JPS6412383B2 - - Google Patents

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JPS6412383B2
JPS6412383B2 JP23307882A JP23307882A JPS6412383B2 JP S6412383 B2 JPS6412383 B2 JP S6412383B2 JP 23307882 A JP23307882 A JP 23307882A JP 23307882 A JP23307882 A JP 23307882A JP S6412383 B2 JPS6412383 B2 JP S6412383B2
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JP
Japan
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pixels
pixel
conductor
photomask
octagon
Prior art date
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Expired
Application number
JP23307882A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS59121335A (en
Inventor
Akihiko Ooe
Masaki Fuse
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Rayon Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Rayon Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Rayon Co Ltd filed Critical Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority to JP57233078A priority Critical patent/JPS59121335A/en
Publication of JPS59121335A publication Critical patent/JPS59121335A/en
Publication of JPS6412383B2 publication Critical patent/JPS6412383B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明はプリント基板用のフオトマスクのパタ
ーンを検査する方法及び装置に関する。 従来、プリント基板は原版からフオトマスクを
作成した後現像定着処理することにより作成され
る。この場合フオトマスクは現像液中の塵埃ある
いはパターン形成時の基板との接触等によりパタ
ーン上に導体幅小、導体間隔小、黒点、ピンホー
ル、突起、欠け等の欠陥が発生する。このような
欠陥に対して従来は実体顕微鏡等を使用した目視
検査により検出し修正を行つてきた。しかしなが
ら、昨今フオトマスクパターンが増々微細化し高
密度化されてくるに及び従来の如き目視検査では
最早十分に欠陥を検出しきれず、例えば光ビー
ム、電子ビーム等の走査による検査が必要となつ
てきた。この光ビーム、電子ビーム等による検査
の一例としては、稲垣雄史他著、「レーザ光を用
いたプリント板用マスク検査装置」
(OPTRONICS誌、1982年第6号)に開示されて
いる。この内容は、線幅欠陥検出のために測長法
とランダム欠陥検出のためにSMART法の2種
を使用しており、後者のSMART法は局所領域
の処理という点では本発明と類似しているが、パ
ターンから100ミクロン以内に1ビツトでも他と
異なるものがある時欠陥としている。このため
100ミクロンから欠陥の最大値の欠陥が検出でき
ないという問題がある。他方の例としては、後藤
宣之著、「マスクパターン検査の一方式」(テレビ
ジヨン学会技術報告、1977年、第1巻、第3号)
に開示されている。この場合には、線幅検出のた
めパターン幅とギヤツプの測定、微小欠陥検出の
ため、3×3マトリツクス法を使用しているが、
後者の3×3マトリツクス法は局所領域の処理と
いう点で本発明と類似しているが3×3画素のみ
のチエツクであるためこれ以下の欠陥しか検出で
きないという問題があつた。従つてこの光ビー
ム、電子ビーム等の走査による検査をより的確に
行う方法が探求されている。 本発明の目的は、上述した背景に鑑み、局所領
域のみの処理で検査基準である最小導体幅、最小
導体間隔を検査することができ、さらに正常では
ないが欠陥として検出するまでには至らないもの
を、欠陥から除外し得るフオトマスクの検査方法
及び装置を提供することを目的とする。 この目的は、本発明によれば、フオトマスクを
スキヤナにより読み取つて得た画像データに対し
て、フオトマスクの検査基準である最小導体幅及
び最小導体間隔を検査するための画素で構成され
