JPWO2002034972A1 - 第iii族又は第iv族の金属元素を含む窒化物単結晶及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は超伝導体材料、半導体材料、光学電子材料、超硬セラミックス材料、固体潤滑剤として有用な窒化物、特にその単結晶とその製造方法に関するものである。
背景技術
第III族又は第IV族の金属元素を含む窒化物のうち、例えば、GaN,AlN,TiN,HfN,Si3N4,BN等は、超伝導体材料、半導体材料、光学電子材料、超硬セラミックス材料、固体潤滑剤等として有用であり、工業材料として広く用いられている。
これらの窒化物は、金属の直接窒化や前駆体化合物の熱分解法により、粉体として製造されている。そのため、殆どの窒化物は焼結体として各種工業材料に利用されているが、最近、光学電子材料やコーティング材料として窒化物の有用な機能を発揮させるため、化学蒸着法、スパッタリング法などの物理蒸着法によって、薄膜や単結晶に近い配向性膜が製造されている。
第IV族の金属元素を含む窒化物は特異な層状結晶をもつものが多く、それらは固体潤滑剤としても使用され、窒化物セラミックスZrNやHfNの中間体としても有用である。
また、第IV族の金属元素を含む窒化物のうち、化学組成式がMNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)で表される三元系の遷移金属窒化ハロゲン化物には、α型およびβ型と呼ばれる2種類の多形が知られている。
α型はFeOCI型の層状構造であり、β型はSmSI型の層状構造を有する。特に、β型MNXはその結晶層間にアルカリ金属をインターカレーション(挿入)し、窒化物層に電子をドープすると、高い臨界温度(Tc)で超伝導を示すことから、重要な窒化物である。例えば、β−ZrNClおよびβ−HfNClにリチウムをインターカレーションして得られる超伝導体のTcは、それぞれ約14Kおよび25.5Kであり、新しい高温超伝導体として注目されている。
Ohashi等(J.Solid State Chem.,75,99(1988))は、金属ジルコニウム又は水素化ジルコニウムと塩化アンモニウム蒸気を高温で反応させることにより、高収率でβ−ZrNCl粉末を合成することに成功した。
さらにOhashi等(J.Solid State Chem.,77,342(1988))は、このようにして合成した粉末試料を石英管に真空封入して、化学輸送法により精製し、結晶性の良い試料を得ることにも成功している。化学輸送法は、石英管に塩化アンモニウムなどのハロゲン化アンモニウムを輸送剤として少量加えて、β−MNXを化学輸送する方法である。
Ohashi等が開発した化学輸送法によるβ−MNX層状結晶の精製と結晶化は、β−MNX研究における大きいブレークスルーであった。しかし、その方法では薄い板状多結晶しか得られていない。
Yamanaka等(Inorg.Chem.,39,806(2000))は、MNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)のすべての組合わせについて、β−型結晶相の合成に成功しており、アルカリ金属をインターカレーションすることにより、全て超伝導体となることを報告している。そこでは、α−型結晶相の粉末試料を1〜5GPaの高圧下で加圧することによりβ−型結晶相に変換している。しかし、その結晶は単結晶ではなく、粉末状態の多結晶である。
β−MNX層状窒化物は、広いバンドギャップを有する半導体で、超伝導体のホストとしてだけでなく、光学電子材料としても有望である。
第III族および第IV族の金属元素を含む窒化物は、半導体材料、光学電子材料、超伝導材料として有望であるが、粉体試料として製造されるものが殆どであり、化学輸送法によっても極めて薄く柔らかい多結晶しか得られていない。これらの窒化物を工業材料として実用化するためには、高品位の単結晶が必要と考えられるが、それらの単結晶の製造は極めて困難であると考えられており、未だその製造方法は報告されていない。
本発明はこれら窒化物単結晶とその製造方法を提供することを目的とするものである。
発明の開示
本発明の1つの局面は、第III族又は第IV族の金属元素(B,Al,Ga,In,Sc,Y,La,Si,Ge,Ti,Zr,Hfなど)を含む窒化物単結晶自体である。
その好ましい例は、化学組成式がMNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)で表される層状窒化物であり、その構造がβ型層状構造である窒化物単結晶である。
本発明の他の局面は、上の窒化物単結晶を製造する方法であり、製造しようとする窒化物の構成金属又はその金属の化合物をハロゲン化アンモニウムとともに、圧力0.01GPa以上、温度400℃以上の条件下で共存させる窒化物単結晶の製造方法である。
