOZWPRMAWZIZ-UHFFFAOYSA-K bismuth;hexanoate Chemical compound [Bi+3].CCCCCC([O-])=O.CCCCCC([O-])=O.CCCCCC([O-])=O AGOOZWPRMAWZIZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
本発明にかかる薄膜容量素子は、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−で表わされる組成を有し（ｍは正の整数であり、Ａは、ナトリウム、カリウム、鉛、バリウム、ストロンチウム、カルシウムおよびビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｂは、鉄、コバルト、クロム、ガリウム、チタン、ニオブ、タンタル、アンチモン、マンガン、バナジウム、モリブデンおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。）、ビスマス（Ｂｉ）が、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えている。このように構成された薄膜容量素子は、薄層化が可能で、かつ、容易に作製することができ、温度補償特性に優れている。
Description
本発明は、薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器に関するものであり、とくに、薄層化が可能で、かつ、容易に作製することができ、温度補償特性に優れた薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器に関するものである。
電子機器に含まれる電子回路は温度依存性が小さいことが好ましく、従来から、電子回路に含まれている容量素子の静電容量温度係数を制御することによって、電子回路の温度依存性を小さくする試みが、数多くなされている。
たとえば、特開２００２−２８９４６２号公報、特開２００２−７５７８３号公報および特開２００２−２５２１４３号公報には、下部電極と上部電極との間に、静電容量温度係数が異なる誘電体よりなる複数の誘電体層を形成することによって、静電容量温度係数が、所望のように、制御された薄膜容量素子が提案されている。
しかしながら、静電容量温度係数が異なる誘電体よりなる複数の誘電体層を形成することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を制御する場合には、薄膜容量素子の作製プロセスが複雑になり、薄膜容量素子の厚さが増大することが避けられないだけでなく、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御するためには、各誘電体層の膜厚を正確に制御する必要があるという問題があった。
たとえば、特開２００２−２８９４６２号公報、特開２００２−７５７８３号公報および特開２００２−２５２１４３号公報には、下部電極と上部電極との間に、静電容量温度係数が異なる誘電体よりなる複数の誘電体層を形成することによって、静電容量温度係数が、所望のように、制御された薄膜容量素子が提案されている。
しかしながら、静電容量温度係数が異なる誘電体よりなる複数の誘電体層を形成することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を制御する場合には、薄膜容量素子の作製プロセスが複雑になり、薄膜容量素子の厚さが増大することが避けられないだけでなく、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御するためには、各誘電体層の膜厚を正確に制御する必要があるという問題があった。
したがって、本発明は、薄層化が可能で、かつ、容易に作製することができ、温度補償特性に優れた薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器を提供することを目的とするものである。
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、驚くべきことに、特定の化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することが可能になることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成される。
本発明において、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料は、不可避的な不純物を含んでいてもよい。
本発明によれば、誘電体層を形成する際に、誘電体層を形成する誘電体材料に含まれたビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度を制御することによって、その誘電体層を含む薄膜容量素子の静電容量温度係数を所望の値になるように決定することができ、したがって、薄膜容量素子が組み込まれた電子回路の温度係数、さらには、薄膜容量素子が組み込まれた電子回路を組み込んだ電子機器の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度は、化学量論比に対するビスマスの過剰量、使用する基板の種類、電極の種類、誘電体層の作製プロセス、誘電体層の作製条件によって、制御することができる。たとえば、液相法によって、誘電体層を形成する場合には、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件を制御することによって、制御することができる。
本発明において、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆは、次式（１）によって定義される。
Ｆ（％）＝（Ｐ−Ｐ０）／（１−Ｐ０）×１００ …（１）
式（１）において、Ｐ０は、完全にランダムな配向をしているビスマス層状化合物のｃ軸配向比、すなわち、完全にランダムな配向をしているビスマス層状化合物の（００１）面からの反射強度Ｉ０（００１）の合計ΣＩ０（００１）と、そのビスマス層状化合物の各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ０（ｈｋｌ）の合計ΣＩ０（ｈｋｌ）との比（｛ΣＩ０（００１）／ΣＩ０（ｈｋｌ）｝）であり、Ｐは、Ｘ線回折強度を用いて算出されたビスマス層状化合物のｃ軸配向比、すなわち、ビスマス層状化合物の（００１）面からの反射強度Ｉ（００１）の合計ΣＩ（００１）と、ビスマス層状化合物の各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ（ｈｋｌ）の合計ΣＩ（ｈｋｌ）との比（｛ΣＩ（００１）／ΣＩ（ｈｋｌ）｝）である。ここに、ｈ、ｋ、ｌは、それぞれ、０以上の任意の整数値を取ることができる。
ここに、Ｐ０は既知の定数であるから、（００１）面からの反射強度Ｉ（００１）の合計ΣＩ（００１）と、各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ（ｈｋｌ）の合計ΣＩ（ｈｋｌ）が等しいとき、すなわち、Ｐ＝１のときに、ビスマス層状化合物のｃ軸配向度Ｆは１００％となる。
ビスマス層状化合物は、それぞれが、ＡＢＯ３で構成される（ｍ−１）個のペロブスカイト格子が連なった層状ペロブスカイト層と、（Ｂｉ２Ｏ２）２＋層とが交互に積層された層状構造を有している。
ビスマス層状化合物のｃ軸とは、一対の（Ｂｉ２Ｏ２）２＋層同士を結ぶ方向、すなわち、［００１］方位を意味する。
本発明において、化学量論組成式中の記号ｍは、正の整数であれば、とくに限定されるものではないが、偶数であることが好ましい。記号ｍの値が偶数であると、誘電体層がｃ面と平行に鏡映面を持つため、鏡映面を境として、自発分極のｃ軸方向成分が互いにうち消し合って、誘電体層はｃ軸方向に分極軸を有さないこととなる。このため、誘電体層の常誘電性が保持されて、誘電率の温度特性が向上するとともに、低損失が実現される。記号ｍの値が大きいと、誘電体層の誘電率の向上が期待できる。
本発明において、好ましくは、化学量論組成式中の記号ｍが、２、４、６、８のいずれかであり、さらに好ましくは、記号ｍが、２または４である。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ −１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明によれば、上記化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することができるから、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的は、また、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的は、また、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明によれば、上記化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することができるから、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路の温度係数を、所望のように、制御することが可能になり、したがって、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子が組み込まれた電子回路を含む電子機器の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属およびこれらを主成分とする合金や、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物およびこれらの混合物、さらには、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣｕＯ６などの超伝導性ビスマス層状構造を有する超伝導体を用いることができる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層は、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層は、［００１］方位に、すなわち、ｃ軸方向に配向されていても、［００１］方位以外の方位に配向されていてもよく、さらに、アモルファス状でも、配向されていなくてもよい。
本発明において、誘電体層は、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。好ましくは、誘電体層は、第一の電極層上に、液相法によって形成される。
本発明において、液相法とは、１または２以上の塗布工程、１または２以上の仮焼成工程および１または２以上の焼成工程を含む薄膜形成法を指し、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）、ゾルゲル法を含み、さらに、無機酸塩溶液を用いて、薄膜を形成する場合をも含んでいる。これらの中では、有機金属分解法が、最も好ましく、使用される。
第一の電極層上に、誘電体層を形成する過程で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料が、第一の電極層上で、ビスマス層状化合物の組成、誘電体層の形成条件にしたがって、［００１］方位、すなわち、ｃ軸方向のビスマス層状化合物の配向度Ｆが決定される。
有機金属分解法によって、誘電体層を形成する場合は、化学量論比よりもビスマスが過剰に含まれたビスマス層状化合物を含む薄膜容量素子用組成物の溶液を、第一の電極層上に塗布して、塗布膜を形成し、第一の電極上の塗布膜を焼成して、誘電体層を形成する。