た2組の8角形の頂点座標および中心座標から成
る17画素を測定単位として用い、外側にある8角
形の8個の頂点座標の各画素を最小導体幅の検査
に用い該画素のうち対向する画素がいずれも非導
体部に相当する値であり該対向する画素の垂直方
向において対向する画素および8角形の中心座標
の画素がいずれも導体部に相当する値である状態
と、内側にある8角形の8個の頂点座標の各画素
を最小導体間隔の検査に用い該画素のうち対向す
る画素がいずれも導体部に相当する値であり該対
向する画素の垂直方向において対向する画素およ
び8角形の中心座標の画素がいずれも非導体部に
相当する値である状態とを検出することを特徴と
するフオトマスクの検査方法を提供することによ
り達成され、さらに本発明によれば、フオトマス
クをX−Y方向に移動させる自動送り手段と、光
学的手段により投影された該フオトマスクのパタ
ーンを走査し該パターンの明暗に対応した画像デ
ータを出力するスキヤナと、該スキヤナにより出
力された該画像データを2値化する2値化手段
と、該2値化手段により2値化された該画像デー
タをビツト・画素データとして記憶する記憶手段
と、該記憶手段に記憶されたビツト・画素データ
の中から所定の数の画素により構成された2組の
8角形の頂点座標および中心座標の各画素を測定
単位として用い、外側にある8角形の8個の頂点
座標の各画素を最小導体幅の検査に用い該画素の
うち対向する画素がいずれも非導体部に相当する
値であり該対向する画素の垂直方向において対向
する画素および8角形の中心座標の画素がいずれ
も導体部に相当する値である状態と、内側にある
8角形の8個の頂点座標の各画素を最小導体間隔
の検査に用い該画素のうち対向する画素がいずれ
も導体部に相当する値であり該対向する画素の垂
直方向において対向する画素および8角形の中心
座標の画素がいずれも非導体部に相当する値であ
る状態とを検出する検出手段と、該検出手段によ
り検出された結果を表示する表示手段と、該スキ
ヤナおよび各手段の動作制御を行う制御部とを備
えることを特徴とするフオトマスクの検査装置を
提供することによつて達成される。 以下、本発明の一実施例を図面に従つて詳細に
説明する。 第1図は、本発明によるフオトマスクの検査方
法を実施するための装置を示すブロツク線図であ
る。第1図において、1は被検査試料であるフオ
トマスクを示し、2はフオトマスク1をX−Yス
テージにて移動させる自動送り手段を示し、3は
フオトマスク1のパターンを投影する光学的手段
であり、4は該光学的手段により投影されたフオ
トマスクパターンを該パターンの明暗に対応した
画像データとして出力するスキヤナであり例えば
ラインスキヤン型固体撮像素子が使用される。そ
して5は該スキヤナにより出力された画像データ
が固体撮像素子間のバラツキを含んでいるためこ
れを補正した後に2値化する2値化手段であり、
6は該2値化手段により2値化された1ビツト/
画素の画像データをビツト・画素データとして記
憶する記憶手段であり、7は該ビツト・画素デー
タを順次に読出しパターンの欠陥検出を行い欠陥
部分と判別された場合にはその位置座標を記録し
フオトマスク1の全体の検査終了後に出力する検
出手段であつて各々複数個のアンド回路、オア回
路およびノア回路から成る。また8は該検出手段
により欠陥部分と判別された位置座標を表示する
表示手段であり例えばX−Yプロツタが使用され
る。9は上述した2〜8までの各手段の動作を制
御する制御部である。このような構成においてX
−Yプロツタ8上に最終的に示された欠陥個所を
示した出力図と前述のフオトマスクを対比させる
ことによりフオトマスクの欠陥部分を修正するよ
うになつている。 第2図は、本発明によるフオトマスクの検査方
法を実施するための画素の配置を示す配置図であ
る。第2図において、a1〜d4およびmは2組
の8角形の頂点座標および中心座標に配置された
17画素からなる測定単位である。外側の8角形の
8個の頂点座標の各画素および中心座標の画素に
より最小導体幅の検査が行われ、内側の8角形の
8個の頂点座標の各画素および中心座標の画素に
より最小導体間隔の検査が行われる。各測定単位
に対応する画素の位置は次の通りである。 a1は(i−10、j)、a2は(i−7、j) a3は(i+6、j)、a4は(i+10、j) b1は(i、j−10)、b2は(i、j−7) b3は(i、j+6)、b4は(i、j+10) c1は(i−7、j+7)、c2は(i−4、j
+4) c3は(i+5、j−5)、c4は(i+7、j
−7) d1は(i−7、j−7)、d2は(i−5、j
−5) d3は(i+4、j+4)、d4は(i+7、j
+7) mは(i、j) であり、前述したように、このうちa1,a4,
b1,b4,c1,c4,d1,d4は導体幅、
a2,a3,b2,b3,c2,c3,d2,d
3は導体間隔を検査するためのものである。 本実施例においては検査基準として最小導体幅
200μm、最小導体間隔130μmを設定しているの
で、画像データが10μm/画素の入力の場合、導
体幅は19画素以下、導体間隔は12画素以下が欠陥