本発明の製造方法において、400℃以上の条件下でハロゲン化アンモニウムがアンモニアとハロゲン化水素に分解し、共存している金属又はその金属化合物と反応して窒化物単結晶を育成する。ハロゲン化アンモニウムが分解することにより高圧を発生する。その分解生成物を高温で窒化物と共に閉じこめるために高圧を必要とする。
本発明によれば、超伝導体材料、半導体材料、光学電子材料、超硬セラミックス材料又は固体潤滑剤などとして有用な第III族又は第IV族の金属元素を含む金属窒化物単結晶、特にβ−MNX層状窒化物単結晶を得ることができる。
そして、そのような窒化物単結晶は、本発明の製造方法により、製造しようとする窒化物の構成金属又はその金属の化合物をハロゲン化アンモニウムとともに、圧力0.01GPa以上、温度400℃以上の条件下で共存させることにより製造することができる。
発明を実施するための最良の形態
温度はハロゲン化アンモニウムを分解させるのに必要な温度であり、分解温度域では、温度が高いほど反応速度が速くなって好都合である。反応装置の耐圧性などを考慮すると1500℃程度までが適当である。
圧力はハロゲン化アンモニウムの分解物を窒化物又はその原料とともに封じ込めるとともに、所望の結晶型の窒化物を選択的に育成させるために必要である。例えば、化学組成式がMNXで表される窒化物の場合にはα−型とβ−型の2つの多形が存在するが、0.01GPa以上の圧力を印加することによりβ−型のMNX層状単結晶を選択的に育成することができる。圧力には上限がないが、反応装置の加圧能力や耐圧性を考慮すると10GPa程度までが適当である。
原料として用いる金属又はその金属化合物は、第III族及び第IV族の金属元素(B,Al,Ga,In,Sc,Y,La,Si,Ge,Ti,Zr,Hfなど)、又はこれら金属の水素化物、窒化物、ハロゲン化物もしくは窒化ハロゲン化物(例えば、TiNCl,ZrNCl,HfNClなど)である。
共存させるハロゲン化アンモニウムは、NH4F,NH4Cl,NH4Br,NH4I又はこれらの混合物などである。
この製造方法で反応物に必要な温度と圧力を与える高圧発生装置は、後で実施例で使用したような六面体加圧装置の他、ピストンシリンダー型、ベルト型圧力発生装置などを用いることができる。
反応容器の材質には、h−BN(六方晶型窒化ホウ素)、Au(金)、Pt(白金)、W(タンタル)、Mo(モリブデン)、W(タングステン)、Nb(ニオブ)などを用いることが望ましい。0.01GPa程度の圧力であれば、Ta管又はNb管に溶封して不活性雰囲気中で加熱することにより実現することができる。ガラス管に封入し、アルゴン等の気体を用いる高温等方加圧装置(HIP)を用いることもできる。
以下に実施例および比較例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
まず、実施例で使用した六面体加圧装置を図1を参照して説明する。
2は反応容器で、カプセル状のものが使用され、内部に試料4として、窒化物、金属及びフラックスとしてのハロゲン化アンモニウムが内包される。反応容器2はNaClやh−BNといった電気絶縁性圧力媒体6に内包されてヒーターとなるカーボンチューブ8内に収容される。カーボンチューブ8に通電するために、両端部に銅キャップ10が配置され、カーボンチューブ8及び銅キャップ10の側方に圧力伝達媒体のパイロフィライト12が配置された状態で、上下及び側方の4面の6面にタングステンなどの高融点金属製の加圧アンビル14が配置される。16は温度測定用の熱電対であり、圧力媒体6に接触するように配置され、圧力媒体6を介して試料温度を測定するようになっている。上下に配置された加圧アンビル14がそれぞれ銅キャップ10と接触してカーボンチューブ8に通電する。
6面の加圧アンビル14は互いに接触することなく、パイロフィライト12及び銅キャップ10を介して中心部に配置された試料4を中心に向って外側から均等に加圧する。
[実施例1]
β−ZrNCl単結晶の製造(その1):
化学輸送法で製造したβ−ZrNCl多結晶粉末とNH4Clをモル比で1:2となるように混合し、反応容器2のAuカプセル(内径6mm,深さ6mm)に内包し、これをさらに、電気絶縁性圧力媒体6としての高熱伝導率の食塩ブロックに内包させた。その食塩ブロックと共に、ヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力3GPa、温度900℃で2時間加熱した。このときの温度プログラムは、900℃まで徐々に加熱した後、この温度で1時間保持した。その後、67℃/時で500℃まで降温し、室温まで放冷した。
室温まで放冷したあと、Auカプセルを取り出したところ、淡緑色のβ−ZrNCl単結晶が得られた。収率は約40%であった。大きい単結晶は結晶構造を反映して、六角板状であり、直径は約2mm、厚さ0.3mmの透明な単結晶が得られた。
