JPWO2003067331A1 - 露光マスクパターンの形成方法、露光マスクパターン、および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

設計パターン１のエッジに所定間隔でエッジ分割点Ｐを付与し、分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行う露光マスクパターンの形成方法において、設計パターン１に、この設計パターン１を構成する１対の対向辺を長辺とした矩形図１０，１１を生成する。この際、設計パターン１における長辺の間隔Ｗ１，Ｗ２が、所定間隔Ｗ０以内である部分に矩形図１０，１１を生成する。次いで、各矩形図１０，１１において、その短辺を共有する２つの頂点を始点Ｐ０とし、この始点Ｐ０から各長辺に対して所定間隔ｔで新たなエッジ分割点Ｐ（Ｐ１）を付与する。これにより、リソグラフィに用いる露光マスクパターンの簡素化を図り、転写パターンの形成精度の向上を図る。

Description

技術分野
本発明は露光マスクパターンの形成方法および露光マスクパターンに関し、特にモデルベース近接効果補正を適用した露光マスクパターンの形成方法、これによって得られる露光マスクパターン、および半導体装置の製造方法に関する。
技術背景
半導体装置の製造工程においては、レジストパターンをマスクに用いたイオン注入やパターンエッチングが行われている。
ところで、リソグラフィーによって得られるレジストパターンやその後のエッチング加工によって形成される転写パターンには、プロセス条件、パターンの配置密度、さらには下地条件等の様々な要因によって、寸法精度にばらつきが生じることが知られている。このような寸法精度のばらつきは、パターン間の短絡や断線などの不良を発生させる要因となっている。
そこで近年においては、より設計パターンに近い転写パターンが得られるように、設計パターンを補正して露光用のマスクパターン（すなわち露光マスクパターン）を得る、いわゆる光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：以下ＯＰＣと記す）が行われている。そのうちモデルベースＯＰＣは、図１１に示すように、図中破線で示した設計パターン１のエッジ（端縁）にエッジ分割点Ｐを付与し、エッジ分割点Ｐ間の中心を評価点として光強度シミュレーションを行い、得られたシミュレーション結果に基づいて、エッジ分割点Ｐ間のエッジ位置に対し自動的に補正量を決定し、露光マスクパターン３を形成する方法である。
また以上のようなモデルベースＯＰＣによって得られる露光マスクパターン３の形状は、エッジ分割点Ｐを付与する間隔ｔによって決定される。間隔ｔが大きければそれだけ補正が粗くなり、この露光マスクパターンを用いたリソグラフィによって得られる転写パターンの精度の向上は難しい。これに対して、エッジ分割点Ｐの間隔ｔを小さくすると、露光マスクパターン３が複雑化してしまい、製造が困難となったり、マスクの製造コストの増加を招いてしまう。さらに、微細パターンの発生により、欠陥検査が不可能となり、欠陥保証されたマスクの作成が不可能となる場合もある。そこで、モデルベースＯＰＣにおいては、転写パターンの形状精度を確保でき、かつ欠陥保証されたマスクの作成が可能となるように、エッジ分割点Ｐの間隔ｔが設定される。
また、設計パターン１に対してエッジ分割点Ｐを付与する場合には、図１２に示すように、設計パターン１の各頂点Ｐ_０を始点として、設定された間隔ｔにしたがって、順次エッジ分割点Ｐが付与される。
ところが、設計パターンの各頂点を始点として順次エッジ分割点を付与した場合、始点の位置とエッジ分割点の間隔とによって、対向するエッジ部分においてのエッジ分割点の位置に「ずれ」が生じる場合がある。例えば図１２に示したＬ字型の設計パターン１において、設計パターン１の頂点を始点Ｐ_０とし、間隔ｔを設定してエッジ分割点Ｐを順次付与した場合、間隔ｔが設計パターン１の線幅Ｗ１，Ｗ２と一致しない限りは、図示したように、対向するエッジ部分においてエッジ分割点Ｐの位置に「ずれ」が生じる。
この場合、図１１に示したように、設計パターン１の補正によって得られた露光マスクパターン３の各エッジ部分が、対向するエッジ部分間において段違いにずれることになる。このため、エッジ分割点Ｐの間隔ｔを上述したように設定したにも係わらず、露光マスクパターン３が複雑化し、露光マスクパターン３の形成が困難となったり、マスクコストが増加したり、さらに欠陥保証されたマスクの作成が困難になる。
また、このようにして形成された露光マスクパターン３を用いて露光マスクを作製する際には、露光マスクパターン３のデータ（いわゆるマスクデータ）が矩形部分毎に分割される。このため、露光マスクパターン３は、必要に応じてエッジ分割点Ｐからエッジに対して垂直に設けられた分割ライン７で分割され、各分割図形９部分を１ショットとした電子線描画が行われる。
