JPS6390188A - レーザ送信器 - Google Patents
レーザ送信器Info
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- JPS6390188A JPS6390188A JP62242408A JP24240887A JPS6390188A JP S6390188 A JPS6390188 A JP S6390188A JP 62242408 A JP62242408 A JP 62242408A JP 24240887 A JP24240887 A JP 24240887A JP S6390188 A JPS6390188 A JP S6390188A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザとこのレーザに結合された外部
光共振器を含み送信器出力が共振器から取り出される狭
帯域レーザ送信器に関するものである。従ってこの発明
のレーザ送信器では送信器の波長選択作用を司る共振器
から出力が引き出される。
光共振器を含み送信器出力が共振器から取り出される狭
帯域レーザ送信器に関するものである。従ってこの発明
のレーザ送信器では送信器の波長選択作用を司る共振器
から出力が引き出される。
〔従来の技術〕
この種の送信器については既にドイツ連邦共和国特許出
願公開第3600726号公報の特に第2図に示されて
いるが、この送信器の外部光共振器は方向性結合器の形
であり、2つの光ファイバが特定の結合区間において狭
い間隔を保って並行しその間に光出力の過結合が生ずる
。これらの光ファイバの一方は半導体レーザに結合され
、この光ファイバに結合されたレーザ光線は部分透過性
の帰還結合装置に導かれ、その一部が結合区間に戻され
る。帰還結合装置を透過したレーザ光部分はストライプ
形の光ファイバを通して方向性結合器の他方の光ファイ
バに導かれる。送信器の出力はこの他方の光ファイバか
ら引き出される。
願公開第3600726号公報の特に第2図に示されて
いるが、この送信器の外部光共振器は方向性結合器の形
であり、2つの光ファイバが特定の結合区間において狭
い間隔を保って並行しその間に光出力の過結合が生ずる
。これらの光ファイバの一方は半導体レーザに結合され
、この光ファイバに結合されたレーザ光線は部分透過性
の帰還結合装置に導かれ、その一部が結合区間に戻され
る。帰還結合装置を透過したレーザ光部分はストライプ
形の光ファイバを通して方向性結合器の他方の光ファイ
バに導かれる。送信器の出力はこの他方の光ファイバか
ら引き出される。
上記のレーザ送信器を使用して将来の光フアイバ通信系
特にヘテロダイン受信又はホモダイン受信を行うものに
おいて必要となる極めて狭帯域の単モード発振が達成さ
れる。
特にヘテロダイン受信又はホモダイン受信を行うものに
おいて必要となる極めて狭帯域の単モード発振が達成さ
れる。
このようなレーザ送信器にはシステムファイバが半導体
レーザの一方の側に結合され、共振器がその反対側に結
合されるレーザ送信器と異り共振器とシステムファイバ
が半導体レーザの同じ側に結合されることにより位置整
合の問題が著しく軽減され、又システムファイバと外部
共振器の結合に際して要求される高度の機械的安定性が
より良く達成されるという利点がある。
レーザの一方の側に結合され、共振器がその反対側に結
合されるレーザ送信器と異り共振器とシステムファイバ
が半導体レーザの同じ側に結合されることにより位置整
合の問題が著しく軽減され、又システムファイバと外部
共振器の結合に際して要求される高度の機械的安定性が
より良く達成されるという利点がある。
この発明の目的は、冒頭に挙げた種類のレーザ送信器に
対して微小オプチック構成とレーザ光の自由伝搬を可能
にする構成のプランを提供することである。
対して微小オプチック構成とレーザ光の自由伝搬を可能
にする構成のプランを提供することである。
C問題点を解決するための手段〕
この目的は特許請求の範囲第1項に特徴とじて挙げた構
成によって達成される。
成によって達成される。
放出レーザ出力の一部を反射させることにより細い線幅
の単モードレーザ発振を強制することができる。
の単モードレーザ発振を強制することができる。
この発明のレーザ送信器に使用される格子装置の有利な
構成は特許請求の範囲第2墳乃至第8項に示される。
構成は特許請求の範囲第2墳乃至第8項に示される。
この発明のレーザ送信器は特許請求の範囲第9項による
構成とするのが特に有利である。コリメータ光学系によ
って作られたコリメートされたレーザ光線は格子装置の
波長選択作用を最高にする。
構成とするのが特に有利である。コリメータ光学系によ
って作られたコリメートされたレーザ光線は格子装置の
波長選択作用を最高にする。
格子装置とコリメータ光学系の組合せにより狭い波長範
囲だけが半導体レーザに戻されその上に集束される。こ
の作用はコリメータ光学系が特許請求の範囲第9項に従
ってグラジェントレンズから成るとき特に強力である。
囲だけが半導体レーザに戻されその上に集束される。こ
の作用はコリメータ光学系が特許請求の範囲第9項に従
ってグラジェントレンズから成るとき特に強力である。
