JPWO2003015976A1 - 脆性材料基板の面取り方法および面取り装置 - Google Patents

脆性材料基板の面取り方法および面取り装置 Download PDF

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Abstract

ガラス基板50の側縁における面取り予定のエッジ部51に一方の端部が位置する楕円形状の第1レーザスポットLS1が形成される。第1レーザスポットLS1の長軸は、エッジ部に対して角度θだけ傾斜した状態になっており、他方の端部は、エッジ部51の近傍部分に位置している。第1レーザスポットLS1の熱エネルギー強度は、エッジ部51の近傍部分に位置する端部が小さく、面取り予定のエッジ部51上に位置される端部において最大になっている。ガラス基板50がX方向に移動されると、第1レーザスポットLS1によって、ガラス基板50のエッジ部51の近傍部分が予熱された後に、エッジ部51が溶融されて面取りされる。また、エッジ部51が溶融されて面取りされた後、第2レーザスポットによって加熱し、基板をアニールすることによって、残留応力を緩和し、微細クラックの発生を防止することができる。これにより、ガラス基板のエッジ部51を、クラックを発生させることなく、確実に面取りすることができる。

Description

技術分野
本発明は、フラットパネルディスプレイ(以下FPDと表記する)に使用されるガラス基板、半導体ウェハ等の側縁であるエッジ部を面取りする際に実施される脆性材料基板の面取り方法およびその面取り方法の実施に使用される面取り装置に関する。
背景技術
以下においては、脆性材料基板の一種であるガラス基板が貼り合わされて形成されたFPDについての従来技術を説明する。通常、大寸法の一対のマザーガラス同士が相互に貼り合わされたFPDは、各マザーガラスがそれぞれ所定の大きさのガラス基板になるように分断されて、所定の大きさの一対のガラス基板とされる。マザーガラスをガラス基板に分断する際には、通常、ダイヤモンドカッター等のカッターによって機械的にスクライブラインを形成し、形成されたスクライブラインに沿ってマザーガラスが分断される。
このように、マザーガラスを分断する際に、カッター等によって機械的にスクライブラインを形成すると、形成されたスクライブラインの周辺部には、応力が蓄積された状態になる。そして、スクライブラインに沿ってガラス基板を分断すると、分断されて形成されるガラス基板の表面における側縁のエッジ部およびその周辺部には、残留した応力が蓄積される。このような残留応力は、ガラス基板の表面付近に不用なクラックを伸長させる潜在的な応力であり、この残留応力が解放されると、不用なクラックが発生してエッジ部が欠けるおそれがある。エッジ部が欠けることによって発生する破片は、製造されるFPDの基板表面にキズを付ける等、悪影響を及ぼすおそれがある。
このようなガラス基板のエッジ部の欠けを防止するために、所定の大きさに分断されたガラス基板のエッジ部を面取りすることが行われている。エッジ部の面取りは、エッジ部に水等の媒体を多量に供給しつつ、ダイヤモンド砥石によってエッジ部を研磨するウエット研磨、エッジ部にレーザビームを照射するドライ研磨等によって行われている。ドライ研磨では、レーザビームの照射による熱応力によってエッジ部を剥離するか、レーザビームの照射によってエッジ部を溶融することによって、エッジ部を面取りする。
ダイヤモンド砥石を使用したウエット研磨では、面取りされた部分に微小なクラックが連続的に残存しており、エッジ部が面取りされた部分近傍の強度は、周囲の強度よりも著しく低下するという問題がある。
レーザビームを照射して面取りするドライ研磨では、熱応力によってエッジ部を剥離する場合には、図7に示すように、ガラス基板50における面取りされた部分に、新たに2つのエッジ50aおよび50bが形成されることになる。
また、レーザビームを照射してエッジ部を溶融することによって面取りする場合には、ガラス基板には、分断に際して機械的にスクライブラインを形成することによって形成されたガラス基板のエッジ部の残留応力が、エッジ部を溶融するレーザビームによって急激に加熱され、残留応力が、瞬間的に解放されて、ガラス基板の側面から内部に向かう不用なクラックが順次伸展していくおそれがある。このような不用なクラックがカラス基板に形成されると、FPDのガラス基板としては使用することができなくなる。