ところが、上述したようにエッジ部分に「ずれ」が生じた露光マスクパターン３に、矩形の分割図形９を形成すると、これらの分割図形９には、エッジ分割点Ｐの間隔ｔよりも小さい辺を有するものが生じる。このため、エッジ分割点Ｐの間隔ｔを上述したように設定したにも係わらず分割図形９の数が増大する。これは、マスク製造時の露光におけるショット数の増加と、これによるＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の劣化を招く要因になる。
発明の開示
以上述べた課題を解決するための本発明は、設計パターンのエッジに所定間隔でエッジ分割点を付与し、分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行う露光マスクパターンの形成方法であって、次のように行うことを特徴としている。先ず、設計パターンに、この設計パターンを構成する１対の対向辺を用いた矩形図を生成する。そして、矩形図の１辺を共有する２つの頂点を始点とし、これらの始点から各対向辺に対して所定間隔でエッジ分割点を付与する。その後、分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行うことにより露光マスクパターンを形成する。また、本発明はこのような方法によって得られた露光マスクパターン、さらにはこの露光マスクパターンを用いて露光を行う半導体装置の製造方法でもある。
上述した露光マスクパターンの形成方法、露光マスクパターンおよび半導体装置の製造方法では、矩形図の１辺を共有する２つの頂点から、当該矩形図の対向辺に所定間隔で分割点を設けるため、これらの各対向辺上においては、対向辺の延設方向に対してずれを生じることなくエッジ分割点が設けられる。このため、エッジ分割点によって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置を補正した場合、対向辺の延設方向に、補正されたエッジ部分が段違いに配置されることはない。したがって、この補正によって得られる露光マスクパターンを、対向辺の延設方向に分割して矩形形状の分割図部分に分割する場合、エッジ分割点間の間隔が分割の最小単位となり、矩形形状の分割図形がエッジ分割点間の数以下に抑えられる。これにより、露光マスクパターンの形状が簡略化され、マスクの欠陥保証が容易になり、設計パターンに対して精度の高い転写パターンを形成することが可能になる。尚、前記矩形図は、長方形であっても正方形であっても良い。また，前記分割点を設ける間隔は一定値であっても良い。
前記矩形図を生成する工程では、前記対向辺間が所定間隔以内である設計パターン部分を矩形図とすることにより、屈曲部を有する長尺形状の図形において、屈曲部を構成する図形を除いた部分に矩形図が生成される。したがって、矩形図の対向辺にエッジ分割点を付与する場合に、設計パターンの内部にエッジ分割点が付与されることが防止される。
前記補正は、光近接効果補正であることにより、この補正で得られた露光マスクパターンを用いたパターン露光を行うリソグラフィーによって、より設計パターンに近い形状の転写パターンが得られる。
そして、このようにして得られた露光マスクパターンのパターン露光を行う半導体装置の製造方法によれば、この補正によって得られる露光マスクパターンを、対向辺の延設方向に分割して矩形形状の分割図部分に分割する場合、エッジ分割点間の間隔が分割の最小単位となり、矩形形状の分割図形がエッジ分割点間の数以下に抑えられ、マスクデータ数および、マスク製造時の露光におけるショット数の増加、さらにはこれによるＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の劣化を防止することが可能になる。
また、このような半導体装置の製造方法において、前記パターン露光が、前記露光マスクパターンを有する露光マスクを用いた露光である場合には、露光マスクのデータ数を削減することができる。一方、前記パターン露光が、描画露光である場合には、露光ショット数を削減することができる。
さらに、前記パターン露光が、電子線露光、Ｘ線露光または光露光であることにより、特に微細パターン、高集積パターンが必要とされる露光マスクを用いたこれらのパターン露光について、マスクデータ数、およびマスク製造時のパターン露光におけるショット数の増加、さらにはこれによるＴＡＴの劣化を効果的に防止することが可能になる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ここでは、モデルベースＯＰＣに本発明を適用し、Ｌ字型の設計パターンの転写パターンを、リソグラフィによって形成する際に用いる露光マスクパターンの形成を例にとり、実施の形態を説明する。