特許請求の範囲第10項による実施態様は特許請求の範
囲第11項に従う構成のときこの発明のレーザ送信器の
マイクロオブチック構成に対して特に適している。
囲第11項に従う構成のときこの発明のレーザ送信器の
マイクロオブチック構成に対して特に適している。
この発明のレーザ送信器を光ビームの自由伝搬型とする
ことに対しては特許請求の範囲第12項による構成が有
利である。
ことに対しては特許請求の範囲第12項による構成が有
利である。
この発明のレーザ送信器には特許請求の範囲第13項に
より集束光学系を設けるのが効果的である。この光学系
は特許請求の範囲第14項によりグラジェントレンズで
構成するのが有利である。
より集束光学系を設けるのが効果的である。この光学系
は特許請求の範囲第14項によりグラジェントレンズで
構成するのが有利である。
この送信器はマイクロオプチック構成ならびに自由伝搬
型構成の双方に使用される。集束性のグラジェントレン
ズは特許請求の範囲第15項に従って構成するのが特に
有利である。これによってレーザ送信器の出力を伝送す
るシステムファイバを直接グラジェントレンズに突き合
せ結合することが可能となる。
型構成の双方に使用される。集束性のグラジェントレン
ズは特許請求の範囲第15項に従って構成するのが特に
有利である。これによってレーザ送信器の出力を伝送す
るシステムファイバを直接グラジェントレンズに突き合
せ結合することが可能となる。
レーザ送信器のマイクロオプチック構成に対しては特許
請求の範囲第14項又は第15項による送信器を特許請
求の範囲第16項に従って構成するのが効果的である。
請求の範囲第14項又は第15項による送信器を特許請
求の範囲第16項に従って構成するのが効果的である。
例えば調整用として補助のモニタ出力端を必要とすると
きはこの発明のレーザ送信器に対して補助の光ビーム分
割器をその光路中に設けてビームの一部をモニタ用とし
て分離することができる。
きはこの発明のレーザ送信器に対して補助の光ビーム分
割器をその光路中に設けてビームの一部をモニタ用とし
て分離することができる。
この補助のビーム分割器は特許請求の範囲第17項に従
いレーザ放射光の光路内に設ける。
いレーザ放射光の光路内に設ける。
特許請求の範囲第17項によるレーザ送信器の有利な実
施態様は特許請求の範囲第18項および第19項に示さ
れる。
施態様は特許請求の範囲第18項および第19項に示さ
れる。
この発明の1つの実施例では波長の同調が共振器全体を
半導体レーザに対して横に移動させることにより可能で
ある。微調節は共振器長即ち半導体レーザと格子装置の
間の光学距離の調整による。
半導体レーザに対して横に移動させることにより可能で
ある。微調節は共振器長即ち半導体レーザと格子装置の
間の光学距離の調整による。
−例として波長が1.3μmで外部共振器内の光学距離
が15mmのとき波長の変化は15Ghz/nmとなる
。
が15mmのとき波長の変化は15Ghz/nmとなる
。
・ 単モードスペクトルの線幅は外部共振器の長さに
反比例するから、小さい線幅を達成するためには格子装
置の前に置かれたグラジェントレンズをそのピッチ長の
数倍だけ長くする。これによって光ビームの質は影響を
受けず装置の安定性も損なわれない。
反比例するから、小さい線幅を達成するためには格子装
置の前に置かれたグラジェントレンズをそのピッチ長の
数倍だけ長くする。これによって光ビームの質は影響を
受けず装置の安定性も損なわれない。
この発明のレーザ送信器のマイクロオブチック構成は極
めてコンパクトな形態とすることができる。
めてコンパクトな形態とすることができる。
図面に示した実施例についてこの発明を更に詳細に説明
する。
する。
第1図に示したマイクロオプチック型の実施例では半導
体レーザHLから発散放出されたレーザ先光路St内に
コリメートされたグラジェントレンズKOが設けられ、
発散光をほぼ平行光線にコリメートする。グラジェント
レンズKOの一方の端面ば半導体レーザHLに向けられ
、透明柱状体PKの光路Stの軸Aに垂直の側面SFO
に固定される。この柱状体の半導体レーザに対向し軸A
に対して傾斜した側面SFには半透明光格子TGが例え
ばのこぎり歯形の位相格子の形で形成されている。角柱
PKの半導体レーザに対して反対の側には第二の透明角
柱PK2が設けられ、角柱PKと合体して1つの平行6
面体を形成する。格子TGはこの第2の角柱に作ること
も可能である。
体レーザHLから発散放出されたレーザ先光路St内に
コリメートされたグラジェントレンズKOが設けられ、
発散光をほぼ平行光線にコリメートする。グラジェント
レンズKOの一方の端面ば半導体レーザHLに向けられ
、透明柱状体PKの光路Stの軸Aに垂直の側面SFO
に固定される。この柱状体の半導体レーザに対向し軸A
に対して傾斜した側面SFには半透明光格子TGが例え
ばのこぎり歯形の位相格子の形で形成されている。角柱
PKの半導体レーザに対して反対の側には第二の透明角
柱PK2が設けられ、角柱PKと合体して1つの平行6
面体を形成する。格子TGはこの第2の角柱に作ること
も可能である。
格子装置GEはこの2つの角柱PK、PKIと格子TG
