JPWO2003012845A1 - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
半導体デバイスにおけるデュアルダマシン構造を構成するシード膜及び配線用金属薄膜を良好に形成するため、物理気相堆積(PVD)法によるシード膜形成後にアニール処理を行い、その後に電気化学メッキ(ECP)法により、配線用金属薄膜を形成する。このような目的のため、急速熱処理アニールチャンバを備えたPVDシステム及び急速熱処理アニールチャンバを備えたECPシステムが開示されている。
Description
技術分野
本発明は半導体製造装置及び半導体製造方法に係り、特に、半導体ウェハ表面にデュアルダマシン構造を形成するために用いられる半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
背景技術
近年、集積回路等の半導体デバイスの製造工程においては、微細な金属配線用薄膜の加工の手間を削減し、製造歩留まりを向上させるためデュアルダマシン構造が採用されている。第28図はデュアルダマシン構造の形成方法を説明するための図である。
第28図に示されるように、ビアホール及び配線となるウェハの溝部51に物理気相成長(PVD)法等の成膜方法により金属のバリア膜51及びシード膜52を形成する。そして、電気化学堆積(ECP)法等の堆積方法より溝部51に埋め込まれる金属配線用薄膜54を堆積させ、最後に化学機械研磨(CMP)法により堆積部分を除去するということが行われている。
従来、このような工程で用いられる成膜方法としては、ウェハの加熱又はウェハ表面における分子運動で発生する熱により、ウェハ温度を150℃以上の比較的高温で処理する高温PVD法が用いられていた。この方法によれば、ウェハを高温で処理することにより、粒子の形成、成長及び配列を促進し、その結果、安定した微細構造及び抵抗率とを有する薄膜を得ることが可能になる。
しかし、半導体デバイスの高集積化及び高性能化の要求に伴い、半導体デバイスの構造は微細化している。その結果、現在では、ウェハの溝部側壁に対するPVDの堆積量はフィールドに対する堆積量と比べて非常に小さくなるように設定されており、より薄い薄膜を形成することが要望されている。この場合、上述した高温で薄膜形成を行うと、薄膜の凝集を引き起こすことがある。この問題に対処するため、薄膜の凝集が生じることなく且つ平滑性の優れた薄膜が得られるよう低温でウェハを処理する低温PVD法が採用されている。
低温PVD法で形成された銅薄膜は、室温での時間の経過に伴い薄膜の自己アニール即ち再結晶が進行し、これによって薄膜の抵抗率が低下することが知られている。室温で完全な自己アニールが完結するためには100〜200時間程度の時間が要することが報告されている。しかし、ウェハを加熱することにより、再結晶プロセスを促進することが可能である。例えば、ウェハを150℃程度で加熱することにより、通常の厚さの薄膜のアニールを30秒未満で達成することができる。
しかし、半導体デバイスの製造工程においては、PVD法によるシード膜の堆積とこれに引き続いて行われるECP法による配線用金属薄膜の堆積工程との間の時間を厳密に制御することはできない。その結果、様々な抵抗率を有する様々な再結晶化段階のシード膜を有するウェハがECP工程に搬入されることになる。
シード膜の結晶構造がECP工程で堆積される配線用金属薄膜の特性にどのような影響を与えるか又はECP工程で堆積される金属膜の欠陥にどのように関与しているかについては良くは知られていない。しかし、ECP工程で形成される金属膜の基礎となるシード膜の微細構造が極めて重要な役割を演じることは広く認められている。
ECP工程では、ウェハに形成されているシード膜の状態に応じ、様々な条件等を調整することが可能である。従って、シード膜の特性を一定とすれば、これに応じてECP工程の条件を調整することによって、最終的に優れた製品を製造することが可能になる。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、シード膜となる金属薄膜を安定化させるアニールチャンバを備えた半導体製造装置及びシード膜となる金属薄膜を安定化させるアニール工程を備えた半導体製造方法を提供することを目的とする。
発明の開示
以上の目的を達成するため、本発明の半導体製造装置はウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームと、前記メインフレームに設けられ、前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜チャンバと、前記メインフレームに設けられ、前記成膜チャンバで形成された薄膜をアニール処理するアニールチャンバとを備えている。
また、本発明の半導体製造方法は、ウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームに設けられた成膜チャンバで前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜工程と、前記薄膜が形成されたウェハを前記メインフレームに設けられたアニールチャンバでアニール処理するアニール工程とを含んでいる。
本発明によれば、成膜工程で形成された薄膜にアニール処理を施すことにおり、薄膜の抵抗率を低下、安定化することが可能になる。従って、本発明を用いたデュアルダマシン構造の形成において、PVD法で形成したシード膜上にECP法で薄膜を形成する場合、ウェア全体に渡って電流密度を均一にすることができる。また、シード膜形成からECP法による薄膜形成までの時間の経過によりシード膜の抵抗率が変化することがないので、特性が均一なECP薄膜を形成することが可能になる。
また、シード膜の特定を安定化させることにより、シード膜上に形成されるECP薄膜を安定化させ、欠陥を減少させることができる。さらに、シード膜の形成に先立ってバリア膜の形成された場合でも、シード膜の凝集を防止することが可能になる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
まず、本発明の第1の形態について説明する。以下の形態では、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社(Applied Materials、Inc.)により商標名エンデュラ(Endura)として製造、販売されているPVDシステムを例として説明する。
第1図は本発明の一実施形態である物理気相堆積(Physical Vapor Deposition、PVD)システム100を示す。このPVDシステム100はクラスタツール(cluster tool)と称される多チャンバ半導体処理システムである。このPVDシステム100は複数(本形態では2個)のチャンバの集合体(クラスタ)を備えている。このPVDシステムはウェハに金属薄膜を形成するための金属化クラスタ102と、ウェハに金属薄膜を形成するための前処理を施す前金属化クラスタ112とを備えている。金属化クラスタ102と前金属化クラスタ112とは通過チャンバ122、124により分離されており、異なる真空度に調整することができる。また、各々のクラスタには、ウェハの移送を行うウェハ移送機構119、120が設けられている。
このPVDシステム100の動作はシーケンサ(コントローラ)126により制御されている。シーケンサ126は、中央処理装置(CPU)150、メモリー152、支援回路154を含む汎用コンピュータである。CPU150は、例えばRAM、ROM、フロッピーディスク、ハードディスク等のメモリー152に蓄積されているプログラムに従って動作する。支援回路154は、電源、クロック回路、キャッシュ等を含む。CPU150により実行されるプログラムは以下のようにPVDシステム100に様々な動作を行わせる。
前金属化クラスタ112は、PVDシステム100に対しウェハの搬入、排出を行う2個のロードロックチャンバ114と、ウェハの配向とガス抜きを行う2個のウェハ配向/ガス抜きチャンバ116と、ウェハをスパッタ清浄化(sputter cleaning)する2個の前清浄化チャンバ118、121とを備えている。これらのチャンバはユーザーの所望に応じた作用及び性能を有するものを用いることができる。
上記のようなPVDシステム100において、ウェハはロードロックチャンバ114内のウェハカセット128からPVDシステム100に搬入される。バッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119は、ウェハを一度に1枚ずつカセット128から前金属化クラスタ112内のチャャンバ116、118、122、124に搬送する。チャンバ間でウェハを輸送する際、ウェハはウェハ搬送機構119に設けられているウェハ搬送ブレード130上に載置される。一般的な処理工程では、ウェハは最初にウェハ配向/ガス抜きチャンバ116に搬入され、次に前清浄化チャンバ118に搬入される。
ウェハが前清浄化チャンバによる処理を経ると、ウェハは金属化処理を受け得る状態となり、バッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119はウェハを前清浄化チャンバ118から通過チャンバ122へ移動させる。その後、金属化クラスタ102のウェハ搬送機構120はウェハを処理チャンバに移動させる。
金属化クラスタ102は、処理チャンバ104、106、108、110、123及び通過チャンバ122、124を備えており、ウェハ移送機構120はこれらのチャンバに取り囲まれ、これらのチャンバに対しウェハを搬入、排出することができる。
処理チャンバ104、110にはウェハにバリア膜を形成するためのPVDチャンバが設けられており、処理チャンバ106、108にはシード膜を形成するためのPVDチャンバが設けられている。処理チャンバ123は補助チャンバであり、必要に応じ、アニールチャンバ等の他の機能を有するチャンバを設けることができる。尚、本発明に係る半導体製造装置においては処理チャンバとしてPVDチャンバと共に又はこれに替えて他の種類の成膜チャンバ、例えば、化学気相堆積(Chemical Vapor Deposition、CVD)チャンバ、非電解メッキチャンバ、ALDチャンバ等を設けることも可能である。
第2図は処理チャンバ104、106、108、110に設けられるPVDチャンバの概略構成を示す。このPVDチャンバはエンクロージャー150と、エンクロージャ150内で平行に設けられた陽極プレートと152と陰極プレート156が設けられている。陽極プレート152にはウェハWを保持するウェハホルダが設けられていると共に、陰極プレート156には銅等の薄膜形成材料の円盤がプレートに貼着されたターゲット158がウェハWに対向して設けられている。このようなPVDチャンバにおいて、エンクロージャ150内を高真空にしてアルゴンガスを導入し、ウェハW側にプラス、ターゲット158側にマイナスの高電圧を印加すると高電界によりアルゴンガスがプラズマイオン化する。このプラズマイオンは電界で加速され、高運動エネルギーをもってターゲット158に衝突する。これによって、ターゲット158内の金属原子がアルゴンイオンに反跳されてターゲット158から飛び出し、この金属原子がウェハWの表面に堆積して薄膜を形成する。
本発明に係る半導体製造装置において、ウェハWの温度を低温に維持しながら薄膜形成を行う場合、温度制御装置によりウェハホルダの温度を制御する。この場合ウェハホルダの温度は150℃以下、好ましくは120℃以下、より好ましくは50℃以下であり、0℃以下に制御されることが最も好ましい。
PVDチャンバによるウェハ処理が完了すると、ウェハ搬送機構120はウェハを通過チャンバ122、124に移動させる。これらのチャンバは収容チャンバであってもよいが、通過チャンバにアニールチャンバを設け、ここで薄膜のアニール処理を行うことも可能である。ウェハはバッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119により通過チャンバ122、124から排出され、最終的に再びロードロックチャンバ114に収納され、最終的に物理気相堆積システムから取り出される。
第3図はPVDチャンバにより形成された銅シード膜を安定化するための急速熱処理アニールチャンバの一例を示す。この急速熱処理アニールチャンバは、例えば、チャンバ123又はチャンバ124に配置することができる。
RTAチャンバ200は、エンクロージャ202と、加熱プレート204と、ヒーター207と、複数のウェハ支持ピン206とを備えている。エンクロージャ202は、底部208と、側壁210と頂部212とを含む。冷却プレート213がエンクロージャの頂部の下部には冷却プレート213が配置されている。この冷却プレートはエンクロージャの頂部212の一部分として一体的に形成されていてもよい。エンクロージャーの底部208には反射絶縁盤214が設けられていることが好ましい。反射絶縁盤は、通常、500℃以上の温度に耐熱性を有し、ヒーター207とエンクロージャ202との間で熱絶縁体として作用することのできる石英又はアルミナ等の材料で形成される。反射絶縁盤は214は熱を加熱プレートへ反射させるため金属等の反射性材料で被覆されいることが好ましい。
加熱プレート204はウェハと比べて大きな質量を有し、RTAチャンバ内の雰囲気ガス或いはウェハ材料と反応しない炭化珪素又は石英等の材料で形成されている。ヒーター207は抵抗性加熱要素又は伝導性/放射性熱源を含み、加熱されるプレートと反射絶縁盤の間に配置される。ヒーター207は電源216に連結されており、これによってヒーターを加熱するのに必要なエネルギーが供給される。底部及び反射絶縁盤を通して加熱プレートの中に延びている導管222の内部には熱電対220が配置されることが好ましい。熱電対220はコントローラに結合され、測定された温度をコントローラに供給する。コントローラは、測定された温度と予め設定されている所望のアニール温度とを比較して、ヒーターから供給される熱を制御する。
エンクロージャ202の側壁210にはエンクロージャを冷却する冷却部材218が設けられている。また、側壁210にはエンクロージャの温度を制御するための冷却溝(図示せず)が形成されていてもよい。頂部12の内面に配置された冷却プレート213は冷却プレートの近傍に位置するウェハを冷却する。
RTAチャンバ200の側壁210には、ウェハの搬入及び排出を行うためのスリットバルブ222が設けられている。スリットバルブ222はるエンクロージャの側壁の開口部224を選択的に密封することができる。移送機構は、開口部224を通してウェハをRTAチャンバ内へ移送し、またRTAチャンバ内からウェハを外へ移送する。
ウェハ支持ピン206は、好ましくは、石英、酸化アルミニウム又は炭化珪素等の耐熱性材料で形成されており、端部はテーパ形状に形成されている。ウェハ支持ピン206は加熱プレート204に形成された孔部又は熱及び酸化に耐性を有する材料で形成された筒状の導管226の中に配置されている。ウェハ支持ピン206はウェハ支持ピンを一体的に移動させるためのリフトプレート228に連結されている。リフトプレート228は、RTAチャンバ内でウェハを垂直方向に移動させるため、リフトプレートを移動させるリフトシャフト232を介してステッパモータ等のアクチュエータ230に連結されている。
ウェハをRTAチャンバへ搬入する場合、スリットバルブ222が開口し、移送ロボットはウェハが配置されているロボットブレードを開口部224を通してRTAチャンバの中へ挿入する。ロボットブレードはウェハをRTAチャンバ内で加熱プレート204の上方に位置決めし、ウェハ支持ピンは上方へ延びウェハをロボットブレードの上へ持ち上げる。その後、ロボットブレードはRTAチャンバから引き込められ、スリットバルブ222は開口部を閉鎖する。その後、ウェハ支持ピン206は、ウェハを加熱プレートから所望の距離まで下降させるために引き込められる。ウェハ支持ピン206はウェハを加熱プレートと直接接触させるため完全に引き込められてもよい。
アニールプロセス工程を所定のガス雰囲気中で行うため、エンクロージャ202の側壁210を通してガス導入管が236が配置されている。ガス導入管236は、RTAチャンバ内へのガスの流入を制御するためにバルブ240を通してガス源238に連結されている。エンクロージャの側壁の下部にはRTAチャンバ内のガスを排出するためのガス排出口が形成されており、このガス排出口には外側からの大気の逆流を阻止するためのバルブ244が設けられている。ガス排出口はアニール処理の間にRTAチャンバを所望の真空レベルまで排気するために真空ポンプ(図示せず)に連結されている。
アニール処理プロセスが完了した後、ウェハ支持ピン206は、ウェハをRTAチャンバの外へ移送するためウェハ指示ピンにより持ち上げる。スリットバルブ222が開口し、移送ロボットのロボットブレードがRTAチャンバ内のウェハの下方に挿入される。ウェハ支持ピンは引き込められウェハをロボットブレード上へさせ、その後、ウェハが細緻されたロボットブレードはRTAチャンバの外へ引き込められる。移送ロボットは、その後、処理されたウェハをカセット128内へ移送する。
図4〜図14は本実施形態のPVDシステムに設けられるRTAチャンバの他の例を示す図である。このRTAチャンバは、例えば、チャンバ123又はチャンバ124に配置することができる。このRTAチャンバ400はハウジング401と、ハウジング401内に設けられた支持構造410を備えている。