本発明は、このような問題を解決するものであり、その目的は、ガラス基板等の脆性材料基板のエッジ部を、不用なクラックを発生させることなく、確実に面取りすることができる脆性材料基板の面取り方法および面取り装置を提供することにある。
発明の開示
本発明の脆性材料基板の面取り方法は、脆性材料基板の側縁における面取り予定のエッジ部の近傍部分を、該エッジ部に沿って連続して加熱する予熱工程と、該予熱工程に連続して、該エッジ部を連続して加熱して溶融させる溶融工程と、を包含することを特徴とする。
前記予熱工程および溶融工程は、レーザビームの照射によって所定の熱エネルギー強度分布を有するように形成されるレーザスポットによって実施されることを特徴とする。
前記レーザスポットは、長軸方向の一方の端部が、脆性材料基板における面取り予定のエッジ部の近傍の予熱部分に位置されて、長軸方向の他方の端部が、面取り予定のエッジ部上に位置されるように、該長軸方向が該エッジ部に対して傾斜した状態になっていることを特徴とする。
レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態とは以下の複数の状態を含む。例えば、図8に示されているようにレーザスポットLS1の長軸が、X−Y平面状でガラス基板50のエッジ部51に対して傾斜している状態、例えば、図10(a)に示されているようにX−Y面に傾斜してレーザビームが照射されて、ガラス基板50のエッジ部51に沿ってレーザスポットLS1が形成されている状態、例えば、図10(b)に示されているようにレーザスポットLS1の長軸がガラス基板のエッジ部51に対して傾斜している状態、例えば図10(c)に示されているようにX−Y面及びX−Z面のぞれぞれの面に対して所定の角度傾斜させてレーザビームを照射して、レーザスポットLS1を形成すると共に、レーザスポットの長軸がガラス基板のエッジ部51に対して傾斜している状態などを包含する。
前記レーザスポットの熱エネルギーの強度分布は、前記予熱部分に位置する端部の熱エネルギー強度が小さく、前記面取り予定のエッジ部上に位置される端部において熱エネルギー強度が最大になっていることを特徴とする。
前記溶融工程の後に、溶融されたエッジ部を連続して加熱する再加熱工程をさらに包含することを特徴とする。
前記再加熱工程は、別のレーザビームの照射によって実施されることを特徴とする。
前記別のレーザビームは前記脆性基板の表面に対して傾斜して照射されることを特徴とする。
本発明の脆性材料基板の面取り装置は、脆性材料基板の側縁におけるエッジ部を面取りする脆性材料基板の面取り装置であって、該エッジ部の近傍部分を該エッジ部に沿って連続して予熱するとともに、該エッジ部を連続して加熱して溶融させる加熱手段を有することを特徴とする。
前記加熱手段は、レーザビームを発振するレーザビーム発振器と、該レーザビーム発振器から発振されたレーザビームを、前記脆性材料基板上において、所定形状のレーザスポットに形成する光学系とを有し、該光学系によって形成されるレーザスポットは、長軸方向の一方の端部が、脆性材料基板における面取り予定のエッジ部の近傍の予熱部分に位置されるとともに、長軸方向の他方の端部が、面取り予定のエッジ部上に位置されるように、該長軸方向が該エッジ部に対して傾斜した状態とされることを特徴する。
前記光学系は、前記レーザスポットの熱エネルギーの強度分布を、前記予熱部分に位置する端部において熱エネルギー強度が小さく、前記面取り予定のエッジ部上に位置される端部において熱エネルギー強度が最大になるように形成することを特徴とする。
前記加熱手段によって溶融されたエッジ部を連続して加熱する再加熱手段がさらに設けられていることを特徴とする。
前記再加熱手段は、第2のレーザビームを発振する第2のレーザビーム発振器と、該第2のレーザビーム発振器から発振された第2のレーザビームを、前記脆性材料基板上において、所定形状のレーザスポットに形成する光学系とを有することを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の脆性材料基板の面取り方法の実施状態を示す概略平面図である。この面取り方法は、例えば、液晶表示パネル等のFPDを構成するガラス基板が、マザーガラスを、ダイヤモンドカッター等によって機械的にスクライブラインを形成した後に分断されて形成された場合に、好適に実施される。
図1に示すように、ガラス基板50は、矢印Xで示す方向に移動される。この場合、ガラス基板50において面取りされるエッジ部51に対して、一対のレーザビームが照射される。第1のレーザスポットLS1は、ガラス基板50における面取りされるエッジ部51に対して所定の角度θだけ傾斜した楕円形状の第1レーザスポットLS1を形成するように、第1のレーザビームがガラス基板50に照射される。