本発明において、好ましくは、第一の電極層上に、塗布膜を形成した後に、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を、塗布膜が結晶化しない温度で仮焼成し、さらに、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成する。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させた後に、乾燥後の塗布膜上に、さらに、新たな塗布膜を形成し、新たな塗布膜を乾燥させるステップを繰り返して、所望の膜厚の塗布膜を形成し、その後に、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。この場合には、塗布および乾燥のステップを２回以上、繰り返した後に、仮焼成し、最後に、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を仮焼成した後に、塗布膜上に、新たな塗布膜を形成し、新たな塗布膜を乾燥させて、仮焼成するステップを繰り返し、所望の膜厚の塗布膜を形成し、その後に、塗布膜を焼成するようにしてもよい。この場合には、塗布膜を乾燥させることなく、塗布および仮焼成のステップを繰り返し、最後に、焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を仮焼成し、その後に、塗布膜を焼成するステップを繰り返して、所望の膜厚の塗布膜を形成し、誘電体層を形成するようにしてもよい。この場合には、塗布膜を乾燥させることなく、塗布、仮焼成および焼成のステップを繰り返して、誘電体層を形成するようにしてもよく、塗布膜を仮焼成することなく、塗布、乾燥および焼成のステップを繰り返して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
本発明において、有機金属分解法によって、誘電体層を形成する場合には、第一の電極層上に、スピンコーティング法あるいはディップコーティング法によって、好ましくは、スピンコーティング法によって、化学量論比よりもビスマスが過剰に含まれたビスマス層状化合物を含む薄膜容量素子用組成物の溶液が塗布され、塗布膜が形成される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、ビスマス層状化合物の結晶化温度である７００ないし９００℃で、焼成される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、室温ないし４００℃、より好ましくは、５０ないし３００℃で、乾燥される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、３００ないし５００℃で、仮焼成される。
本発明において、第一の電極層上に、誘電体層が形成された後に、誘電体層上に、第二の電極層が形成される。
本発明において、第二の電極層を形成するための材料は、導電性を有していれば、とくに限定されるものではなく、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属およびこれらを主成分とする合金や、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物およびこれらの混合物、ＩＴＯなどの導電性ガラスなどを用いて、第二の電極層を形成することができる。さらに、第一の電極層とは異なり、第二の電極層を形成するための材料としては、誘電体層を形成する材料との格子整合性を考慮する必要がなく、室温における成膜も可能であるから、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）などの卑金属や、ＷＳｉ、ＭｏＳｉなどの合金を用いて、第二の電極層を形成することもできる。
本発明において、第二の電極層の厚さとしては、薄膜容量素子の一方の電極としての機能を確保可能であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、１０ないし１００００ｎｍ程度に設定することができる。
本発明において、第二の電極層の形成方法は、とくに限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。これらのうちでは、成膜速度の面から、スパッタリング法が好ましい。
本発明の前記およびその他の目的や特徴は、添付図面に基づいた以下の説明から明らかになるであろう。
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、驚くべきことに、特定の化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することが可能になることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成される。
本発明において、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料は、不可避的な不純物を含んでいてもよい。
本発明によれば、誘電体層を形成する際に、誘電体層を形成する誘電体材料に含まれたビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度を制御することによって、その誘電体層を含む薄膜容量素子の静電容量温度係数を所望の値になるように決定することができ、したがって、薄膜容量素子が組み込まれた電子回路の温度係数、さらには、薄膜容量素子が組み込まれた電子回路を組み込んだ電子機器の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度は、化学量論比に対するビスマスの過剰量、使用する基板の種類、電極の種類、誘電体層の作製プロセス、誘電体層の作製条件によって、制御することができる。たとえば、液相法によって、誘電体層を形成する場合には、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件を制御することによって、制御することができる。
本発明において、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆは、次式（１）によって定義される。
Ｆ（％）＝（Ｐ−Ｐ０）／（１−Ｐ０）×１００ …（１）
式（１）において、Ｐ０は、完全にランダムな配向をしているビスマス層状化合物のｃ軸配向比、すなわち、完全にランダムな配向をしているビスマス層状化合物の（００１）面からの反射強度Ｉ０（００１）の合計ΣＩ０（００１）と、そのビスマス層状化合物の各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ０（ｈｋｌ）の合計ΣＩ０（ｈｋｌ）との比（｛ΣＩ０（００１）／ΣＩ０（ｈｋｌ）｝）であり、Ｐは、Ｘ線回折強度を用いて算出されたビスマス層状化合物のｃ軸配向比、すなわち、ビスマス層状化合物の（００１）面からの反射強度Ｉ（００１）の合計ΣＩ（００１）と、ビスマス層状化合物の各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ（ｈｋｌ）の合計ΣＩ（ｈｋｌ）との比（｛ΣＩ（００１）／ΣＩ（ｈｋｌ）｝）である。ここに、ｈ、ｋ、ｌは、それぞれ、０以上の任意の整数値を取ることができる。
ここに、Ｐ０は既知の定数であるから、（００１）面からの反射強度Ｉ（００１）の合計ΣＩ（００１）と、各結晶面（ｈｋｌ）からの反射強度Ｉ（ｈｋｌ）の合計ΣＩ（ｈｋｌ）が等しいとき、すなわち、Ｐ＝１のときに、ビスマス層状化合物のｃ軸配向度Ｆは１００％となる。
ビスマス層状化合物は、それぞれが、ＡＢＯ３で構成される（ｍ−１）個のペロブスカイト格子が連なった層状ペロブスカイト層と、（Ｂｉ２Ｏ２）２＋層とが交互に積層された層状構造を有している。
ビスマス層状化合物のｃ軸とは、一対の（Ｂｉ２Ｏ２）２＋層同士を結ぶ方向、すなわち、［００１］方位を意味する。
本発明において、化学量論組成式中の記号ｍは、正の整数であれば、とくに限定されるものではないが、偶数であることが好ましい。記号ｍの値が偶数であると、誘電体層がｃ面と平行に鏡映面を持つため、鏡映面を境として、自発分極のｃ軸方向成分が互いにうち消し合って、誘電体層はｃ軸方向に分極軸を有さないこととなる。このため、誘電体層の常誘電性が保持されて、誘電率の温度特性が向上するとともに、低損失が実現される。記号ｍの値が大きいと、誘電体層の誘電率の向上が期待できる。
本発明において、好ましくは、化学量論組成式中の記号ｍが、２、４、６、８のいずれかであり、さらに好ましくは、記号ｍが、２または４である。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ −１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明によれば、上記化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することができるから、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的は、また、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的は、また、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明によれば、上記化学量論組成を有し、化学量論比よりも、ビスマスを過剰に含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、誘電体層が形成された薄膜容量素子の静電容量温度係数は、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物の［００１］方位の配向度、すなわち、ｃ軸方向の配向度に依存し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度を制御することによって、薄膜容量素子の静電容量温度係数を、所望のように、制御することができるから、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路の温度係数を、所望のように、制御することが可能になり、したがって、かかるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された薄膜容量素子が組み込まれた電子回路を含む電子機器の温度係数を、所望のように、制御することが可能になる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明者の研究によれば、本発明の前記目的はまた、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器によって達成されることが見出されている。
本発明の好ましい実施態様においては、前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいる。
本発明の好ましい実施態様においては、前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロジウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属およびこれらを主成分とする合金や、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物およびこれらの混合物、さらには、Ｂｉ２Ｓｒ２ＣｕＯ６などの超伝導性ビスマス層状構造を有する超伝導体を用いることができる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層は、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。
本発明において、その表面に、誘電体層が形成される第一の電極層は、［００１］方位に、すなわち、ｃ軸方向に配向されていても、［００１］方位以外の方位に配向されていてもよく、さらに、アモルファス状でも、配向されていなくてもよい。
