JPS649114B2 - - Google Patents

Description

請求の範囲 １ 溶接用のアーク電流パルスを電源２によつて
発生するための回路であつて、 ワークピース４と、 電極６と、 前記ワークピース４および前記電極６にかかる
アークを確立するためのアーク確立手段とを備
え、 前記アーク確立手段は、 前記電源２および前記電極６へ接続されるスイ
ツチ可能なエレメント１２と、 前記スイツチ可能なエレメント１２の状態を制
御して前記電流パルスを維持するための制御手段
とを含み、 前記スイツチ可能なエレメント１２がオン状態
にある間、比較的高い電流パルスがアークを流
れ、かつ前記スイツチ可能なエレメント１２がオ
フ状態にある間、比較的低い電流がアークを流
れ、 前記制御手段は、 第１および第２の制御信号を発生して、前記ス
イツチ可能なエレメント１２の状態を制御するた
めのトリガ手段８２，８６と、 アークにかかるパラメータを表わす電圧を検知
するように接続され、かつ前記トリガ手段８２，
８６に接続される電圧検知回路８０，８４とを含
み、 前記トリガ手段８２，８６は、前記電圧検知回
路８０，８４により検知された電圧が所定のロー
レベルにあるとき第１の制御信号を発生して前記
スイツチ可能なエレメント１２をオン状態に切換
え、かつ前記電圧検知回路８０，８４により検知
された電圧が所定のハイレベルに達するとき、第
２の制御信号を発生して前記スイツチ可能なエレ
メントをオフ状態に切換える、アーク電流パルス
発生回路。

２ 前記電圧検知回路８０，８４は前記制御信号
を発生するためのコンパレータ回路８２，８６を
備え、前記コンパレータ回路８２，８６は所定の
基準電圧レベルを前記コンパレータ回路へ印加す
るための手段を含み、それによつて前記制御信号
は、前記所定の電圧レベルが検出されたときに発
生される、請求の範囲第１項に記載の回路。

３ 前記アーク電流パルス発生回路は第１および
第２の並列なブランチを含み、前記第１のブラン
チは予め定められた抵抗値を有するインピーダン
ス１４を含み、前記第２のブランチはスイツチ可
能なエレメント１２を含む低インピーダンス経路
を有し、それによつて前記スイツチ可能なエレメ
ント１２がオフ状態にあるとき、前記比較的低い
背景電流が前記第１のブランチおよび前記ワーク
ピースを流れる、請求の範囲第１項または第２項
に記載の回路。

４ 前記スイツチ可能なエレメント１２は、前記
インピーダンス１４と並列接続された第１のシリ
コン制御整流器１２であり、前記回路はさらに前
記第１のシリコン制御整流器１２を横切るブラン
チに接続されるコンデンサ１６および第２のシリ
コン制御整流器１８を備え、前記第１の制御信号
は前記第１のシリコン制御整流器１２のゲートへ
与えられて前記第１のシリコン制御整流器１２を
オン状態に切換え、前記第２の制御信号は前記第
２のシリコン制御整流器１８のゲートへ与えられ
て前記第２のシリコン制御整流器１８をオン状態
に切換えかつ前記第１のシリコン制御整流器１２
を横切つて前記コンデンサ１６へ接続し、それに
よつて前記第１のシリコン制御整流器１２はコン
デンサ１６に蓄えられた電荷により与えられる逆
バイアスによつて使用中オフに切換えられる、請
求の範囲第３項に記載の回路。

５ 前記コンデンサ１６へ接続されて充電電流を
前記コンデンサ１６へ供給するための２次電源２
０をさらに備え、前記電源２０は高出力インピー
ダンスを有する、請求の範囲第４項に記載の回
路。