で構成される。
で構成される。
第2角柱PK2の半導体レーザHLに対して反対側の側
面には集束グラジェントレンズFOがその終端面で固定
され、格子TGと第2角柱PK2を透過したレーザ光部
分St2を結合個所KS上に集める。このグラジェント
レンズFOの長さしは、レーザ光部分St2の焦点Fが
半導体レーザに対して反対側のグラジェントレンズ終端
面EF上にあるように選ばれる。これによって送信器L
Sの出力を伝送するシステムファイバSyFが第1図に
示すように直接グラジェントレンズFOに突き合せ結合
されるという利点が得られる。
面には集束グラジェントレンズFOがその終端面で固定
され、格子TGと第2角柱PK2を透過したレーザ光部
分St2を結合個所KS上に集める。このグラジェント
レンズFOの長さしは、レーザ光部分St2の焦点Fが
半導体レーザに対して反対側のグラジェントレンズ終端
面EF上にあるように選ばれる。これによって送信器L
Sの出力を伝送するシステムファイバSyFが第1図に
示すように直接グラジェントレンズFOに突き合せ結合
されるという利点が得られる。
二重角柱形の格子装置は光ビームの通路を節単にしてシ
ステムファイバSyFへの結合効率を高める。
ステムファイバSyFへの結合効率を高める。
格子TOは又半導体レーザHLの放出光ビームの狭帯域
部分St1を半導体レーザに戻す、格子TGの波長選択
作用は固定結合されたコリメータ・グラジェントレンズ
KOによって最適化されるが、これはこのレンズKOが
半導体レーザHLから適当な距離に置かれるとコリメー
トされたビームStを作ることによる。グラジェントレ
ンズKOと格子装置GEの組合せにより1つの狭い波長
範囲だけが反射され、半導体レーザ光部分に集束される
。
部分St1を半導体レーザに戻す、格子TGの波長選択
作用は固定結合されたコリメータ・グラジェントレンズ
KOによって最適化されるが、これはこのレンズKOが
半導体レーザHLから適当な距離に置かれるとコリメー
トされたビームStを作ることによる。グラジェントレ
ンズKOと格子装置GEの組合せにより1つの狭い波長
範囲だけが反射され、半導体レーザ光部分に集束される
。
第1図の装置はその構成要素の関係で極めてコンパクト
な構成となる。
な構成となる。
第2図に示したビーム自由伝搬形レーザ光部分の構成は
格子装置GEに関しては第1図のマイクロオプチック構
成に対応するもので、その格子装置GEの格子TGは部
分透過性格子である。第2図の装置のコリメータ光学系
KOは半導体レーザHLから発散放出されるレーザ光ビ
ームの光路St中に設けられた顕微鏡対物レンズから成
る。このレンズは発散レーザ光線を平行光線に変えるが
、対物レンズを通過した後は自由に伝搬する。この自由
伝搬光路St内に格子装置GEが設けられる。
格子装置GEに関しては第1図のマイクロオプチック構
成に対応するもので、その格子装置GEの格子TGは部
分透過性格子である。第2図の装置のコリメータ光学系
KOは半導体レーザHLから発散放出されるレーザ光ビ
ームの光路St中に設けられた顕微鏡対物レンズから成
る。このレンズは発散レーザ光線を平行光線に変えるが
、対物レンズを通過した後は自由に伝搬する。この自由
伝搬光路St内に格子装置GEが設けられる。
この格子装置は光路Stの軸Aに対して斜めに置かれた
平行6面体形の透明体PKIと、例えば半導体レーザに
向った平行6面体PKIの側面SF1に形成された位相
格子の形の部分透過性格子TGから構成される。格子T
Gから半導体レーザHLに戻されるレーザ光部分Stl
は顕微鏡対物レンズKOによって半導体レーザ光部分に
集束される。格子TOと平行6面体PK1を通過したレ
ーザ光部分St2はフォニカッシング光学系FOにより
結合個所KSに集束される。このフオーカッレンズ光学
系FOは導入された光の一部を絞り取ることも可能であ
る。この光学系は格子装置GEに集積されるもので、第
1図の実施例と同様にグラジェントレンズを使用するこ
とができ、その長さは集束レーザ光部分St2の焦点F
が半導体レーザに対して反対側の終端面EF上にあるよ
うに選定される。
平行6面体形の透明体PKIと、例えば半導体レーザに
向った平行6面体PKIの側面SF1に形成された位相
格子の形の部分透過性格子TGから構成される。格子T
Gから半導体レーザHLに戻されるレーザ光部分Stl
は顕微鏡対物レンズKOによって半導体レーザ光部分に
集束される。格子TOと平行6面体PK1を通過したレ
ーザ光部分St2はフォニカッシング光学系FOにより
結合個所KSに集束される。このフオーカッレンズ光学
系FOは導入された光の一部を絞り取ることも可能であ
る。この光学系は格子装置GEに集積されるもので、第
1図の実施例と同様にグラジェントレンズを使用するこ
とができ、その長さは集束レーザ光部分St2の焦点F
が半導体レーザに対して反対側の終端面EF上にあるよ
うに選定される。
第2図の実施例では取り出し可能の出力の最大値は顕微
鏡対物レンズを通す結合の質ならび格子TGの反射性能
に関係する。共振器の長さと帰還結合度の変更はこの実
施例の場合容易である。
鏡対物レンズを通す結合の質ならび格子TGの反射性能