第1レーザスポットLS1は、例えば、長径が30.0mm、短径が1.0mmの楕円形状になっている。第1レーザスポットLS1は、長軸方向の一方の端部bが、面取りされる予定のエッジ部51上に位置されており、長軸方向の他方の端部aが、ガラス基板50の移動方向Xとは反対方向であって、エッジ部51からガラス基板50の内部に適当な間隔をあけたエッジ部51近傍部分になっている。従って、第1レーザスポットLS1は、ガラス基板50がX方向に移動するにつれて、まず、長軸方向の一方の端部aによって、エッジ部51の近傍部分を、エッジ部51に沿って連続的に加熱(予熱)し、その後、長軸方向の他方の端部bによって、エッジ部51を連続的に加熱する。そして、エッジ部51が加熱されることにより、エッジ部51が溶融状態とされる。
ガラス基板50のエッジ部51には、この第1レーザスポットLS1に連続して、楕円形状の第2レーザスポットLS2が形成されるように、第2のレーザビームが照射される。第2レーザスポットLS2は、エッジ部51に沿って延びる楕円形状になっており、第1レーザスポットLS1と同様に、例えば、長径が30.0mm、短径が1.0mmになっている。この第2レーザスポットLS2によって、溶融状態になったエッジ部51がガラスの溶融温度よりも低い温度で加熱される。
図8は本発明の脆性材料基板の面取り方法の実施状態を示す概略斜視図である。第1のレーザビーム及び第2のレーザービームがX−Y平面に対して略垂直に照射され、第1レーザスポットLS1、第2レーザスポットLS2が形成される様子を示している。
また、第1レーザスポットLS1はガラス基板50のエッジ部51に対して所定角度θ傾いて形成される。
図2は、ガラス基板50に照射される第1レーザスポットLS1の長軸方向に沿った熱エネルギー強度の分布図である。レーザスポットLS1の熱エネルギー強度は、ガラス基板50におけるエッジ部51近傍部分を予熱する長軸方向の一方の端部aから他方の端部bにかけて、緩やかに増加しているが、その強度レベルは、比較的小さくなっており、ガラス基板50を溶融するおそれがない。そして、長軸方向の他方の端部bにおいては、その強度レベルが急激に増加しており、その端部bの熱エネルギー強度は、ガラス基板50を溶融し得るレベルになっている。
第1レーザスポットLS1に連続して、ガラス基板50を加熱する第2レーザスポットLS2は、第1レーザスポットLS1と同様の楕円形状になっているが、その長軸方向が、ガラス基板50の面取りされるエッジ部51に沿っている。この第2レーザスポットLS2の熱エネルギー強度は、残留応力が残らない条件に適正に分布を調整される。面取り速度やガラス材質等にもよるが、第2レーザスポットLS2の熱エネルギー強度はb点が最も高く長軸方向になだらかに傾斜する分布が望ましい。
ガラス基板50は、第1レーザスポットLS1および第2レーザスポットLS2に対して、図1に矢印Xで示す方向に移動される。ガラス基板50が移動されると、第1レーザスポットLS1における長軸方向の端部aが、ガラス基板50における面取りされるエッジ部51に対して適当な間隔をあけた位置に照射されて、その部分を、溶融させることなく緩やかに予熱する。そして、ガラス基板50がX方向に移動されることにより、第1レーザスポットLS1は、順次、面取りされるエッジ部51に接近し、その後、熱エネルギー強度が最大になった長軸方向の端部bが、面取りされるエッジ部51の端部であるコーナー部52上に位置される。
この場合、ガラス基板50のエッジ部51の周囲には、ガラス基板50が分断される際に機械的にスクライブラインが形成されていることによって、スクライブラインの近傍付近には圧縮応力が蓄積されて残留応力が形成されているが、第1レーザスポットLS1によって、残留した応力が蓄積された付近は、その周辺部から緩やかに加熱される。これにより、残留応力は圧縮されて(閉じこめられて)、不用なクラックの内部への成長が抑制される。
ガラス基板50の表面におけるエッジ部51の端部であるコーナー部52に、第1レーザスポットLS1における熱エネルギー強度が最大になった端部bが位置されると、エッジ部51の端部であるコーナー部52が、第1レーザスポットLS1の最大エネルギー強度によって加熱されて溶融される。これにより、エッジ部51は、面取りされた状態になる。その後、ガラス基板50の移動に伴って、第1レーザスポットLS1における熱エネルギー強度が最大になった端部bによって、順次、ガラス基板50のエッジ部51が加熱されて、そのエッジ部51が連続して溶融されて面取りされる。