図4及び図5に示されるように、ハウジングは上部を覆う上部ハウジング401aと、底部と形成する下部ハウジング401bと、上部ハウジング401a及び下部ハウジング401bの間に設けられた中央ハウジング401cとを備え、これらが一体化して形成されている。各々のハウジング401a、401b、401cには、ガスを導入するためのガス導入/排出口402a、402b、402cが形成されている。また、中央ハウジングには、RTAチャンバ400に対しウェハWを搬入、排出するためのスリットバルブ(図示せず)が設けられたスリット開口部405が形成されている。このスリット開口部405は各クラスタ102、112のウェハ搬送機構119、120に対向するように形成されている。このスリット開口部は、RTAチャンバ400がプロセスチャンバ123に設けられた場合のように、ウェハが1個所から搬入、排出される場合には1個形成される。また、RTAチャンバ400が通過チャンバ124に設けられる場合のように、ウェハが2ヶ所から搬入、排出される場合には対向して2個形成される。この場合、金属化クラスタ102及び前金属化クラスタ112のウェハ搬送システム119、120の双方がRTAチャンバ400対しウェハを搬入、排出する。
図6は支持構造410を示す。図6に示されるように、支持構造は、上部封止部材436及び下部封止部材434を有するプレート部材404を備えている。プレート部材の上方及び下方には、それぞれ上壁412及び底壁414が設けられており、この上壁412及び底壁414は垂直支持部材416よりプレート部材404と連結されている。このような構造によって、上壁412とプレート部材404の間に上部チャンバ430が形成され、プレート部材404と底壁414の間に下部チャンバ432が形成される。支持構造410は、RTAチャンバ400の外部に位置するリフトモータに連結されたリニアガイドを有する昇降機構440により上昇し又は下降することができる。支持構造が上昇した時の状態は図4に示されており、支持構造が下降した時の状態は図5に示されている。
図7は支持構造410が上昇した場合のプレート部材404及び上部封止部材436の状態を示す。図7において、上部ハウジング401aの下端部には、外側に向かって伸びる外側フランジ部418と内側に伸びる内側フランジ部426が形成されている。外側フランジ418は中央ケーシングの上端部と連結されている。また、プレート部材404の上部封止部材436は内側フランジ426の底面426aに接触している。これによって、上部チャンバ430は上部ケーシング401a内で密閉される。このとき、下部チャンバ432は、図4に示されるように、スリット開口部を介してクラスタと連絡した状態にある。この状態でウェハ搬送機構119、120はウェハWが載置されたブレード130、134をスリット開口部からRTAチャンバ400内に搬入する。
図8は支持構造が下降した場合のプレート部材404及び下部封止部材434の関係を示す。図8において、下部ハウジングの上端部には、外側に向かって伸びる外側フランジ部420と内側に伸びる内側フランジ部428が形成されている。外側フランジ部420は中央ケーシング401Cの下端部と連結されている。また、下部封止部材434は内側フランジ428の上面428aに接触している。これによって、下部チャンバ432は下部ケーシング401b内で密閉される。このとき、上部チャンバ432は、図5に示されるように、スリット開口部を介してクラスタと連絡した状態にある。この状態でウェハ搬送機構はウェハWが載置されたブレード130、134をスリット開口部からRTAチャンバ400内に搬入する。
図9はRTAチャンバ400の内部構造を示す。図9において、上部チャンバ430及び下部チャンバ432の各々には、ウェハWを載置するための上部ウェハ支持ピン447及び下部ウェハ支持ピン449が設けられている。上部チャンバ430には、上部ウェハ支持ピン447を支持するための上部ウェハ支持フープ446が設けられている。また、下部チャンバ432には、ピン449を支持するための下部ウェハ支持フープ448が設けられている。
上部ウェハ支持フープ446及び下部ウェハ支持フープ448は、互いに独立して操作可能である。上部支持フープ446は上部伝達連結部450に接続されている。上部伝達連結部450は、上部伝達連結部450を上下方向に往復運動させる上部アクチュエータプレート454に連結されている。上部伝達連結部450は開口456を介して上部支持プレート412を貫通している。上部アクチュエータプレート454はじゃばら518の伸縮運動に従って上下動させられる。
同様に、下部ウェハ支持フープ448は下部伝達連結部452に連結されている。下部伝達連結部452は下部アクチュエータプレート460に連結されている。下部伝達連結部452は開口462を介して下部支持プレートを貫通している。上部アクチュエータプレート454はじゃばら515の伸縮運動に従って上下動させられる。
制御要素480は下部伝達連結部452の動きを制御し、下部ウェハ支持フープ448及び下部ウェハ支持ピン449を垂直方向に移動させる。同様の方法で、制御要素(図示せず)は上部伝達連結部450の動きを制御し、上部ウェハ支持フープ部材446及び上部ウェハ支持ピン447を垂直方向に移動させる。
図10及び図11は、各々、上部支持フープ446の斜視図及び正面図である。上部ウェハ支持フープ446は上部ウェハ支持ピン447を支持する。上部支持フープは上部伝達連結部450によって上部アクチュエータプレート454に連結されている。
図12及び図13は、各々、下部ウェハ支持フープ448の斜視図及び側面図である。下部ウェハ支持フープ448は下部ウェハ支持ピン449を支持する。下部支持フープは下部伝達連結部452によって下部アクチュエータプレート460に連結されている。
上記の構成のRTAチャンバ400にウェハを搬入する場合、ウェハWが載置されたブレート130、134が上部チャンバ430又は下部チャンバ432内に挿入されると、ウェハ支持ピン447、449がウェハの下方より上昇し、ウェハをブレードより持ち上げ、ウェハWがブレード130、134からウェハ支持ピン447、449に受け渡される。その後、ブレード220、222は上部チャンバ430又は下部チャンバ432から引き出される。ウェハWを排出する場合、ウェハWを支持しているウェハ支持ピン447、449はチャンバ430、432内に挿入されたブレード130、134の高さ位置まで下降し、ウェハWをウェハ支持ピン447、449からブレード220、222に引き渡す。その後、ウェハWが載置されたブレード130、134はチャンバ430、432から引出される。
図14は本実施形態で用いられるRTAチャンバ400の構成を示す断面図である。図14に示されるように、上部チャンバ430及び下部チャンバ432は、各々ウェハの急速熱アニールを行うためのアニール要素を備えている。上部チャンバ430には加熱手段及び冷却手段が設けられている。即ち、上部チャンバ430には加熱プレート502と、加熱プレート502を加熱するためのヒータ506が設けられている。また、上部チャンバの上壁には冷却プレート504が上壁の一部として一体的に形成されている。この冷却手段は冷却シャワーヘッドであっても良い。また、反射絶縁盤(図示せず)がチャンバ内に配置されていても良い。反射絶縁盤は、通常、500℃以上の高温に耐性を有する水晶、アルミナ又は他の物質で形成されており、ヒータ506とプレート部材404間で、熱絶縁体として作用する。絶縁体は熱をヒータプレート504に向けて反射する物質で覆われていても良い。
加熱プレート502は、好ましくは、処理されるウェハと比べて大きな質量を有し、シリコンカーバイド、水晶又はRTAチャンバ内の雰囲気ガス又はウェハと反応しない他の物質で形成されていることが好ましい。ヒータ506は、典型的には、抵抗性加熱源又は伝導性/放射性熱源を備えており、加熱されるプレートと反射絶縁盤の間に配置される。ヒータ506はヒータを加熱するためのエネルギーを供給する電源(図示せず)に連結されている。ヒータに対する電源エネルギーは、例えば、システムコントローラ(シーケンサ118)により制御されている。
下部チャンバ432は冷却手段及び加熱手段が設けられている。冷却プレート505は、下部チャンバの上壁、即ち、プレート部材404の底部と連結され或は一体化されている。加熱プレート508及びヒータ510は、上部チャンバ430に設けられているものと同一である。
上記の構成を有するRTAチャンバ400の上部チャンバ430及び下部チャンバ432において、ウェハWはウェハ支持ピン447、449の動きにより上下方向に移動される。これによって、ウェハWは加熱プレートまたは冷却プレートに接近又は接触されることにより、加熱、冷却が行われる。
上記のようなRTAチャンバ400を用いることにより、1のチャンバで2枚のウェエを同時に処理することができるので、処理の効率化を図ることができる。
次に、本発明の半導体製造装置の他の形態である電気メッキシステムについて説明する。
第15図は、本発明を実施する際に使用される電気メッキシステムプラットフォーム200の斜視図である。第16図は本発明の電気メッキシステムプラットフォーム200の概略図である。第15図及び第16図において、電気メッキシステムプラットフォーム200は、装填ステーション210、高速熱処理アニール(RTA)チャンバ211、回転−すすぎ−乾燥(SRD)ステーション212及びメインフレーム214を備えている。この電気メッキシステムプラットフォーム200は、プレキシガラスパネル等の材料で形成されたパネルで囲まれた清浄な環境に配置されている。メインフレーム214は、メインフレーム搬送ステーション216と、複数の処理ステーション218とを備えている。各処理ステーション218は、1以上の処理セル240を含む。電解液補給システム220は、電気メッキシステムプラットフォーム200に隣接して配置され、処理セル240の各々に接続されて電気メッキプロセスで使用された電解液を循環させている。電解メッキシステムプラットフォーム200はマイクロプロセッサ等の制御システム222を備えている。
この電気メッキシステムにおいて、RTAチャンバはPVDチャンバで形成されたシード膜がアニールされていない場合に、シード膜をアニールするために用いられる。これによって、抵抗率の安定したシード膜を有するウェハにメッキすことが可能になる。
装填ステーション210は、1以上のウエハカセット受取領城224、1以上の装填ステーション搬送ロボット228及び少なくとも1つのウエハ配向器(orientor)230を備えている。装填ステーション210に含まれるウエハカセット受取領域、装填ステーション搬送ロボット228及びウエハ配向器の数はシステムの所望の仕様に応じて設定される。第15図及び第16図に示されるように、装填ステーション210は、2つのウエハカセット受取領域224、2つの装填ステーション搬送ロボット228及び1つのウエハ配向器230を含む。ウエハ234を含むウエハカセット232は、ウエハカセット受取領域224へとロードされて、ウエハ234を電気メッキシステムプラットフォームへと導入する。装填ステーション搬送ロボット228は、ウエハカセット232とウエハ配向器230との間でウエハ234を搬送する。装填ステーション搬送ロボット228は、当該分野にて公知の典型的な搬送ロボッとを備えている。ウエハ配向器230は、所望の向きに各ウエハ234を配置して、ウエハが適切に処理されることを保証する。装填ステーション中継ロボット228も、装填ステーション210とSRDステーション212との間で、さらに装填ステーション210と熱処理アニールチャンバ211との間で、ウエハ234を搬送する。
第17図は、リンス及び溶解液導導入口を組み込む本発明の回転−すすぎ−乾燥(SRD)モジュールの概略斜視図である。第18図は、第17図の回転−すすぎ−乾燥(SRD)モジュールの側断面図であり、流体導導入口の間に鉛直に配置された処理位置での基板を示す。好ましくは、SRDステーション212は、1つ以上のSRDモジュール236と1つ以上のウエハ通過カセット238とを含む。好ましくは、SRDステーション212は、装填ステーション搬送ロボット228の数に相当する2つのSRDモジュール236を含み、ウエハ通過カセット238は、各SRDモジュール236の上方に配置されている。ウエハ通過カセット238は、装填ステーション210とメインフレーム214との間でウエハの搬送を容易にする。ウエハ通過カセット238は、メインフレーム搬送ステーション216のロボットと装填ステーション搬送ロボット228との両方に対してアクセスを行う。
第1及び第2流体導導入口は、複数のノズルと、複数の流体導導入口及び装着位置と、接合部材353の使用を含む複数の方位を含む。各流体導導入口は、様々な位置でSRDモジュールへと延在させても良い。例えば、流体が、基板の端部に沿ってSRDモジュールの周囲に向けて戻る角度になることが必要な場合、ノズルは、半径方向内向きに延長させてもよく、ノズルからの放出は、SRDモジュールの周囲に向けて戻される。
一実施例において、基板は、SRDモジュールにて上向きに配置されたものの堆積面に装着される。以下に説明するように、かかる構成に対して、第1流体導導入口は、多くの場合は脱イオン水やアルコールなどからなるリンス液を導く。その結果、基板の背面は、下向きに装着され、第2流体導導入口を経て流れる流体は、溶解される材料に依存する、塩酸、硫酸、リン酸、フッ化水素酸又は他の溶解液等の酸等の溶解液である。選択的には、所望のプロセスが処理済みの基板をリンスする時は、第1流体及び第2流体は共に脱イオン水やアルコールなどリンス液である。
流体は、一般に、スプレーパターンで供給される。このパターンは、必要な特定ノズルスプレーパターンに依存して変化し、フランジェット、円錐形などのパターンを含んでも良い。各流体導導入口を流れる第1及び第2流体の1つのスプレーパターンは、第1流体がリンス液の時、200mmウエハに対して、圧力が約10〜約15ポンド/平方インチ(psi)(約704〜約1056g/cm2)、且つ流速が約1〜約3ガロン/分(gpm)(約3.785〜約11.355リットル/分)のファンパターンである。
この装置は、基板のエッジに沿った不要な堆積を除去でき、エッジ除外領域を形成する。ノズルの配向及び配置、流体の流速、基板の回転速度、並びに流体の化学組成を調整することによって、不要な堆積も同様に基板のエッジ及び/又はエッジ除外領域から除去することもできる。このように、前側面の堆積材料の溶解の実質的な防止は、基板のエッジやエッジ除外領域を必ずしも含まない。又、前側面での堆積材料の溶解の防止は、少なくとも溶解の防止を含むことを意図し、故に、堆積材料を有する前側が商業値を超えて損なわれることはない。
エッジ除外領域溶解処理を行う1つの方法は、基板の背面に溶解液を行き渡らせつつ、約100〜約1000rpm等の低速でディスクを回転させることである。遠心力によって、溶解液は基板のエッジまで移動し、流体の表面張力によりエッジの周囲に流体の層を形成する。故に、溶解液は、基板のエッジ領域において背面から前側まで重なり合う。基板の回転速度及び溶解液の流速は、前側でのオーバーラップの範囲を決定するために使用される。例えば、回転速度の減少や流れの増加は、反対側、例えば前側へ流体を殆どオーバーラップさせない。更に、前側へ供給されるリンス液の流速及び流れ角度は、溶解液の層を基板のエッジ及び/又は前側の上にオフセットするように調整される。場合によっては、溶解液は、エッジ及び/又はエッジ除外領域除去を得るためのリンス液が無い状態で最初に使用しても良く、上記本発明のリンス・溶解プロセスが続く。
SRDモジュール238は、装填ステーション210とメインフレーム214との間に接続される。メインフレーム214は、一般に、メインフレーム搬送ステーション216と、複数の処理ステーション218とを備えている。第15図及び第16図を参照すると、メインフレーム214は、2つの処理ステーション218を含み、各処理ステーション218は、2つの処理セル240を有する。メインフレーム搬送ステーション216は、メインフレーム搬送ロボット242を含む。好ましくは、メインフレーム搬送ロボット242は、複数の各ロボットアーム244からなり、このロボットアーム244は、処理ステーション218及びSRDステーション212においてウエハの独立したアクセスを行う。第16図に示すように、メインフレーム搬送ロボット242は、2つのロボットアーム244を有し、処理ステーション218毎の処理セル240の個数に相当する。各ロボットアーム244は、ウエハ搬送中にウエハを保持するロボットブレード246を含む。好ましくは、各ロボットアーム244は、他のアームとは独立に操作でき、システムでのウエハの独立した搬送を容易にする。又は、ロボットアーム244は、1のロボットが伸長すると他のロボットアームが収縮するようなリンク状態で動作する。
好ましくは、メインフレーム搬送ステーション216は、フリッパロボット248を含む。このロボット248は、メインフレーム搬送ロボット242のロボットブレード246での上向き位置から、ウエハの下向き処理を必要とするプロセスセル240用の下向き位置へのウエハの搬送を容易にする。フリッパロボット248は、本体250を含む。本体250は、フリッパロボットアーム252に沿う水平軸に沿った回転運動を行うフリッパロボットアーム252及び本体250の鉛直軸に対して鉛直及び回転運動の両方を行う。好ましくは、真空吸引ハンドルが、フリッパロボットアーム252の末端部に配置され、ウエハがフリッパロボット248によって裏返されて搬送されるとき、ウエハを保持する。フリッパロボット248は、ウエハ234を下向き処理のために処理セル240へと配置する。電気メッキ処理セルの詳細を以下に説明する。
