JPS5974627A - Method and apparatus for inspecting photo-mask - Google Patents
Method and apparatus for inspecting photo-maskInfo
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- JPS5974627A JPS5974627A JP57184943A JP18494382A JPS5974627A JP S5974627 A JPS5974627 A JP S5974627A JP 57184943 A JP57184943 A JP 57184943A JP 18494382 A JP18494382 A JP 18494382A JP S5974627 A JPS5974627 A JP S5974627A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプリント基板用のフォトマスクのパターンを検
査する方法及び装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for inspecting patterns on photomasks for printed circuit boards.
従来、プリント基板は原版からフォトマスクを作成した
後現像定着処理することによシ作成される。この場合フ
ォトマスクは現像液中のゴミあるいはパターン形成時の
基板との接触等によシバターン上に導体幅小、導体間隔
小、黒点、ピンホール、突起、欠は等の欠陥が発生する
。Conventionally, printed circuit boards are created by creating a photomask from an original plate and then subjecting it to development and fixing processing. In this case, defects such as small conductor width, small conductor spacing, black spots, pinholes, protrusions, and chips occur on the photomask due to dust in the developer or contact with the substrate during pattern formation on the pattern.
このような欠陥に対して従来は実体顕微鏡等を使用した
目視検査によシ検出し修正を行ってきた。しかしながら
、昨今フォトマスクパターンが増々微細化し高密度化さ
れてくるに及び従来の如き目視検査では最早十分に欠陥
を検出しきれず、例えば光ビーム、電子ビーム等の走査
による検査が必要となってきた。この光ビーム、電子ビ
ーム等の走査による検査をよシ的確に行う方法が探求さ
れている。Conventionally, such defects have been detected and corrected by visual inspection using a stereomicroscope or the like. However, as photomask patterns have become increasingly finer and denser in recent years, conventional visual inspections are no longer sufficient to detect defects, and inspections using scanning light beams, electron beams, etc., have become necessary. . A method of more accurately carrying out inspection by scanning with a light beam, an electron beam, etc. is being sought.
本発明の目的は、前述の背景に鑑み、光ビームによる走
査を特に局所領域処理の形態分用いより的確に行うこと
にある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned background, an object of the present invention is to more accurately perform scanning with a light beam, especially by using a form of local area processing.
この目的は、本発明によれば、フォトマスクをスキャナ
により読み取って得た画像データに対してフォトマスク
の検査基準である最小導体幅及び最小導体間隔を検査す
るだめの画素列の長さの捧の長さを有する角度45°単
位で方向を変化させた各8本ずつの測定単位を用い、対
向する測定単位がいずれも導体部、非導体部に相当する
値を有する状態?検出することを特徴とするフォトマス
クの検査方法、?提供することによシ達成され、さらに
本発明によれば、フォトマスクをX−Y方向に移動させ
る自動送シ手段と、光学的手段により投影された前記フ
ォトマスクのパターンを走査し前記パターンの明暗に対
応した画像データを出力するスキャナと、前記スキャナ
により出力された前記画像データを2値化する2値化手
段と、前記2値化手段によ#)2値化された前記画像デ
ータをビット・画素データとして記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されたビット・画素データの中から
、所定の数の画素により構成さ71.た画素列の棒の長
さを有する角度45°単位で方向を変化させた各8本ず
つの画素ダ11 k測定単位とし、前記画素列の対向す
る測定単位がいずれも導体部、非導体部に相当する値を
有する状態を検出する検出手段と、前記検出手段によシ
検出された結果を表示する表示手段と、前記スキャナお
よび各手段の動作制御を行う制御部とを備えることを特
徴とするフォトマスクの検査装置、を提供することによ
シ達成される。According to the present invention, the purpose of this is to provide the length of a pixel column for inspecting the minimum conductor width and minimum conductor spacing, which are the inspection standards of the photomask, using the image data obtained by reading the photomask with a scanner. A state in which eight measurement units each having a length of 45 degrees are used, and each of the opposing measurement units has a value corresponding to a conductor part or a non-conductor part? A photomask inspection method, which is characterized by detecting? Further, according to the present invention, automatic feeding means for moving a photomask in the X-Y direction, and scanning a pattern of the photomask projected by an optical means, a scanner that outputs image data corresponding to brightness and darkness; a binarization unit that binarizes the image data output by the scanner; and a binarization unit that converts the binarized image data into a storage means for storing bit/pixel data;
71. composed of a predetermined number of pixels from among the bit/pixel data stored in the storage means. The measuring unit is 8 pixels each with the length of the bar of the pixel row changed in 45° increments. The present invention is characterized by comprising a detection means for detecting a state having a value corresponding to , a display means for displaying a result detected by the detection means, and a control section for controlling the operation of the scanner and each means. This is achieved by providing a photomask inspection device that performs the following steps.