図9は本発明の面取り方法で面取りされたガラス基板のエッジ部の状態の説明図である。
第1レーザスポットLS1における熱エネルギー強度が最大になった端部bによって溶融される量は、図9に示すようにガラス基板50のエッジ部51(稜線)の先端の極微量であり、エッジ部51の先端からY方向に0.01mm〜0.1mm離れたZ方向のラインと、Z方向に0.01mm〜0.1mm離れたY方向のラインと、エッジ部51を形成するガラス基板50の表面50aと端面50bで囲まれた領域(図9の斜線部)となるよう第1レーザスポットLS1の熱エネルギー強度を調整することが好ましい。
また、図9のようにエッジ部51を曲面とすることで、面取り後の材料のエッジ強度は飛躍的に大きくなる。
このように、ガラス基板50のエッジ部51が溶融されて面取りされた状態になると、溶融状態になったエッジ部51に対して、第2レーザスポットLS2が連続して照射される。これにより、溶融されたエッジ部51が徐冷されるために、空気によって急冷されるおそれがなく、従って、溶融されたエッジ部51に、応力が残留するおそれがなく、面取りされたエッジ部51が残留応力によって破壊されるおそれがない。
図11は本発明の面取り方法による第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの強度分布とエッジ部の温度分布を説明する図である。
第2のレーザビームの強度分布は第1レーザスポットLS1と第2レーザスポットLS2の相対移動速度等により第2レーザスポットLS2の強度分布が図11(a)に示される分布に調整され、除冷(アニール)によるエッジ部51の温度分布が図11(b)に示すような分布となるようにされることが好ましい。
図3は、本発明の脆性材料基板の面取り装置の実施形態を示す概略構成図である。この面取り装置は、例えば、FPDに使用されるガラス基板の端面部を面取りするために使用され、図3に示すように、水平な架台11上に所定の水平方向(Y方向)に沿って往復移動するスライドテーブル12を有している。
スライドテーブル12は、架台11の上面にY方向に沿って平行に配置された一対のガイドレール14および15に、水平な状態で各ガイドレール14および15に沿ってスライド可能に支持されている。両ガイドレール14および15の中間部には、各ガイドレール14および15と平行にボールネジ13が、モータ(図示せず)によって回転するように設けられている。ボールネジ13は、正転および逆転可能になっており、このボールネジ13にボールナット16が螺合する状態で取り付けられている。ボールナット16は、スライドテーブル12に回転しない状態で一体的に取り付けられており、ボールネジ13の正転および逆転によって、ボールネジ13に沿って両方向にスライドする。これにより、ボールナット16と一体的に取り付けられたスライドテーブル12が、各ガイドレール14および15に沿ってY方向にスライドする。
スライドテーブル12上には、台座19が水平な状態で配置されている。台座19は、スライドテーブル12上に平行に配置された一対のガイドレール21に、スライド可能に支持されている。各ガイドレール21は、スライドテーブル12のスライド方向であるY方向と直交するX方向に沿って配置されている。また、各ガイドレール21間の中央部には、各ガイドレール21と平行にボールネジ22が配置されており、ボールネジ22がモータ23によって正転および逆転されるようになっている。
ホールネジ22には、ボールナット24が螺合する状態で取り付けられている。ボールナット24は、台座19に回転しない状態で一体的に取り付けられており、ボールネジ22の正転および逆転によって、ボールネジ22に沿って両方向に移動する。これにより、台座19が、各ガイドレール21に沿ったX方向にスライドする。
台座19上には、回転機構25が設けられており、この回転機構25上に、切断対象であるガラス基板50が載置される回転テーブル26が水平な状態で設けられている。回転機構25は、回転テーブル26を、垂直方向に沿った中心軸の周りに回転させるようになっており、基準位置に対して任意の回転角度θになるように、回転テーブル26を回転させることができる。回転テーブル26上には、ガラス基板50が、例えば吸引チャックによって固定される。