先ず、図１Ａに示すように、Ｌ字型の設計パターン１の各部分について、その延設方向（長手方向）に沿って線幅Ｗ１，Ｗ２のチェックを行う。この際、設計パターン１の延設方向となる２方向（例えば直行するｘ，ｙの２方向）に沿って、当該設計パターン１の対向辺間の間隔を線幅Ｗ１，Ｗ２として検知することとする。
次いで、図１Ｂに示すように、上記チェックによって検知された線幅Ｗ１，Ｗ２が、設定した間隔Ｗ０以下である部分を、それぞれ矩形図１０，１１とする。ここで、間隔Ｗ０は、例えば設計パターンにおいて最も太い設計線幅に設定される。これにより、本実施形態においては、Ｌ字型の２箇所が矩形図１０，１１となる。また、線幅（Ｗ１＞Ｗ０），（Ｗ２＞Ｗ０）部分は、矩形図として認識されることはなく、このためＬ字型の屈曲部分に矩形図が設定されることはない。そして、この矩形図は、設計パターンを構成する１対の対向辺のうちの一方の辺と、他方の辺の一部とによって、対向辺が構成された矩形図となる。尚、設計パターンにおける矩形図の設定方法は、このような手法に限定されることはなく、屈曲部分に矩形図が設定されない手法であればよい。また、矩形図とは、長方形に限定されず正方形であっても良い。
その後、図１Ｃに示すように、生成された矩形図１０，１１の各４つの頂点に、エッジ分割点Ｐを付与する。また、生成された矩形図１０，１１から除かれたＬ字型部分１２の各頂点（ここでは１箇所）にも、エッジ分割点Ｐ（Ｐｅ）を付与する。
次に、図２Ａに示すように、各矩形図１０，１１において、１つの短辺を共有する各２つの頂点に付与されたエッジ分割点Ｐを始点Ｐ_０とし、これらのＰ_０から各矩形図１０，１１の各対向辺（長辺）に対して所定間隔ｔで、さらに新たなエッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）を順次付与する。
尚、図面においては、全てのエッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）が全て同一の所定間隔ｔ（すなわち一定値）で付与された場合を示した。しかし、ここで重要なことは、１つの短辺を共有する２つの始点Ｐ_０から、順次、各対向辺に対して同様の規則に従った所定間隔ｔで、新たなエッジ分割点Ｐ_１を付与していくことにある。このため、長辺方向に隣接するエッジ分割点Ｐの間隔がそれぞれ異なる値であっても良い。
以上のようにして、新たなエッジ分割点Ｐ_１を付与した後、図２Ｂに示すように、各エッジ分割点Ｐで分割された設計パターン１のエッジ部分の位置を、エッジ部分毎に補正し、露光マスクパターン２０を形成する。この際、例えばエッジ分割点Ｐ間の中心を評価点として光強度シミュレーションを行い、得られたシミュレーション結果に基づいて、エッジ分割点Ｐ間のエッジ位置の補正量を算出し、算出された補正量だけエッジ部分の位置を補正する。尚、設計パターン１のコーナー部分（端部も含む）においては、通常の補正と同様の穴埋め処理を行うことで、この部分において段差の発生のない露光マスクパターン２０を得る。
そして、以上の様にして得られた露光マスクパターン２０を用いて露光マスクを形成する場合、図３に示すように、露光マスクパターン２０を矩形形状に分割し、各分割図形２１を１ショットで電子線露光を行う。
以上のような露光マスクパターンの形成方法によれば、図２Ａに示したように、矩形図１０，１１の短辺を共有する２つの頂点に付加したエッジ分割点Ｐを始点Ｐ_０とし、この始点Ｐ_０から、矩形図１０，１１の長辺に所定間隔ｔで新たなエッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）を設けるため、これらの対向辺（長辺）上においては、長辺の延設方向に対してずれを生じることなくエッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）が設けられる。このため、エッジ分割点Ｐによって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置を補正した場合、矩形図１０，１１の延設方向において、補正されたエッジ部分が段違いに配置されることはない。したがって、延設方向においてエッジ部分が段違いに配置される従来の補正と比較し、露光マスクパターン２０の形状を簡素化することが可能になる。この結果、欠陥保証を含む露光マスクパターン２０の形成が容易になり、この露光マスクパターン２０を用いたリソグラフィによって、設計パターンに対して精度の高い転写パターンを得ることが可能になる。