第18図は、本発明の電気メッキプロセスセル400の断面図である。第18図に示される電気めっきプロセスセル400は第15図及び第16図に示される電気メッキプロセスセル240と同一である。プロセスセル400は、一般に、ヘッドアセンブリ410と、プロセスキット420及び電解液捕集器440とを備えている。好ましくは、電解液捕集器440は開口部443上のメインフレーム214の本体部442上に固定されており、開口部443はプロセスキット420の配置のための位置を規定している。電解液捕集器440は内壁446と、外壁448及び壁部と連結している底部447とを含んでいる。電解液排排出口449は電解液捕集器440の底部447を介して配置されており、チューブ、ホース、パイプ又は他の液体移送連結部を介して電解液補給システム220(第15図に示す)に連結されている。
ヘッドアセンブリ410は、一般的にウェハホルダアセンブリ450とウェハアセンブリアクチュエータ458とを備えている。ウェハアセンブリアクチュエータ458は、装着プレート460上に装着されており、装着プレート460を介して下方に伸びているヘッドアセンブリシャフト462を含む。ヘドアセンブリシャフト462の下端部はウェハフォルダアセンブリ450に連結されており、ウェハホルダアセンブリ450をウエハ処理位置及びウェハ装填位置に位置させる。ウェハホルダアセンブリ450は、一般的には、ウェハホルダ464と陰極接触リング466とを備えている。
第20図は本発明の陰極接触リング466の一実施形態の断面図である。一般的に、接触リング466は、複数の導伝部が配置された環状の本体部を備えている。第20図に示されているリングのデザインは単に説明のためのものである。他の実施例においてショルダー部746は実質的に垂直角を含む急激な角度であってもよく、これによってフランジ762及び基板受取表面は実質的に標準的になる。選択的に接触リング466は実質的に平坦であることができこれによってショルダ部764を除去することができる。しかしながら、以下に述べる理由により、好ましい実施例は第20図に示されるショルダ部764またはこの変形を含む。
第19図を参照して導伝部765はフランジ762上に円環状に配置された複数の外部電気接触パッド780と基板受取表面768の部分上に配置された内部電気接触パッド772とパッド772,780が互いにリンクしている複数の埋め込み型導伝性コネクタ776により規定されている。導伝部765は絶縁体770により互いに分離されており、この絶縁体770はポリビニリデンフルオライド(PVDF)、ペルフルオロアルコキシ樹脂(PFA)、テフロン(商標名)、テフゼル(商標名)のようなプラスチック又はアルミナ(AL2O3)又は他のセラミクスのような絶縁体であることができる。外部接触パッド780は電源(図示せず)に連結されており、処理の間コネクタ776を介して内部接触パッド772に電流及び電圧を供給する。順番に、内部接触パッド772は基板の周辺部の回りに対して接触を維持することによって基板に電流及び電圧を供給する。従って、操作においては、導伝部765は電気的に基板と接続されている別々の電流路として作用する。
低い抵抗率及び逆から言えば高い伝導率は良いメッキに直接的に関係する。低い低効率を得るために、導伝部765は好ましくは、銅(Cu)、白金(Pt)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、ステンレススチール又は他の導伝性物質で作られる。低い低効率及び低い接触抵抗は、導伝部765を導電性物質でコーティングすることにより達成されることができる。従って、導伝部765は、例えば、銅(銅の抵抗率は約2×10−8Ωmである)で形成することができ、白金(白金の抵抗率は約10.6×10−8Ωmである)でコーティングされることができる。ステンレススチール、モリブデン(Mo)、Cu及びTiのような導伝性ベース物質上に窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、ロジウム(Rh)、Au、Cu又はAgのようなコーティングもまた可能である。さらに、接触パッド772、780は典型的には伝導性コネクタ776に結合された別のユニットであるため、接触パッド772、780はCUのようなひとつの物質で形成することができ、導伝部765はステンレススチールのような他の物質で形成することができる。パッド772、180と導伝性コネクタ776のいずれか一方又は双方は、導伝性物質でコーティングすることができる。追加的に、メッキの再現性は絶縁体として作用する酸化物により不利な影響を受けるので、内部接触パッド772は、好ましくは、Pt、Ag又はAuのような酸化に対して抵抗性のある物質で形成される。
コンタクト物質の作用に加えて、各々の回路の総抵抗は内部接触パッド772のジオメトリ及び形状及び接触リング466に供給される力により影響を受ける。これらの要因は、内部接触パッド772と基板受取表面768の境界において、これらの表面の粗さに起因する圧縮抵抗RCRを規定する。一般的に、適用される力が増大すると、明確な領域もまた増大する。順番に明確な領域はRCRに逆方向に関連し、これによって明確な領域の増大はRCRの減少という結果になる。従って、全体的な抵抗を最小化するためには、力を最大化することが好ましい。操作において加えられる最大の力は基板の産出強度によって制限され、これは過度の力及び結果として生じる圧力のもとでダメージを受ける。
しかしながら、圧力は力と面積に関連するので、最大の耐え得る力もまた内部接触パッド772のジオメトリに依存する。従って、接触パッド772は第20図のような平坦な上面を有することができるが、他の形状もまた有利に用いられることができる。当業者であれば、有利に用いることができる形状を容易に認識することができるであろう。接触のジオメトリ、力及び抵抗の関係についてより詳細な記述は、キニース.イー.ピトネイ(Kenneth E.Pitney)著、ザ.ジェイ.エム.ネイ社(The J.M.Ney Company)、1973年のネイコンタクトマニュアル(Ney Contact Manual)により与えられ、これは引用により全体として本明細書に一体化される。
コネクタ776の数は必要な接触パッド772(第20図に示す)の特定の所望の数によって変えることができる。200mm基板の場合、好ましくは少なくとも24個のコネクタ776が360度に渡って、同等に間隔を介して配置される。しかしながら、コネクタの数が臨界レベルに達すると接触リング466との関係で基板のコンプライアンスは不利な影響を受ける。したがって、24個以上のコネクタ776を使うことができるものの接触の同等性は、接触パッド772のトポグラフィー及び基板の硬さに応じて事実上減少する。同様に、24個以下のコネクタ776を用いることができるが、電流はかなり限定され、局在化され、これは悪いメッキの結果に通ずることになる。本発明の寸法は特定の用途(例えば300mm基板)のため容易に変えることができるので、至適な数はスケールと実施例の変更に応じて容易に決定される。
第19図は接触リング466のための電気回路の可能な形態を表す単純化された略図である。導伝体765の間に均一に電流を分配するため、外部抵抗700は導伝性部材765の各々と直列に連結されている。好ましくは、外部抵抗700(REXT)の抵抗値は回路の他の構成要素の抵抗よりもかなり大きい。各々の伝導性部材765を通じる電気回路は電源702と直列に連結されている要素の各々の抵抗により表される。REは電解液の抵抗を表し、これは典型的には陽極及び陰極接触リング間の距離及び電解液化学物質の組成に依存する。したがって、RAは基板メッキ表面754近傍の電解液の抵抗を表す。Rsは基板メッキ表面754の抵抗を表し、RCは陰極導電性部材765と、内部接触パッド772及び基板メッキ表面754の境界面における圧縮抵抗を表す。一般的に、外部抵抗器(REXT)の抵抗値は少なくともΣR(ΣRはRE、RA、RS、RCの総和に等しい。)である。好ましくは、外部抵抗(REXT)の抵抗値はΣRよりかなり大きいので、ΣRは無視できるものであり、各々の直列回路の抵抗はREXTに近づく。
典型的には、一つの電源は陰極接触リング466の外部接触パッド780の全てに連結されており、これによって内部接触パッド772を通じた並列回路が形成される。しかしながら、内部接触パッド基板境界の抵抗値は各々の内部接触パッド772により変化するので、最も抵抗値の低い場所においてより多くの電流が流れ、その結果、より多くのメッキが生じる。しかしながら、各々の伝導性部材765に対して外部抵抗を直列に配置することにより、各々の伝導性部材765を通過する電流値又は量は、主として外部抵抗の値によって制御されることになる。その結果、内部接触パッド772の各々の間の電気的特性の変化は、基板上の電流の分配に影響せず、均一な電流密度がメッキ表面を通じて生じ、これによって均一なメッキ厚さが得られる。外部抵抗はまたプロセスシーケンスの異なる基板間での均一な電流の分配を提供する。
好ましくは、ウェハホルダ464は陰極接触リング466の上方に位置しており、ウェハの後方に圧力を提供する袋状アセンブリ470を備えており、これによってウェハメッキ表面と陰極接触リング466の電気的な接触が可能となる。膨らませることが可能な袋状アセンブリ470は、ウェハホルダプレート832上に配置されている。ウェハホルダプレート832の下面に配置されている袋状部材836は、其れゆえ、その間に置かれている基板821と共に、陰極接触リング466上の接触部の反対方向に近接して位置する。流体源838はガス又は液体のような流体を袋状部材836に供給し、これによって袋状部材836は異なる程度で膨らむ。
第20図Aを参照すると、実質的に円形リング状のマニホルド846は円環状凹部840内に配置されている。このマニホルド846は装着レールを含み、内部ショルダ848と外部ショルダ850の間に配置されている。装着レール852は円環状装着チャンネル843に少なくとも部分的に挿入されるように適用される。マニホルド846内に形成された複数の流体排出口854は導入口842と袋状部材836の間の連絡を提供する。O−リングのようなシール837は導入口824及び排出口854と共に整列して円環状のマニホルドチャンネル843内に配置され、ウェハホルダプレート832より固定され気密性シールが可能となる。ネジのような従来の止め具(図示せず)は、マニホール846及びウェハホルダプレート832に形成された貫通孔(図示せず)と共同してこれを通じてウェハホルダプレート832にマニホルド846を固定するために用いられることができる。
第20図を参照すると、各々の端部に円環状のリップシール856又はノズルを有する延伸された実質的に略環状の部材として袋状部材836が部分的に示されている。第20図Aにおいて、リップシール856は内部ホルダ848及び外部ショルダ850上に配置されて示されている。袋状部材836の部分は、環状凹部840よりわずかに小さい幅(数mm)を有するマニホルド846によって円環状凹部840の壁に押圧されている。従って、マニホルド846、袋状部材836及び環状凹部840は共同して流体の漏れないシールを形成する。流体の損失を防止するため、袋状部材836は、好ましくは、電解液に対して化学的に不活性であり信頼できる柔軟性を有するシリコンラバー又はこれに匹敵するようなエラストマーのような流体非浸透性物質で構成される。必要な場合、柔軟性カバリング857は袋状部材836上に配置され、接着剤又は熱接着の方法により固定される。カバリング857は、好ましくは、適した物質により補強されることができる弾性物質により構成される。一実施例において、カバーリング857及び袋状部材836は同一の物質で構成される。カバーリング857は袋状部材が破裂する傾向がある特定の適用を有している。選択的に、袋状部材836の厚さはその製造の間増加させることができ、これによって穴が開く傾向を減少させることができる。導入口842及び排出口854の正確な数は特定の応用に従い、本発明から逸脱することなく変えることができる。
操作において、基板821はウェハホルダプレート832の底部に固定することにより容器本体802内に導かれる。このことは、ポンプシステム159を用いポート841を介して基板821とウェハホルダプレート832の間の空間を空にすることにより達成することができる。袋状部材836は、その後、流体源838から空気又は水のような流体を導入口842へ供給することにより膨張させられる。流体は、マニホルド排出口854を介して袋状部材836内に供給され、これによって基板821は陰極接触リング466の接触部に対して均一に押圧される。そして、電気メッキプロセスが実行される。電解液が基板821に向かってプロセスキット420内に供給され、露出している基板メッキ表面820と接触する。電源は陰極接触リング466を介して基板メッキ表面820に負のバイアスを提供する。電解液は基板メッキ表面820を横切って流れるので、電解液中のイオンは表面820に引き寄せられ、表面820上に堆積し、所望の膜を形成する。
袋状部材836の柔軟性により袋状部材836は変形し基板裏面の粗さと陰極接触リング466の接触部を収容し、これによって導伝性陰極接触リング466の不整列を和らげる。柔軟性のある袋状部材836は、基板821の裏面の周辺部において液体が漏れないシールを確立することによって、電解液が基板821の裏面を汚染することを防止する。一旦、膨張すると、均一な圧力が陰極接触リング466に向かって下方に供給され、これによって基板821と陰極接触リング466が接触するすべての場所において実質的に均等な力が達成される。この力は流体源838から供給される圧力の作用として変えることができる。さらに、袋状アセンブリ470の有効性は陰極接触リング466の構成に依存しない。
袋状部材836によって基板821に伝達される力は可変であるので、接触リング466により供給される流れの調整を行なうことが可能である。以下に述べるように、酸化物層は陰極接触リング466の上に形成することができ、流れを制約するように働く。しかしながら、袋状部材836の圧力の増加は酸化により流れの抑制を妨げる。圧力が増加すると、柔軟性酸化層は妥協し陰極接触リング466と基板821の間の優れた接触が生ずる。この容量における袋状部材836の有効性は陰極接触リング466のジオメトリを変更することにより向上させることができる。例えば、ナイフの端部状のジオメトリは鈍く丸められた端部又は平坦な端部より、より容易に酸化層を貫通する傾向がある。
上述のように、袋状部材836が膨張している間の連続的な裏面の真空吸引は必要とされず、実際に、基板802は歪み又は曲がる原因となり、望ましくない堆積の結果を生じさせる。しかしながら、処理される基板の「弓なり」効果を生じさせるために、基板820に上面の圧力を提供することは望ましい。このような弓なりは優れた堆積を生じさせると決定されている。したがって、ポンピングシステム859は、選択的に基板の裏面に対して吸引又は圧力状態を与えることができる。200mmウェハについては、基板を弓なりにさせるためには、5psiまでの裏面圧力が好ましい。基板は、典型的には、ある程度の柔軟性を示すので、上面圧力は基板が弓なりとなる又は電解液の流れの上流側に向かって突出する形状となる原因となる。弓なりの程度はポンピングシステム859により提供される圧力にしたがって可変である。
電気メッキプロセスセル400の断面図である第18図を参照すると、ウェハホルダアセンブリ450はプロセスキット420の上方に位置している。プロセスキット420は、一般的に、ボール430、容器本体472、陽極アセンブリ474及びフィルタ476を備えている。好ましくは、陽極アセンブリ474は容器本体472の下方に配置されており、容器本体472の下部に接続されており、フィルタ476は陽極アセンブリ474と容器本体472の中間に配置されている。容器本体472は、好ましくは、セラミクス、プラスチック、プレキシガラス(アクリル)、レキサン、PVC、CPVC、及びPVDFのような電気的絶縁物質により形成された円筒状部材である。選択的に、容器本体472は、ステンレススチール、ニッケル、チタンのような金属で形成することができ、これはテフロン、PVDF、プラスチック、ラバー及びこれらの組み合わせであって、電解液中で溶解せず、電極(即ち、電気メッキシステムの陽極及び陰極)から電気的に絶縁することができるもののような絶縁層により被覆されている。容器本体472は好ましくは、システムにより処理されるウェハのウェハメッキ表面及び形状に従い、典型的には円形又は矩形に従うようにサイズ決めされ適用される。容器本体472の好ましい実施例は、ウェハの直径と同一の寸法かわずかに大きな寸法の内径を有するセラミクス性の円筒状チューブを備える。発明者は、容器本体のサイズがウェハメッキ表面のサイズとほぼ等しい場合には、典型的な電気メッキシステムで典型的に必要とされる回転運動は均一なメッキ結果を得るためには必要とされないことを発見した。
容器本体472の上部は放射状に外側に向かって伸びており、円環状の堰478を形成している。堰478は電解液捕集器440の内壁446の上方に伸びており、電解液が電解液補集器440に流れ込むことを可能としている。堰478の上面は、好ましくは、陰極接触リング466の下面と一致する。好ましくは、堰478の上面は内側円環状平坦部480と、中間傾斜部482と外側傾斜部484を含む。ウェハが処理位置に位置している場合には、ウェハメッキ表面は容器本体472の円筒状開口の上部に位置しており、電解液の流れのギャップが陰極接触リング466の下面と堰478の上面との間に形成される。陰極積極リング466の底面は堰478の内側平坦部480及び中央傾斜部の上方に配置されている。外側傾斜部484は下方に向かって傾斜しており、これによって電解液が電解液捕集器440に流れ込むことを可能にしている。