本発明において、誘電体層は、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。好ましくは、誘電体層は、第一の電極層上に、液相法によって形成される。
本発明において、液相法とは、１または２以上の塗布工程、１または２以上の仮焼成工程および１または２以上の焼成工程を含む薄膜形成法を指し、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ）、ゾルゲル法を含み、さらに、無機酸塩溶液を用いて、薄膜を形成する場合をも含んでいる。これらの中では、有機金属分解法が、最も好ましく、使用される。
第一の電極層上に、誘電体層を形成する過程で、ビスマス層状化合物を含む誘電体材料が、第一の電極層上で、ビスマス層状化合物の組成、誘電体層の形成条件にしたがって、［００１］方位、すなわち、ｃ軸方向のビスマス層状化合物の配向度Ｆが決定される。
有機金属分解法によって、誘電体層を形成する場合は、化学量論比よりもビスマスが過剰に含まれたビスマス層状化合物を含む薄膜容量素子用組成物の溶液を、第一の電極層上に塗布して、塗布膜を形成し、第一の電極上の塗布膜を焼成して、誘電体層を形成する。
本発明において、好ましくは、第一の電極層上に、塗布膜を形成した後に、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を、塗布膜が結晶化しない温度で仮焼成し、さらに、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成する。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させた後に、乾燥後の塗布膜上に、さらに、新たな塗布膜を形成し、新たな塗布膜を乾燥させるステップを繰り返して、所望の膜厚の塗布膜を形成し、その後に、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。この場合には、塗布および乾燥のステップを２回以上、繰り返した後に、仮焼成し、最後に、塗布膜を焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を仮焼成した後に、塗布膜上に、新たな塗布膜を形成し、新たな塗布膜を乾燥させて、仮焼成するステップを繰り返し、所望の膜厚の塗布膜を形成し、その後に、塗布膜を焼成するようにしてもよい。この場合には、塗布膜を乾燥させることなく、塗布および仮焼成のステップを繰り返し、最後に、焼成して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
あるいは、第一の電極層上に、塗布膜を形成し、塗布膜を乾燥させ、塗布膜を仮焼成し、その後に、塗布膜を焼成するステップを繰り返して、所望の膜厚の塗布膜を形成し、誘電体層を形成するようにしてもよい。この場合には、塗布膜を乾燥させることなく、塗布、仮焼成および焼成のステップを繰り返して、誘電体層を形成するようにしてもよく、塗布膜を仮焼成することなく、塗布、乾燥および焼成のステップを繰り返して、誘電体層を形成するようにしてもよい。
本発明において、有機金属分解法によって、誘電体層を形成する場合には、第一の電極層上に、スピンコーティング法あるいはディップコーティング法によって、好ましくは、スピンコーティング法によって、化学量論比よりもビスマスが過剰に含まれたビスマス層状化合物を含む薄膜容量素子用組成物の溶液が塗布され、塗布膜が形成される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、ビスマス層状化合物の結晶化温度である７００ないし９００℃で、焼成される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、室温ないし４００℃、より好ましくは、５０ないし３００℃で、乾燥される。
本発明において、第一の電極層上に形成された塗布膜は、好ましくは、３００ないし５００℃で、仮焼成される。
本発明において、第一の電極層上に、誘電体層が形成された後に、誘電体層上に、第二の電極層が形成される。
本発明において、第二の電極層を形成するための材料は、導電性を有していれば、とくに限定されるものではなく、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属およびこれらを主成分とする合金や、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物およびこれらの混合物、ＩＴＯなどの導電性ガラスなどを用いて、第二の電極層を形成することができる。さらに、第一の電極層とは異なり、第二の電極層を形成するための材料としては、誘電体層を形成する材料との格子整合性を考慮する必要がなく、室温における成膜も可能であるから、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）などの卑金属や、ＷＳｉ、ＭｏＳｉなどの合金を用いて、第二の電極層を形成することもできる。
本発明において、第二の電極層の厚さとしては、薄膜容量素子の一方の電極としての機能を確保可能であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、１０ないし１００００ｎｍ程度に設定することができる。
本発明において、第二の電極層の形成方法は、とくに限定されるものではなく、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）やゾル・ゲル法などの液相法（ＣＳＤ法）などの各種薄膜形成法を用いて、形成することができる。これらのうちでは、成膜速度の面から、スパッタリング法が好ましい。
本発明の前記およびその他の目的や特徴は、添付図面に基づいた以下の説明から明らかになるであろう。
第１図は、本発明の好ましい実施態様にかかる薄膜容量素子の略断面図である。
第２図は、実施例１ないし実施例１０によって作製された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεと、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）との関係を示すグラフである。
発明の好ましい実施態様の説明
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
第１図は、本発明の好ましい実施態様にかかる薄膜容量素子の略断面図である。
第１図に示されるように、本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、支持基板２を備え、支持基板２上に、バリア層３、下部電極層４、誘電体層５および上部電極層６が、この順に、積層されている。
本実施態様においては、薄膜容量素子１の支持基板２は、格子整合性に優れたシリコン単結晶によって形成されている。支持基板２の厚さは、たとえば、１００ないし１０００μｍ程度である。
本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、支持基板２上に、酸化シリコンによって形成された絶縁層３を備えている。
酸化シリコンよりなる絶縁層３は、たとえば、シリコンの熱酸化によって形成される。
第１図に示されるように、絶縁層３上には、下部電極層４が形成されている。
本実施態様においては、下部電極層４は、白金によって形成されている。
下部電極層４は、［００１］方位に配向されていても、［００１］方位以外の方位に配向されていてもよく、さらに、アモルファス状でも、配向されていなくてもよい。
白金よりなる下部電極層４は、たとえば、スパッタリングガスとして、アルゴンガスを用い、支持基板２および絶縁層３の温度を３００℃以上、好ましくは、５００℃以上に保持して、スパッタリング法により、絶縁層３上に形成される。
下部電極層４の厚さは、とくに限定されるものではなく、１０ないし１０００ｎｍ、好ましくは、５０ないし２００ｎｍ程度である。本実施態様においては、下部電極層４は、１００ｎｍの厚さに形成されている。
第１図に示されるように、本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、下部電極層４上に形成された誘電体層５を備えている。
本実施態様においては、誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、コンデンサ材料としての特性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成されている。ビスマス層状化合物は、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいる。
ビスマス層状化合物は、好ましくは、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本実施態様においては、誘電体層５は、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ法）によって、下部電極層４上に形成される。
具体的には、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムのトルエン溶液と、２−エチルヘキサン酸ビスマスの２−エチルヘキサン酸溶液と、２−エチルヘキサン酸チタンのトルエン溶液を、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムが１モル、２−エチルヘキサン酸ビスマスが（４＋α）モル、２−エチルヘキサン酸チタンが４モルとなるように、化学量論比で混合する場合に比して、ビスマスの添加量がαモルだけ、多くなるように、これらの溶液を混合し、トルエンで希釈して、原料溶液を調製する。
ここに、αは、Ｂｉ／Ｔｉが、１．１ないし１．５になるように選択される。
こうして得られた原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成する。
塗布膜の形成後、室温ないし約４００℃の温度下で乾燥させて、塗布膜中の溶媒を蒸発させる。
次いで、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、塗布膜を仮焼成する。仮焼成は、塗布膜中のビスマス層状化合物を結晶化させない温度下で、おこなわれる。
その後、仮焼成した塗布膜上に、再度、原料溶液を、スピンコーティング法によって、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成し、乾燥した後、塗布膜を、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、仮焼成する。
次いで、仮焼成した塗布膜上に、さらに、原料溶液を、スピンコーティング法によって、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成し、乾燥した後、塗布膜を、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、仮焼成する。
こうして、仮焼成が完了すると、仮焼成された塗布膜を、約７００ないし９００℃の酸素ガス雰囲気で、焼成して、塗布膜中のビスマス層状化合物を結晶化させ、たとえば、３００ｎｍの膜厚の誘電体層５を形成する。
こうして得られた誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされたビスマス層状化合物を含み、ビスマス層状化合物には、化学量論比に対して、過剰のビスマスが含まれ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比は、１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にある。