回転テーブル26の上方には、回転テーブル26とは適当な間隔をあけて、支持台31が配置されている。この支持台31は、垂直状態で配置された第1光学ホルダー33の下端部に水平な状態で支持されている。第1光学ホルダー33の上端部は、架台11上に設けられた取付台32の下面に取り付けられている。取付台32上には、第1レーザビームを発振する第1レーザ発振器34が設けられており、第1レーザ発振器34から発振されるレーザビームが、第1光学ホルダー33内に保持された光学系に照射される。
第1レーザ発振器34から発振されるレーザビームは、熱エネルギー強度分布が正規分布になっており、第1光学ホルダー33内に設けられた光学系によって、図2に示すような所定の熱エネルギー強度分布を有する楕円形状の第1レーザスポットLS1とされて、しかも、その長軸方向が、回転テーブル26上に載置されたガラス基板50のX方向に対して所定の角度θだけ傾斜した状態になるように、照射される。
また、取付台32には、第2レーザビームを発振する第2レーザ発振器41が設けられており、この第2レーザ発振器41から発振されたレーザビームが、支持台31に第1光学ホルダー33に隣接して設けられた第2光学ホルダー42内の光学系に照射される。第2レーザ発振器41から発振されるレーザビームは、第1レーザスポットLS1で加熱された後のガラス基板50に残留応力が残らない適正な分布となっており、第2光学ホルダー42内に設けられた光学系によって、楕円形状の第2レーザスポットLS2とされて、その長軸方向が、回転テーブル26上に載置されたガラス基板50のX方向に沿った状態で、第1レーザスポットLS1に隣接するように照射される。
なお、スライドテーブル12および台座19の位置決め、回転機構25の制御、第1レーザ発振器34、第2レーザ発振器41等は、制御部によって制御される。
図4(a)は、第1光学ホルダー33内に設けられる光学系の概略構成図である。第1レーザ発振器34から発振された第1レーザビームは、第1光学ホルダー33内に設けられた全反射ミラー33aによって全反射されて、回折格子レンズ33bに照射される。回折格子レンズ33bは、照射されるレーザビームの熱エネルギー強度分布が、図4(b)に示すように、長軸方向に沿って順次変化し、一方の端部において最大になるように、格子ピッチおよび格子幅が設定されている。
このような面取り装置によってガラス基板50のエッジ部を面取りする場合には、まず、面取りされるガラス基板50のサイズ、面取りされるエッジ部の位置、長さ等の情報が、制御部に入力される。
そして、面取りされるガラス基板50が、スクライブ装置の回転テーブル26上に載置されて吸引手段によって固定される。このような状態になると、CCDカメラ38および39によって、ガラス基板50に設けられたアライメントマークが撮像される。撮像されたアライメントマークは、モニター28および29によって表示され、画像処理装置でアライメントマークの位置情報が処理される。
その後、支持台31に対して、ガラス基板50を載置した回転テーブル26が移動して、ガラス基板50の面取りされるエッジ部を含むコーナー部に、第1光学ホルダー33から照射される第1レーザスポットLS1における熱エネルギー強度が最大となる端部が位置するとともに、その第1レーザスポットLS1がエッジ部に対して所定の傾斜角度θとなるように、さらには、第2光学ホルダー42から照射される第2レーザスポットLS2の長軸方向がエッジ部に沿った状態になるように、回転テーブル26が位置決めされる。回転テーブル26の位置決めは、スライドテーブル12のスライド、台座19のスライド、および回転機構25による回転テーブル26の回転によって行われる。
このような状態になると、第1レーザ発振器34および第2レーザ発振器41から第1レーザビームおよび第2レーザビームを照射しつつ、回転テーブル26がX方向に沿ってスライドされる。これにより、図1にて説明したように、ガラス基板50にクラックが形成されることなく、エッジ部51が、順次、溶融されて面取りされる。
図5(a)は、第1光学ホルダー33内に設けられる光学系の他の例を示す概略構成図である。第1レーザ発振器34から発振された第1レーザビームは、光学ホルダー33内に設けられた回折格子ミラー33cによって、全反射される。この場合、回折格子ミラー33cは、全反射されるレーザビームの熱エネルギー強度分布が、図5(b)に示すように、長軸方向に沿って順次変化して一方の端部において最大になるように、格子ピッチおよび格子幅が設定されている。