に関係する。共振器の長さと帰還結合度の変更はこの実
施例の場合容易である。
狭い線幅と単モード性を達成する多くの公知装置におい
ては、帰還結合を伴う自由な光伝搬はリドロウ(Lit
trow)型の格子によって実現した。これらの装置は
総て半導体レーザへの両側からの結合を利用し、送信器
の出力は半導体レーザの一方の側から取り出され、外部
共振器は反対側からレーザに結合される。
ては、帰還結合を伴う自由な光伝搬はリドロウ(Lit
trow)型の格子によって実現した。これらの装置は
総て半導体レーザへの両側からの結合を利用し、送信器
の出力は半導体レーザの一方の側から取り出され、外部
共振器は反対側からレーザに結合される。
第3図に示すマイクロオプチック構成のレーザ送信器は
、主として格子装置GEの格子が反射性格子RGである
点で第1図のものと異る。この格子はできるだけ高い反
射性能のものでなければならない、第1図の実施例と同
様に発散レーザ光はグラジェントレンズKOによってコ
リメートされ、格子装置GEは透明プリズムPKから成
る。プリズムの半導体レーザに対して反対側の側面SF
に例えばのこぎり歯プロフィルを示すリリーフ状格子の
形の反射性格子RGが設けられる。
、主として格子装置GEの格子が反射性格子RGである
点で第1図のものと異る。この格子はできるだけ高い反
射性能のものでなければならない、第1図の実施例と同
様に発散レーザ光はグラジェントレンズKOによってコ
リメートされ、格子装置GEは透明プリズムPKから成
る。プリズムの半導体レーザに対して反対側の側面SF
に例えばのこぎり歯プロフィルを示すリリーフ状格子の
形の反射性格子RGが設けられる。
レーザ送信器LSの出力の取り出しにはビーム分割器S
Tが必要である。この分割器はグラジェントレンズKO
と角柱PKの間でレーザ先光路St内に設けられ、レー
ザ光の一部St2を光路Stから例えば軸Aに対して9
0°の方向に偏向する。ビーム分割器STは角柱PKの
1つの面例えば半導体レーザHLに対向する側面SFO
に固定される。ビーム分割器STは立方体とすることが
できる。
Tが必要である。この分割器はグラジェントレンズKO
と角柱PKの間でレーザ先光路St内に設けられ、レー
ザ光の一部St2を光路Stから例えば軸Aに対して9
0°の方向に偏向する。ビーム分割器STは角柱PKの
1つの面例えば半導体レーザHLに対向する側面SFO
に固定される。ビーム分割器STは立方体とすることが
できる。
レーザ光の偏向された部分St2は集束光学系FOによ
って結合個所KS上に集められる。集束光学系FOも角
柱PKに固定するのが効果的である。この光学系は第1
図、第2図の実施例と同様に適当な長さのグラジェント
レンズとすることができる。この光学系によりレーザ光
の偏向部分St2の焦点Fが分割器STに対して反対側
の終端面EF上に置かれる。グラジェントレンズの固定
にはその側面を角柱PKの半導体レーザHLに向った側
の側面SFOに固定するのが効果的である。
って結合個所KS上に集められる。集束光学系FOも角
柱PKに固定するのが効果的である。この光学系は第1
図、第2図の実施例と同様に適当な長さのグラジェント
レンズとすることができる。この光学系によりレーザ光
の偏向部分St2の焦点Fが分割器STに対して反対側
の終端面EF上に置かれる。グラジェントレンズの固定
にはその側面を角柱PKの半導体レーザHLに向った側
の側面SFOに固定するのが効果的である。
ビーム分割器Stは半導体レーザHLに戻されるレーザ
光部分Stlの一部も偏向する。このことは第3図には
示されていないが利用されているものである。
光部分Stlの一部も偏向する。このことは第3図には
示されていないが利用されているものである。
第3図の実施例も極めてコンパクトな構成である。
第4図に示したレーザ送信器のマイクロオプチック構成
は、コリメータ光学系KOと格子装置GEの間でレーザ
先光路St中に補助のビーム分割器Stlが設けられた
レーザ光の一部St3をモニタ用として分離し、この分
離された部分St3の光路中に集束光学系FOIが設け
られている点で第1図の実施例と異る。補助のビーム分
割器STlは第3図の実施例のビーム分割器STと同様
に角柱PKに固定された立方体とすることができる。集
束光学系FOIも第3図の実施例のFOと同様に角柱P
Kに固定されたグラジェントレンズとすることができる
。このレンズはレーザ光の分離部分St3の焦点F1を
ビーム分割器Stlに対して反対側の終端面EFI上に
置く、これによってモニタ光ファイバMoFを直接集束
光学系FO1に突き合せ結合することが可能となる。
は、コリメータ光学系KOと格子装置GEの間でレーザ
先光路St中に補助のビーム分割器Stlが設けられた
レーザ光の一部St3をモニタ用として分離し、この分
離された部分St3の光路中に集束光学系FOIが設け
られている点で第1図の実施例と異る。補助のビーム分
割器STlは第3図の実施例のビーム分割器STと同様
に角柱PKに固定された立方体とすることができる。集
束光学系FOIも第3図の実施例のFOと同様に角柱P
Kに固定されたグラジェントレンズとすることができる
。このレンズはレーザ光の分離部分St3の焦点F1を