以下、本発明の一実施例を図面5に従って詳細に説明す
る。第1図は本発明によるフォトマスクの検査方法会実
施するだめの装置を示すブロック線図である。第1図に
おいて1は被検査試料であるフォトマスクを示し、2は
フォトマスクをX−Yステージにて移動させる自動送り
手段を示し、6はフォトマスクのノ(ターンを投影する
光学的手段であり、4は該光学的手段によシ投影された
フォトマスクパターンを該/くターンの明暗に対応した
画像データとして出力するスキャナであり例えばライン
スキャン型固体撮像素子が使用される。セして5は該ス
キャナによυ出力された画像データが固体撮像素子間の
バラツキを含んでいるためこれを補正した後に2値化す
る2値化手段であシ、6は該2値化手段によ#)2値化
された1ビット/画素の画像データをビット・画素デー
タとして記憶する記憶手段であり、7は該ビット・画素
データを順次に読出しパターンの欠陥検出を行い欠陥部
分と判別された場合にはその位置座標を記録しフォトマ
スク1の全体の検査終了後に出力する検出手段であって
、複数個のアンドゲート、およびオアゲートから成る。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a block diagram showing an apparatus for carrying out a photomask inspection method according to the present invention. In Fig. 1, 1 indicates a photomask which is a sample to be inspected, 2 indicates an automatic feeding means for moving the photomask on an X-Y stage, and 6 indicates an optical means for projecting a turn on the photomask. 4 is a scanner that outputs the photomask pattern projected by the optical means as image data corresponding to the brightness and darkness of the turn, and for example, a line scan type solid-state image sensor is used. 5 is a binarization means that binarizes the image data outputted by the scanner after correcting the variation between the solid-state image sensors since it contains the variation, and 6 is a binarization means that is used by the binarization means. #) A storage means for storing binarized 1-bit/pixel image data as bit/pixel data, and 7 is a storage means that sequentially reads out the bit/pixel data and detects defects in the pattern and determines that it is a defective part. In some cases, the detection means records the position coordinates and outputs them after the entire inspection of the photomask 1 is completed, and is composed of a plurality of AND gates and an OR gate.
また8は該検出手段により欠陥部分と判別された位置b
♀標を表示する表示手段であシ例えはX−Yブロックが
使用される。9は上述した2〜B−1:での各手段の動
作を制御する制御部である。このような構成においてX
−Yプロッタ8上に最終的に示された欠陥個所を示した
出力図と前述のフォトマスクを対比させることによりフ
ォトマスクの欠陥部分を修正するようになっている。8 is a position b determined to be a defective part by the detection means.
For example, an XY block is used as a display means for displaying the mark. Reference numeral 9 denotes a control unit that controls the operation of each means in 2 to B-1 described above. In such a configuration
- The defective portion of the photomask is corrected by comparing the output diagram showing the defective portion finally shown on the Y plotter 8 with the aforementioned photomask.