６ 前記コンデンサ１６は、前記第１のシリコン
制御整流器１２がオフ状態にされるときに負荷へ
流れる電流によつて逆荷電されるように接続さ
れ、前記コンデンサ１６は前記第２のシリコン制
御整流器１８を逆バイアスして前記第２のシリコ
ン制御整流器１８をオフ状態に切換える、請求の
範囲第４項に記載の回路。

７ 前記スイツチ可能なエレメントはインピーダ
ンス１４に並列接続される第１のシリコン制御整
流器１２を備え、前記回路は、さらに、前記第１
のシリコン制御整流器１２を横切るブランチに接
続されるコンデンサ１６および第２のシリコン制
御整流器１８を備え、前記第１の制御信号は前記
第１のシリコン制御整流器１２のゲートへ与えら
れて前記第１のシリコン制御整流器１２をオン状
態に切換え、前記第２の制御信号は前記第２のシ
リコン制御整流器１８のゲートへ与えられて前記
第２のシリコン制御整流器１８をオン状態に切換
えかつ前記第１のシリコン制御整流器１２を横切
つて前記コンデンサ１６を接続し、それによつて
前記第１のシリコン制御整流器１２は、使用中
に、コンデンサ１６に蓄えられた電荷によつて与
えられる逆バイアスによりオフ状態に切換えられ
る、請求の範囲第１項または第２項に記載の回
路。

８ 前記コンデンサ１６へ接続されて充電電流を
前記コンデンサ１６へ供給するための２次電源２
０をさらに備え、前記電源２０は高出力インピー
ダンスを有する、請求の範囲第７項に記載の回
路。

９ 前記コンデンサ１６は、前記第１のシリコン
制御整流器１２がオフ状態にされるときに負荷に
流れる電流により逆荷電されるように接続され、
前記コンデンサ１６は前記第２のシリコン制御整
流器１８を逆バイアスして前記第２のシリコン制
御整流器１８をオフ状態にする、請求の範囲第７
項に記載の回路。

１０ 前記電源２は溶接装置を含み、前記負荷
は、溶接装置の出力電極６とワークピース４との
間に発生されるアークを含む、請求の範囲第１項
または第２項に記載の回路。

明細書 この発明は、溶接に特に有益な大電流パルスを
発生するための回路に関するものである。

高い値を持つパルス化電流が多くの応用におい
て用いられており、特に重要なものとしてスポツ
ト溶接を含む溶接がある。他の重要な応用例とし
て、パルス式電気めつき、DC−DCインバータ、
直流電動機、速度制御装置およびパルス化アーク
による表面硬化がある。これらの応用において
は、適当な矩形波の電流パルスが望ましく、最大
10000アンペアの電流パルスが必要である。この
ような大電流パルスに対してはシリコン制御整流
器（SCR：登録商標）がソリツドステートスイ
ツチング装置として最も適している。

ここに説明する発明の好ましい実施例は、スイ
ツチングエレメントとしてシリコン制御整流器を
回路に用いており、この回路は、従来の直流電源
の出力を制御するために用いられ、かつ、１個の
パルスユニツトが、電動発電機セツト、鉛−酸蓄
電池および変圧器−整流器ユニツトのように広範
囲な電源とともに用いられることができる。この
ような態様では、既に装備された連続的な電流溶
接電源がパルスユニツトともに用いることができ
るので、たとえばパルス式溶接設備を装備するの
にかかるコストは大きく減少できる。