ビーム分割器Stlに対して反対側の終端面EFI上に
置く、これによってモニタ光ファイバMoFを直接集束
光学系FO1に突き合せ結合することが可能となる。
第1図の実施例も極めてコンパクトな構成を特徴とする
ものである。
ものである。
レーザ送信器の各実施例には第4図に一例として示した
モニタ装置を設けることができる。
モニタ装置を設けることができる。
上記の各レーザ送信器の利点は、格子と共振器長によっ
て放出スペクトルの調節が可能となる点にあることを最
後に指摘しておく。
て放出スペクトルの調節が可能となる点にあることを最
後に指摘しておく。
外部共振器に対して反対側の半導体レーザ表面は鏡面に
すると効果的である。これによりボンピング系を同じに
してしきい値電流の低下に基き光出力が上昇し寄生的の
反射に対する感受性が低下する。このことは外部共振器
を備え一方側結合が行われるすべてのレーザ送信器につ
いて言えることである。
すると効果的である。これによりボンピング系を同じに
してしきい値電流の低下に基き光出力が上昇し寄生的の
反射に対する感受性が低下する。このことは外部共振器
を備え一方側結合が行われるすべてのレーザ送信器につ
いて言えることである。
第1図は部分透過性の格子が2つのプリズムとグラジェ
ントレンズの間に設けられているマイクロオプチ7り構
成の実施例、第2図は光ビームが自由伝搬する実施例、
第3図は反射性格子とビーム分割器と2つのグラジェン
トレンズを備えるマイクロオプチック構成の実施例、第
4図は第1図の実施例に補助のビーム分割器とモニタ用
の集束光学系を加えた実施例の側面図を示す。 HL・・・半導体レーザ、ER・・・外部共振器、C,
E・・・光学格子装置、KO・・・コリメータ光学系、
FO・・・集束光学系。
ントレンズの間に設けられているマイクロオプチ7り構
成の実施例、第2図は光ビームが自由伝搬する実施例、
第3図は反射性格子とビーム分割器と2つのグラジェン
トレンズを備えるマイクロオプチック構成の実施例、第
4図は第1図の実施例に補助のビーム分割器とモニタ用
の集束光学系を加えた実施例の側面図を示す。 HL・・・半導体レーザ、ER・・・外部共振器、C,
E・・・光学格子装置、KO・・・コリメータ光学系、
FO・・・集束光学系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体レーザ(HL)とそれに結合された外部光共
振器(ER)を備え、送信器(LS)の出力がこの共振
器(ER)から取り出し可能である狭帯域レーザ送信器
において、共振器(ER)が半導体レーザ(HL)の放
出光ビーム中に置かれた光学格子装置(GE)から成り
、そこに導かれたレーザ光の一部(St1)を半導体レ
ーザ(HL)に戻し、別の一部(St2)を結合個所(
KS)に導き、そこでこの一部(St2)が出力として
取り出し可能であることを特徴とするレーザ送信器。 2)格子装置(GE)が半透明光学格子(TG)を備え
、この格子からレーザ光の狭帯域部分(St1)が逆向
きに半導体レーザ(HL)に向って回折し、透過部分(
St2)は結合個所(KS)の方向に放射されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の送信器。 3)半透明光学格子(TG)が柱状体(PK、PK1)
の1つの側面上にレーザ光に対して透明な材料で形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
送信器。 4)半透明光学格子(TG)が位相格子であることを特
徴とする特許請求の範囲第3項記載の送信器。 5)格子装置(GE)が狭帯域出力部分(St1)を半
導体レーザ(HL)に向けて回折する反射格子(RC)
であって放出されたレーザ光ビーム中に設けられ、この
光ビームの一部を分割して第2部分(St2)として結
合個所(KS)に向ける光ビーム分割器を備えること特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の送信器。 6)反射格子(RG)が柱状体(PK)の1つの側面上
に形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第5
項記載の送信器。 7)柱状体(PK)が放出レーザ光ビーム路(St)中
に置かれたレーザ光に対して透明な材料から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載の送信器。 8)光ビーム分割器(St)が柱状体(PK)に固定さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載の
送信器。 9)半導体レーザ(HL)と格子装置(GE)の間の放
出レーザ光路(St)中にレーザ光ビームをコリメート
するコリメータ光学系(KO)が設けられ、この光学系
が同時に半導体レーザ(HL)に戻されるレーザ光の狭
帯域部分(St1)を半導体レーザ(HL)上に集束す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第8項の
1つに記載の送信器。 10)コリメータ光学系(KO)が1つのグラジェント