また、このようにして形成された露光マスクパターン２０を用いて露光マスクを作製する際に、図３に示したように、露光マスクパターン２０を対向辺（長辺）の延設方向に分割して矩形形状の分割図形２１部分に分割する場合、エッジ分割点Ｐ間の間隔（すなわちｔ）が分割の最小単位となる。したがって、矩形形状の分割図形２１がエッジ分割点Ｐ間の数以下に抑えられる。この結果、マスクデータ数および、マスク製造時の露光におけるショット数の増加、さらにはこれによるＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の劣化を防止することが可能になる。
図４Ａ〜図４Ｃには、以上の方法を適用した露光マスクパターン形成の実施例を示す。ここでは、図４Ａに示すように、設計パターン１に対して、上述した方法で矩形図１０，１１を生成し、次いで順次エッジ分割点Ｐを付与した。尚、エッジ分割点Ｐは、矩形図１０，１１に対して始点Ｐ_０から順次所定間隔ｔで付与したものの他、矩形図１０，１１からはずれた設計パターン１部分にも、必要に応じて付与した。その後、図４Ｂに示すように、エッジ分割点Ｐ間のエッジ部分の位置を補正して露光マスクパターン２０を形成した。図４Ｃには、この露光マスクパターン２０を用いて得られた設計パターン１の転写パターン３０を示す。この転写パターン３０は、露光マスクを用いたリソグラフィのシミュレーションによって得られたものであり、断線を生じることなく設計パターン１に対して精度良く形成されることが確認できた。
これに対し、図５Ａ〜図５Ｃには、従来のモデルベースＯＰＣを適用した露光マスクパターン形成を比較例として示す。ここでは先ず、図５Ａに示すように、設計パターン１の頂点にエッジ分割点Ｐ（Ｐ_０）を付与し、これらを始点Ｐ_０として順次エッジ分割点Ｐを付加した。その後、図５Ｂに示すように、始点Ｐ_０を含むエッジ分割点Ｐ間のエッジ部分の位置を補正して露光マスクパターン３を形成した。図５Ｃには、この露光マスクパターン３を用いて得られた転写パターン５を示す。この転写パターン５は、露光マスクを用いたリソグラフィのシミュレーションによって得られたものであり、断線を生じていた。
以上説明したように本実施形態に係る露光マスクパターンの形成方法および露光マスクパターンによれば、設計パターン１に発生させた矩形図１０，１１の頂点を始点Ｐ_０としてエッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）を付与する構成としたことで、エッジ分割点Ｐ（Ｐ_１）間の補正位置が対向するエッジ間において段違いにずれを生じることのない露光マスクパターンを形成することが可能になる。
したがって、露光マスクパターンの形状が簡略化され、マスクの欠陥保証が容易になり、設計パターンに対して精度の高い転写パターンを形成することが可能になる。さらに、マスク製造時の露光におけるショット数が低減され、ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の向上を図ることが可能になる。
尚、本発明は、光露光のための露光マスク用の露光マスクパターン形成のみならず、電子線露光、Ｘ線露光、紫外線露光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）露光、イオン線露光などのための露光マスク用の露光マスクパターンの形成に適用することができる。さらには、露光マスク用の露光マスクパターンの形成のみならず、描画露光用の露光パターンの形成に対しても適用でき、同様の効果を得ることができる。
ここで、フォトリソグラフィーに代わる次世代露光技術の１つである、低速電子線近接転写リソグラフィー（ＬＥＥＰＬ：Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）においては、露光マスクとして、厚さ数１００ｎｍのメンブレン（薄膜）に開口状の露光マスクパターンが設けられたステンシルマスクが用いられている。
図６には、このようなステンシルマスクの平面図を示し、図７には図６のＡ−Ａ’断面図を示し、図８には図６の要部斜視図を示す。これらの図６〜図８に示すように、ステンシルマスク１０１は、例えばシリコンウェハからなる枠体１０２と、この枠体１０２の一面側に張設されたメンブレン１０３と、枠体１０２の内側に枠体１０２と一体に設けられてメンブレン１０３を支持するグリッド１０４で構成されている。このような構成のステンシルマスク１０１には、グリッド１０４で仕切られている各メンブレン１０３部分をパターン形成領域１０５とし、このパターン形成領域１０５に、開口状の露光マスクパターン１０６が形成されている。尚、通常、グリッド１０４のメンブレン１０３を支持している面と反対側の面には、マスク側アライメントマーク１０７が形成される。