可変周波数気体シールドパルス電流アーク
（Variable Frequency Gas Shielded Pulse
Current Arc Welding）、Welding Journal Res.
Suppl.48 1969、97s−104s.においてローレンス、
ビー（LAWRENCE、B.）およびジヤクソン、
シー（JACKSON、C.）は、MIG（金属−不活性
気体）における金属転位のモードについてのパル
ス電流周波数、期間および大きさの影響が決定さ
れたパルス式電流アーク溶接の研究を報告した。
この実験の装置は、直流電源の出力を切換えるシ
リコン制御整流器を用いており、シリコン制御整
流器のゲートへの制御パルスは機構的な整流器か
ら得られている。電流パルスが終わるときにアー
クが消えないように連続的な定常電流を維持する
ために、第２の電源が用いられた。機構的な整流
器および多電源の使用は簡潔な設計ではない。さ
らに、２個のシリコン制御整流器を用いたスイツ
チング回路は、各々のシリコン制御整流器が他の
シリコン制御整流器を交互にターンオフさせるた
めに用いられる双安定動作モードで機能した。大
きい方のシリコン制御整流器はアークパルス電流
を制御し、小さい方のシリコン制御整流器はアー
ク電流パルスが流れていない間導通した。この動
作方法は効率が悪いのみならず、パルス発生器に
よつて発生される余剰熱の放出についての問題が
ある。

溶接電源の出力を切換える、溶接のための他の
２つのパルス整形装置を次に説明する。スミス、
ジー．エイ（SMITH、G.A.）およびブラウン、
エム・ジエイ（BROWN、M.J.）の応接応用の
ためのインバータ電源．パワーエレクトロニクス
−パワー半導体（Power Electronics−Power
Semiconductors）およびそれらの応用について
の第２回国際会議。英国 ロンドン：I.E.E.
E.1977 58−61、ならびに、ローリー、ジエイ
（LOWERY、Ｊ）のTIG−溶接のためのAC／
DC電源の新概念（Ａ New Concept for AC／
DC Power Sources for TIG−Welding）、アド
バンス・イン・ウエルデイング・プロセス4th・
インターナシヨナルコンフアレンス・ハロゲー
ト・イングランド（Advances in Welding
Processes 4th International Conference
Harrogate England）、1978年５月４日−11日、
161−191。これらの設計は、アルミニウムのTIG
（タングステン−不活性気体）溶接のために特に
開発されたものであり、その応用に対しては、ア
ークによる電流を交流にさせるのが非常に有利で
あり、したがつてそれがタングステン電極に関し
て負にバイアスされるときイオン衝撃によつてワ
ークピース面上へクリーニング作用を生じさせ
る。各パルスユニツトは固定周波数（50または
60Hz）である。ワークピースに対する溶接溶込
みのみならずクリーニング効果が、電流の正およ
び負の半サイクルの期間の比を変化させることに
よつて変化される（しかし独立的ではない）。

ウエルデイングジヤーナル54 1975、348−357
においてグリスト、エフ・ジエイ（GRIST、F.
J.）によつて、「ソリツドステート電源での改良
された、低価格のアルミニウム溶接」
（Improved、Lower Cost Aluminium Welding
with Solid State Power Source.）に説明され
る他の装置は、一般的にはすぐ前で説明したもの
に類似しているが、動作周波数（50−200Hz）の
制御が限られている。この周波数の制限はシリコ
ン制御整流器のための共振整流を用いることによ
つて生じるものである。

上述した回路やその他の公知の回路の欠点の１
つは、電流パルスのスイツチングの制御がアーク
自体の条件を反映しないパラメータに依存し得る
ことである。

この発明の目的は、電流パルスのスイツチング
が負荷の電圧に従つて制御される、少なくとも
10000アンペアまでの電流パルスを発生するため
の回路を提供することである。

この発明によれば、直流電源２によつて電流パ
ルスを発生するための回路であつて、前記電源２
および負荷に接続されるスイツチ可能なエレメン
ト１２と、前記スイツチ可能なエレメント１２の
状態を制御し、それによつて比較的高い電流パル
スが、前記スイツチ可能なエレメント１２がオン
状態にある間、負荷を介して流れるようにするこ
とができる制御手段と、前記スイツチ可能なエレ
メント１２がオフ状態にある間、比較的小さな背
景電流を供給するための手段１４とを含み、前記
制御手段は制御信号を発生して前記スイツチ可能
なエレメント１２の状態を制御するためのトリガ
手段８２，８６と、前記負荷にかかる電圧を検知
しかつ前記トリガ手段８２，８６に制御信号を発
生させて、前記検知された電圧が所定のローレベ
ルにあるとき前記スイツチ可能なエレメント１２
をオン状態に切換え、かつ前記検知された電圧が
所定のハイレベルに達するとき前記スイツチ可能
なエレメント１２をオフ状態に切換える、電圧検
知回路８０，８４を含む、そのような電流パルス
発生回路が提供される。