レンズで構成されることを特徴とする特許請求の範囲第
9項記載の送信器。 11)グラジェントレンズ(KO)が柱状体(PK)に
固定されていることを特徴とする特許請求の範囲第7項
、第8項又は第10項記載の送信器。 12)コリメータ光学系(KO)が半導体レーザ(HL
)と格子装置(GE)の間で自由なレーザ光路(St)
に設けられた顕微鏡対物レンズから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第9項記載の送信器。 13)結合個所(KS)に導かれたレーザ光部分(St
2)の光路にこのレーザ光部分を結合個所に集束する集
束光学系(FO)が設けられていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第12項の1つに記載の送信器
。 14)集束光学系(FO)がグラジェントレンズから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第13項記載の送信
器。 15)結合個所(KS)に導かれるレーザ光部分(St
2)の光路に設けられ集束光学系を形成するグラジェン
トレンズの長さ(L)がこのレーザ光部分の焦点(F)
とグラジェントレンズ(FO)の1つの終端面(EF)
が一致するように選定されていることを特徴とする特許
請求の範囲第14項記載の送信器。 16)集束光学系(FO)が結合個所(KS)に導かれ
るレーザ光部分(St2)の光路に設けられたレーザ光
に対して透明な材料の柱状体(PK1)に固定されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第14項又は第15
項記載の送信器。 17)半導体レーザ(HL)と格子装置(GE)の間で
放出レーザ光光路(St)中にレーザ光の一部(St3
)をモニタ用として分割する補助のビーム分割器(ST
1)が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至第16項の1つに記載の送信器。 18)モニタ用として分割されたレーザ光部分(St3
)の光路中に集束光学系(FO1)が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第17項記載の送信器。 19)補助のビーム分割器(St1)がコリメータ光学
系(KO)と格子装置(GE)の間に設けられ放出レー
ザ光光路(St)中に置かれた柱状体(PK)に固定さ
れていること、モニタ用として分割されたレーザ光部分
(St)を集束する集束光学系(FO1)がグラジェン
トレンズであってその側面で柱状体(PK)に固定され
ていること、このグラジェントレンズの長さ(L1)は
レーザ光部分(St3)の焦点(F1)がこのレンズの
1つの終端面(EF1)に一致するように選定されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第3項、第4項、第
9項乃至第16項および第18項中の1つに記載の送信
器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3632998 | 1986-09-29 | ||
DE3632998.3 | 1986-09-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390188A true JPS6390188A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=6310567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62242408A Pending JPS6390188A (ja) | 1986-09-29 | 1987-09-24 | レーザ送信器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4873697A (ja) |
EP (1) | EP0262435A3 (ja) |
JP (1) | JPS6390188A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5114513A (en) * | 1988-10-27 | 1992-05-19 | Omron Tateisi Electronics Co. | Optical device and manufacturing method thereof |
US4932742A (en) * | 1989-01-27 | 1990-06-12 | Alcatel Na, Inc. | Fiber optic wavelength division multiplexing module |
US5031993A (en) * | 1989-11-16 | 1991-07-16 | International Business Machines Corporation | Detecting polarization state of an optical wavefront |