このような構成のステンシルマスク１０１を用いてパターン露光を行う場合には、ステンシルマスク１０１のメンブレン１０３と露光表面との間隔が数１０μｍとなるように、ステンシルマスク１０１を露光表面の直上に配置する。この状態で、ステンシルマスク１０１の露光マスクパターン１０６形成部分を数〜数１０ｋｅＶの電子線で走査することにより、露光マスクパターン１０１を通過した電子線を露光表面に照射し、露光マスクパターン１０６を露光表面に転写する。
ところで、このような構成のステンシルマスクの場合、ドーナツ状の開口パターンを露光マスクパターンとして形成できないと言った問題や、一方向に長い露光マスクパターン等を形成したときにメンブレン１０３がゆがみ、パターンの位置制度が低くなると言った問題が生じる。したがって、ステンシルマスク１０１においては、設計パターンの補正によって得られた露光マスクパターン１０６が、複数の相補マスクに分割（相補分割）した状態で形成される。そして、これらの相補マスクを用いて多重露光を行うことで、相補的に露光マスクパターンを露光表面に転写している。尚、相補マスクとは、ある区画のパターンを分割して各マスクに載せ、各マスク同士を重ね合わせて分割したパターン同士を重ね合わせることにより、該区画の分割前のパターンを形成できる各マスクをいう。
本実施形態に係る露光マスクパターンによれば、上述のような相補分割ステンシルマスクを用いる場合に特に効果的に微細パターンを半導体基板上に形成することができる。
図９には、本実施形態に係る露光マスクパターンを用いて形成された半導体装置の一例の平面図を示す。この図に示す半導体装置２０１は、半導体基板の表面側に素子領域２０３および活性領域２０４が形成され、多結晶シリコン、シリサイド等からなるゲート２０５を配したＭＯＳトランジスタである。特に、ゲート長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３などの微細パターンを形成するには、本実施形態に係る露光マスクパターンの使用が効果的である。
図１０には、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートを示す。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は図１０に示すステップＳ１〜Ｓ４を含んでいれば良い。すなわち、ステップＳ１では、設計パターンに、当該設計パターンを構成する１対の対向辺を用いた矩形図を生成する。そして、ステップＳ２では、矩形図の１辺を共有する２つの頂点を始点とし、当該始点から前記各対向辺に対して所定間隔でエッジ分割点を付与する。その後、ステップＳ３では、エッジ分割点によって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行い、その後、露光マスクパターンを形成する。以上のステップＳ１〜Ｓ３は、上述した露光マスクパターンの形成工程である。そして、ステップＳ４では、以上のようにして得られた露光マスクパターンを、半導体ウェハ表面のレジスト膜に対してパターン露光する。
このような半導体装置の製造方法によれば、上述した露光マスクパターンの形成方法にしたがって、半導体装置を形成するための露光マスクパターンを形成するため、設計パターンに対して精度の高い転写パターンを半導体ウェハ上に形成することが可能になる。また、露光マスクハターン形成の際のマスクデータ数および、マスク製造時の露光におけるショット数の増加、さらにはこれによるＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）の劣化を防止することが可能になるため、この結果として、半導体装置のＴＡＴの劣化を防止することが可能になる。
産業上の利用の可能性
本発明の露光マスクパターンの形成方法は、光近接効果を考慮した露光マスクパターンの形成方法に適用可能である。本発明の露光マスクパターンは、例えばリソグラフィによって設計パターンに近い転写パターン得る際に用いる露光マスクパターンに適用可能である。本発明の半導体装置の製造方法は、光近接効果を考慮した露光マスクパターンを用いて転写パターンを作製する半導体装置の製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の実施の形態を示す工程図である。
図２Ａ〜図２Ｂは、本発明の実施の形態を示す工程図である。
図３は、本発明によって得られた露光マスクパターンのパターンデータの作成を説明する図である。
図４Ａ〜図４Ｃは、本発明を適用した露光マスクパターン形成の実施例とシミュレーション結果を示す図である。
図５Ａ〜図５Ｃは、従来のモデルベースＯＰＣを適用した露光マスクパターン形成とシミュレーション結果を示す図である。