となる。斜め方向については導体幅は19/√2≒
13画素以下、導体間隔は12/√2≒8画素以下を
欠陥とする。但し、これらの画素数は画像データ
の読取単位(μm/画素)および、検査基準によ
り変更することが必要である。本実施例では第2
図に示すように2画素分を加えている。また画像
データの1は導体部、0は非導体部に相当するも
のとする。 図面の縦横方向の導体幅については、a1,a
4,b1,b4の測定単位を検査し、a1,a4
がいずれも0であり、b1,b4,mがすべて1
のとき導体幅は19画素以下と判別できる。縦軸方
向の導体間隔についてはa2,a3,b2,b3
を検査する。a2,a3がいずれも1であり、b
2,b3,mがすべて0のとき導体間隔は12画素
以下と判別できる。その他の方向については他の
測定単位で同様に検査できる。 第3図a,bは本発明によるフオトマスクの検
査装置における検出手段7の詳細な回路図であ
る。第3図aは2方向の導体幅を検査するための
回路、第3図bは2方向の導体間隔を検査するた
めの回路であり、本発明では4方向分必要とな
る。 第3図aにおいて、ノア回路11(1)は測定
単位10(1),10(2)がいずれも0のとき
1を出力する。ノア回路11(2)は測定単位1
0(3),10(4)がいずれも0のとき1を出
力する。アンド回路12(1)は測定単位10
(1),10(2),10(5)がすべて1のとき
1を出力する。アンド回路12(2)は測定単位
10(3),10(4),10(5)がすべて1の
とき1を出力する。アンド回路13(1)はノア
回路11(1)、アンド回路12(2)がいずれ
も1のとき1を出力する。アンド回路13(2)
はノア回路11(2)、アンド回路12(1)が
いずれも1のとき1を出力する。オア回路14は
アンド回路13(1),13(2)のうちいずれ
かが1のとき1を出力し導体幅小であると判断す
る。 第3図bのノア回路16(1)は測定単位15
(1),15(2),15(5)がすべて0のとき
1を出力する。ノア回路16(2)は測定単位1
5(3),15(4),15(5)がすべて0のと
き1を出力する。アンド回路17(1)は測定単
位15(1),15(2)がいずれも1のとき1
を出力する。アンド回路17(2)は測定単位1
5(3),15(4)がいずれも1のとき1を出
力する。アンド回路18(1)はノア回路16
(1)、アンド回路17(2)がいずれも1のとき
1を出力する。アンド回路18(2)はノア回路
16(2)、アンド回路17(1)がいずれも1
のとき1を出力する。オア回路19はアンド回路
18(1),18(2)のうちいずれかが1のと
き1を出力し導体間隔小であると判断する。 なお第2図と第3図の測定単位の関係を下記の
表に示す。
The present invention relates to a method and apparatus for inspecting patterns on photomasks for printed circuit boards. Conventionally, printed circuit boards are created by creating a photomask from an original plate and then subjecting it to development and fixing processing. In this case, defects such as small conductor widths, small conductor spacings, black spots, pinholes, protrusions, and chips occur on the pattern due to dust in the developer or contact with the substrate during pattern formation. Conventionally, such defects have been detected and corrected by visual inspection using a stereomicroscope or the like. However, as photomask patterns have become increasingly finer and denser in recent years, conventional visual inspections are no longer sufficient to detect defects, and inspections using scanning light beams, electron beams, etc., have become necessary. . An example of inspection using light beams, electron beams, etc. is "Print board mask inspection device using laser light" by Yuji Inagaki et al.