添付図面を参照してこの発明をさらに説明す
る。

第１図はこの発明のパルス発生器の簡略化した
回路図である。

第２図は第１図の回路の動作を理解するのに役
に立つ波形図である。

第３図は変形の回路図を示す。

第４図および第５図はゲートパルスを発生する
ための制御回路を示す。

第１図に示す回路はパルス式溶接操作に使用す
るためのものであり、この回路は従来の溶接電流
供給装置２を示しており、この装置２の正出力は
ワークピース４へ接続され、その負出力はこの発
明のパルス回路８を介して極６へ接続される。回
路８は、電極６とワークピース４との間でアーク
を引き起こすための高周波始動回路１０を含む。
また、回路８は、主シリコン制御整流器１２を含
み、このシリコン制御整流器１２は大容量のもの
であり、アーク電流が流れるときは全アーク電流
を伝達する。抵抗１４が主シリコン制御整流器１
２に接続され、残りの回路に電流が流れないとき
に、20ないし60アンペアの範囲の定常アーク電流
を与える。抵抗１４の値は典型的には0.5Ωであ
る。この回路は、さらに、シリコン制御整流器１
２を介してブランチに接続されるコンデンサ１６
および２次シリコン制御整流器１８を含む。この
回路はさらに、２次電源２０を含み、この正出力
はコンデンサ１６および２次シリコン制御整流器
１８の接続点へ接続される。２次電源２０の主た
る機能はコンデンサ１６へ充電電流を供給するこ
とである。

第２図を参照して回路動作を説明する。波形１
３，１５および１７はそれぞれシリコン制御整流
器１２，１８およびコンデンサ１６にかかる電圧
を表わし、波形１９はワークピース４および電極
６間を流れるアーク電流を表わす。

電源をオンにすると、シリコン制御整流器１２
および１８は導通せず、コンデンサ１６が抵抗１
４を介して充電され、かつシリコン制御整流器１
８が順方向にバイアスされる（約150ボルト）。ア
ークが高周波始動回路１０によつて始動されると
き、アークを流れる電流は抵抗１４の値によつて
制御される。同時に、抵抗１４を通過するアーク
電流による抵抗１４の電圧降下のため、共通点２
４に関する回路の点２２の電位が上昇する。回路
は、次いで、第２図の時間ｔ１で示される状態に
なる。

以下に詳細に説明する態様で発生される制御パ
ルスが、時間ｔ２でシリコン制御整流器１２のゲ
ート２６へ印加されて、シリコン制御整流器１２
を導通し、かつシリコン制御整流器１２にかかる
電圧が約１ボルトまで降下し、そのためほとんど
すべてのアーク電流がシリコン制御整流器１２を
流れる。アーク電流は供給装置２の電気的な特性
およびアーク電圧によつて本質的に決定される新
しい値まで上昇する。シリコン制御整流器１２の
電圧が急速に降下するので、シリコン制御整流器
１８の電圧も急速に降下し、その後、電源２０が
コンデンサ１６を充電するに従つて緩やかに上昇
する。アーク電流の上昇の速さは、供給装置２の
インピーダンスによつて制限される。