仮焼成および焼成の過程で、ビスマス層状化合物がエピタキシャル成長して、［００１］方位に、すなわち、ｃ軸方向に配向される。
ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件を制御することによって、制御可能であることが知られているが、本発明者の研究によれば、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を変化させることができることが見出されており、とくに、誘電体層５が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでいる場合には、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を、プラスの値からマイナスの値の間で、大きく変化させることが可能であることが判明している。
したがって、本実施態様においては、薄膜容量素子１が、所望の静電容量温度係数を有するように、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件が制御されて、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）が決定される。
第１図に示されるように、誘電体層６上には、白金によって、上部電極層６が形成されている。
白金よりなる上部電極層６は、たとえば、スパッタリングガスとして、アルゴンガスを用い、支持基板２、絶縁層３、下部電極層４および誘電体層５の温度を室温（２５℃）に保持して、スパッタリング法によって、誘電体層５上に形成される。
上述のように、本発明者の研究によれば、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を変化させることができることが見出されており、とくに、誘電体層５が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでいる場合には、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を、プラスの値からマイナスの値の間で、大きく変化させることが可能であることが判明している。
したがって、本実施態様によれば、誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでおり、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件が制御されて、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を決定するように構成されているから、複数の誘電体層を設けることなく、所望の静電容量温度係数を有する薄膜容量素子１を得ることができ、したがって、薄膜容量素子１を組み込んだ電子回路を温度依存性を所望のように制御し、電子回路が組み込まれた電子機器の温度依存性を低下させることが可能になる。
以下、本発明の効果を、より一層明らかにするため、実施例を掲げる。
第２図は、実施例１ないし実施例１０によって作製された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεと、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）との関係を示すグラフである。
発明の好ましい実施態様の説明
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
第１図は、本発明の好ましい実施態様にかかる薄膜容量素子の略断面図である。
第１図に示されるように、本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、支持基板２を備え、支持基板２上に、バリア層３、下部電極層４、誘電体層５および上部電極層６が、この順に、積層されている。
本実施態様においては、薄膜容量素子１の支持基板２は、格子整合性に優れたシリコン単結晶によって形成されている。支持基板２の厚さは、たとえば、１００ないし１０００μｍ程度である。
本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、支持基板２上に、酸化シリコンによって形成された絶縁層３を備えている。
酸化シリコンよりなる絶縁層３は、たとえば、シリコンの熱酸化によって形成される。
第１図に示されるように、絶縁層３上には、下部電極層４が形成されている。
本実施態様においては、下部電極層４は、白金によって形成されている。
下部電極層４は、［００１］方位に配向されていても、［００１］方位以外の方位に配向されていてもよく、さらに、アモルファス状でも、配向されていなくてもよい。
白金よりなる下部電極層４は、たとえば、スパッタリングガスとして、アルゴンガスを用い、支持基板２および絶縁層３の温度を３００℃以上、好ましくは、５００℃以上に保持して、スパッタリング法により、絶縁層３上に形成される。
下部電極層４の厚さは、とくに限定されるものではなく、１０ないし１０００ｎｍ、好ましくは、５０ないし２００ｎｍ程度である。本実施態様においては、下部電極層４は、１００ｎｍの厚さに形成されている。
第１図に示されるように、本実施態様にかかる薄膜容量素子１は、下部電極層４上に形成された誘電体層５を備えている。
本実施態様においては、誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、コンデンサ材料としての特性に優れたビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成されている。ビスマス層状化合物は、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいる。
ビスマス層状化合物は、好ましくは、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいる。
本実施態様においては、誘電体層５は、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ法）によって、下部電極層４上に形成される。
具体的には、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムのトルエン溶液と、２−エチルヘキサン酸ビスマスの２−エチルヘキサン酸溶液と、２−エチルヘキサン酸チタンのトルエン溶液を、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムが１モル、２−エチルヘキサン酸ビスマスが（４＋α）モル、２−エチルヘキサン酸チタンが４モルとなるように、化学量論比で混合する場合に比して、ビスマスの添加量がαモルだけ、多くなるように、これらの溶液を混合し、トルエンで希釈して、原料溶液を調製する。
ここに、αは、Ｂｉ／Ｔｉが、１．１ないし１．５になるように選択される。
こうして得られた原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成する。
塗布膜の形成後、室温ないし約４００℃の温度下で乾燥させて、塗布膜中の溶媒を蒸発させる。
次いで、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、塗布膜を仮焼成する。仮焼成は、塗布膜中のビスマス層状化合物を結晶化させない温度下で、おこなわれる。
その後、仮焼成した塗布膜上に、再度、原料溶液を、スピンコーティング法によって、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成し、乾燥した後、塗布膜を、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、仮焼成する。
次いで、仮焼成した塗布膜上に、さらに、原料溶液を、スピンコーティング法によって、膜厚が、たとえば、１００ｎｍとなるように、塗布して、塗布膜を形成し、乾燥した後、塗布膜を、約２００ないし７００℃の酸素雰囲気下で、仮焼成する。
こうして、仮焼成が完了すると、仮焼成された塗布膜を、約７００ないし９００℃の酸素ガス雰囲気で、焼成して、塗布膜中のビスマス層状化合物を結晶化させ、たとえば、３００ｎｍの膜厚の誘電体層５を形成する。
こうして得られた誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされたビスマス層状化合物を含み、ビスマス層状化合物には、化学量論比に対して、過剰のビスマスが含まれ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比は、１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にある。
仮焼成および焼成の過程で、ビスマス層状化合物がエピタキシャル成長して、［００１］方位に、すなわち、ｃ軸方向に配向される。
ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件を制御することによって、制御可能であることが知られているが、本発明者の研究によれば、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を変化させることができることが見出されており、とくに、誘電体層５が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでいる場合には、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を、プラスの値からマイナスの値の間で、大きく変化させることが可能であることが判明している。
したがって、本実施態様においては、薄膜容量素子１が、所望の静電容量温度係数を有するように、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件が制御されて、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）が決定される。
第１図に示されるように、誘電体層６上には、白金によって、上部電極層６が形成されている。
白金よりなる上部電極層６は、たとえば、スパッタリングガスとして、アルゴンガスを用い、支持基板２、絶縁層３、下部電極層４および誘電体層５の温度を室温（２５℃）に保持して、スパッタリング法によって、誘電体層５上に形成される。
上述のように、本発明者の研究によれば、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を変化させることができることが見出されており、とくに、誘電体層５が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでいる場合には、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、薄膜容量素子１の静電容量温度係数を、プラスの値からマイナスの値の間で、大きく変化させることが可能であることが判明している。
したがって、本実施態様によれば、誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んだビスマス層状化合物を含んでおり、化学量論比に対するビスマスの過剰量、誘電体層を形成する際の塗布、仮焼成および焼成の条件が制御されて、誘電体層５に含まれるビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を決定するように構成されているから、複数の誘電体層を設けることなく、所望の静電容量温度係数を有する薄膜容量素子１を得ることができ、したがって、薄膜容量素子１を組み込んだ電子回路を温度依存性を所望のように制御し、電子回路が組み込まれた電子機器の温度依存性を低下させることが可能になる。
以下、本発明の効果を、より一層明らかにするため、実施例を掲げる。