容器本体472の下部は放射状に外側に向かって伸びており、容器本体472をボール430に固定するための下部円環フランジ486を形成している。円環フランジ486の外側の寸法(即ち、円周)は、開口444及び電解液捕集器440の円周より小さく、これによって電気メッキプロセスセル400からプロセスキット420を除去し交換することが可能になる。好ましくは、複数のボルト408が円環状フランジ486上に固定的に配置され、ボール430のマッチングボルトホールを介して下方に伸びている。複数の取り外し可能な止め具ナット490はプロセスキット420をボール430に固定する。エラストマO−リングのようなシールが容器本体472とボール430の間であって、ボルト488から放射状に内側に配置されており、プロセスキット420からの漏れを防止する。ナット/ボルトのコンビネーションはメンテナンスの際にプロセスキット420の要素を迅速かつ容易に取り外したり交換したりすることを可能にする。
好ましくは、フィルター476は容器本体472の下部開口に取り付けられており、これを完全に覆っており、陽極アセンブリ474はフィルタ476の下方に配置されている。スペーサ492はフィルタ476と陽極アセンブリ474との間に配置されている。好ましくは、フィルタ476とスペーサ492と陽極アセンブリ474はネジ及び/又はボルトのような取り外し可能な止め具を用いて容器本体472の下面に留められている。選択的に、フィルタ476とスペーサ492及び陽極アセンブリ474はボール430に取り外し可能な状態で固定されている。
陽極アセンブリ474は、好ましくは、電解液中で金属源となる消費性陽極を含んでいる。選択的に、陽極アセンブリ474は非消費性陽極を含んでおり、メッキされる金属は電解液補給システム600から電解液の範囲内で供給される。第19図に示されるように、陽極アセンブリ474は浸透性の陽極エンクロージャ494を有する自己閉鎖モジュールであり、これは好ましくは銅のような電気メッキされる金属と同じ金属で形成される。選択的に、陽極エンクロージャ494は、セラミクス又は集合体のような浸透性物質で形成される。銅の電気化学メッキのための高純度の銅のような可溶性金属496は、陽極エンクロージャ内に配置される。可溶性金属496は、好ましくは、金属粒子、ワイヤー又は穴が形成されたシートを含む。穴が形成された陰極エンクロージャは、浸透性陽極エンクロージャ内において溶解金属によって発生された粒子を保持するフィルターとして作用する。非消費性陽極と比較した場合、消費性(即ち、可溶性)陽極アセンブリ474はガス発生なしの電解液を提供し、電解液中に金属を連続的に補給する必要性を最小化する。
陽極接触部498は陽極エンクロージャ内に挿入され、電源から可溶性金属496への電気的な接続を提供する。好ましくは、陽極接触部498は、チタン、白金及び白金コートされたステンレススチールのような電解液に不溶な伝導性物質で形成される。陽極接触部498はボール430を介して延び、電源と連結される。好ましくは、陽極接触部498は陽極接触部498をボール430に固定するための止め具ナット499のためのネジ部497を含み、弾性体ワッシャーのようなシール部材がプロセスキット420からの漏れを防止するために、止め具ナット499とボール430との間に配置されている。
ボール430は、一般的には、円筒部502と底部504とを備えている。上部円環状フランジ506は円筒部502の上部から放射状に外側に伸びている。上部円環状フランジ506は容器本体472の下部円環状フランジと連結するためのボルトに適合する複数の穴508を含む。ボール430の上部円環状フランジと容器本体472の下部円環状フランジ486を固定するため、ボルトは穴508に挿入され、止め具ナット490がボルト488に留められる。好ましくは、上部円環状フランジの外形(即ち、外周)は、下部円環状フランジ486の外形寸法(外周)とほとんど同じである。好ましくは、ボール430の上部円環状フランジ506の下面は、プロセスキット420がメインフレーム214に位置しているときには、メインフレーム214のサポートフランジ上に位置している。
円筒部502の内周は陽極アセンブリ474とフィルタ476を収容する。好ましくは、フィルタ476及び陽極アセンブリ474の外側寸法は円筒部502の内側寸法よりわずかに小さく、これによって、電解液の実質的な部分がフィルタ476を流れる前に最初に陽極アセンブリ474を流れるようになる。ボール430の底部504は電解液導入口510を含み、これは電解液補給システム220からの電解液供給ラインと連結している。好ましくは、陽極アセンブリ474はボール430の円筒部502の約中央に配置され、これによって、陽極アセンブリ474と底部504の電解液導入口510との間に電解液が流れるためのギャップを提供する。
電解液導入口510と電解液供給ラインは、好ましくは、開放可能なコネクタによって連結されており、プロセスキット420を容易に取り外して交換することが可能になる。プロセスキット420がメンテナンスを必要とする場合には、電解液はプロセスキット420から排出され、電解液供給ラインにおける電解液の流れが中断され排出される。電解液供給ラインのコネクタは電解液導入口510から開放され、陽極アセンブリ474との電気的接続もまた中断される。ヘッドアセンブリ410は上昇または回転され、プロセスキット420を取り外すためのクリアランスが提供される。プロセスキット420はその後、メインフレーム214から取り外され、メインフレーム214内に新しい、或いは、修理されたプロセスキットが配置される。
選択的には、ボール430はメインフレーム214のサポートフランジ上に固定されることができ、容器本体742は陽極及びフィルターと共にメンテナンスのために除去される。この場合、陽極アセンブリ474と容器本体472をボール403に固定するためのナットが除去され、これによって陽極アセンブリ474と陽気本体472を取り外すことが可能になる。新しい又は修理された陽極アセンブリ474及び容器本体472がメインフレーム214内で交換され、ボール430に固定される。
以上のようなECPシステムを用いることにより、PVDシステムで形成された銅シード膜のようなシード膜上に配線用銅膜のようなEPC膜を形成することができる。特に、低温PVD法で形成されたシード膜がアニール処理されていない場合、本ECPシステムに設けられたRTAチャンバでアニール処理することにより、良好な配線用銅膜を形成することがかの可能なる。
次に、本発明の半導体製造装置におけるRTAチャンバによるアニール処理の効果について説明する。以下の説明において、シード膜は、PVDチャンバにおいて、バイアス電力300W、RF13.56MHz、DC24kWで形成されたものを示す。
第21図は低温PVD法で形成された厚さ40オングストロームの銅シード膜を有するシリコンウェハの断面写真であり、(A)はアニール処理がなされていないものを示し、(B)は処理温度250℃で90秒間加熱した後、処理温度−40℃で90秒間冷却するアニール処理がなされているものを示す。尚、処理温度とはウェハに熱処理を施す手段(加熱・冷却プレート、ウェハホルダ等)の制御された温度をいう。第21図より、いずれの場合にも薄膜の凝集が生ぜず、平滑性に優れた薄膜形成がなされていることが判る。
第22図はバイアス300Wで形成された窒化タンタル/タンタルのバリア膜上に低温PVD法で形成された厚さ40オングストロームの銅シード膜の抵抗率を示すグラフである。アニール処理は所定温度で90秒間加熱した後、−40℃で90秒間冷却することにより行った。第22図より、100℃以上、特に150℃以上の温度でアニール処理を施すことにより、銅シード膜の低効率が低下し、安定化することが判る。
第23図はバイアス300Wの窒化タンタル/タンタルのバリア膜上に厚さ40オングストロームの銅シード膜を形成した後、ECP法により堆積させた銅薄膜の抵抗率を示すグラフである。アニール処理は銅シード膜形成後、ウェハを150℃で90秒間加熱した後、−40℃で90秒間冷却することにより行った。第23図より、銅シード膜のアニール処理によりこれに引き続いて形成されるEPC銅膜の抵抗率が安定化することが明らかになった。
第24図はバリア膜上に形成された厚さ厚さ40オングストロームの銅シード膜の<111>ピークを示すグラフである。第24図よりアニール処理によりピーク値が上昇することが判る。以上の結果から、アニール処理により結晶性の良好なシード膜が得られることが判った。
第25図はバリア膜上に形成された厚さ厚さ40オングストロームの銅シード膜の<111>回折強度曲線半値全幅角(FWHM)を示すグラフである。第25図より、アニールにより半値全幅角が減少していることが判る。
第26図は、シード膜形成後にECP法で堆積された銅薄膜の<111>強度及び<111>含有率を示すグラフである。図中、棒グラフは<111>強度を示し、折線グラフは<111>含有率を示す。この結果から、アニール処理により、歪みが少なく結晶性が良好で、しかも結晶方位が揃っているシード膜が得られることが判った。
第27図は銅シード膜上にECP法で形成した銅薄膜中の欠陥数を示す。第27図より銅シード膜にアニール処理を施すことにより、最終的なECP銅薄膜の欠陥数を大幅に低減することができることが判る。
以上の結果から、本発明の効果は明らかであった。
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、PVDシステムのクラスタの数や各クラスタにおけるチャンバの数は上述した形態に限定されず増減することができる。また、各クラスタにおいて配置される処理チャンバの種類や配置方法、更にはウェハ処理のシーケンスも変更することが可能である。
産業上の利用可能性
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体製造装置及び半導体製造方法によれば、成膜工程で形成された薄膜にアニール処理を施すことにおり、薄膜の抵抗率を低下、安定化することが可能になる。従って、本発明を用いたデュアルダマシン構造の形成において、PVD法で形成したシード膜上にECP法で配線用金属薄膜を形成する場合、ウェア全体に渡って電流密度を均一にすることが可能になる。また、シード膜形成から配線用金属薄膜形成までの時間の経過によりシード膜の抵抗率が変化することがないので、特性が均一な配線用金属薄膜を形成することが可能になる。
また、シード膜の特定を安定化させることにより、シード膜上に形成される配線用金属薄膜を安定化させ、欠陥を減少させることが可能になる。さらに、シード膜の形成に先立ってバリア膜の形成された場合でも、シード膜の凝集を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムの概略を示す図であり、
第2図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられるPVDチャンバの概略を示す図であり、
第3図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの概略を示す図であり、
第4図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの他の例の概略を示す図であり、
第5図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの他の例の概略を示す図であり、
第6図は支持構造の概要を示す図であり、
第7図は支持構造と上部ハウジングの関係を示す図であり、
第8図は支持構造と下部ハウジングの関係を示す図であり、
第9図はRTAチャンバの内部構造を示す斜視図であり、
第10図は上部支持フープを示す斜視図であり、
第11図は上部支持フープを示す側面図であり
第12図は下部支持フープを示す斜視図であり、
第13図は下部支持フープを示す側面図であり
図14はRTAチャンバの断面図である。
第15図は本発明の電気メッキシステムプラットホームの斜視図であり、
第16図は本発明の電気メッキシステムプラットホームの概略図であり、
第17図は本発明の回転−濯ぎ−乾燥(SRD)モジュールの概略を示す斜視図であり、
第18図は本発明の電気メッキプロセスセルの断面図であり、
第19図は各々の接触ピンを通じた電気メッキシステムを表す電気回路の簡略化された略図であり、
第20図は本発明のウェハアッセンブリ450の断面図であり、袋状領域の拡大断面図であり、
第21図はPVD法で形成された銅シード膜を有するシリコンウェハの断面写真であり、
第22図はPVD法で形成された銅シード膜の抵抗率を示すグラフであり、
第23図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の抵抗率を示すグラフであり、
第24図はPVD法で形成された銅シード膜の<111>ピークを示すグラフであり、
第25図はPVD法で形成された銅シード膜の<111>FWHMを示すグラフであり、
第26図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の<111>強度と<111>含有率を示すグラフであり、
第27図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の欠陥数を示すグラフであり、
第28図は半導体デバイスにおけるデュアルダマシン構造の形成方法を説明するための図である。
本発明は半導体製造装置及び半導体製造方法に係り、特に、半導体ウェハ表面にデュアルダマシン構造を形成するために用いられる半導体製造装置及び半導体製造方法に関する。
背景技術
近年、集積回路等の半導体デバイスの製造工程においては、微細な金属配線用薄膜の加工の手間を削減し、製造歩留まりを向上させるためデュアルダマシン構造が採用されている。第28図はデュアルダマシン構造の形成方法を説明するための図である。
第28図に示されるように、ビアホール及び配線となるウェハの溝部51に物理気相成長(PVD)法等の成膜方法により金属のバリア膜51及びシード膜52を形成する。そして、電気化学堆積(ECP)法等の堆積方法より溝部51に埋め込まれる金属配線用薄膜54を堆積させ、最後に化学機械研磨(CMP)法により堆積部分を除去するということが行われている。
従来、このような工程で用いられる成膜方法としては、ウェハの加熱又はウェハ表面における分子運動で発生する熱により、ウェハ温度を150℃以上の比較的高温で処理する高温PVD法が用いられていた。この方法によれば、ウェハを高温で処理することにより、粒子の形成、成長及び配列を促進し、その結果、安定した微細構造及び抵抗率とを有する薄膜を得ることが可能になる。
しかし、半導体デバイスの高集積化及び高性能化の要求に伴い、半導体デバイスの構造は微細化している。その結果、現在では、ウェハの溝部側壁に対するPVDの堆積量はフィールドに対する堆積量と比べて非常に小さくなるように設定されており、より薄い薄膜を形成することが要望されている。この場合、上述した高温で薄膜形成を行うと、薄膜の凝集を引き起こすことがある。この問題に対処するため、薄膜の凝集が生じることなく且つ平滑性の優れた薄膜が得られるよう低温でウェハを処理する低温PVD法が採用されている。
低温PVD法で形成された銅薄膜は、室温での時間の経過に伴い薄膜の自己アニール即ち再結晶が進行し、これによって薄膜の抵抗率が低下することが知られている。室温で完全な自己アニールが完結するためには100〜200時間程度の時間が要することが報告されている。しかし、ウェハを加熱することにより、再結晶プロセスを促進することが可能である。例えば、ウェハを150℃程度で加熱することにより、通常の厚さの薄膜のアニールを30秒未満で達成することができる。
しかし、半導体デバイスの製造工程においては、PVD法によるシード膜の堆積とこれに引き続いて行われるECP法による配線用金属薄膜の堆積工程との間の時間を厳密に制御することはできない。その結果、様々な抵抗率を有する様々な再結晶化段階のシード膜を有するウェハがECP工程に搬入されることになる。
シード膜の結晶構造がECP工程で堆積される配線用金属薄膜の特性にどのような影響を与えるか又はECP工程で堆積される金属膜の欠陥にどのように関与しているかについては良くは知られていない。しかし、ECP工程で形成される金属膜の基礎となるシード膜の微細構造が極めて重要な役割を演じることは広く認められている。
ECP工程では、ウェハに形成されているシード膜の状態に応じ、様々な条件等を調整することが可能である。従って、シード膜の特性を一定とすれば、これに応じてECP工程の条件を調整することによって、最終的に優れた製品を製造することが可能になる。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、シード膜となる金属薄膜を安定化させるアニールチャンバを備えた半導体製造装置及びシード膜となる金属薄膜を安定化させるアニール工程を備えた半導体製造方法を提供することを目的とする。
発明の開示
以上の目的を達成するため、本発明の半導体製造装置はウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームと、前記メインフレームに設けられ、前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜チャンバと、前記メインフレームに設けられ、前記成膜チャンバで形成された薄膜をアニール処理するアニールチャンバとを備えている。