DE69318487T2 (de) * | 1992-08-07 | 1998-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleiterlaservorrichtung, optische Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
JPH06112583A (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-22 | Ando Electric Co Ltd | 外部共振器型半導体レーザ光源 |
AU2269597A (en) * | 1996-02-13 | 1997-09-02 | Optical Corporation Of America | External cavity semiconductor laser with monolithic prism assembly |
US5963684A (en) * | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Lucent Technologies Inc. | Multiple-wavelength optical transceiver |
US5894534A (en) * | 1997-04-24 | 1999-04-13 | Boeing North American, Inc. | Fiber optic "T" coupler single path transceiver |
CN1130008C (zh) * | 1998-12-01 | 2003-12-03 | 瑞士电信流动电话公司 | 具有集成激光振荡器的芯片卡及用户呼叫结算方法 |
JP2003307603A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-10-31 | Omron Corp | 光学素子及び当該素子を用いた光学部品 |
DE102004053136B4 (de) * | 2004-10-29 | 2008-04-03 | Raab, Volker, Dr. | Laserresonator mit internem Strahlteiler |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5041559A (ja) * | 1973-08-02 | 1975-04-16 | ||
US3937560A (en) * | 1974-11-29 | 1976-02-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Single fiber access coupler |
US4156206A (en) * | 1976-12-30 | 1979-05-22 | International Business Machines Corporation | Grating coupled waveguide laser apparatus |
DE3023147A1 (de) * | 1980-06-20 | 1982-01-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Planare wellenleiterlinse, ihre verwendung und verfahren zu ihrer herstellung |
JPS5861692A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体レ−ザ装置 |
GB2137768B (en) * | 1983-02-23 | 1986-06-04 | Plessey Co Plc | Optical connectors |
JPS60110187A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
JPS61692A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-06 | 尾池工業株式会社 | 昇華性捺染転写箔 |
-
1987
- 1987-07-23 US US07/076,839 patent/US4873697A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-02 EP EP87112820A patent/EP0262435A3/de not_active Withdrawn
- 1987-09-24 JP JP62242408A patent/JPS6390188A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0262435A2 (de) | 1988-04-06 |
EP0262435A3 (de) | 1989-10-04 |
US4873697A (en) | 1989-10-10 |
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