第2図は、本発明によるフォトマスクの検査方法におけ
る画素の配置を示す図である。第2図において、各桝目
は記憶手段に記憶されているビット・画素データを示し
、測定単位は、最小導体幅、最小導体間隔に相当する長
さの強を有する角度45°単位で方向を変化させた各8
本ずつの画素列で構成される。各測定単位に対応する画
素の範囲は次の通りである。FIG. 2 is a diagram showing the arrangement of pixels in the photomask inspection method according to the present invention. In Figure 2, each square indicates bit/pixel data stored in the storage means, and the measurement unit changes direction in 45° angle units with a length corresponding to the minimum conductor width and minimum conductor spacing. 8 each
It consists of one pixel row. The pixel range corresponding to each measurement unit is as follows.
alは(1−10,j)〜(i−1,j)の10画素、
C2は(i+10. j )〜(1千1.j)の1D画
素、C3は(i−7,j)〜(i−1,、+)の7画素
、aしは (1+6. j) 〜 (i+1.j)
の6画素、blは(i、 j−10) 〜(i、
j−1) (7D 10画素、blは(i、 j+10
) 〜(i、 j+1) ノ10画素、b3は(i、j
−7) 〜(i、j−1)の7画素、b4は(i、
j+6) 〜(1,j+1)の6画素、C1は(i−
7,j+7)〜(i−1,j+1) の7画素、C2
は(1+7. j−7)〜(i+1. j 1) の
7画素、C3は(i−4,j−1−4)〜(i−1,j
+1) の4画素、C4は(1+5. j−5)〜(
1+1.j−1) の5画素、dlはB−7,j−7
)〜(土−1,j−1) の7画素、dzは(i+7
. j+7) 〜(i+1. j+1 ) の7画素
、C3は(4−s、j−5)〜(1−1,j−1)
の5画素、C4は(i+4. j+4)〜(t+1.
j+1 ) の4画素、である。これらの測定単位の
うちal、C2、bl、bl、clsC2、dl、C2
は導体幅の検査に、C3,84% b3、b4、C3、
C4、C3、C4は導体間隔の検査に用いられる。なお
この両者は論理的解析において独立して行われるので第
2図に示す位置に限定されるものではない。本実施例に
おいては検査基準として最小導体幅200μm、最小導
体間隔130μmを設定しているので、画像データが1
0μm/画素の場合、導体幅は19画素以下、導体間隔
は12画素以下が欠陥となる。al is 10 pixels from (1-10,j) to (i-1,j),
C2 has 1D pixels from (i+10.j) to (1,011.j), C3 has 7 pixels from (i-7,j) to (i-1,,+), and a has 1D pixels from (1+6.j) to (i+1.j)
6 pixels, bl is (i, j-10) ~ (i,
j-1) (7D 10 pixels, bl is (i, j+10
) ~ (i, j+1) - 10 pixels, b3 is (i, j
-7) ~ (i, j-1) 7 pixels, b4 is (i,
j+6) to (1, j+1), C1 is (i-
7 pixels from 7,j+7) to (i-1,j+1), C2
has 7 pixels from (1+7.j-7) to (i+1.j 1), and C3 has 7 pixels from (i-4,j-1-4) to (i-1,j
+1), C4 is (1+5.j-5)~(
1+1. j-1) 5 pixels, dl is B-7, j-7
) to (Sat-1, j-1), dz is (i+7
.. j+7) ~ (i+1. j+1 ) 7 pixels, C3 is (4-s, j-5) ~ (1-1, j-1)
The 5 pixels of C4 are (i+4.j+4) to (t+1.
j+1) 4 pixels. Among these measurement units, al, C2, bl, bl, clsC2, dl, C2
For inspection of conductor width, C3, 84% b3, b4, C3,
C4, C3, and C4 are used to inspect conductor spacing. Note that these two positions are not limited to the positions shown in FIG. 2 because they are performed independently in logical analysis. In this example, the minimum conductor width of 200 μm and the minimum conductor spacing of 130 μm are set as inspection standards, so the image data is
In the case of 0 μm/pixel, defects occur when the conductor width is 19 pixels or less and the conductor interval is 12 pixels or less.
斜め方向については導体幅は19/ρf:13画素以下
、導体間隔i1:12/メジ中8画素以下を欠陥とする
。但しこれらの画素数は画像データの読取り単位(μm
/画素)および検査基準により変更することが必要であ
る。本実施例では第2図のように2画素分を加算した長
さの汐を測定単位上している。ただし画素数が偶数の場
合は中心位置(i、j)はずれることになる。また画像
データの1は導体部、0は非導体部に相当するものとす
る。In the diagonal direction, the conductor width is 19/ρf: 13 pixels or less, and the conductor interval i1: 12/8 pixels or less in the medium is considered defective. However, the number of pixels is the reading unit of image data (μm
/pixel) and inspection standards. In this embodiment, as shown in FIG. 2, the measurement unit is the sum of two pixels. However, if the number of pixels is even, the center position (i, j) will be shifted. Further, it is assumed that 1 in the image data corresponds to a conductor portion and 0 corresponds to a non-conductor portion.