２−エチルヘキサン酸ストロンチウムのトルエン溶液と、２−エチルヘキサン酸ビスマスの２−エチルヘキサン酸溶液と、２−エチルヘキサン酸チタンのトルエン溶液を、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムが１モル、２−エチルヘキサン酸ビスマスが（４＋α）モル、２−エチルヘキサン酸チタンが４モルとなるように、化学量論比で混合する場合に比して、ビスマスの添加量がαモルだけ、多くなるように、これらの溶液を混合し、トルエンで希釈して、原料溶液を調製した。
ここに、αを０．４として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．１となるように、原料溶液を調製した。
一方、シリコン単結晶よりなる支持基板上に、熱酸化処理によって、０．５μｍの厚さのシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜上に、白金薄膜よりなる下部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板およびシリコン酸化膜の温度を６００℃、電力を１００Ｗ／平方センチメートルに設定して、スパッタリング法によって、下部電極を形成した。支持基板の面積は、５ｍｍ×１０ｍｍであった。
次いで、支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、下部電極の表面に、１００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、２００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４０°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、３００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
こうして、仮焼成が完了した後、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８６０°Ｃまで昇温し、８６０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、塗布膜を焼成し、誘電体層を形成した。焼成後の誘電体層の厚さは、３００ｎｍであった。
こうして得られた誘電体層の結晶構造を、Ｘ線回折法によって測定し、測定されたＸ線回折パターンに基づき、式（１）にしたがって、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を求めたところ、５５％であった。
次いで、誘電体層の表面に、白金薄膜よりなる上部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板、シリコン酸化膜、下部電極および誘電体層の温度を室温（２５℃）、電力を１００Ｗに設定して、スパッタリング法によって、上部電極を形成し、薄膜容量素子を得た。
こうして得られた薄膜容量素子の静電容量を、基準温度を２５℃、測定温度範囲を−５５℃ないし１５０℃とし、インピーダンスアナライザー（ＨＰ４１９４Ａ）を用い、周波数１００ｋＨｚ（ＡＣ２０ｍＶの印加）にて、測定し、２５℃を基準として、静電容量の温度に対する平均変化率（静電容量温度係数）Δεを求めたところ、８８０ｐｐｍ／Ｋであった。
ここに、αを０．４として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．１となるように、原料溶液を調製した。
一方、シリコン単結晶よりなる支持基板上に、熱酸化処理によって、０．５μｍの厚さのシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜上に、白金薄膜よりなる下部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板およびシリコン酸化膜の温度を６００℃、電力を１００Ｗ／平方センチメートルに設定して、スパッタリング法によって、下部電極を形成した。支持基板の面積は、５ｍｍ×１０ｍｍであった。
次いで、支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、下部電極の表面に、１００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、２００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４０°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、３００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
こうして、仮焼成が完了した後、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８６０°Ｃまで昇温し、８６０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、塗布膜を焼成し、誘電体層を形成した。焼成後の誘電体層の厚さは、３００ｎｍであった。
こうして得られた誘電体層の結晶構造を、Ｘ線回折法によって測定し、測定されたＸ線回折パターンに基づき、式（１）にしたがって、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を求めたところ、５５％であった。
次いで、誘電体層の表面に、白金薄膜よりなる上部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板、シリコン酸化膜、下部電極および誘電体層の温度を室温（２５℃）、電力を１００Ｗに設定して、スパッタリング法によって、上部電極を形成し、薄膜容量素子を得た。
こうして得られた薄膜容量素子の静電容量を、基準温度を２５℃、測定温度範囲を−５５℃ないし１５０℃とし、インピーダンスアナライザー（ＨＰ４１９４Ａ）を用い、周波数１００ｋＨｚ（ＡＣ２０ｍＶの印加）にて、測定し、２５℃を基準として、静電容量の温度に対する平均変化率（静電容量温度係数）Δεを求めたところ、８８０ｐｐｍ／Ｋであった。
下部電極上に形成された塗布膜を焼成する際に、環状炉内の温度を８８０℃まで昇温させ、３０分間にわたって、保持した点を除いて、実施例１と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は６０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、８１０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は６０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、８１０ｐｐｍ／Ｋであった。
αを０．８として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．２となるように、原料溶液を調製した点を除いて、実施例１と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は６５％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、５７０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は６５％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、５７０ｐｐｍ／Ｋであった。
下部電極上に形成された塗布膜を焼成する際に、環状炉内の温度を９００℃まで昇温させ、３０分間にわたって、保持した点を除いて、実施例３と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は７０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、４５０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は７０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、４５０ｐｐｍ／Ｋであった。
２−エチルヘキサン酸ストロンチウムのトルエン溶液と、２−エチルヘキサン酸ビスマスの２−エチルヘキサン酸溶液と、２−エチルヘキサン酸チタンのトルエン溶液を、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムが１モル、２−エチルヘキサン酸ビスマスが（４＋α）モル、２−エチルヘキサン酸チタンが４モルとなるように、化学量論比で混合する場合に比して、ビスマスの添加量がαモルだけ、多くなるように、これらの溶液を混合し、トルエンで希釈して、原料溶液を調製した。
ここに、αを０．８として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．２となるように、原料溶液を調製した。
一方、シリコン単結晶よりなる支持基板上に、熱酸化処理によって、０．５μｍの厚さのシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜上に、白金薄膜よりなる下部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板およびシリコン酸化膜の温度を４００℃、電力を１００Ｗ／平方センチメートルに設定して、スパッタリング法によって、下部電極を形成した。支持基板の面積は、５ｍｍ×１０ｍｍであった。
次いで、支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、下部電極の表面に、１００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、塗布膜を焼成した。
次いで、焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、２００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、新たに形成された塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、新たに形成された塗布膜を焼成した。
次いで、焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、３００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、新たに形成された塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、新たに形成された塗布膜を焼成し、誘電体層を形成した。焼成後の誘電体層の厚さは、３００ｎｍであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は８０％であった。
さらに、実施例１と全く同様にして、誘電体層の表面に、上部電極を形成し、薄膜容量素子を得た。
こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、３００ｐｐｍ／Ｋであった。
ここに、αを０．８として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．２となるように、原料溶液を調製した。
一方、シリコン単結晶よりなる支持基板上に、熱酸化処理によって、０．５μｍの厚さのシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜上に、白金薄膜よりなる下部電極を、０．１μｍの厚さで形成した。
ここに、スパッタリングガスとして、１パスカル（Ｐａ）の圧力のアルゴンガスを用い、支持基板およびシリコン酸化膜の温度を４００℃、電力を１００Ｗ／平方センチメートルに設定して、スパッタリング法によって、下部電極を形成した。支持基板の面積は、５ｍｍ×１０ｍｍであった。