図６は、露光マスクの一例であるステンシルマスクの構成を示す平面図である。
図７は、露光マスクの一例であるステンシルマスクの断面図である。
図８は、露光マスクの一例であるステンシルマスクの要部拡大斜視図である。
図９は、半導体装置の平面図である。
図１０は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。
図１１は、従来のモデルベースＯＰＣを適用した露光マスクパターン形成を説明する図である。
図１２は、従来のモデルベースＯＰＣにおけるエッジ分割点の付与を説明する図である。
符号の説明
１…設計パターン
１０，１１…矩形図
２０…露光マスクパターン
Ｐ_０…始点
Ｐ…エッジ分割点
ｔ…所定間隔
Ｗ１，Ｗ２…線幅（対向辺間の間隔）

Claims (18)

1. 設計パターンに、当該設計パターンを構成する１対の対向辺を用いた矩形図を生成する工程と、
   前記矩形図の１辺を共有する２つの頂点を始点とし、当該始点から前記各対向辺に対して所定間隔でエッジ分割点を付与する工程と、
   前記エッジ分割点によって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行う工程と
   を有する露光マスクパターンの形成方法。
2. 前記矩形図を生成する工程では、前記対向辺間の間隔が所定間隔以内である前記設計パターン部分を当該矩形図とする
   請求項１記載の露光マスクパターンの形成方法。
3. 前記矩形図は長方形または正方形である
   請求項１記載の露光マスクパターンの形成方法。
4. 前記補正は光近接効果補正である
   請求項１記載の露光マスクパターンの形成方法。
5. 前記所定間隔は一定値である
   請求項１記載の露光マスクパターンの形成方法。
6. 設計パターンに、当該設計パターンを構成する１対の対向辺を用いた矩形図を生成する工程と、
   前記矩形図の１辺を共有する２つの頂点を始点とし、当該始点から前記各対向辺に対して所定間隔でエッジ分割点を付与する工程と、
   前記エッジ分割点によって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行う工程とにより形成された
   露光マスクパターン。
7. 前記矩形図を生成する工程では、前記対向辺間の間隔が所定間隔以内である前記設計パターン部分を前記矩形図とする
   請求項６記載の露光マスクパターン。
8. 前記矩形図は長方形または正方形である
   請求項６記載の露光マスクパターン。
9. 前記補正は光近接効果補正である
   請求項６記載の露光マスクパターン。
10. 前記所定間隔は一定値である
    請求項６記載の露光マスクパターン。
11. 設計パターンに、当該設計パターンを構成する１対の対向辺を用いた矩形図を生成する工程と、
    前記矩形図の１辺を共有する２つの頂点を始点とし、当該始点から前記各対向辺に対して所定間隔でエッジ分割点を付与する工程と、
    前記エッジ分割点によって分割されたエッジ部分毎にエッジ位置の補正を行う工程とにより露光マスクパターンを形成し、
    前記露光マスクパターンをパターン露光する
    半導体装置の製造方法。
12. 前記露光マスクパターンをパターン露光する工程では、当該露光マスクパターンを有する露光マスクを用いた露光を行う
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記露光マスクパターンをパターン露光する工程では、当該露光マスクパターンの描画露光を行う
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記矩形図を生成する工程では、前記対向辺間の間隔が所定間隔以内である前記設計パターン部分を前記矩形図とする
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記矩形図は長方形または正方形である
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記補正は光近接効果補正である
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記所定間隔は一定値である
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
18. 前記パターン露光は、電子線露光、Ｘ線露光、紫外線露光、ＥＵＶ露光、イオン線露光、または光露光である
    請求項１１記載の半導体装置の製造方法。

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