(OPTRONICS magazine, No. 6, 1982). This content uses two types of SMART methods: the length measurement method for detecting line width defects and the SMART method for random defect detection, and the latter SMART method is similar to the present invention in terms of local area processing. However, if there is even one bit different from the others within 100 microns of the pattern, it is considered a defect. For this reason
There is a problem that defects with a maximum value of 100 microns cannot be detected. Another example is Nobuyuki Goto, “A Method of Mask Pattern Inspection” (Television Society Technical Report, 1977, Vol. 1, No. 3).
has been disclosed. In this case, a 3x3 matrix method is used to measure the pattern width and gap for line width detection, and to detect minute defects.
The latter 3x3 matrix method is similar to the present invention in that it processes local areas, but it has the problem that it only checks 3x3 pixels and can only detect defects smaller than this. Therefore, methods are being sought to more accurately perform inspections by scanning with light beams, electron beams, or the like. In view of the above-mentioned background, it is an object of the present invention to be able to inspect the minimum conductor width and minimum conductor spacing, which are inspection standards, by processing only a local area, and furthermore, to not detect defects even though they are not normal. It is an object of the present invention to provide a method and apparatus for inspecting a photomask that can exclude defects from defects. According to the present invention, the image data obtained by reading a photomask with a scanner is used to detect two sets of pixels for inspecting the minimum conductor width and the minimum conductor spacing, which are inspection standards for the photomask. The 17 pixels consisting of the apex coordinates and center coordinates of the octagon are used as the measurement unit, and each pixel of the eight apex coordinates of the outer octagon is used to test the minimum conductor width. A state where the value corresponds to a non-conductor part, and the pixel opposite in the vertical direction of the opposing pixel and the pixel at the center coordinate of the octagon all have a value corresponding to the conductor part, and the 8 inner octagons. Each pixel at the apex coordinates of is used to test the minimum conductor spacing, and the values of the opposing pixels among these pixels correspond to the conductor part, and the values of the pixels that are opposite in the vertical direction of the opposing pixels and the center coordinates of the octagon are This is achieved by providing a photomask inspection method characterized by detecting a state in which all pixels have a value corresponding to a non-conductor portion, and further, according to the present invention, the photomask is moved in the X-Y direction. a scanner for scanning the pattern of the photomask projected by the optical means and outputting image data corresponding to the brightness and darkness of the pattern; and 2 for binarizing the image data output by the scanner. a digitization means, a storage means for storing the image data binarized by the binarization means as bit/pixel data, and a predetermined number of pixels from among the bit/pixel data stored in the storage means. Using each pixel at the apex coordinates and center coordinates of the two sets of octagons formed by There is a state in which the opposing pixels all have values corresponding to non-conductor parts, and the pixels opposite in the vertical direction of the opposing pixels and the pixel at the center coordinates of the octagon all have values equivalent to the conductor parts. Each pixel at the coordinates of eight vertices of a certain octagon is used to inspect the minimum conductor spacing, and the pixels that are opposite to each other among the pixels have values corresponding to the conductor part, and the pixels that are opposite in the vertical direction of the opposite pixels and A detection means for detecting a state in which all pixels at the center coordinates of an octagon have a value corresponding to a non-conductor portion, a display means for displaying a result detected by the detection means, and an operation of the scanner and each means. This is achieved by providing a photomask inspection apparatus characterized by comprising a control section that performs control. Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an apparatus for implementing the photomask inspection method according to the present invention. In FIG. 1, 1 indicates a photomask which is a sample to be inspected, 2 indicates an automatic feeding means for moving the photomask 1 on an X-Y stage, and 3 indicates an optical means for projecting the pattern of the photomask 1. Reference numeral 4 denotes a scanner which outputs the photomask pattern projected by the optical means as image data corresponding to the brightness and darkness of the pattern, and uses, for example, a line scan type solid-state imaging device. Further, 5 is a binarization means that binarizes the image data outputted by the scanner after correcting the variation between the solid-state image sensors since the image data is included in the image data.