また、本発明の半導体製造方法は、ウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームに設けられた成膜チャンバで前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜工程と、前記薄膜が形成されたウェハを前記メインフレームに設けられたアニールチャンバでアニール処理するアニール工程とを含んでいる。
本発明によれば、成膜工程で形成された薄膜にアニール処理を施すことにおり、薄膜の抵抗率を低下、安定化することが可能になる。従って、本発明を用いたデュアルダマシン構造の形成において、PVD法で形成したシード膜上にECP法で薄膜を形成する場合、ウェア全体に渡って電流密度を均一にすることができる。また、シード膜形成からECP法による薄膜形成までの時間の経過によりシード膜の抵抗率が変化することがないので、特性が均一なECP薄膜を形成することが可能になる。
また、シード膜の特定を安定化させることにより、シード膜上に形成されるECP薄膜を安定化させ、欠陥を減少させることができる。さらに、シード膜の形成に先立ってバリア膜の形成された場合でも、シード膜の凝集を防止することが可能になる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
まず、本発明の第1の形態について説明する。以下の形態では、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社(Applied Materials、Inc.)により商標名エンデュラ(Endura)として製造、販売されているPVDシステムを例として説明する。
第1図は本発明の一実施形態である物理気相堆積(Physical Vapor Deposition、PVD)システム100を示す。このPVDシステム100はクラスタツール(cluster tool)と称される多チャンバ半導体処理システムである。このPVDシステム100は複数(本形態では2個)のチャンバの集合体(クラスタ)を備えている。このPVDシステムはウェハに金属薄膜を形成するための金属化クラスタ102と、ウェハに金属薄膜を形成するための前処理を施す前金属化クラスタ112とを備えている。金属化クラスタ102と前金属化クラスタ112とは通過チャンバ122、124により分離されており、異なる真空度に調整することができる。また、各々のクラスタには、ウェハの移送を行うウェハ移送機構119、120が設けられている。
このPVDシステム100の動作はシーケンサ(コントローラ)126により制御されている。シーケンサ126は、中央処理装置(CPU)150、メモリー152、支援回路154を含む汎用コンピュータである。CPU150は、例えばRAM、ROM、フロッピーディスク、ハードディスク等のメモリー152に蓄積されているプログラムに従って動作する。支援回路154は、電源、クロック回路、キャッシュ等を含む。CPU150により実行されるプログラムは以下のようにPVDシステム100に様々な動作を行わせる。
前金属化クラスタ112は、PVDシステム100に対しウェハの搬入、排出を行う2個のロードロックチャンバ114と、ウェハの配向とガス抜きを行う2個のウェハ配向/ガス抜きチャンバ116と、ウェハをスパッタ清浄化(sputter cleaning)する2個の前清浄化チャンバ118、121とを備えている。これらのチャンバはユーザーの所望に応じた作用及び性能を有するものを用いることができる。
上記のようなPVDシステム100において、ウェハはロードロックチャンバ114内のウェハカセット128からPVDシステム100に搬入される。バッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119は、ウェハを一度に1枚ずつカセット128から前金属化クラスタ112内のチャャンバ116、118、122、124に搬送する。チャンバ間でウェハを輸送する際、ウェハはウェハ搬送機構119に設けられているウェハ搬送ブレード130上に載置される。一般的な処理工程では、ウェハは最初にウェハ配向/ガス抜きチャンバ116に搬入され、次に前清浄化チャンバ118に搬入される。
ウェハが前清浄化チャンバによる処理を経ると、ウェハは金属化処理を受け得る状態となり、バッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119はウェハを前清浄化チャンバ118から通過チャンバ122へ移動させる。その後、金属化クラスタ102のウェハ搬送機構120はウェハを処理チャンバに移動させる。
金属化クラスタ102は、処理チャンバ104、106、108、110、123及び通過チャンバ122、124を備えており、ウェハ移送機構120はこれらのチャンバに取り囲まれ、これらのチャンバに対しウェハを搬入、排出することができる。
処理チャンバ104、110にはウェハにバリア膜を形成するためのPVDチャンバが設けられており、処理チャンバ106、108にはシード膜を形成するためのPVDチャンバが設けられている。処理チャンバ123は補助チャンバであり、必要に応じ、アニールチャンバ等の他の機能を有するチャンバを設けることができる。尚、本発明に係る半導体製造装置においては処理チャンバとしてPVDチャンバと共に又はこれに替えて他の種類の成膜チャンバ、例えば、化学気相堆積(Chemical Vapor Deposition、CVD)チャンバ、非電解メッキチャンバ、ALDチャンバ等を設けることも可能である。
第2図は処理チャンバ104、106、108、110に設けられるPVDチャンバの概略構成を示す。このPVDチャンバはエンクロージャー150と、エンクロージャ150内で平行に設けられた陽極プレートと152と陰極プレート156が設けられている。陽極プレート152にはウェハWを保持するウェハホルダが設けられていると共に、陰極プレート156には銅等の薄膜形成材料の円盤がプレートに貼着されたターゲット158がウェハWに対向して設けられている。このようなPVDチャンバにおいて、エンクロージャ150内を高真空にしてアルゴンガスを導入し、ウェハW側にプラス、ターゲット158側にマイナスの高電圧を印加すると高電界によりアルゴンガスがプラズマイオン化する。このプラズマイオンは電界で加速され、高運動エネルギーをもってターゲット158に衝突する。これによって、ターゲット158内の金属原子がアルゴンイオンに反跳されてターゲット158から飛び出し、この金属原子がウェハWの表面に堆積して薄膜を形成する。
本発明に係る半導体製造装置において、ウェハWの温度を低温に維持しながら薄膜形成を行う場合、温度制御装置によりウェハホルダの温度を制御する。この場合ウェハホルダの温度は150℃以下、好ましくは120℃以下、より好ましくは50℃以下であり、0℃以下に制御されることが最も好ましい。
PVDチャンバによるウェハ処理が完了すると、ウェハ搬送機構120はウェハを通過チャンバ122、124に移動させる。これらのチャンバは収容チャンバであってもよいが、通過チャンバにアニールチャンバを設け、ここで薄膜のアニール処理を行うことも可能である。ウェハはバッファーチャンバ113内のウェハ搬送機構119により通過チャンバ122、124から排出され、最終的に再びロードロックチャンバ114に収納され、最終的に物理気相堆積システムから取り出される。
第3図はPVDチャンバにより形成された銅シード膜を安定化するための急速熱処理アニールチャンバの一例を示す。この急速熱処理アニールチャンバは、例えば、チャンバ123又はチャンバ124に配置することができる。
RTAチャンバ200は、エンクロージャ202と、加熱プレート204と、ヒーター207と、複数のウェハ支持ピン206とを備えている。エンクロージャ202は、底部208と、側壁210と頂部212とを含む。冷却プレート213がエンクロージャの頂部の下部には冷却プレート213が配置されている。この冷却プレートはエンクロージャの頂部212の一部分として一体的に形成されていてもよい。エンクロージャーの底部208には反射絶縁盤214が設けられていることが好ましい。反射絶縁盤は、通常、500℃以上の温度に耐熱性を有し、ヒーター207とエンクロージャ202との間で熱絶縁体として作用することのできる石英又はアルミナ等の材料で形成される。反射絶縁盤は214は熱を加熱プレートへ反射させるため金属等の反射性材料で被覆されいることが好ましい。
加熱プレート204はウェハと比べて大きな質量を有し、RTAチャンバ内の雰囲気ガス或いはウェハ材料と反応しない炭化珪素又は石英等の材料で形成されている。ヒーター207は抵抗性加熱要素又は伝導性/放射性熱源を含み、加熱されるプレートと反射絶縁盤の間に配置される。ヒーター207は電源216に連結されており、これによってヒーターを加熱するのに必要なエネルギーが供給される。底部及び反射絶縁盤を通して加熱プレートの中に延びている導管222の内部には熱電対220が配置されることが好ましい。熱電対220はコントローラに結合され、測定された温度をコントローラに供給する。コントローラは、測定された温度と予め設定されている所望のアニール温度とを比較して、ヒーターから供給される熱を制御する。
エンクロージャ202の側壁210にはエンクロージャを冷却する冷却部材218が設けられている。また、側壁210にはエンクロージャの温度を制御するための冷却溝(図示せず)が形成されていてもよい。頂部12の内面に配置された冷却プレート213は冷却プレートの近傍に位置するウェハを冷却する。
RTAチャンバ200の側壁210には、ウェハの搬入及び排出を行うためのスリットバルブ222が設けられている。スリットバルブ222はるエンクロージャの側壁の開口部224を選択的に密封することができる。移送機構は、開口部224を通してウェハをRTAチャンバ内へ移送し、またRTAチャンバ内からウェハを外へ移送する。
ウェハ支持ピン206は、好ましくは、石英、酸化アルミニウム又は炭化珪素等の耐熱性材料で形成されており、端部はテーパ形状に形成されている。ウェハ支持ピン206は加熱プレート204に形成された孔部又は熱及び酸化に耐性を有する材料で形成された筒状の導管226の中に配置されている。ウェハ支持ピン206はウェハ支持ピンを一体的に移動させるためのリフトプレート228に連結されている。リフトプレート228は、RTAチャンバ内でウェハを垂直方向に移動させるため、リフトプレートを移動させるリフトシャフト232を介してステッパモータ等のアクチュエータ230に連結されている。
ウェハをRTAチャンバへ搬入する場合、スリットバルブ222が開口し、移送ロボットはウェハが配置されているロボットブレードを開口部224を通してRTAチャンバの中へ挿入する。ロボットブレードはウェハをRTAチャンバ内で加熱プレート204の上方に位置決めし、ウェハ支持ピンは上方へ延びウェハをロボットブレードの上へ持ち上げる。その後、ロボットブレードはRTAチャンバから引き込められ、スリットバルブ222は開口部を閉鎖する。その後、ウェハ支持ピン206は、ウェハを加熱プレートから所望の距離まで下降させるために引き込められる。ウェハ支持ピン206はウェハを加熱プレートと直接接触させるため完全に引き込められてもよい。
アニールプロセス工程を所定のガス雰囲気中で行うため、エンクロージャ202の側壁210を通してガス導入管が236が配置されている。ガス導入管236は、RTAチャンバ内へのガスの流入を制御するためにバルブ240を通してガス源238に連結されている。エンクロージャの側壁の下部にはRTAチャンバ内のガスを排出するためのガス排出口が形成されており、このガス排出口には外側からの大気の逆流を阻止するためのバルブ244が設けられている。ガス排出口はアニール処理の間にRTAチャンバを所望の真空レベルまで排気するために真空ポンプ(図示せず)に連結されている。
アニール処理プロセスが完了した後、ウェハ支持ピン206は、ウェハをRTAチャンバの外へ移送するためウェハ指示ピンにより持ち上げる。スリットバルブ222が開口し、移送ロボットのロボットブレードがRTAチャンバ内のウェハの下方に挿入される。ウェハ支持ピンは引き込められウェハをロボットブレード上へさせ、その後、ウェハが細緻されたロボットブレードはRTAチャンバの外へ引き込められる。移送ロボットは、その後、処理されたウェハをカセット128内へ移送する。
図4〜図14は本実施形態のPVDシステムに設けられるRTAチャンバの他の例を示す図である。このRTAチャンバは、例えば、チャンバ123又はチャンバ124に配置することができる。このRTAチャンバ400はハウジング401と、ハウジング401内に設けられた支持構造410を備えている。
図4及び図5に示されるように、ハウジングは上部を覆う上部ハウジング401aと、底部と形成する下部ハウジング401bと、上部ハウジング401a及び下部ハウジング401bの間に設けられた中央ハウジング401cとを備え、これらが一体化して形成されている。各々のハウジング401a、401b、401cには、ガスを導入するためのガス導入/排出口402a、402b、402cが形成されている。また、中央ハウジングには、RTAチャンバ400に対しウェハWを搬入、排出するためのスリットバルブ(図示せず)が設けられたスリット開口部405が形成されている。このスリット開口部405は各クラスタ102、112のウェハ搬送機構119、120に対向するように形成されている。このスリット開口部は、RTAチャンバ400がプロセスチャンバ123に設けられた場合のように、ウェハが1個所から搬入、排出される場合には1個形成される。また、RTAチャンバ400が通過チャンバ124に設けられる場合のように、ウェハが2ヶ所から搬入、排出される場合には対向して2個形成される。この場合、金属化クラスタ102及び前金属化クラスタ112のウェハ搬送システム119、120の双方がRTAチャンバ400対しウェハを搬入、排出する。
図6は支持構造410を示す。図6に示されるように、支持構造は、上部封止部材436及び下部封止部材434を有するプレート部材404を備えている。プレート部材の上方及び下方には、それぞれ上壁412及び底壁414が設けられており、この上壁412及び底壁414は垂直支持部材416よりプレート部材404と連結されている。このような構造によって、上壁412とプレート部材404の間に上部チャンバ430が形成され、プレート部材404と底壁414の間に下部チャンバ432が形成される。支持構造410は、RTAチャンバ400の外部に位置するリフトモータに連結されたリニアガイドを有する昇降機構440により上昇し又は下降することができる。支持構造が上昇した時の状態は図4に示されており、支持構造が下降した時の状態は図5に示されている。
図7は支持構造410が上昇した場合のプレート部材404及び上部封止部材436の状態を示す。図7において、上部ハウジング401aの下端部には、外側に向かって伸びる外側フランジ部418と内側に伸びる内側フランジ部426が形成されている。外側フランジ418は中央ケーシングの上端部と連結されている。また、プレート部材404の上部封止部材436は内側フランジ426の底面426aに接触している。これによって、上部チャンバ430は上部ケーシング401a内で密閉される。このとき、下部チャンバ432は、図4に示されるように、スリット開口部を介してクラスタと連絡した状態にある。この状態でウェハ搬送機構119、120はウェハWが載置されたブレード130、134をスリット開口部からRTAチャンバ400内に搬入する。
図8は支持構造が下降した場合のプレート部材404及び下部封止部材434の関係を示す。図8において、下部ハウジングの上端部には、外側に向かって伸びる外側フランジ部420と内側に伸びる内側フランジ部428が形成されている。外側フランジ部420は中央ケーシング401Cの下端部と連結されている。また、下部封止部材434は内側フランジ428の上面428aに接触している。これによって、下部チャンバ432は下部ケーシング401b内で密閉される。このとき、上部チャンバ432は、図5に示されるように、スリット開口部を介してクラスタと連絡した状態にある。この状態でウェハ搬送機構はウェハWが載置されたブレード130、134をスリット開口部からRTAチャンバ400内に搬入する。
図9はRTAチャンバ400の内部構造を示す。図9において、上部チャンバ430及び下部チャンバ432の各々には、ウェハWを載置するための上部ウェハ支持ピン447及び下部ウェハ支持ピン449が設けられている。上部チャンバ430には、上部ウェハ支持ピン447を支持するための上部ウェハ支持フープ446が設けられている。また、下部チャンバ432には、ピン449を支持するための下部ウェハ支持フープ448が設けられている。
上部ウェハ支持フープ446及び下部ウェハ支持フープ448は、互いに独立して操作可能である。上部支持フープ446は上部伝達連結部450に接続されている。上部伝達連結部450は、上部伝達連結部450を上下方向に往復運動させる上部アクチュエータプレート454に連結されている。上部伝達連結部450は開口456を介して上部支持プレート412を貫通している。上部アクチュエータプレート454はじゃばら518の伸縮運動に従って上下動させられる。
同様に、下部ウェハ支持フープ448は下部伝達連結部452に連結されている。下部伝達連結部452は下部アクチュエータプレート460に連結されている。下部伝達連結部452は開口462を介して下部支持プレートを貫通している。上部アクチュエータプレート454はじゃばら515の伸縮運動に従って上下動させられる。