この実施例において、β−ZrNCl多結晶粉末とNH4Clのモル比を1:3.5として同じ条件で反応させたところ、同様の淡緑色のβ−ZrNCl単結晶が得られた。
[実施例2]
β−ZrNCl単結晶の製造(その2):
ZrNとNH4Clをモル比で1:2となるように混合し、反応容器2としてのAuカプセル(内径6mm,深さ6mm)に内包し、実施例1と同じ条件で処理した。
室温まで放冷したあと、Auカプセルを取り出したところ、淡緑色のβ−ZrNCl単結晶が得られた。収率は約40%であった。大きい単結晶は結晶構造を反映して、六角板状であり、直径は約2mm、厚さ0.3mmの透明な単結晶が得られた。
[実施例3]
β−HfNCl単結晶の製造:
化学輸送法で製造したβ−HfNCl多結晶粉末とNH4Clをモル比で1:2.1となるように混合し、反応容器2としてのPtカプセル(厚さ0.1mm、内径6mm,深さ6mm)に内包し、これを電気絶縁性圧力媒体6として高耐熱性のh−BNブロックに内包させた。
それを実施例1と同様に、ヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力3GPa、温度1200℃で2時間加熱した。
その後、100℃/時で900℃まで冷却、室温まで放冷したあと、Ptカプセルを取り出したところ、無色透明のβ−HfNCl単結晶が得られた。収率は約30%であった。大きい単結晶は結晶構造を反映して、六角板状であり、直径は約3mm、厚さ0.3mmの透明な単結晶が得られた。
[実施例4]
β−ZrNBr単結晶の製造:
ZrN(0.060g)とNH4Br(0.180g)をモル比で1:3.2となるように混合し、反応容器2としてのPtカプセル(厚さ0.1mm、内径6mm,深さ4mm)に内包し、これを電気絶縁性圧力媒体6として高耐熱性のh−BNブロックに内包させた。
それを実施例1と同様に、ヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力3GPa、温度1100℃で1時間加熱した。温度プロファイルは、昇温速度48℃/分で1100℃まで昇温し、1100℃で1時間保持した後、降温速度100℃/時で800℃まで降温させた。
加圧状態で室温まで放冷したあと、Ptカプセルを取り出したところ、暗緑色のβ−ZrNBr単結晶が得られた。収率は約30%であった。単結晶は結晶構造を反映して、六角板状であり、直径は0.1〜1.0mm、厚さ数百μmであった。
好ましい反応条件を検討すると、原料組成はZrN:NH4Br(モル比)=1:2〜1:5であり、より好ましくは1:3.2であった。好ましい反応温度は950〜1200℃であり、より好ましくは1100℃であった。ZrN:NH4Brを1:2よりもZrN過剰にし、反応温度を950℃よりも低くすると、生成物は殆ど均一なβ−ZrNBr粉末となった。一方、ZrN:NH4Brを1:5よりもNH4Br過剰にし、反応温度を1200℃よりも高くすると、β−ZrNBr単結晶の収率が低下した。
[実施例5]
β−ZrNI単結晶の製造:
ZrN(0.050g)とNH4I(0.200g)をモル比で1:2.9となるように混合し、反応容器2としてのAuカプセル(厚さ0.1mm、内径6mm,深さ4mm)に内包し、これを電気絶縁性圧力媒体6として高耐熱性のh−BNブロックに内包させた。
それを実施例1と同様に、ヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力3GPa、温度1000℃で1.5時間加熱した。その後、降温速度100℃/時で850℃まで降温させ、その後、室温まで放冷した。
Auカプセルを取り出したところ、褐色透明のβ−ZrNI単結晶が得られた。収率は約40%であった。
この実施例では、同じ組成の原料を950℃で反応させた場合、圧力を5GPaより大きくすると同様の結果を得ることができたが、圧力を1.5GPaより小さくするとα−ZrNIとなった。α−ZrNIはこの実施例に示した高圧、高温での処理によってβ−ZrNIとなる。
[実施例6]
β−HfNBr単結晶の製造:
まず、NH4BrとHf金属粉末とを650℃で反応させてα−HfNBr粉末を作成し、750℃から850℃に温度勾配をつけた化学輸送法で精製する。
その化学輸送法で製造したα−HfNBr粉末とNH4Brをモル比で1:2.3となるように混合し、反応容器2のPtカプセル(厚さ0.1mm、内径6mm,深さ4mm)に内包し、これを電気絶縁性圧力媒体6として高耐熱性のh−BNブロックに内包させた。
それを実施例1と同様に、ヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力3GPa、反応温度1100℃で1時間加熱した。
室温まで放冷したあと、Ptカプセルを取り出したところ、淡黄緑色のβ−HfNBr単結晶が得られた。収率は約30%であった。