6 is 1 bit/bit binarized by the binarization means.
It is a storage means for storing image data of pixels as bit/pixel data, and 7 reads out the bit/pixel data sequentially to detect defects in the pattern, and when it is determined to be a defective part, records its position coordinates and stores it in the photo mask. 1 is a detection means that outputs an output after the completion of the entire test, and each consists of a plurality of AND circuits, OR circuits, and NOR circuits. Reference numeral 8 denotes a display means for displaying the coordinates of the position determined to be a defective portion by the detection means, and for example, an X-Y plotter is used. Reference numeral 9 denotes a control unit that controls the operation of each of the means 2 to 8 described above. In such a configuration
- The defective portion of the photomask is corrected by comparing the output diagram showing the defective portion finally shown on the Y plotter 8 with the aforementioned photomask. FIG. 2 is a layout diagram showing the arrangement of pixels for carrying out the photomask inspection method according to the present invention. In Figure 2, a1 to d4 and m are located at the vertex coordinates and center coordinates of two sets of octagons.
It is a measurement unit consisting of 17 pixels. The minimum conductor width is tested by each pixel at the eight vertex coordinates of the outer octagon and the pixel at the center coordinate, and the minimum conductor spacing is checked by each pixel at the eight vertex coordinates of the inner octagon and the pixel at the center coordinate. will be inspected. The positions of pixels corresponding to each measurement unit are as follows. a1 is (i-10, j), a2 is (i-7, j) a3 is (i+6, j), a4 is (i+10, j) b1 is (i, j-10), b2 is (i, j -7) b3 is (i, j+6), b4 is (i, j+10) c1 is (i-7, j+7), c2 is (i-4, j
+4) c3 is (i+5, j-5), c4 is (i+7, j
-7) d1 is (i-7, j-7), d2 is (i-5, j
-5) d3 is (i+4, j+4), d4 is (i+7, j
+7) m is (i, j), and as mentioned above, a1, a4,
b1, b4, c1, c4, d1, d4 are conductor widths,
a2, a3, b2, b3, c2, c3, d2, d
3 is for inspecting conductor spacing. In this example, the minimum conductor width is used as the inspection standard.
200 μm and the minimum conductor spacing is 130 μm, so if the image data is input at 10 μm/pixel, the conductor width is 19 pixels or less and the conductor spacing is 12 pixels or less as a defect. In the diagonal direction, the conductor width is 19/√2≒
A defect is defined as 13 pixels or less and conductor spacing of 12/√2≒8 pixels or less. However, the number of pixels needs to be changed depending on the reading unit (μm/pixel) of image data and the inspection standard. In this example, the second
As shown in the figure, two pixels are added. Further, it is assumed that 1 in the image data corresponds to a conductor portion and 0 corresponds to a non-conductor portion. Regarding the conductor width in the vertical and horizontal directions in the drawing, a1, a
4, b1, b4 measurement units are inspected, a1, a4
are all 0, and b1, b4, and m are all 1
When , the conductor width can be determined to be 19 pixels or less. Regarding the conductor spacing in the vertical axis direction, a2, a3, b2, b3
Inspect. a2 and a3 are both 1, and b
When 2, b3, and m are all 0, it can be determined that the conductor spacing is 12 pixels or less. Other directions can be similarly inspected using other measurement units. 3a and 3b are detailed circuit diagrams of the detection means 7 in the photomask inspection apparatus according to the present invention. FIG. 3a shows a circuit for testing the conductor width in two directions, and FIG. 3b shows a circuit for testing the conductor spacing in two directions, and the present invention requires circuits for four directions. In FIG. 3a, NOR circuit 11(1) outputs 1 when measurement units 10(1) and 10(2) are both 0. In FIG. NOR circuit 11 (2) is measurement unit 1
When both 0(3) and 10(4) are 0, 1 is output. AND circuit 12(1) has a unit of measurement of 10
When (1), 10(2), and 10(5) are all 1, 1 is output. AND circuit 12(2) outputs 1 when measurement units 10(3), 10(4), and 10(5) are all 1. AND circuit 13(1) outputs 1 when both NOR circuit 11(1) and AND circuit 12(2) are 1. AND circuit 13 (2)
outputs 1 when both the NOR circuit 11(2) and the AND circuit 12(1) are 1. The OR circuit 14 outputs 1 when either of the AND circuits 13(1) and 13(2) is 1, and determines that the conductor width is small. The NOR circuit 16(1) in FIG. 3b has a unit of measurement of 15
When (1), 15(2), and 15(5) are all 0, 1 is output. NOR circuit 16 (2) has a measurement unit of 1
When 5(3), 15(4), and 15(5) are all 0, 1 is output. AND circuit 17(1) is 1 when measurement units 15(1) and 15(2) are both 1.