次いで、支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、下部電極の表面に、１００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、塗布膜を焼成した。
次いで、焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、２００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、新たに形成された塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、新たに形成された塗布膜を焼成した。
次いで、焼成された塗布膜が形成されている支持基板をスピンコーティング装置のステージ上にセットし、約１０μリットルの原料溶液を、下部電極の表面に滴下して、ステージを、４０００ｒｐｍで、２０秒にわたって、回転させ、合計で、３００ｎｍの厚さの塗布膜を形成した。
その後、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、１５０℃に設定された恒温層内にセットし、１０分間にわたって、乾燥させ、塗布膜に含まれている溶媒を蒸発させた。
次いで、新たに、塗布膜が形成された支持基板を、０．３リットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度１０°Ｋ／分で、４００°Ｃまで昇温し、４００°Ｃで、１０分間にわたって、保持した後、降温速度１０°Ｋ／分で、温度を低下させ、新たに形成された塗布膜を仮焼成した。
さらに、仮焼成された塗布膜が形成されている支持基板を、５ミリリットル／分の流量で、酸素ガスが供給されている環状炉内に入れて、環状炉内の温度を、昇温速度８０°Ｋ／分で、８４０°Ｃまで昇温し、８４０°Ｃで、３０分間にわたって、保持した後、降温速度８０°Ｋ／分で、温度を低下させて、新たに形成された塗布膜を焼成し、誘電体層を形成した。焼成後の誘電体層の厚さは、３００ｎｍであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は８０％であった。
さらに、実施例１と全く同様にして、誘電体層の表面に、上部電極を形成し、薄膜容量素子を得た。
こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、３００ｐｐｍ／Ｋであった。
塗布膜を焼成する際に、環状炉内の温度を８６０℃まで昇温させ、３０分間にわたり、保持した点を除いて、実施例５と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、１１０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９０％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、１１０ｐｐｍ／Ｋであった。
塗布膜を焼成する際に、環状炉内の温度を８８０℃まで昇温させ、３０分間にわたり、保持した点を除いて、実施例５と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９４％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９４％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、０ｐｐｍ／Ｋであった。
αを１．２として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．３となるように、原料溶液を調製した点を除いて、実施例６と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９５％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−３０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９５％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−３０ｐｐｍ／Ｋであった。
塗布膜を焼成する際に、環状炉内の温度を８８０℃まで昇温させ、３０分間にわたり、保持した点を除いて、実施例８と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９７％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−９０ｐｐｍ／Ｋであった。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は９７％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−９０ｐｐｍ／Ｋであった。
αを１．６として、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が、１．４となるように、原料溶液を調製した点を除いて、実施例７と全く同様にして、誘電体層を形成し、薄膜容量素子を作製した。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は１００％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−１５０ｐｐｍ／Ｋであった。
第２図は、実施例１ないし実施例１０によって作製された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεと、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）との関係を示すグラフである。
第２図に示されるように、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１ ５で表わされ、化学量論比に対して、過剰のビスマスを含むビスマス層状化合物を含んだ誘電体層が形成された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεは、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）が増大するにしたがって、プラスからマイナスに、線形に減少することが認められた。
したがって、化学量論比に対するビスマスの過剰量、塗布、仮焼成および焼成の条件を制御し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、所望の静電容量温度係数を有する薄膜容量素子１を作製することが可能になるから、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、化学量論比に対して、過剰のビスマスを含むビスマス層状化合物を含んだ誘電体層が形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路を温度依存性を所望のように制御し、電子回路が組み込まれた電子機器の温度依存性を低下させることが可能になることがわかった。
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
たとえば、前記実施態様においては、薄膜容量素子１の誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成されているが、薄膜容量素子１の誘電体層５を、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、形成することは必ずしも必要でなく、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５が形成されればよく、好ましくは、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５が形成される。さらに、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．２モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。また、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。さらに、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．２モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、誘電体層５を形成するにあたって、スピンコーティング法によって、塗布膜が形成されているが、スピンコーティング法によって、塗布膜を形成することは必ずしも必要でなく、スピンコーティング法に代えて、たとえば、ディップコーティング法によって、塗布膜を形成してもよい。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の支持基板２がシリコン単結晶によって形成されているが、薄膜容量素子１の支持基板２をシリコン単結晶によって形成することは必ずしも必要でなく、格子整合性に優れたＳｒＴｉＯ３単結晶、ＭｇＯ単結晶、ＬａＡｌＯ３単結晶などの単結晶、ガラス、溶融石英、ＳｉＯ２／Ｓｉなどのアモルファス材料、ＺｒＯ２／Ｓｉ、ＣｅＯ２／Ｓｉなどのその他の材料などによって形成された支持基板２を用いることもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の下部電極層４が白金によって形成されているが、薄膜容量素子１の下部電極層４を白金によって形成することは必ずしも必要でなく、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物、ルテニウム、金、パラジウム、銀などの貴金属あるいはそれらの合金、ＩＴＯなどの導電性ガラス、ニッケル、銅などの卑金属あるいはそれらの合金によって、薄膜容量素子１の下部電極層４を形成することもできる。支持基板２を格子整合性に優れた材料を用いて形成した場合には、下部電極層４は、ＣａＲｕＯ３やＳｒＲｕＯ３などの導電性酸化物、白金やルテニウムなどの貴金属によって形成されることが好ましい。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の下部電極層４は、スパッタリング法によって形成されているが、薄膜容量素子１の下部電極層４を、スパッタリング法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、液相法（ＣＳＤ法）などの他の薄膜形成方法を用いて、下部電極層４を形成することもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の誘電体層５は、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ法）によって形成されているが、薄膜容量素子１の誘電体層５を有機金属分解法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、ゾル・ゲル法などの他の薄膜形成方法を用いて、誘電体層５を形成することもでき、これらの中では、有機金属分解法やゾル・ゲル法などの液相法が好ましく使用される。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成するにあたって、原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に塗布しているが、原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に塗布することは必ずしも必要でなく、ディップコーティング法、スプレーコーティング法などの他の塗布法を用いて、原料溶液を、下部電極層４上に塗布するようにしてもよい。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の上部電極層６が白金によって形成されているが、薄膜容量素子１の上部電極層６を白金によって形成することは必ずしも必要でなく、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物、ルテニウム、金、パラジウム、銀などの貴金属あるいはそれらの合金、ＩＴＯなどの導電性ガラス、ニッケル、銅などの卑金属あるいはそれらの合金によって、薄膜容量素子１の上部電極層６を形成することもできる。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の上部電極層６は、スパッタリング法によって形成されているが、薄膜容量素子１の上部電極層６を、スパッタリング法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、液相法（ＣＳＤ法）などの他の薄膜形成方法を用いて、上部電極層６を形成することもできる。