図6(a)は、第1光学ホルダー33内に設けられる光学系のさらに他の例を示す概略構成図である。第1レーザ発振器34から発振された第1レーザビームは、光学ホルダー33内に設けられたX軸ガルバノミラー33dによって、X軸方向に高速で走査された後に、Y軸ガルバノミラー33eによって、Y軸方向に高速で走査されて、楕円形状のレーザスポットとされる。そして、Y軸ガルバノミラー33eによって楕円形状とされたレーザスポットは、f−θレンズ33fによって、熱エネルギー強度分布が、図6(b)に示すように、長軸方向に沿って順次変化して一方の端部において最大強度とされる。
上述までの説明においては、第1のレーザビーム及び第2のレーザビームがガラス基板50の表面50a(X−Y平面)に対して略垂直に照射され、第1レーザスポットLS1及び第2レーザスポットLS2が形成され、第1レーザスポットLS1がガラス基板50のエッジ部51に対して所定角度θ傾いて形成される場合を主に説明してきたが、以下に示すように第1レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態であってもよい。
レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態とは、例えば、図8に示されているようにレーザスポットLS1の長軸が、X−Y平面上でガラス基板50のエッジ部51に対して傾斜している状態、また、例えば、図10(a)に示されているようにX−Y面に傾斜してレーザビームが照射されて、ガラス基板50のエッジ部51に沿ってレーザスポットLS1が形成されている状態、さらに、例えば、図10(b)に示されているようにレーザスポットLS1の長軸がガラス基板のエッジ部51に対して傾斜している状態、またさらに、例えば図10(C)に示されているようにX−Y面及びX−Z面のぞれぞれの面に対して所定の角度傾斜させてレーザビームを照射して、レーザスポットLS1を形成すると共に、レーザスポットLS1の長軸がガラス基板のエッジ部51に対して傾斜している状態などを包含する。
また、第2レーザスポットLS2は、例えば、図12に示されているようにX−Y面に傾斜してレーザビームが照射されて、ガラス基板50のエッジ部51に沿って形成されてもよい。
さらに、例えば、X−Y面及びX−Z面のぞれぞれの面に対して所定の角度傾斜させてレーザビームを照射させて、ガラス基板50のエッジ部51に沿ってレーザスポットLS2を形成させてもよい。
上記のようなレーザビームの照射方法のいずれかを採用した場合、第1レーザスポットLS1及び第2レーザスポットLS2のエッジ部51に沿った強度分布は図11(a)に示される分布となることが好ましく、それぞれのレーザスポットによって加熱されるエッジ部の温度分布は図11(b)に示される分布となることが好ましい。
産業上の利用可能性
本発明の脆性材料基板の面取り方法および面取り装置は、このように、脆性材料基板を、クラックを成長させることなく、確実に面取りすることができる。しかも、面取りされた部分に応力が残留することを防止することによって、面取りされた部分が破壊されることも防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の脆性材料基板の面取り方法の実施状態を示す概略平面図である。
図2は、ガラス基板に照射される第1レーザスポットの長軸方向に沿った熱エネルギー強度の分布図である。
図3は、本発明の脆性材料基板の面取り装置の一例を示す概略構成図である。
図4(a)は、本発明の面取り装置に使用される光学系の一例を示す概略構成図、図4(b)は、その光学系によって形成されるレーザスポットの長軸方向に沿った熱エネルギー強度の分布図である。
図5(a)は、本発明の面取り装置に使用される光学系の他の例を示す概略構成図、図5(b)は、その光学系によって形成されるレーザスポットの長軸方向に沿った熱エネルギー強度の分布図である。
図6(a)は、本発明の面取り装置に使用される光学系のさらに他の例を示す概略構成図、図6(b)は、その光学系によって形成されるレーザスポットの長軸方向に沿った熱エネルギー強度の分布図である。
図7は、ガラス基板を従来の方法で面取りした状態の説明図である。
図8は、本発明の脆性材料基板の面取り方法の実施状態を示す概略斜視図である。
図9は、本発明の面取り方法で面取りされたガラス基板のエッジ部の状態の説明図である。
図10(a)は第1レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態を示す図、図10(b)は第1レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態を示す別の図、図10(c)は第1レーザスポットの長軸方向が脆性材料基板のエッジ部に対して傾斜している状態を示すさらに別の図である。