Output. AND circuit 17(2) is measurement unit 1
When both 5(3) and 15(4) are 1, 1 is output. AND circuit 18 (1) is NOR circuit 16
(1) and AND circuit 17 (2) both output 1 when they are 1. AND circuit 18 (2), NOR circuit 16 (2) and AND circuit 17 (1) are both 1
Outputs 1 when . The OR circuit 19 outputs 1 when either of the AND circuits 18(1) and 18(2) is 1, and determines that the conductor spacing is small. The relationship between the units of measurement in FIGS. 2 and 3 is shown in the table below.

【表】 第4図a〜iにより、本発明によるフオトマス
クの検査方法によつて検査した例について説明す
る。第4図の斜線部は導体部、その他は非導体部
である。 第4図aは水平方向で導体幅小(19画素)とな
つている。測定単位b1,b4とも0であり、a
1,a4,mがすべて1であるため導体幅小の欠
陥と判別できる。 第4図bは水平方向で導体間隔小(12画素)と
なつている。測定単位b2,b3とも1であり、
a2,a3,mがすべて0であるため導体間隔小
の欠陥と判別できる。 第4図cは斜め方向で導体幅小(13画素)とな
つている。測定単位d1,d4とも0であり、c
1,c4,mがすべて1であるため導体幅小の欠
陥と判別できる。 第4図dは斜め方向で導体間隔小(8画素)と
なつている。測定単位d2,d3とも1でありc
2,c3,mがすべて0であるため導体間隔小の
欠陥と判別できる。 第4図eは欠けにより、3画素分が導体幅小
(19画素)となつている。この場合第4図aと同
様に判別できる。 第4図fは突起により3画素分が導体間隔小
(12画素)となつている。この場合第4図bと同
様に判別できる。 第4図gは黒点により3画素分が導体間隔小
(12画素)となつている。この場合第4図bと同
様に判別できる。 第4図hはピンホールにより3画素分が導体幅
小(18画素)となつている。この場合第4図aと
同様に判別できる。 第4図iは正常パターンであるが2値化により
凹凸が生じたもの、又は正常パターンではない
が、欠陥として検出するには至らないものであ
る。このようなパターンを欠陥として検出する場
合凹部により導体間隔小、あるいは凸部により導
体幅小となつた場合のみである。この場合本実施
例では欠陥とは判別しない。 以上詳細に説明したように、本発明によるフオ
トマスクの検査方法および装置を使用することに
よつてパターンの欠陥検出を的確に行い得る効果
がある。
[Table] Examples inspected by the photomask inspection method according to the present invention will be explained with reference to FIGS. 4a to 4i. The shaded portion in FIG. 4 is a conductor portion, and the other portions are non-conductor portions. In FIG. 4a, the conductor width is small (19 pixels) in the horizontal direction. Both measurement units b1 and b4 are 0, and a
Since 1, a4, and m are all 1, it can be determined that the defect has a small conductor width. In FIG. 4b, the conductor spacing is small (12 pixels) in the horizontal direction. Both measurement units b2 and b3 are 1,
Since a2, a3, and m are all 0, it can be determined that the defect has a small conductor spacing. In FIG. 4c, the conductor width is small (13 pixels) in the diagonal direction. Both measurement units d1 and d4 are 0, and c
Since 1, c4, and m are all 1, it can be determined that the defect has a small conductor width. In FIG. 4d, the conductor spacing is small (8 pixels) in the diagonal direction. The units of measurement d2 and d3 are both 1 and c