本発明によれば、薄層化が可能で、かつ、容易に作製することができ、温度補償特性に優れた薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器を提供することが可能になる。
こうして得られた誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を、実施例１と同様にして、求めたところ、ビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）は１００％であった。
また、こうして得られた薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεを、実施例１と同様にして、求めたところ、−１５０ｐｐｍ／Ｋであった。
第２図は、実施例１ないし実施例１０によって作製された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεと、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）との関係を示すグラフである。
第２図に示されるように、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１ ５で表わされ、化学量論比に対して、過剰のビスマスを含むビスマス層状化合物を含んだ誘電体層が形成された薄膜容量素子の温度に対する誘電率の平均変化率（静電容量温度係数）Δεは、薄膜容量素子を構成する誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）が増大するにしたがって、プラスからマイナスに、線形に減少することが認められた。
したがって、化学量論比に対するビスマスの過剰量、塗布、仮焼成および焼成の条件を制御し、誘電体層に含まれているビスマス層状化合物のｃ軸方向の配向度Ｆ（％）を制御することによって、所望の静電容量温度係数を有する薄膜容量素子１を作製することが可能になるから、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、化学量論比に対して、過剰のビスマスを含むビスマス層状化合物を含んだ誘電体層が形成された薄膜容量素子を電子回路に組み込むことによって、電子回路を温度依存性を所望のように制御し、電子回路が組み込まれた電子機器の温度依存性を低下させることが可能になることがわかった。
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
たとえば、前記実施態様においては、薄膜容量素子１の誘電体層５は、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成されているが、薄膜容量素子１の誘電体層５を、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５となるように、過剰のビスマスを含んでいるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、形成することは必ずしも必要でなく、化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５が形成されればよく、好ましくは、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５が形成される。さらに、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．２モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。また、化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。さらに、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされ、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．２モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成することもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、誘電体層５を形成するにあたって、スピンコーティング法によって、塗布膜が形成されているが、スピンコーティング法によって、塗布膜を形成することは必ずしも必要でなく、スピンコーティング法に代えて、たとえば、ディップコーティング法によって、塗布膜を形成してもよい。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の支持基板２がシリコン単結晶によって形成されているが、薄膜容量素子１の支持基板２をシリコン単結晶によって形成することは必ずしも必要でなく、格子整合性に優れたＳｒＴｉＯ３単結晶、ＭｇＯ単結晶、ＬａＡｌＯ３単結晶などの単結晶、ガラス、溶融石英、ＳｉＯ２／Ｓｉなどのアモルファス材料、ＺｒＯ２／Ｓｉ、ＣｅＯ２／Ｓｉなどのその他の材料などによって形成された支持基板２を用いることもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の下部電極層４が白金によって形成されているが、薄膜容量素子１の下部電極層４を白金によって形成することは必ずしも必要でなく、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物、ルテニウム、金、パラジウム、銀などの貴金属あるいはそれらの合金、ＩＴＯなどの導電性ガラス、ニッケル、銅などの卑金属あるいはそれらの合金によって、薄膜容量素子１の下部電極層４を形成することもできる。支持基板２を格子整合性に優れた材料を用いて形成した場合には、下部電極層４は、ＣａＲｕＯ３やＳｒＲｕＯ３などの導電性酸化物、白金やルテニウムなどの貴金属によって形成されることが好ましい。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の下部電極層４は、スパッタリング法によって形成されているが、薄膜容量素子１の下部電極層４を、スパッタリング法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、液相法（ＣＳＤ法）などの他の薄膜形成方法を用いて、下部電極層４を形成することもできる。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の誘電体層５は、有機金属分解法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＤ法）によって形成されているが、薄膜容量素子１の誘電体層５を有機金属分解法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、ゾル・ゲル法などの他の薄膜形成方法を用いて、誘電体層５を形成することもでき、これらの中では、有機金属分解法やゾル・ゲル法などの液相法が好ましく使用される。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の誘電体層５を形成するにあたって、原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に塗布しているが、原料溶液を、スピンコーティング法によって、下部電極層４上に塗布することは必ずしも必要でなく、ディップコーティング法、スプレーコーティング法などの他の塗布法を用いて、原料溶液を、下部電極層４上に塗布するようにしてもよい。
また、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の上部電極層６が白金によって形成されているが、薄膜容量素子１の上部電極層６を白金によって形成することは必ずしも必要でなく、ＮｄＯ、ＮｂＯ、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２、ＲｅＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＳｒＣｏＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３などの導電性酸化物、ルテニウム、金、パラジウム、銀などの貴金属あるいはそれらの合金、ＩＴＯなどの導電性ガラス、ニッケル、銅などの卑金属あるいはそれらの合金によって、薄膜容量素子１の上部電極層６を形成することもできる。
さらに、前記実施態様および前記実施例１ないし１０においては、薄膜容量素子１の上部電極層６は、スパッタリング法によって形成されているが、薄膜容量素子１の上部電極層６を、スパッタリング法によって形成することは必ずしも必要でなく、真空蒸着法、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ）、有機金属化学気相成長法（ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）、液相法（ＣＳＤ法）などの他の薄膜形成方法を用いて、上部電極層６を形成することもできる。
本発明によれば、薄層化が可能で、かつ、容易に作製することができ、温度補償特性に優れた薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器を提供することが可能になる。
Claims (25)
- 化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜容量素子。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄膜容量素子。
- 化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の層間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第５項に記載の薄膜容量素子。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第５項に記載の薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第５項に記載の薄膜容量素子。
- 化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えたことを特徴とする薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の薄膜容量素子。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第９項に記載の薄膜容量素子。