図11(a)は本発明の面取り方法による第1のレーザビーム及び第2のレーザビームの強度分布を説明する図、図11(b)は本発明の面取り方法によるエッジ部の温度分布を説明する図である。
図12は、第2レーザスポットが、X−Y面に傾斜してレーザビームが照射されて、脆性材料基板のエッジ部に沿って形成される状態を示す図である。

Claims (12)

  1. 脆性材料基板の側縁における面取り予定のエッジ部の近傍部分を、該エッジ部に沿って連続して加熱する予熱工程と、
    該予熱工程に連続して、該エッジ部を連続して加熱して溶融させる溶融工程と、
    を包含することを特徴とする脆性材料基板の面取り方法。
  2. 前記予熱工程および溶融工程は、レーザビームの照射によって所定の熱エネルギー強度分布を有するように形成されるレーザスポットによって実施されることを特徴とする請求項1に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  3. 前記レーザスポットは、長軸方向の一方の端部が、脆性材料基板における面取り予定のエッジ部の近傍の予熱部分に位置されて、長軸方向の他方の端部が、面取り予定のエッジ部上に位置されるように、該長軸方向が該エッジ部に対して傾斜した状態になっていることを特徴とする請求項2に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  4. 前記レーザスポットの熱エネルギーの強度分布は、前記予熱部分に位置する端部が熱エネルギー強度が小さく、前記面取り予定のエッジ部上に位置される端部において熱エネルギー強度が最大になっていることを特徴とする請求項3に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  5. 前記溶融工程の後に、溶融されたエッジ部を連続して加熱する再加熱工程をさらに包含することを特徴とする請求項1に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  6. 前記再加熱工程は、別のレーザビームの照射によって実施されることを特徴とする請求項5に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  7. 前記別のレーザビームは前記脆性基板の表面に対して傾斜して照射されることを特徴とする請求項6に記載の脆性材料基板の面取り方法。
  8. 脆性材料基板の側縁におけるエッジ部を面取りする脆性材料基板の面取り装置であって、
    該エッジ部の近傍部分を該エッジ部に沿って連続して予熱するとともに、該エッジ部を連続して加熱して溶融させる加熱手段を有することを特徴とする脆性材料基板の面取り装置。
  9. 前記加熱手段は、レーザビームを発振するレーザビーム発振器と、該レーザビーム発振器から発振されたレーザビームを、前記脆性材料基板上において、所定形状のレーザスポットに形成する光学系とを有し、該光学系によって形成されるレーザスポットは、長軸方向の一方の端部が、脆性材料基板における面取り予定のエッジ部の近傍の予熱部分に位置されるとともに、長軸方向の他方の端部が、面取り予定のエッジ部上に位置されるように、該長軸方向が該エッジ部に対して傾斜した状態となっていることを特徴とする請求項8に記載の脆性材料基板の面取り装置。
  10. 前記光学系は、前記レーザスポットの熱エネルギーの強度分布を、前記予熱部分に位置する端部において熱エネルギー強度が小さく、前記面取り予定のエッジ部上に位置される端部において熱エネルギー強度が最大になるように形成することを特徴とする請求項9に記載の脆性材料基板の面取り装置。
  11. 前記加熱手段によって溶融されたエッジ部を連続して加熱する再加熱手段がさらに設けられていることを特徴とする請求項9に記載の脆性材料基板の面取り装置。
  12. 前記再加熱手段は、第2のレーザビームを発振する第2のレーザビーム発振器と、該第2のレーザビーム発振器から発振された第2のレーザビームを、前記脆性材料基板上において、所定形状のレーザスポットに形成する光学系とを有することを特徴とする請求項11に記載の脆性材料基板の面取り装置。
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JP4134033B2 (ja) 脆性材料基板のスクライブ装置及びスクライブ方法

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