Since 2, c3, and m are all 0, it can be determined that the defect has a small conductor spacing. In Fig. 4e, the conductor width is small for three pixels (19 pixels) due to chipping. In this case, the determination can be made in the same manner as in FIG. 4a. In FIG. 4f, the conductor spacing is small (12 pixels) for three pixels due to the protrusion. In this case, the determination can be made in the same manner as in FIG. 4b. In FIG. 4g, the conductor spacing is small (12 pixels) for three pixels due to black dots. In this case, the determination can be made in the same manner as in FIG. 4b. In Fig. 4h, the conductor width is reduced by three pixels (18 pixels) due to the pinhole. In this case, the determination can be made in the same manner as in FIG. 4a. The pattern i in FIG. 4 is a normal pattern but has irregularities caused by binarization, or it is not a normal pattern but cannot be detected as a defect. Such a pattern is detected as a defect only when the conductor spacing is small due to the recesses or the conductor width is small due to the protrusions. In this case, in this embodiment, it is not determined as a defect. As described above in detail, by using the photomask inspection method and apparatus according to the present invention, pattern defects can be accurately detected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明によるフオトマスクの検査装
置の一実施例を示すブロツク線図、第2図は、本
発明によるフオトマスクの検査方法を実施するた
めの測定単位の配置を示す配置図、第3図a,b
は、第1図に示す装置における検出手段を詳細に
示す回路図、および第4図a〜iは、第2図にお
ける配置の測定単位においてフオトマスクを検査
した例について説明する図である。 (符号の説明)、1……フオトマスク、2……
自動送り手段、3……光学的手段、4……スキヤ
ナ、5……2値化手段、6……記憶手段、7……
検出手段、8……表示手段、9……制御部、a1
〜d4,m,10(1)〜10(5),15(1)
〜15(5)……測定単位、11(1),11
(2),16(1),16(2)……ノア回路、1
2(1),12(2),13(1),13(2),1
7(1),17(2),18(1),18(2)…
…アンド回路、14,19……オア回路。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the photomask inspection apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a layout diagram showing the arrangement of measurement units for carrying out the photomask inspection method according to the present invention, and FIG. Figures a, b
1 is a circuit diagram showing in detail the detection means in the apparatus shown in FIG. 1, and FIGS. 4 a to 4 i are diagrams illustrating an example of inspecting a photomask in the measurement unit of the arrangement shown in FIG. 2. (Explanation of symbols), 1...Photomask, 2...
Automatic feeding means, 3... Optical means, 4... Scanner, 5... Binarization means, 6... Storage means, 7...
Detection means, 8...Display means, 9...Control unit, a1
~d4,m,10(1)~10(5),15(1)
~15(5)...Unit of measurement, 11(1), 11
(2), 16(1), 16(2)...Nor circuit, 1
2(1), 12(2), 13(1), 13(2), 1
7(1), 17(2), 18(1), 18(2)...