アーク電流パルスは、制御パルスをシリコン制
御整流器１８のゲート２８へ印加することによつ
て、時間ｔ３で終了する。シリコン制御整流器１
８が導通すると、コンデンサ１６が低インピーダ
ンス回路のシリコン制御整流器１２に接続され、
それによつてシリコン制御整流器は、コンデンサ
１６による逆バイアスによつて即座にターンオフ
される。同時に、全アーク電流がコンデンサへ流
れてコンデンサを放電し、次いで、その極性を逆
転させる。アークにかかる電圧は瞬間的に増大さ
れてアーク電流にスパイクを生じ、続いて定常電
流レベルよりも下まで急速に降下した後その定常
電流レベルまで復帰する。

同時に、コンデンサ１６は抵抗１４を介してシ
リコン制御整流器１８に接続され、シリコン制御
整流器１８を逆バイアスしようとする。この傾向
は電源２０によつて妨げられる。電源２０のイン
ピーダンスが十分に高ければ（かつ、電源は、シ
リコン制御整流器１８によつて課せられるほぼ短
絡回路状態に耐えることができなければならない
ので、この状態はほとんど自動的に補償されてい
る）、コンデンサの逆バイアスの影響に打ち勝ち、
シリコン制御整流器１８がターンオフされる。時
間ｔ３およびｔ４の間に、シリコン制御整流器１
８はなおも0.7ボルトで順バイアスされている。
なぜならばその逆回復電流は逆バイアスを禁止し
ているからでいる。時間ｔ４でその回復された充
電条件が満足されて、シリコン制御整流器１８の
バイアスが、電源２０によるコンデンサ１６の再
充電が優勢になるまで負となることができ、かつ
次いで、シリコン制御整流器１２および１８なら
びにコンデンサ１６の電圧が時間ｔ１のときの値
まで復帰する。

この回路のプロトタイプは最も満足できる態様
でテストされ、うまくいくことがわかつた。プロ
トタイプの構成では、コンデンサ１６の値は525
マイクロフアラツドであり、抵抗１４の値は0.5
オームであつた。電源２０の電圧出力は約110ボ
ルトである。一般的に言つて、電源２０の電圧値
が高ければ高いほど、コンデンサ１６の値は小さ
い。もちろん、電源２０の出力が小さければ小さ
いほど、そこから出る電流は小さい。

この回路に対する好ましい負荷が第３図の概略
回路に示されており、シリコン制御整流器３０、
抵抗３２およびスイツチ３４が抵抗１４を含む回
路のブランチに加えられる。スイツチ３４が開い
た状態では、シリコン制御整流器３２は導通せ
ず、かつしたがつて定常電流は抵抗１４を流れる
ことができない。スイツチ３４が閉じた状態で
は、抵抗１４の値によつて制限される定常電流が
通過し得るようにシリコン制御整流器１２がオフ
のときシリコン制御整流器３０は常に電流を流
す。抵抗３２の値は、シリコン制御整流器３０の
ゲートへ流れる電流が常にその特定の範囲内にあ
るように選ばれる。回路付加の機能は主電源がオ
ンのままにされるのを可能にしかつしかも電源２
０が駆動されていなければ出力端子に何の電圧も
有しないようにすることである。これは、オペレ
ータの安全性および便宜を改良するため溶接ヘツ
ド上にスイツチ３４が存在し得る溶接応用におい
ては重要である。適当なパルスがシリコン制御整
流器のゲート２６および２８へ印加される場合に
回路はこの態様で循環的に作動し、かつそのよう
なパルスの発生については第４図および第５図を
参照して説明する。