図面の縦方向の導体幅についてはal、C2の各測定単
位を検査する。al の周辺部(1−10゜j)から
中心部(1−1,j) に向って0→1の変化があり
、C2の周辺部(i+1o、、)) から中心部(i
+1.j)に向って0→1の変化があったとき導体幅は
19画素以下と判別できる。Regarding the conductor width in the vertical direction of the drawing, each measuring unit of al and C2 is inspected. There is a change of 0 → 1 from the periphery (1-10゜j) of C2 to the center (1-1, j), and from the periphery (i+1o, )) of C2 to the center (i
+1. j) When there is a change from 0 to 1, the conductor width can be determined to be 19 pixels or less.
また縦方向の導体間隔についてはC3、C4の測定単位
を検査する。C3の周辺部(1−7,Dから中心部(i
−1,j)に向って1→0の変化があ)、C4の周辺部
(1+6.j)から中心部(i+1.j)に向って1→
0の変化があったとき導体間隔は12画素以下と判別で
きる。Also, regarding the conductor spacing in the vertical direction, the measurement units of C3 and C4 are inspected. Peripheral part of C3 (1-7, D to central part (i
-1,j), and 1→0 from the periphery (1+6.j) to the center (i+1.j) of C4.
When there is a change of 0, it can be determined that the conductor spacing is 12 pixels or less.
その他の方向の欠陥についてはb1〜d4の測定単位を
検査することによシ同様に判別できる。Defects in other directions can be similarly determined by inspecting the measurement units b1 to d4.
第6図は、本発明によるフォトマスクの検査装置におけ
る検出手段70回路図である。第3図は測定単位1本当
シの回路図であり、この場合測定単位の長さすなわち画
素数は5画素で図示しであるが画素数は前述したような
条件によシ適正値が設定される。同図において、導体間
隔の検査の場合には5画素の上方に位置するものが周辺
部で下方に移るにつれ中心部となる。FIG. 6 is a circuit diagram of the detection means 70 in the photomask inspection apparatus according to the present invention. Figure 3 is a circuit diagram for one measurement unit, and in this case, the length of the measurement unit, that is, the number of pixels, is shown as 5 pixels, but the number of pixels is set to an appropriate value according to the conditions described above. Ru. In the same figure, in the case of inspecting the conductor spacing, the area located above five pixels is located at the periphery, and as it moves downward, it becomes the center area.
これに対し導体幅の検査の場合にはこの方向が逆となる
。アンドゲート11は測定単位10の隣シ合う上下の画
素が1から0へ変化したとき1を出力する。オアゲート
12はアンドゲート11が1つでも1となれば1を出力
する。On the other hand, when inspecting the conductor width, this direction is reversed. The AND gate 11 outputs 1 when adjacent upper and lower pixels of the measurement unit 10 change from 1 to 0. The OR gate 12 outputs 1 if even one AND gate 11 becomes 1.
第4図(a)、 (b)および(O)により、本発明に
よるフォトマスクの検査方法によって検査した結果につ
いて説明する。第4図において斜線部は導体部、その他
は非導体部を示す。The results of inspection by the photomask inspection method according to the present invention will be explained with reference to FIGS. 4(a), (b), and (O). In FIG. 4, the shaded portions indicate conductor portions, and the other portions indicate non-conductor portions.
第4図(a)は図面の横方向で゛導体幅小#(19画素
)となっている。測定単位b1、blとも周辺部から中
心部に向って0→1の変化があり欠陥と判別できる。In FIG. 4(a), the conductor width is small (19 pixels) in the horizontal direction of the drawing. Both measurement units b1 and bl change from 0 to 1 from the periphery to the center, which can be determined as a defect.
第4図(b)は横方向で”導体間隔小’ (12画素)
となっている。測定単位b3、b4とも周辺部から中心
部に向って1→0の変化があシ欠陥と判別できる。Figure 4(b) shows "small conductor spacing" (12 pixels) in the horizontal direction.