...AND circuit, 14,19...OR circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 フオトマスクをスキヤナにより読み取つて得
た画像データに対して、フオトマスクの検査基準
である最小導体幅及び最小導体間隔を検査するた
めの画素で構成された2組の8角形の頂点座標お
よび中心座標から成る17画素を測定単位として用
い、外側にある8角形の8個の頂点座標の各画素
を最小導体幅の検査に用い該画素のうち対向する
画素がいずれも非導体部に相当する値であり該対
向する画素の垂直方向において対向する画素およ
び8角形の中心座標の画素がいずれも導体部に相
当する値である状態と、内側にある8角形の8個
の頂点座標の各画素を最小導体間隔の検査に用い
該画素のうち対向する画素がいずれも導体部に相
当する値であり該対向する画素の垂直方向におい
て対向する画素および8角形の中心座標の画素が
いずれも非導体部に相当する値である状態とを検
出することを特徴とするフオトマスクの検査方
法。 2 フオトマスクをX−Y方向に移動させる自動
送り手段と、光学的手段により投影された該フオ
トマスクのパターンを走査し該パターンの明暗に
対応した画像データを出力するスキヤナと、該ス
キヤナにより出力された該画像データを2値化す
る2値化手段と、該2値化手段により2値化され
た該画像データをビツト・画素データとして記憶
する記憶手段と、該記憶手段に記憶されたビツ
ト・画素データの中から所定の数の画素により構
成された2組の8角形の頂点座標および中心座標
の各画素を測定単位として用い、外側にある8角
形の8個の頂点座標の各画素を最小導体幅の検査
に用い該画素のうち対向する画素がいずれも非導
体部に相当する値であり該対向する画素の垂直方
向において対向する画素および8角形の中心座標
の画素がいずれも導体部に相当する値である状態
と、内側にある8角形の8個の頂点座標の各画素
を最小導体間隔の検査に用い該画素のうち対向す
る画素がいずれも導体部に相当する値であり該対
向する画素の垂直方向において対向する画素およ
び8角形の中心座標の画素がいずれも非導体部に
相当する値である状態とを検出する検出手段と、
該検出手段により検出された結果を表示する表示
手段と、該スキヤナおよび各手段の動作制御を行
う制御部とを備えることを特徴とするフオトマス
クの検査装置。
[Scope of Claims] 1. Image data obtained by reading a photomask with a scanner is analyzed using two sets of octagonal pixels each consisting of pixels for inspecting the minimum conductor width and minimum conductor spacing, which are inspection standards for the photomask. The 17 pixels consisting of the vertex coordinates and center coordinates are used as the measurement unit, and each pixel of the eight vertex coordinates of the outer octagon is used to inspect the minimum conductor width. A state in which the pixels opposite in the vertical direction of the opposing pixels and the pixel at the center coordinates of the octagon both have values corresponding to the conductor part, and the coordinates of the eight vertices of the inner octagon. Each pixel is used to test the minimum conductor spacing, and the values of the opposing pixels among the pixels correspond to the conductor part, and the pixels that are opposite in the vertical direction of the opposing pixels and the pixel at the center coordinates of the octagon are 1. A method for inspecting a photomask, comprising: detecting a state in which a value corresponding to a non-conductor portion is detected. 2 automatic feeding means for moving the photomask in the X-Y direction; a scanner for scanning the pattern of the photomask projected by optical means and outputting image data corresponding to the brightness and darkness of the pattern; Binarization means for binarizing the image data, storage means for storing the image data binarized by the binarization means as bit/pixel data, and bit/pixel data stored in the storage means. Using each pixel at the vertex coordinates and center coordinates of two sets of octagons made up of a predetermined number of pixels from the data as a measurement unit, each pixel at the eight vertex coordinates of the outer octagon is the minimum conductor. The pixels used for width inspection have values that correspond to non-conductor parts, and the pixels opposite in the vertical direction of the opposite pixels and the pixel at the center coordinates of the octagon both correspond to conductor parts. , and each pixel at the coordinates of the eight vertices of the inner octagon is used to test the minimum conductor spacing. a detection means for detecting a state in which pixels facing each other in the vertical direction of the pixels and a pixel at the center coordinates of the octagon both have a value corresponding to a non-conductor portion;
A photomask inspection apparatus comprising: a display means for displaying a result detected by the detection means; and a control section for controlling the operation of the scanner and each means.
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