第４図はシリコン制御整流器１２および１８の
ゲート２６および２８のためのゲートパルスを発
生する適当な制御回路を示す。この回路は基本的
には４個の単安定回路（NE555集積回路）３６，
３８，４０および４２を含む。スイツチ４４を閉
じると、単安定回路３６は所定期間後にその出力
４６にパルスを発生させる。出力４６のパルスは
トランジスタ４８および５０をオンにし、これら
のトランジスタ４８および５０は、シリコン制御
整流器１２のゲート２６へ接続される点５２に適
当なパルスを順次発生させかつそのシリコン制御
整流器をオンにする。単安定回路３６からの出力
は第２の単安定回路３８の入力へ印加され、か
つ、スイツチ５４のセツトによる予め定められる
遅延後、回路３８は、出力５６に出力パルスを発
生させ第３の単安定回路４０の入力へ印加され
る。予め定められた遅延後、回路４０は出力６０
上にパルスを発生させトランジスタ６２および６
４をオンにさせ、それによつてシリコン制御整流
器１８のゲート２８へ接続される点６６にパルス
を発生させる。これが第２図の時間ｔ３に対応
し、コンデンサ１６は放電されそれによつてシリ
コン制御整流器１２をオフにする。単安定回路４
０の出力は第４の単安定回路４２の入力へ印加さ
れ、この出力６８はスイツチ７０を介して第１の
単安定回路３６の入力へフイードバツクされ、そ
のため、スイツチ７０を閉じると、回路はシリコ
ン制御整流器１２および１８のためのゲートパル
スを循環的に発生させる。

第４図に示す制御回路の上述した動作を、この
制御回路が選択期間には循環せず、むしろ外部ソ
ースに応答してトリガされるように、この発明に
従つて変形できる。このような信号をトリガする
ための特に便利なソースは、アーク電圧の大きさ
である。これを行なうために、セレクタスイツチ
７２および７４が第１および第３の単安定回路３
６および４０の入力へ接続される。セレクタスイ
ツチ７２および７４が端子７６および７８へ接続
するように切換えられれば、これらの端子へ与え
られる外部パルスは、アーク電流パルスをオフに
トリガし、またはアーク電流パルスをオンにそれ
ぞれトリガするために用いられることができる。

第５図はアーク電圧、すなわち電極６とワーク
ピース４との間の電圧に応答する制御信号を発生
するための簡略化された回路を示す。この回路は
第１の光学カプラ８０を含み、この入力は直接電
極６およびワークピース４に接続され、その出力
はコンパレータ８２の第１入力へ接続される。選
択可能な基準レベルがコンパレータ８２の他方入
力へ与えられ、かつコンパレータ８２の出力は第
４図に示す端子７８へ接続される。回路は第２の
コンパレータ８６へ接続される第２の光学カプラ
８４を含み、カプラ８４の他方入力は印加される
第２の基準レベルを有し、コンパレータ８６の出
力は第２図に示す端子７６へ接続される。第５図
に示される回路のために特に有益な構成は、アー
ク電圧が予め定められるレベルに達したときに、
その出力に適当なパルスを発生させるように、コ
ンパレータ８２をセツトすることである。第２の
コンパレータ８６は、アーク電圧が予め定められ
る値以下に降下するときに、適当な出力を発生さ
せるようにセツトされる。このような信号の発生
は、溶接動作のために非常に有益な制御を行なう
ことができる。

第３図に戻つて、その回路の一部分は、さらに
他の変形例を示し、この変形例は、回路における
他のシリコン制御整流器がそれ自体でトリガされ
るときにしばしば発生する漂遊パルスのためシリ
コン制御整流器１２を不所望にトリガする可能性
を少なくするように設計されている。この構成で
は、移相エレメント、すなわちコンデンサ８８が
ゲート電極２６に直列に接続される。この回路は
また第４図に示す制御回路の点５２から適当なパ
ルスを受けるパルス変圧器９２の２次側に直列な
ステアリングダイオード９０を含む。コンデンサ
８８の充電を防止し、それに伴いパルス振幅の減
少がゲート電極２６へも分配するように抵抗９４
を含む必要がある。

この発明の好ましい実施例の主たる利点は次の
とおりである。

(1) 整流コンデンサ１６を充電するために別電源
２０が用いられる。これによつて、アーク電圧
よりも高い電圧が用いられることができ、した
がつてアークが非常に短いか、または短絡して
もスイツチングが確実に続くことを保証でき
る。さらに、コンデンサ１６のキヤパシタンス
は電源２０の電圧が増えるに従つて次第に減少
されることができる。