It becomes. For both measurement units b3 and b4, a change from 1 to 0 from the periphery toward the center can be identified as a defect.
第4図(0)は斜め方向で゛導体幅小” (16画素)
となっている。測定単位(11,dzとも周辺部から中
心部に向って0→1の変化があシ欠陥と判別できる。Figure 4 (0) shows "small conductor width" in diagonal direction (16 pixels)
It becomes. The measurement unit (11, dz) can be identified as a defect if there is a change from 0 to 1 from the periphery to the center.
第4図(d)は斜め方向で導体間隔小(8画素)となっ
ている。In FIG. 4(d), the conductor spacing is small (8 pixels) in the diagonal direction.
測定単位d3.6.4とも周辺部から中心部に向って1
→0の変化があシ欠陥と判別できる。Measurement unit d3.6.4: 1 from the periphery to the center
→A change of 0 can be identified as a defect.
第4図(θ)d、2値化によシ(IXl)画素分の突起
が生じた場合である。この突起部の導体幅は19画素以
下であり欠陥の基準にあてはまるが欠陥ではない。測定
単位b! 、b2では周辺部から中心部に向って0→1
の変化はないため欠陥から除外できる。また突起部の位
置が(1゜j)から水平方向にずれた場合もbl p
b2の一方に0→1の変化が生じるのみであシ、欠陥
から除外できる。FIG. 4(θ)d shows a case where a protrusion corresponding to IXl pixels is generated due to binarization. The conductor width of this protrusion is 19 pixels or less, which meets the criteria for a defect, but is not a defect. Unit of measurement b! , in b2, 0 → 1 from the periphery to the center
Since there is no change in , it can be excluded as a defect. Also, if the position of the protrusion deviates from (1°j) in the horizontal direction, bl p
Since only a change from 0 to 1 occurs on one side of b2, it can be excluded from defects.
第4図(f)はリードの曲がり、またはランドの角に相
当する部分である。2値化による突起が組み合わされ測
定単位b1、C1で1→0.0→1の変化がある。しか
し対向する測定単位であるb2、C2では1→0の変化
がないため欠陥から除外できる。FIG. 4(f) shows a portion corresponding to the bend of the lead or the corner of the land. The protrusions resulting from binarization are combined, and there is a change of 1→0.0→1 in the measurement units b1 and C1. However, since there is no change from 1 to 0 in b2 and C2, which are opposing units of measurement, they can be excluded from defects.
以上詳細に説明したように本発明によるフォトマスクの
検査方法および装置と使用することによってパターンの
欠陥検出を的確に行い得る効果がある。As described in detail above, by using the photomask inspection method and apparatus according to the present invention, it is possible to accurately detect pattern defects.
第1図は、本発明によるフォトマスクの検査装置を示す
ブロック線図、
第2図は、本発明によるフォトマスクの検査方法におけ
る画素の配置6と示す図、
第6図−1、本発明によるフォトマスクの検査装置にお
ける検出手段の検出回路、および第4図(a)、 (b
)、((J、 (d)、 (e)および(f)は本発明
によるフォトマスクの検査方法と説明する図である。
(符号の説明)
1・・・フォトマスク
2・・・自動送り手段
6・・・光学的手段
4・・・スキャナ
5・・・2値化手段
6・・・記憶手段
7・・・検出手段
8・・・表示手段
9・・・制御部
10・・・測定単位
11・・・アンドゲート群
12・・・オアゲート
al ゞa4 p bl ゞb4 HC1””” C
4* (11ゞa。
・・・測定単位
第1 図
第2図
↓−IQ j−7j ル
◆6 1令10尤−10几−7j
、jφ6 1中10第4図 (b)
第4図 (c)
先−+o i−7尤 ↓會6
L中10第4図(d)
1−10 上−7上 1.