制御要素480は下部伝達連結部452の動きを制御し、下部ウェハ支持フープ448及び下部ウェハ支持ピン449を垂直方向に移動させる。同様の方法で、制御要素(図示せず)は上部伝達連結部450の動きを制御し、上部ウェハ支持フープ部材446及び上部ウェハ支持ピン447を垂直方向に移動させる。
図10及び図11は、各々、上部支持フープ446の斜視図及び正面図である。上部ウェハ支持フープ446は上部ウェハ支持ピン447を支持する。上部支持フープは上部伝達連結部450によって上部アクチュエータプレート454に連結されている。
図12及び図13は、各々、下部ウェハ支持フープ448の斜視図及び側面図である。下部ウェハ支持フープ448は下部ウェハ支持ピン449を支持する。下部支持フープは下部伝達連結部452によって下部アクチュエータプレート460に連結されている。
上記の構成のRTAチャンバ400にウェハを搬入する場合、ウェハWが載置されたブレート130、134が上部チャンバ430又は下部チャンバ432内に挿入されると、ウェハ支持ピン447、449がウェハの下方より上昇し、ウェハをブレードより持ち上げ、ウェハWがブレード130、134からウェハ支持ピン447、449に受け渡される。その後、ブレード220、222は上部チャンバ430又は下部チャンバ432から引き出される。ウェハWを排出する場合、ウェハWを支持しているウェハ支持ピン447、449はチャンバ430、432内に挿入されたブレード130、134の高さ位置まで下降し、ウェハWをウェハ支持ピン447、449からブレード220、222に引き渡す。その後、ウェハWが載置されたブレード130、134はチャンバ430、432から引出される。
図14は本実施形態で用いられるRTAチャンバ400の構成を示す断面図である。図14に示されるように、上部チャンバ430及び下部チャンバ432は、各々ウェハの急速熱アニールを行うためのアニール要素を備えている。上部チャンバ430には加熱手段及び冷却手段が設けられている。即ち、上部チャンバ430には加熱プレート502と、加熱プレート502を加熱するためのヒータ506が設けられている。また、上部チャンバの上壁には冷却プレート504が上壁の一部として一体的に形成されている。この冷却手段は冷却シャワーヘッドであっても良い。また、反射絶縁盤(図示せず)がチャンバ内に配置されていても良い。反射絶縁盤は、通常、500℃以上の高温に耐性を有する水晶、アルミナ又は他の物質で形成されており、ヒータ506とプレート部材404間で、熱絶縁体として作用する。絶縁体は熱をヒータプレート504に向けて反射する物質で覆われていても良い。
加熱プレート502は、好ましくは、処理されるウェハと比べて大きな質量を有し、シリコンカーバイド、水晶又はRTAチャンバ内の雰囲気ガス又はウェハと反応しない他の物質で形成されていることが好ましい。ヒータ506は、典型的には、抵抗性加熱源又は伝導性/放射性熱源を備えており、加熱されるプレートと反射絶縁盤の間に配置される。ヒータ506はヒータを加熱するためのエネルギーを供給する電源(図示せず)に連結されている。ヒータに対する電源エネルギーは、例えば、システムコントローラ(シーケンサ118)により制御されている。
下部チャンバ432は冷却手段及び加熱手段が設けられている。冷却プレート505は、下部チャンバの上壁、即ち、プレート部材404の底部と連結され或は一体化されている。加熱プレート508及びヒータ510は、上部チャンバ430に設けられているものと同一である。
上記の構成を有するRTAチャンバ400の上部チャンバ430及び下部チャンバ432において、ウェハWはウェハ支持ピン447、449の動きにより上下方向に移動される。これによって、ウェハWは加熱プレートまたは冷却プレートに接近又は接触されることにより、加熱、冷却が行われる。
上記のようなRTAチャンバ400を用いることにより、1のチャンバで2枚のウェエを同時に処理することができるので、処理の効率化を図ることができる。
次に、本発明の半導体製造装置の他の形態である電気メッキシステムについて説明する。
第15図は、本発明を実施する際に使用される電気メッキシステムプラットフォーム200の斜視図である。第16図は本発明の電気メッキシステムプラットフォーム200の概略図である。第15図及び第16図において、電気メッキシステムプラットフォーム200は、装填ステーション210、高速熱処理アニール(RTA)チャンバ211、回転−すすぎ−乾燥(SRD)ステーション212及びメインフレーム214を備えている。この電気メッキシステムプラットフォーム200は、プレキシガラスパネル等の材料で形成されたパネルで囲まれた清浄な環境に配置されている。メインフレーム214は、メインフレーム搬送ステーション216と、複数の処理ステーション218とを備えている。各処理ステーション218は、1以上の処理セル240を含む。電解液補給システム220は、電気メッキシステムプラットフォーム200に隣接して配置され、処理セル240の各々に接続されて電気メッキプロセスで使用された電解液を循環させている。電解メッキシステムプラットフォーム200はマイクロプロセッサ等の制御システム222を備えている。
この電気メッキシステムにおいて、RTAチャンバはPVDチャンバで形成されたシード膜がアニールされていない場合に、シード膜をアニールするために用いられる。これによって、抵抗率の安定したシード膜を有するウェハにメッキすことが可能になる。
装填ステーション210は、1以上のウエハカセット受取領城224、1以上の装填ステーション搬送ロボット228及び少なくとも1つのウエハ配向器(orientor)230を備えている。装填ステーション210に含まれるウエハカセット受取領域、装填ステーション搬送ロボット228及びウエハ配向器の数はシステムの所望の仕様に応じて設定される。第15図及び第16図に示されるように、装填ステーション210は、2つのウエハカセット受取領域224、2つの装填ステーション搬送ロボット228及び1つのウエハ配向器230を含む。ウエハ234を含むウエハカセット232は、ウエハカセット受取領域224へとロードされて、ウエハ234を電気メッキシステムプラットフォームへと導入する。装填ステーション搬送ロボット228は、ウエハカセット232とウエハ配向器230との間でウエハ234を搬送する。装填ステーション搬送ロボット228は、当該分野にて公知の典型的な搬送ロボッとを備えている。ウエハ配向器230は、所望の向きに各ウエハ234を配置して、ウエハが適切に処理されることを保証する。装填ステーション中継ロボット228も、装填ステーション210とSRDステーション212との間で、さらに装填ステーション210と熱処理アニールチャンバ211との間で、ウエハ234を搬送する。
第17図は、リンス及び溶解液導導入口を組み込む本発明の回転−すすぎ−乾燥(SRD)モジュールの概略斜視図である。第18図は、第17図の回転−すすぎ−乾燥(SRD)モジュールの側断面図であり、流体導導入口の間に鉛直に配置された処理位置での基板を示す。好ましくは、SRDステーション212は、1つ以上のSRDモジュール236と1つ以上のウエハ通過カセット238とを含む。好ましくは、SRDステーション212は、装填ステーション搬送ロボット228の数に相当する2つのSRDモジュール236を含み、ウエハ通過カセット238は、各SRDモジュール236の上方に配置されている。ウエハ通過カセット238は、装填ステーション210とメインフレーム214との間でウエハの搬送を容易にする。ウエハ通過カセット238は、メインフレーム搬送ステーション216のロボットと装填ステーション搬送ロボット228との両方に対してアクセスを行う。
第1及び第2流体導導入口は、複数のノズルと、複数の流体導導入口及び装着位置と、接合部材353の使用を含む複数の方位を含む。各流体導導入口は、様々な位置でSRDモジュールへと延在させても良い。例えば、流体が、基板の端部に沿ってSRDモジュールの周囲に向けて戻る角度になることが必要な場合、ノズルは、半径方向内向きに延長させてもよく、ノズルからの放出は、SRDモジュールの周囲に向けて戻される。
一実施例において、基板は、SRDモジュールにて上向きに配置されたものの堆積面に装着される。以下に説明するように、かかる構成に対して、第1流体導導入口は、多くの場合は脱イオン水やアルコールなどからなるリンス液を導く。その結果、基板の背面は、下向きに装着され、第2流体導導入口を経て流れる流体は、溶解される材料に依存する、塩酸、硫酸、リン酸、フッ化水素酸又は他の溶解液等の酸等の溶解液である。選択的には、所望のプロセスが処理済みの基板をリンスする時は、第1流体及び第2流体は共に脱イオン水やアルコールなどリンス液である。
流体は、一般に、スプレーパターンで供給される。このパターンは、必要な特定ノズルスプレーパターンに依存して変化し、フランジェット、円錐形などのパターンを含んでも良い。各流体導導入口を流れる第1及び第2流体の1つのスプレーパターンは、第1流体がリンス液の時、200mmウエハに対して、圧力が約10〜約15ポンド/平方インチ(psi)(約704〜約1056g/cm2)、且つ流速が約1〜約3ガロン/分(gpm)(約3.785〜約11.355リットル/分)のファンパターンである。
この装置は、基板のエッジに沿った不要な堆積を除去でき、エッジ除外領域を形成する。ノズルの配向及び配置、流体の流速、基板の回転速度、並びに流体の化学組成を調整することによって、不要な堆積も同様に基板のエッジ及び/又はエッジ除外領域から除去することもできる。このように、前側面の堆積材料の溶解の実質的な防止は、基板のエッジやエッジ除外領域を必ずしも含まない。又、前側面での堆積材料の溶解の防止は、少なくとも溶解の防止を含むことを意図し、故に、堆積材料を有する前側が商業値を超えて損なわれることはない。
エッジ除外領域溶解処理を行う1つの方法は、基板の背面に溶解液を行き渡らせつつ、約100〜約1000rpm等の低速でディスクを回転させることである。遠心力によって、溶解液は基板のエッジまで移動し、流体の表面張力によりエッジの周囲に流体の層を形成する。故に、溶解液は、基板のエッジ領域において背面から前側まで重なり合う。基板の回転速度及び溶解液の流速は、前側でのオーバーラップの範囲を決定するために使用される。例えば、回転速度の減少や流れの増加は、反対側、例えば前側へ流体を殆どオーバーラップさせない。更に、前側へ供給されるリンス液の流速及び流れ角度は、溶解液の層を基板のエッジ及び/又は前側の上にオフセットするように調整される。場合によっては、溶解液は、エッジ及び/又はエッジ除外領域除去を得るためのリンス液が無い状態で最初に使用しても良く、上記本発明のリンス・溶解プロセスが続く。
SRDモジュール238は、装填ステーション210とメインフレーム214との間に接続される。メインフレーム214は、一般に、メインフレーム搬送ステーション216と、複数の処理ステーション218とを備えている。第15図及び第16図を参照すると、メインフレーム214は、2つの処理ステーション218を含み、各処理ステーション218は、2つの処理セル240を有する。メインフレーム搬送ステーション216は、メインフレーム搬送ロボット242を含む。好ましくは、メインフレーム搬送ロボット242は、複数の各ロボットアーム244からなり、このロボットアーム244は、処理ステーション218及びSRDステーション212においてウエハの独立したアクセスを行う。第16図に示すように、メインフレーム搬送ロボット242は、2つのロボットアーム244を有し、処理ステーション218毎の処理セル240の個数に相当する。各ロボットアーム244は、ウエハ搬送中にウエハを保持するロボットブレード246を含む。好ましくは、各ロボットアーム244は、他のアームとは独立に操作でき、システムでのウエハの独立した搬送を容易にする。又は、ロボットアーム244は、1のロボットが伸長すると他のロボットアームが収縮するようなリンク状態で動作する。
好ましくは、メインフレーム搬送ステーション216は、フリッパロボット248を含む。このロボット248は、メインフレーム搬送ロボット242のロボットブレード246での上向き位置から、ウエハの下向き処理を必要とするプロセスセル240用の下向き位置へのウエハの搬送を容易にする。フリッパロボット248は、本体250を含む。本体250は、フリッパロボットアーム252に沿う水平軸に沿った回転運動を行うフリッパロボットアーム252及び本体250の鉛直軸に対して鉛直及び回転運動の両方を行う。好ましくは、真空吸引ハンドルが、フリッパロボットアーム252の末端部に配置され、ウエハがフリッパロボット248によって裏返されて搬送されるとき、ウエハを保持する。フリッパロボット248は、ウエハ234を下向き処理のために処理セル240へと配置する。電気メッキ処理セルの詳細を以下に説明する。
第18図は、本発明の電気メッキプロセスセル400の断面図である。第18図に示される電気めっきプロセスセル400は第15図及び第16図に示される電気メッキプロセスセル240と同一である。プロセスセル400は、一般に、ヘッドアセンブリ410と、プロセスキット420及び電解液捕集器440とを備えている。好ましくは、電解液捕集器440は開口部443上のメインフレーム214の本体部442上に固定されており、開口部443はプロセスキット420の配置のための位置を規定している。電解液捕集器440は内壁446と、外壁448及び壁部と連結している底部447とを含んでいる。電解液排排出口449は電解液捕集器440の底部447を介して配置されており、チューブ、ホース、パイプ又は他の液体移送連結部を介して電解液補給システム220(第15図に示す)に連結されている。
ヘッドアセンブリ410は、一般的にウェハホルダアセンブリ450とウェハアセンブリアクチュエータ458とを備えている。ウェハアセンブリアクチュエータ458は、装着プレート460上に装着されており、装着プレート460を介して下方に伸びているヘッドアセンブリシャフト462を含む。ヘドアセンブリシャフト462の下端部はウェハフォルダアセンブリ450に連結されており、ウェハホルダアセンブリ450をウエハ処理位置及びウェハ装填位置に位置させる。ウェハホルダアセンブリ450は、一般的には、ウェハホルダ464と陰極接触リング466とを備えている。
第20図は本発明の陰極接触リング466の一実施形態の断面図である。一般的に、接触リング466は、複数の導伝部が配置された環状の本体部を備えている。第20図に示されているリングのデザインは単に説明のためのものである。他の実施例においてショルダー部746は実質的に垂直角を含む急激な角度であってもよく、これによってフランジ762及び基板受取表面は実質的に標準的になる。選択的に接触リング466は実質的に平坦であることができこれによってショルダ部764を除去することができる。しかしながら、以下に述べる理由により、好ましい実施例は第20図に示されるショルダ部764またはこの変形を含む。
第19図を参照して導伝部765はフランジ762上に円環状に配置された複数の外部電気接触パッド780と基板受取表面768の部分上に配置された内部電気接触パッド772とパッド772,780が互いにリンクしている複数の埋め込み型導伝性コネクタ776により規定されている。導伝部765は絶縁体770により互いに分離されており、この絶縁体770はポリビニリデンフルオライド(PVDF)、ペルフルオロアルコキシ樹脂(PFA)、テフロン(商標名)、テフゼル(商標名)のようなプラスチック又はアルミナ(AL2O3)又は他のセラミクスのような絶縁体であることができる。外部接触パッド780は電源(図示せず)に連結されており、処理の間コネクタ776を介して内部接触パッド772に電流及び電圧を供給する。順番に、内部接触パッド772は基板の周辺部の回りに対して接触を維持することによって基板に電流及び電圧を供給する。従って、操作においては、導伝部765は電気的に基板と接続されている別々の電流路として作用する。
低い抵抗率及び逆から言えば高い伝導率は良いメッキに直接的に関係する。低い低効率を得るために、導伝部765は好ましくは、銅(Cu)、白金(Pt)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、金(Au)、銀(Ag)、ステンレススチール又は他の導伝性物質で作られる。低い低効率及び低い接触抵抗は、導伝部765を導電性物質でコーティングすることにより達成されることができる。従って、導伝部765は、例えば、銅(銅の抵抗率は約2×10−8Ωmである)で形成することができ、白金(白金の抵抗率は約10.6×10−8Ωmである)でコーティングされることができる。ステンレススチール、モリブデン(Mo)、Cu及びTiのような導伝性ベース物質上に窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、ロジウム(Rh)、Au、Cu又はAgのようなコーティングもまた可能である。さらに、接触パッド772、780は典型的には伝導性コネクタ776に結合された別のユニットであるため、接触パッド772、780はCUのようなひとつの物質で形成することができ、導伝部765はステンレススチールのような他の物質で形成することができる。パッド772、180と導伝性コネクタ776のいずれか一方又は双方は、導伝性物質でコーティングすることができる。追加的に、メッキの再現性は絶縁体として作用する酸化物により不利な影響を受けるので、内部接触パッド772は、好ましくは、Pt、Ag又はAuのような酸化に対して抵抗性のある物質で形成される。