- 前記誘電体層が、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第９項に記載の薄膜容量素子。
- 化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子回路。
- 化学量論的組成式：（Ｂｉ２Ｏ２）２＋（Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋１）２−、あるいは、Ｂｉ２Ａｍ−１ＢｍＯ３ｍ＋３で表わされる組成を有し（記号ｍは正の整数であり、記号Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、鉛（Ｐｂ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）およびビスマス（Ｂｉ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であり、記号Ｂは、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、アンチモン（Ｓｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。記号Ａおよび／またはＢを２つ以上の元素で構成する場合、それらの比率は任意である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器。
- 前記誘電体層が、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０．４≦Ｂｉ＜０．５×ｍモルの範囲にあるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の電子機器。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の電子機器。
- 前記誘電体層が、前記第一の電極層上に、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の電子機器。
- 化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）換算で、０＜Ｂｉ＜２．０モルの範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器。
- 前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１８項に記載の電子機器。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１８項に記載の電子機器。
- 前記誘電体層が、前記第一の電極層上に、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第１８項に記載の電子機器。
- 化学量論的組成式：ｘＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５−（１−ｘ）ＭＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされる組成を有し（記号Ｍは、カルシウム、バリウムおよび鉛から選ばれる少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。）、ビスマスが、化学量論比よりも過剰に含有され、ビスマスの過剰含有量が、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）のモル比が１＜Ｂｉ／Ｔｉ＜１．５の範囲にあるビスマス層状化合物を含む誘電体材料によって形成された誘電体層を、第一の電極層と第二の電極層の間に備えた薄膜容量素子を含むことを特徴とする電子機器。
- 前記誘電体層が、化学量論的組成式：ＳｒＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５で表わされるビスマス層状化合物を含んでいることを特徴とする請求の範囲第２２項に記載の電子機器。
- 前記ビスマス層状化合物が、さらに、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１つの希土類元素を含んでいることを特徴とする請求の範囲第２２項に記載の電子機器。
- 前記誘電体層が、前記第一の電極層上に、液相法によって形成されたことを特徴とする請求の範囲第２２項に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003049623 | 2003-02-26 | ||
| JP2003049623 | 2003-02-26 | ||
| PCT/JP2004/001977 WO2004077564A1 (ja) | 2003-02-26 | 2004-02-20 | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2004077564A1 true JPWO2004077564A1 (ja) | 2006-06-08 |
Family
ID=32923313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005502858A Pending JPWO2004077564A1 (ja) | 2003-02-26 | 2004-02-20 | 薄膜容量素子ならびにそれを含んだ電子回路および電子機器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060186395A1 (ja) |
| EP (1) | EP1598870A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2004077564A1 (ja) |
| KR (1) | KR20050100699A (ja) |
| CN (1) | CN1754262A (ja) |
| TW (1) | TWI235390B (ja) |
| WO (1) | WO2004077564A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1598840A1 (en) * | 2003-02-27 | 2005-11-23 | TDK Corporation | Composition for thin-film capacitor device, high dielectric constant insulator film, thin-film capacitor device, thin-film multilayer capacitor, electronic circuit and electronic device |
| CN109111222B (zh) * | 2018-09-30 | 2022-03-01 | 陕西科技大学 | 一种Co掺杂的具有奥里维里斯结构的多铁性陶瓷及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624707A (en) * | 1991-12-13 | 1997-04-29 | Symetrix Corporation | Method of forming ABO3 films with excess B-site modifiers |
| US6025619A (en) * | 1992-10-23 | 2000-02-15 | Azuma; Masamichi | Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same |
| US6133050A (en) * | 1992-10-23 | 2000-10-17 | Symetrix Corporation | UV radiation process for making electronic devices having low-leakage-current and low-polarization fatigue |
| US6639262B2 (en) * | 1993-12-10 | 2003-10-28 | Symetrix Corporation | Metal oxide integrated circuit on silicon germanium substrate |
| JP3106913B2 (ja) * | 1995-07-10 | 2000-11-06 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用組成物並びにＢｉ系強誘電体薄膜及びその製造方法 |
| JPH0931635A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-04 | Mitsubishi Materials Corp | Ｂｉ系強誘電体薄膜形成用ターゲット材及びＢｉ系強誘電体薄膜の製造方法 |
| JP4017209B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2007-12-05 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶素子およびその形成方法 |
| JP2000169297A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-06-20 | Sharp Corp | 酸化物強誘電体薄膜の製造方法、酸化物強誘電体薄膜及び酸化物強誘電体薄膜素子 |
| US6876536B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Thin film capacitor and method for fabricating the same |
-
2004
- 2004-02-20 WO PCT/JP2004/001977 patent/WO2004077564A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-02-20 CN CNA2004800053770A patent/CN1754262A/zh active Pending
- 2004-02-20 JP JP2005502858A patent/JPWO2004077564A1/ja active Pending
- 2004-02-20 EP EP04713200A patent/EP1598870A1/en not_active Withdrawn
- 2004-02-20 KR KR1020057015636A patent/KR20050100699A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-20 US US10/546,667 patent/US20060186395A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-23 TW TW093104465A patent/TWI235390B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI235390B (en) | 2005-07-01 |
| WO2004077564A1 (ja) | 2004-09-10 |
| TW200425181A (en) | 2004-11-16 |
| KR20050100699A (ko) | 2005-10-19 |
| EP1598870A1 (en) | 2005-11-23 |
| CN1754262A (zh) | 2006-03-29 |
| US20060186395A1 (en) | 2006-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100309 |