6 1++。
第4図(e)FIG. 1 is a block diagram showing a photomask inspection apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing pixel arrangement 6 in the photomask inspection method according to the present invention. The detection circuit of the detection means in the photomask inspection device, and FIGS. 4(a) and 4(b)
), ((J, (d), (e), and (f) are diagrams explaining the photomask inspection method according to the present invention. (Explanation of symbols) 1... Photomask 2... Automatic feeding Means 6...Optical means 4...Scanner 5...Binarization means 6...Storage means 7...Detection means 8...Display means 9...Control unit 10...Measurement Unit 11...AND gate group 12...OR gate al ゞa4 p bl ゞb4 HC1"""C
4* (11ゞa. ...Measurement unit No. 1 Fig. 2 ↓-IQ j-7j le◆6 1Ryo10尤-10几-7j
, jφ6 1 out of 10 Fig. 4 (b) Fig. 4 (c) Destination −+o i−7尤 ↓會6
L Middle 10 Figure 4 (d) 1-10 Top-7 Top 1.
6 1++. Figure 4(e)
Claims (1)
像データに対してフォトマスクの検査基準である最小導
体幅及び最小導体間隔を検査するだめの画素列、の長さ
の機の長さを有する角度45°単位で方向を変化させた
各8本ずつの測定単位を用い、対向する測定単位がいず
れも導体部、非導体部に相当する値を有する状態を検出
することを特徴とするフォトマスクの検査方法。 Z フォトマスク1x−y方向に移動させる自動送シ手
段と、光学的手段により投影された前記フォトマスクの
パターンを走査し前記パターンの明暗に対応した画像デ
ータを出力するスキャナと、前記スキャナにより出力さ
れた前記画像データを2値化する2値化手段と、前記2
値化手段にょシ2値化された前記画像データをビット・
画素データとして記憶する記憶手段と、前記記憶手段に
記憶されたビット・画素データの中から、所定の数の画
素によ多構成された画素列の碌の長さを有する角度45
°単位で方向を変化させた各8本ずつの画素列を測定単
位とし、前記画素列の対向する測定単位がいずれも導体
部、非導体部に相当する値を有する状態を検出する検出
手段と、前記検出手段によシ検出された結果を表示する
表示手段と、前記スキャナおよび各手段の動作制御を行
う制御部とを備えることを特徴とするフォトマスクの検
査装置。[Claims] 1. The length of the pixel row used to inspect the minimum conductor width and minimum conductor spacing, which are the inspection standards for the photomask, with respect to the image data obtained by scanning the photomask with a scanner. Using eight measuring units each with a length of 45° and whose direction is changed in 45° increments, it is possible to detect a state in which the opposing measuring units both have values corresponding to conductive parts and non-conductive parts. Characteristic photomask inspection method. Z: automatic feeding means for moving the photomask 1 in the x-y direction; a scanner for scanning the pattern of the photomask projected by an optical means and outputting image data corresponding to the brightness and darkness of the pattern; a binarizing means for binarizing the image data;
The digitization means converts the binarized image data into bits.
A storage means for storing pixel data, and an angle 45 having the length of a pixel row composed of a predetermined number of pixels from among the bit/pixel data stored in the storage means.
Detection means for detecting a state in which each eight pixel rows whose direction is changed in degrees is used as a measurement unit, and the opposing measurement units of the pixel rows have values corresponding to a conductor portion and a non-conductor portion. A photomask inspection apparatus comprising: a display means for displaying a result detected by the detection means; and a control section for controlling the operation of the scanner and each means.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57184943A JPS5974627A (en) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Method and apparatus for inspecting photo-mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP57184943A JPS5974627A (en) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Method and apparatus for inspecting photo-mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS5974627A true JPS5974627A (en) | 1984-04-27 |
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ID=16162063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57184943A Pending JPS5974627A (en) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | Method and apparatus for inspecting photo-mask |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5974627A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62119442A (en) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting apparatus |
EP0488188A2 (en) * | 1990-11-27 | 1992-06-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for inspecting the width of a wiring line on a printed board |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57184943A patent/JPS5974627A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62119442A (en) * | 1985-11-20 | 1987-05-30 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting apparatus |
EP0488188A2 (en) * | 1990-11-27 | 1992-06-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for inspecting the width of a wiring line on a printed board |
EP0488188B1 (en) * | 1990-11-27 | 1995-06-21 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for inspecting the width of a wiring line on a printed board |
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