β−HfNBr単結晶の製造では、大きい単結晶を得るには、反応温度を1100℃に維持することが好ましい。反応温度が950℃よりも低くなると、0.1mmより大きい結晶は得られなかった。また、反応温度が1200℃よりも高くなると、圧力を3GPaより高くしてもβ−HfNBrは分解して非晶質相になった。
[実施例7]
β−HfNI単結晶の製造:
加圧力を5GPa、反応温度を1050℃とした点を除いて、実施例6と同じ方法によりβ−HfNI単結晶を得た。この反応でも収率は約30%であった。
以上の実施例における合成条件をまとめて表1に示す。また、それらの実施例で得られた単結晶について四軸X線構造解析装置により決定した構造因子を表2,3に示す。
これまでHfNCl結晶の構造解析結果は発表されているが、いずれも多結晶試料を用いているため、データの再現性と信憑性に問題があった。
本発明によりβ−MNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)単結晶について、構造解析に適した大きさの単結晶を得ることができ、超伝導機構の解明等に有用な信頼性の高い構造解析結果が得られた。
[実施例8]
h−BN単結晶の製造:
h−BN粉末試料を反応容器2としてのh−BNカプセル(内径6mm,深さ6mm)に内包し、これを電気絶縁性圧力媒体6として高耐熱性のh−BNブロックに内包させた。
それをさらにヒーターとなるカーボンチューブ8に入れ、パイロフィライト12を圧力伝達媒体として、図1に示した六面体加圧装置を用いて、加圧力5GPa、温度1200℃で2時間加熱した。
室温まで放冷したあと、BNカプセルを取り出したところ、無色透明のh−BN単結晶が得られた。その単結晶は直径が約1mm,厚さ0.2mmの正六角形の板状結晶であった。
本発明によれば、β−MNX層状窒化物単結晶について、MNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)のすべての組合わせについてβ−型単結晶を得ることができる。また、h−BN単結晶も得ることができる。
産業上の利用可能性
得られる窒化物単結晶は、超伝導体材料、半導体材料、光学電子材料、超硬セラミックス材料又は固体潤滑剤として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は実施例で使用した六面体加圧装置の主要部を示す正面断面図である。
Claims (12)
- 第III族又は第IV族の金属元素を含む窒化物単結晶。
- この窒化物単結晶は、化学組成式がMNX(M=Zr,Hf;Nは窒素;X=Cl,Br,I)で表される層状窒化物であり、その構造がβ型層状構造である請求の範囲1に記載の窒化物単結晶。
- この窒化物単結晶はh−BN単結晶である請求の範囲1に記載の窒化物単結晶。
- 製造しようとする窒化物単結晶の構成金属又はその金属の化合物をハロゲン化アンモニウムとともに、圧力0.01GPa以上、温度400℃以上の条件下で共存させることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。
- 製造しようとする前記窒化物単結晶は第III族又は第IV族の金属元素を含むものである請求の範囲4に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- 製造しようとする前記窒化物単結晶はその化学組成式がMNX(M=Zr,Hf;Nは窒素,X=Cl,Br,I)で表されるものである請求の範囲4又は5に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- ハロゲン化アンモニウムとともに共存させる金属化合物はMNである請求の範囲6に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- 原料組成はMN:NH4X(モル比)=1:2〜1:5、反応温度は850〜1300℃である請求の範囲7に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- 製造しようとする窒化物単結晶はZrNBrであり、その反応温度は950〜1200℃である請求の範囲8に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- ハロゲン化アンモニウムとともに共存させる金属化合物はMNX粉末である請求の範囲6に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- 原料組成はMNX:NH4X(モル比)=1:2〜1:5、反応温度は850〜1300℃である請求の範囲10に記載の窒化物単結晶の製造方法。
- 製造しようとする窒化物単結晶はHfNBrであり、その反応温度は950〜1200℃である請求の範囲11に記載の窒化物単結晶の製造方法。
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