コンタクト物質の作用に加えて、各々の回路の総抵抗は内部接触パッド772のジオメトリ及び形状及び接触リング466に供給される力により影響を受ける。これらの要因は、内部接触パッド772と基板受取表面768の境界において、これらの表面の粗さに起因する圧縮抵抗RCRを規定する。一般的に、適用される力が増大すると、明確な領域もまた増大する。順番に明確な領域はRCRに逆方向に関連し、これによって明確な領域の増大はRCRの減少という結果になる。従って、全体的な抵抗を最小化するためには、力を最大化することが好ましい。操作において加えられる最大の力は基板の産出強度によって制限され、これは過度の力及び結果として生じる圧力のもとでダメージを受ける。
しかしながら、圧力は力と面積に関連するので、最大の耐え得る力もまた内部接触パッド772のジオメトリに依存する。従って、接触パッド772は第20図のような平坦な上面を有することができるが、他の形状もまた有利に用いられることができる。当業者であれば、有利に用いることができる形状を容易に認識することができるであろう。接触のジオメトリ、力及び抵抗の関係についてより詳細な記述は、キニース.イー.ピトネイ(Kenneth E.Pitney)著、ザ.ジェイ.エム.ネイ社(The J.M.Ney Company)、1973年のネイコンタクトマニュアル(Ney Contact Manual)により与えられ、これは引用により全体として本明細書に一体化される。
コネクタ776の数は必要な接触パッド772(第20図に示す)の特定の所望の数によって変えることができる。200mm基板の場合、好ましくは少なくとも24個のコネクタ776が360度に渡って、同等に間隔を介して配置される。しかしながら、コネクタの数が臨界レベルに達すると接触リング466との関係で基板のコンプライアンスは不利な影響を受ける。したがって、24個以上のコネクタ776を使うことができるものの接触の同等性は、接触パッド772のトポグラフィー及び基板の硬さに応じて事実上減少する。同様に、24個以下のコネクタ776を用いることができるが、電流はかなり限定され、局在化され、これは悪いメッキの結果に通ずることになる。本発明の寸法は特定の用途(例えば300mm基板)のため容易に変えることができるので、至適な数はスケールと実施例の変更に応じて容易に決定される。
第19図は接触リング466のための電気回路の可能な形態を表す単純化された略図である。導伝体765の間に均一に電流を分配するため、外部抵抗700は導伝性部材765の各々と直列に連結されている。好ましくは、外部抵抗700(REXT)の抵抗値は回路の他の構成要素の抵抗よりもかなり大きい。各々の伝導性部材765を通じる電気回路は電源702と直列に連結されている要素の各々の抵抗により表される。REは電解液の抵抗を表し、これは典型的には陽極及び陰極接触リング間の距離及び電解液化学物質の組成に依存する。したがって、RAは基板メッキ表面754近傍の電解液の抵抗を表す。Rsは基板メッキ表面754の抵抗を表し、RCは陰極導電性部材765と、内部接触パッド772及び基板メッキ表面754の境界面における圧縮抵抗を表す。一般的に、外部抵抗器(REXT)の抵抗値は少なくともΣR(ΣRはRE、RA、RS、RCの総和に等しい。)である。好ましくは、外部抵抗(REXT)の抵抗値はΣRよりかなり大きいので、ΣRは無視できるものであり、各々の直列回路の抵抗はREXTに近づく。
典型的には、一つの電源は陰極接触リング466の外部接触パッド780の全てに連結されており、これによって内部接触パッド772を通じた並列回路が形成される。しかしながら、内部接触パッド基板境界の抵抗値は各々の内部接触パッド772により変化するので、最も抵抗値の低い場所においてより多くの電流が流れ、その結果、より多くのメッキが生じる。しかしながら、各々の伝導性部材765に対して外部抵抗を直列に配置することにより、各々の伝導性部材765を通過する電流値又は量は、主として外部抵抗の値によって制御されることになる。その結果、内部接触パッド772の各々の間の電気的特性の変化は、基板上の電流の分配に影響せず、均一な電流密度がメッキ表面を通じて生じ、これによって均一なメッキ厚さが得られる。外部抵抗はまたプロセスシーケンスの異なる基板間での均一な電流の分配を提供する。
好ましくは、ウェハホルダ464は陰極接触リング466の上方に位置しており、ウェハの後方に圧力を提供する袋状アセンブリ470を備えており、これによってウェハメッキ表面と陰極接触リング466の電気的な接触が可能となる。膨らませることが可能な袋状アセンブリ470は、ウェハホルダプレート832上に配置されている。ウェハホルダプレート832の下面に配置されている袋状部材836は、其れゆえ、その間に置かれている基板821と共に、陰極接触リング466上の接触部の反対方向に近接して位置する。流体源838はガス又は液体のような流体を袋状部材836に供給し、これによって袋状部材836は異なる程度で膨らむ。
第20図Aを参照すると、実質的に円形リング状のマニホルド846は円環状凹部840内に配置されている。このマニホルド846は装着レールを含み、内部ショルダ848と外部ショルダ850の間に配置されている。装着レール852は円環状装着チャンネル843に少なくとも部分的に挿入されるように適用される。マニホルド846内に形成された複数の流体排出口854は導入口842と袋状部材836の間の連絡を提供する。O−リングのようなシール837は導入口824及び排出口854と共に整列して円環状のマニホルドチャンネル843内に配置され、ウェハホルダプレート832より固定され気密性シールが可能となる。ネジのような従来の止め具(図示せず)は、マニホール846及びウェハホルダプレート832に形成された貫通孔(図示せず)と共同してこれを通じてウェハホルダプレート832にマニホルド846を固定するために用いられることができる。
第20図を参照すると、各々の端部に円環状のリップシール856又はノズルを有する延伸された実質的に略環状の部材として袋状部材836が部分的に示されている。第20図Aにおいて、リップシール856は内部ホルダ848及び外部ショルダ850上に配置されて示されている。袋状部材836の部分は、環状凹部840よりわずかに小さい幅(数mm)を有するマニホルド846によって円環状凹部840の壁に押圧されている。従って、マニホルド846、袋状部材836及び環状凹部840は共同して流体の漏れないシールを形成する。流体の損失を防止するため、袋状部材836は、好ましくは、電解液に対して化学的に不活性であり信頼できる柔軟性を有するシリコンラバー又はこれに匹敵するようなエラストマーのような流体非浸透性物質で構成される。必要な場合、柔軟性カバリング857は袋状部材836上に配置され、接着剤又は熱接着の方法により固定される。カバリング857は、好ましくは、適した物質により補強されることができる弾性物質により構成される。一実施例において、カバーリング857及び袋状部材836は同一の物質で構成される。カバーリング857は袋状部材が破裂する傾向がある特定の適用を有している。選択的に、袋状部材836の厚さはその製造の間増加させることができ、これによって穴が開く傾向を減少させることができる。導入口842及び排出口854の正確な数は特定の応用に従い、本発明から逸脱することなく変えることができる。
操作において、基板821はウェハホルダプレート832の底部に固定することにより容器本体802内に導かれる。このことは、ポンプシステム159を用いポート841を介して基板821とウェハホルダプレート832の間の空間を空にすることにより達成することができる。袋状部材836は、その後、流体源838から空気又は水のような流体を導入口842へ供給することにより膨張させられる。流体は、マニホルド排出口854を介して袋状部材836内に供給され、これによって基板821は陰極接触リング466の接触部に対して均一に押圧される。そして、電気メッキプロセスが実行される。電解液が基板821に向かってプロセスキット420内に供給され、露出している基板メッキ表面820と接触する。電源は陰極接触リング466を介して基板メッキ表面820に負のバイアスを提供する。電解液は基板メッキ表面820を横切って流れるので、電解液中のイオンは表面820に引き寄せられ、表面820上に堆積し、所望の膜を形成する。
袋状部材836の柔軟性により袋状部材836は変形し基板裏面の粗さと陰極接触リング466の接触部を収容し、これによって導伝性陰極接触リング466の不整列を和らげる。柔軟性のある袋状部材836は、基板821の裏面の周辺部において液体が漏れないシールを確立することによって、電解液が基板821の裏面を汚染することを防止する。一旦、膨張すると、均一な圧力が陰極接触リング466に向かって下方に供給され、これによって基板821と陰極接触リング466が接触するすべての場所において実質的に均等な力が達成される。この力は流体源838から供給される圧力の作用として変えることができる。さらに、袋状アセンブリ470の有効性は陰極接触リング466の構成に依存しない。
袋状部材836によって基板821に伝達される力は可変であるので、接触リング466により供給される流れの調整を行なうことが可能である。以下に述べるように、酸化物層は陰極接触リング466の上に形成することができ、流れを制約するように働く。しかしながら、袋状部材836の圧力の増加は酸化により流れの抑制を妨げる。圧力が増加すると、柔軟性酸化層は妥協し陰極接触リング466と基板821の間の優れた接触が生ずる。この容量における袋状部材836の有効性は陰極接触リング466のジオメトリを変更することにより向上させることができる。例えば、ナイフの端部状のジオメトリは鈍く丸められた端部又は平坦な端部より、より容易に酸化層を貫通する傾向がある。
上述のように、袋状部材836が膨張している間の連続的な裏面の真空吸引は必要とされず、実際に、基板802は歪み又は曲がる原因となり、望ましくない堆積の結果を生じさせる。しかしながら、処理される基板の「弓なり」効果を生じさせるために、基板820に上面の圧力を提供することは望ましい。このような弓なりは優れた堆積を生じさせると決定されている。したがって、ポンピングシステム859は、選択的に基板の裏面に対して吸引又は圧力状態を与えることができる。200mmウェハについては、基板を弓なりにさせるためには、5psiまでの裏面圧力が好ましい。基板は、典型的には、ある程度の柔軟性を示すので、上面圧力は基板が弓なりとなる又は電解液の流れの上流側に向かって突出する形状となる原因となる。弓なりの程度はポンピングシステム859により提供される圧力にしたがって可変である。
電気メッキプロセスセル400の断面図である第18図を参照すると、ウェハホルダアセンブリ450はプロセスキット420の上方に位置している。プロセスキット420は、一般的に、ボール430、容器本体472、陽極アセンブリ474及びフィルタ476を備えている。好ましくは、陽極アセンブリ474は容器本体472の下方に配置されており、容器本体472の下部に接続されており、フィルタ476は陽極アセンブリ474と容器本体472の中間に配置されている。容器本体472は、好ましくは、セラミクス、プラスチック、プレキシガラス(アクリル)、レキサン、PVC、CPVC、及びPVDFのような電気的絶縁物質により形成された円筒状部材である。選択的に、容器本体472は、ステンレススチール、ニッケル、チタンのような金属で形成することができ、これはテフロン、PVDF、プラスチック、ラバー及びこれらの組み合わせであって、電解液中で溶解せず、電極(即ち、電気メッキシステムの陽極及び陰極)から電気的に絶縁することができるもののような絶縁層により被覆されている。容器本体472は好ましくは、システムにより処理されるウェハのウェハメッキ表面及び形状に従い、典型的には円形又は矩形に従うようにサイズ決めされ適用される。容器本体472の好ましい実施例は、ウェハの直径と同一の寸法かわずかに大きな寸法の内径を有するセラミクス性の円筒状チューブを備える。発明者は、容器本体のサイズがウェハメッキ表面のサイズとほぼ等しい場合には、典型的な電気メッキシステムで典型的に必要とされる回転運動は均一なメッキ結果を得るためには必要とされないことを発見した。
容器本体472の上部は放射状に外側に向かって伸びており、円環状の堰478を形成している。堰478は電解液捕集器440の内壁446の上方に伸びており、電解液が電解液補集器440に流れ込むことを可能としている。堰478の上面は、好ましくは、陰極接触リング466の下面と一致する。好ましくは、堰478の上面は内側円環状平坦部480と、中間傾斜部482と外側傾斜部484を含む。ウェハが処理位置に位置している場合には、ウェハメッキ表面は容器本体472の円筒状開口の上部に位置しており、電解液の流れのギャップが陰極接触リング466の下面と堰478の上面との間に形成される。陰極積極リング466の底面は堰478の内側平坦部480及び中央傾斜部の上方に配置されている。外側傾斜部484は下方に向かって傾斜しており、これによって電解液が電解液捕集器440に流れ込むことを可能にしている。
容器本体472の下部は放射状に外側に向かって伸びており、容器本体472をボール430に固定するための下部円環フランジ486を形成している。円環フランジ486の外側の寸法(即ち、円周)は、開口444及び電解液捕集器440の円周より小さく、これによって電気メッキプロセスセル400からプロセスキット420を除去し交換することが可能になる。好ましくは、複数のボルト408が円環状フランジ486上に固定的に配置され、ボール430のマッチングボルトホールを介して下方に伸びている。複数の取り外し可能な止め具ナット490はプロセスキット420をボール430に固定する。エラストマO−リングのようなシールが容器本体472とボール430の間であって、ボルト488から放射状に内側に配置されており、プロセスキット420からの漏れを防止する。ナット/ボルトのコンビネーションはメンテナンスの際にプロセスキット420の要素を迅速かつ容易に取り外したり交換したりすることを可能にする。
好ましくは、フィルター476は容器本体472の下部開口に取り付けられており、これを完全に覆っており、陽極アセンブリ474はフィルタ476の下方に配置されている。スペーサ492はフィルタ476と陽極アセンブリ474との間に配置されている。好ましくは、フィルタ476とスペーサ492と陽極アセンブリ474はネジ及び/又はボルトのような取り外し可能な止め具を用いて容器本体472の下面に留められている。選択的に、フィルタ476とスペーサ492及び陽極アセンブリ474はボール430に取り外し可能な状態で固定されている。
陽極アセンブリ474は、好ましくは、電解液中で金属源となる消費性陽極を含んでいる。選択的に、陽極アセンブリ474は非消費性陽極を含んでおり、メッキされる金属は電解液補給システム600から電解液の範囲内で供給される。第19図に示されるように、陽極アセンブリ474は浸透性の陽極エンクロージャ494を有する自己閉鎖モジュールであり、これは好ましくは銅のような電気メッキされる金属と同じ金属で形成される。選択的に、陽極エンクロージャ494は、セラミクス又は集合体のような浸透性物質で形成される。銅の電気化学メッキのための高純度の銅のような可溶性金属496は、陽極エンクロージャ内に配置される。可溶性金属496は、好ましくは、金属粒子、ワイヤー又は穴が形成されたシートを含む。穴が形成された陰極エンクロージャは、浸透性陽極エンクロージャ内において溶解金属によって発生された粒子を保持するフィルターとして作用する。非消費性陽極と比較した場合、消費性(即ち、可溶性)陽極アセンブリ474はガス発生なしの電解液を提供し、電解液中に金属を連続的に補給する必要性を最小化する。
陽極接触部498は陽極エンクロージャ内に挿入され、電源から可溶性金属496への電気的な接続を提供する。好ましくは、陽極接触部498は、チタン、白金及び白金コートされたステンレススチールのような電解液に不溶な伝導性物質で形成される。陽極接触部498はボール430を介して延び、電源と連結される。好ましくは、陽極接触部498は陽極接触部498をボール430に固定するための止め具ナット499のためのネジ部497を含み、弾性体ワッシャーのようなシール部材がプロセスキット420からの漏れを防止するために、止め具ナット499とボール430との間に配置されている。
ボール430は、一般的には、円筒部502と底部504とを備えている。上部円環状フランジ506は円筒部502の上部から放射状に外側に伸びている。上部円環状フランジ506は容器本体472の下部円環状フランジと連結するためのボルトに適合する複数の穴508を含む。ボール430の上部円環状フランジと容器本体472の下部円環状フランジ486を固定するため、ボルトは穴508に挿入され、止め具ナット490がボルト488に留められる。好ましくは、上部円環状フランジの外形(即ち、外周)は、下部円環状フランジ486の外形寸法(外周)とほとんど同じである。好ましくは、ボール430の上部円環状フランジ506の下面は、プロセスキット420がメインフレーム214に位置しているときには、メインフレーム214のサポートフランジ上に位置している。
円筒部502の内周は陽極アセンブリ474とフィルタ476を収容する。好ましくは、フィルタ476及び陽極アセンブリ474の外側寸法は円筒部502の内側寸法よりわずかに小さく、これによって、電解液の実質的な部分がフィルタ476を流れる前に最初に陽極アセンブリ474を流れるようになる。ボール430の底部504は電解液導入口510を含み、これは電解液補給システム220からの電解液供給ラインと連結している。好ましくは、陽極アセンブリ474はボール430の円筒部502の約中央に配置され、これによって、陽極アセンブリ474と底部504の電解液導入口510との間に電解液が流れるためのギャップを提供する。