(2) 好ましい実施例の電源２０はわずかに無効性
の変圧器および全波整流器を含む。これは、シ
リコン制御整流器１８がオンのときの余分な電
流の排出を防止し、次のセクシヨンで説明する
もう１つの単安定動作モードを可能にする。そ
れは、約500ワツトの公称定格を有するだけで
よく、この値は先行技術よりもはるかに低いも
のである。

(3) シリコン制御整流器１２は、二重の機能を有
する抵抗１４によつてバイパスされる。第１
に、それは電源の出力へ接続される公知のシリ
コン制御整流器パルスユニツトに用いられるよ
うな第２の電源の必要性を除去する。第２に、
双安定装置よりもむしろ単安定装置としてのこ
のユニツトが作動するのを許容するのに極めて
重要である。これは、動作中にそのユニツトに
おいて消費されなければならない電流を少なく
する。抵抗１４が省略されれば、他のモードの
動作が可能であり、これによつて、電源２０は
フイルタされる必要はない（抵抗１４が回路内
に存在する状態では、コンデンサ１６はその電
源のためのフイルタコンデンサとして作用す
る）。この動作モードにおいて、シリコン制御
整流器１８がオンにトリガされた後、シリコン
制御整流器１８は、それが十分に高速であれば
ターンオフするであろうときに電源の電流が次
に零になるまで、オンのままである。この方法
はシリコン制御整流器１２をオフに転流した
後、シリコン制御整流器１８がオフになり得る
前に可変な遅延を生じ、したがつて、スイツチ
ング回路の最大繰返し速度を制限する。十分に
高い繰返し速度でシリコン制御整流器１２が電
源２０の次の電流零の前にオンにトリガされ、
スイツチングは、次いで、ローレンス、ビーお
よびジヤクソン、シーによつて改訂されたパル
スユニツトに用いられるモードに類似する。

(4) アーク電圧は機械によつてモニタされ、かつ
制御は、１個の選択された値でパルス電流をオ
ンに切換えかつアーク電圧の他の選択された値
で再びオフに切換えることができ、この場合
（一般的に）後者の電圧は前者よりも高い。

２つの重要な動作モードがあり、かつこれらは
ともに電極ワイヤの使用に依存し、溶接ループ方
向へ一定速度で送られる。これらのモードは次の
とおりである。

(a) パルス電流が、選択された電圧でオンに切換
えられ、かつパルスの長さはタイマによつて制
限される。

(b) パルス電流が、選択された電圧でオンに切換
えられ、かつ選択されたより高い電圧で再びオ
フに切換えられる。

モード(a)はデイツプトランスフアプロセスの範
囲を拡げるのに適している。デイツプトランスフ
アまたは“シヨートアーク”溶接手順は、所定位
置にない溶接（たとえば、垂直および頭上から
の）および薄いシートのアーク溶接に特に適して
いる。このモードでは、溶接プールへの電極端の
コンタクトの検知によつて、予め定められる時間
続く電流のパルスが始動される。これによつて、
より多くの電力が（パルスの長さを増大させるこ
とによつて）ワークピースへ与えられ、かつその
ためデイツプトランスフアプロセスの最大の問
題、すなわち融解欠陥の欠除を生じる傾向を禁止
する。

モード(b)はMIGおよび水中アークプロセスに
適している。モード(b)他の有用な応用は、溶接、
特にアルミニウムに対するものであり、それに対
してスパツタは最終的なコストを増大する。

小さなスパツタ滴は通常、出発液体金属滴と電
極との間のブリツジの爆発性破裂によつて出され
る。この問題は、電極から滴を分離している間ア
ーク電流を低い値に減少させることによつて制御
されることができるものと考えられる。