電解液導入口510と電解液供給ラインは、好ましくは、開放可能なコネクタによって連結されており、プロセスキット420を容易に取り外して交換することが可能になる。プロセスキット420がメンテナンスを必要とする場合には、電解液はプロセスキット420から排出され、電解液供給ラインにおける電解液の流れが中断され排出される。電解液供給ラインのコネクタは電解液導入口510から開放され、陽極アセンブリ474との電気的接続もまた中断される。ヘッドアセンブリ410は上昇または回転され、プロセスキット420を取り外すためのクリアランスが提供される。プロセスキット420はその後、メインフレーム214から取り外され、メインフレーム214内に新しい、或いは、修理されたプロセスキットが配置される。
選択的には、ボール430はメインフレーム214のサポートフランジ上に固定されることができ、容器本体742は陽極及びフィルターと共にメンテナンスのために除去される。この場合、陽極アセンブリ474と容器本体472をボール403に固定するためのナットが除去され、これによって陽極アセンブリ474と陽気本体472を取り外すことが可能になる。新しい又は修理された陽極アセンブリ474及び容器本体472がメインフレーム214内で交換され、ボール430に固定される。
以上のようなECPシステムを用いることにより、PVDシステムで形成された銅シード膜のようなシード膜上に配線用銅膜のようなEPC膜を形成することができる。特に、低温PVD法で形成されたシード膜がアニール処理されていない場合、本ECPシステムに設けられたRTAチャンバでアニール処理することにより、良好な配線用銅膜を形成することがかの可能なる。
次に、本発明の半導体製造装置におけるRTAチャンバによるアニール処理の効果について説明する。以下の説明において、シード膜は、PVDチャンバにおいて、バイアス電力300W、RF13.56MHz、DC24kWで形成されたものを示す。
第21図は低温PVD法で形成された厚さ40オングストロームの銅シード膜を有するシリコンウェハの断面写真であり、(A)はアニール処理がなされていないものを示し、(B)は処理温度250℃で90秒間加熱した後、処理温度−40℃で90秒間冷却するアニール処理がなされているものを示す。尚、処理温度とはウェハに熱処理を施す手段(加熱・冷却プレート、ウェハホルダ等)の制御された温度をいう。第21図より、いずれの場合にも薄膜の凝集が生ぜず、平滑性に優れた薄膜形成がなされていることが判る。
第22図はバイアス300Wで形成された窒化タンタル/タンタルのバリア膜上に低温PVD法で形成された厚さ40オングストロームの銅シード膜の抵抗率を示すグラフである。アニール処理は所定温度で90秒間加熱した後、−40℃で90秒間冷却することにより行った。第22図より、100℃以上、特に150℃以上の温度でアニール処理を施すことにより、銅シード膜の低効率が低下し、安定化することが判る。
第23図はバイアス300Wの窒化タンタル/タンタルのバリア膜上に厚さ40オングストロームの銅シード膜を形成した後、ECP法により堆積させた銅薄膜の抵抗率を示すグラフである。アニール処理は銅シード膜形成後、ウェハを150℃で90秒間加熱した後、−40℃で90秒間冷却することにより行った。第23図より、銅シード膜のアニール処理によりこれに引き続いて形成されるEPC銅膜の抵抗率が安定化することが明らかになった。
第24図はバリア膜上に形成された厚さ厚さ40オングストロームの銅シード膜の<111>ピークを示すグラフである。第24図よりアニール処理によりピーク値が上昇することが判る。以上の結果から、アニール処理により結晶性の良好なシード膜が得られることが判った。
第25図はバリア膜上に形成された厚さ厚さ40オングストロームの銅シード膜の<111>回折強度曲線半値全幅角(FWHM)を示すグラフである。第25図より、アニールにより半値全幅角が減少していることが判る。
第26図は、シード膜形成後にECP法で堆積された銅薄膜の<111>強度及び<111>含有率を示すグラフである。図中、棒グラフは<111>強度を示し、折線グラフは<111>含有率を示す。この結果から、アニール処理により、歪みが少なく結晶性が良好で、しかも結晶方位が揃っているシード膜が得られることが判った。
第27図は銅シード膜上にECP法で形成した銅薄膜中の欠陥数を示す。第27図より銅シード膜にアニール処理を施すことにより、最終的なECP銅薄膜の欠陥数を大幅に低減することができることが判る。
以上の結果から、本発明の効果は明らかであった。
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、PVDシステムのクラスタの数や各クラスタにおけるチャンバの数は上述した形態に限定されず増減することができる。また、各クラスタにおいて配置される処理チャンバの種類や配置方法、更にはウェハ処理のシーケンスも変更することが可能である。
産業上の利用可能性
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体製造装置及び半導体製造方法によれば、成膜工程で形成された薄膜にアニール処理を施すことにおり、薄膜の抵抗率を低下、安定化することが可能になる。従って、本発明を用いたデュアルダマシン構造の形成において、PVD法で形成したシード膜上にECP法で配線用金属薄膜を形成する場合、ウェア全体に渡って電流密度を均一にすることが可能になる。また、シード膜形成から配線用金属薄膜形成までの時間の経過によりシード膜の抵抗率が変化することがないので、特性が均一な配線用金属薄膜を形成することが可能になる。
また、シード膜の特定を安定化させることにより、シード膜上に形成される配線用金属薄膜を安定化させ、欠陥を減少させることが可能になる。さらに、シード膜の形成に先立ってバリア膜の形成された場合でも、シード膜の凝集を防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムの概略を示す図であり、
第2図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられるPVDチャンバの概略を示す図であり、
第3図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの概略を示す図であり、
第4図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの他の例の概略を示す図であり、
第5図は本発明の実施形成である物理気相堆積(PVD)システムで用いられる急速熱処理アニール(RTA)チャンバの他の例の概略を示す図であり、
第6図は支持構造の概要を示す図であり、
第7図は支持構造と上部ハウジングの関係を示す図であり、
第8図は支持構造と下部ハウジングの関係を示す図であり、
第9図はRTAチャンバの内部構造を示す斜視図であり、
第10図は上部支持フープを示す斜視図であり、
第11図は上部支持フープを示す側面図であり
第12図は下部支持フープを示す斜視図であり、
第13図は下部支持フープを示す側面図であり
図14はRTAチャンバの断面図である。
第15図は本発明の電気メッキシステムプラットホームの斜視図であり、
第16図は本発明の電気メッキシステムプラットホームの概略図であり、
第17図は本発明の回転−濯ぎ−乾燥(SRD)モジュールの概略を示す斜視図であり、
第18図は本発明の電気メッキプロセスセルの断面図であり、
第19図は各々の接触ピンを通じた電気メッキシステムを表す電気回路の簡略化された略図であり、
第20図は本発明のウェハアッセンブリ450の断面図であり、袋状領域の拡大断面図であり、
第21図はPVD法で形成された銅シード膜を有するシリコンウェハの断面写真であり、
第22図はPVD法で形成された銅シード膜の抵抗率を示すグラフであり、
第23図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の抵抗率を示すグラフであり、
第24図はPVD法で形成された銅シード膜の<111>ピークを示すグラフであり、
第25図はPVD法で形成された銅シード膜の<111>FWHMを示すグラフであり、
第26図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の<111>強度と<111>含有率を示すグラフであり、
第27図はPVD法で形成された銅シード膜上に形成されたECP薄膜の欠陥数を示すグラフであり、
第28図は半導体デバイスにおけるデュアルダマシン構造の形成方法を説明するための図である。
Claims (38)
- ウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームと、
前記メインフレームに設けられ、前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜チャンバと、
前記メインフレームに設けられ、前記成膜チャンバで形成された薄膜をアニール処理するアニールチャンバとを備えた半導体製造装置。 - 前記成膜チャンバは前記ウェハの処理温度が150℃以下の状態で薄膜を形成する低温成膜チャンバである請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは、銅、銅合金、タンタル、窒化タンタル、タングステン及びコバルトの少なくともいずれか1の薄膜を形成する物理気相堆積チャンバである請求項1又は2記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは銅薄膜を形成する非電解堆積チャンバである請求項1又は2記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは銅薄膜を形成する化学気相堆積チャンバである請求項1又は2記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは銅膜を形成する原子層堆積チャンバである請求項1又は2記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは前記デュアルダマシン構造を形成するバリア膜及びシード膜の少なくともいずれか1の膜を形成する請求項1〜6のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記成膜チャンバは前記デュアルダマシン構造の径の半分以下の厚さを有する薄膜を形成する請求項1〜7のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバはウェハを加熱するための加熱手段と、ウェハを冷却するための冷却手段とを有する請求項1〜8のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは前記ウェハの処理温度が120℃以上の状態で前記ウェハを加熱処理する請求項1〜9のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは薄膜形成時における前記ウェハの処理温度より50℃以上高い処理温度で前記薄膜を加熱処理する請求項1〜9のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは前記加熱処理されたウェハを前記ウェハの処理温度が30℃以下の状態で冷却処理する請求項10又は11記載の半導体製造装置。
- ウェハを搬送するウェハ搬送機構を有するメインフレームに設けられた成膜チャンバで前記ウェハにデュアルダマシン構造を形成する薄膜を形成する成膜工程と、
前記薄膜が形成されたウェハを前記メインフレームに設けられたアニールチャンバでアニール処理するアニール工程とを含む半導体製造方法。 - 前記成膜工程は前記ウェハの処理温度が150℃以下の状態で薄膜を形成する請求項13記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は、銅、銅合金、タンタル、窒化タンタル、タングステン及びコバルトのいずれか1の薄膜を物理気相堆積法で形成するものである請求項13又は14記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は銅薄膜を非電解メッキ法で形成するものである請求項13又は14記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は銅薄膜を化学気相堆積法で形成するものである請求項又は13又は14記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は銅薄膜を原子層堆積法で形成するものである請求項13又は14記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は前記デュアルダマシン構造におけるバリア膜及びシード膜の少なくともいずれか一方を形成するものである請求項13〜18のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記成膜工程は前記デュアルダマシン構造の大きさの半分以下の厚さの薄膜を形成するものである請求項13〜19のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程はウェハを加熱する加熱工程と、前記加熱されたウェハを冷却する冷却工程とを有する請求項13〜20のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程は前記ウェハの処理温度が120℃以上の状態で前記ウェハを加熱処理する工程を含む請求項13〜21のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程は薄膜形成時における前記ウェハの処理温度より50℃以上高い処理温度で前記薄膜を加熱処理する工程を含む請求項13〜21のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程は前記加熱処理されたウェハを前記ウェハの処理温度が30℃以下の状態で前記冷却処理する工程を含む請求項22又は23記載の半導体製造方法。
- 前記アニール処理されたウェハに電気化学堆積及び非電解堆積のいずれかの方法により金属薄膜を形成する工程を含む請求項13〜24のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール処理されたウェハを化学機械研磨する工程を含む請求項13〜25のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- ウェハを搬送するウェハ搬送ロボットを有するメインフレームと、
前記メインフレームに設けられ、前記ウェハに形成されたシード膜上に金属配線用薄膜を形成する成膜装置と、
前記メインフレームに設けられ、前記成膜装置における前記金属配線用薄膜の形成前に前記ウェハに形成された前記シード膜をアニール処理するアニール装置を備えた半導体製造装置。 - 前記成膜装置は電気化学メッキ装置である特許請求の範囲第27項記載の半導体製造装置。
- 前記アニール装置は前記ウェハを加熱するための加熱手段と、前記ウェハを冷却するための冷却手段とを有する特許請求の範囲第27項又は第28項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバの前記ウェハの処理温度が120℃以上の状態で前記ウェハを加熱処理する特許請求の範囲第27項〜第29項のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは前記シード膜の形成時における前記ウェハの処理温度より50℃以上高い処理温度で前記薄膜を加熱処理する請求項1〜9のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは前記加熱処理されたウェハを前記ウェハの処理温度が30℃以下の状態で冷却処理する請求項10又は11記載の半導体製造装置。
- ウェハを搬送するウェハ搬送ロボットを有するメインフレームに設けられたアニール装置で前記ウェハに形成されたシード膜をアニール処理するアニール工程と、
前記メインフレームに設けられた成膜装置で前記アニール処理されたウェハに形成されたシード膜上に金属配線用薄膜を形成する薄膜形成工程とを含む半導体製造方法。 - 前記成膜装置は電気化学メッキ装置である特許請求の範囲第27項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程は前記ウェハを加熱するための加熱工程と、前記ウェハを冷却するための冷却工程とを有する特許請求の範囲第33項又は第34項記載の半導体製造方法。
- 前記アニール工程は前記ウェハの処理温度が120℃以上の状態で前記ウェハ加熱処理する特許請求の範囲第33項〜第35項のいずれか1項記載の半導体製造方法。
- 前記アニールチャンバは前記シード膜の形成時における前記ウェハの処理温度より50℃以上高い処理温度で前記ウェハを加熱処理する特許請求の範囲第33〜第35項のいずれか1項記載の半導体製造装置。
- 前記アニールチャンバは前記加熱処理されたウェハをウェハの処理温度が30℃以下の状態で冷却処理する特許請求の範囲第36項又は第37記載の半導体製造方法。
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