JPS6388418A - 圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
圧力センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS6388418A JPS6388418A JP62155260A JP15526087A JPS6388418A JP S6388418 A JPS6388418 A JP S6388418A JP 62155260 A JP62155260 A JP 62155260A JP 15526087 A JP15526087 A JP 15526087A JP S6388418 A JPS6388418 A JP S6388418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- housing
- pressure sensor
- lid member
- transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 9
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 50
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0681—Protection against excessive heat
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
- G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は圧力センサに係り、限定されないが特に自動車
エンジン中のシリンダ圧をモニタする圧力センサに関す
る。
エンジン中のシリンダ圧をモニタする圧力センサに関す
る。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点英国特許
出願18512877@及び英国特許出願第21681
60A号にはエンジンのシリンダ圧をモニタするセンサ
が提案されている。しかし、腐蝕性環境下における数1
00バールに達する高圧力は安価で有効な装置を提供す
る上で実質的な問題を生じる。
出願18512877@及び英国特許出願第21681
60A号にはエンジンのシリンダ圧をモニタするセンサ
が提案されている。しかし、腐蝕性環境下における数1
00バールに達する高圧力は安価で有効な装置を提供す
る上で実質的な問題を生じる。
例えば自動車エンジンのシリンダ中で圧力測定を行なう
場合、例えばシリコン圧力変換器などの感圧素子をシリ
ンダ中に生じる高温の腐蝕性ガスから保護する必要があ
る。
場合、例えばシリコン圧力変換器などの感圧素子をシリ
ンダ中に生じる高温の腐蝕性ガスから保護する必要があ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は例えば内燃エンジンの燃焼室中に生じる大気圧
を超える高圧力を感知する圧力センサであって、剛性の
筐体と、筺体中に設けられたセンサチップと、筐体の一
端を塞ぐ耐熱性かつ可撓性の蓋部材と、蓋部材とセンサ
チップとを結合して蓋部材に加わった力をセンサチップ
に伝達する力伝達部材とよりなり、該センサチップによ
り蓋部材に外側から加わった圧力に対応する出力信号を
得ることを特徴とする圧力センサを提供する。
を超える高圧力を感知する圧力センサであって、剛性の
筐体と、筺体中に設けられたセンサチップと、筐体の一
端を塞ぐ耐熱性かつ可撓性の蓋部材と、蓋部材とセンサ
チップとを結合して蓋部材に加わった力をセンサチップ
に伝達する力伝達部材とよりなり、該センサチップによ
り蓋部材に外側から加わった圧力に対応する出力信号を
得ることを特徴とする圧力センサを提供する。
実施例
以下、本発明になる自動車用エンジン燃焼室での使用に
適した圧力センサを図面を参照しながら説明する。
適した圧力センサを図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明を実施する簡単な方法を示す。
この実施例は腐蝕性の高温・高圧ガスに耐える材料より
形成された封止ダイヤフラムを使用する。
形成された封止ダイヤフラムを使用する。
本発明ではいわゆる厚肉のシリコンチップ、すなわちエ
ツチングによって薄くされていないあるいは極くわずか
しかエツチングされていない非常に大きな剛性を有する
シリコンチップを非常に剛性の低いないし柔軟な要素す
なわちダイヤフラムないし膜に結合する。結合の際生じ
る機械的な狂いはダイヤフラムをあらかじめ反らせてお
くことで吸収できる。これはダイヤフラムの剛性が非常
に小さいため、圧力変換器上に加わる静的な力により生
じる誤差は無視し得るためである。
ツチングによって薄くされていないあるいは極くわずか
しかエツチングされていない非常に大きな剛性を有する
シリコンチップを非常に剛性の低いないし柔軟な要素す
なわちダイヤフラムないし膜に結合する。結合の際生じ
る機械的な狂いはダイヤフラムをあらかじめ反らせてお
くことで吸収できる。これはダイヤフラムの剛性が非常
に小さいため、圧力変換器上に加わる静的な力により生
じる誤差は無視し得るためである。
このセンサと同等な装置は曲げモードで動作する低剛性
シリコン要素に高剛性部材を平行に加えることにより見
かけの剛性を増加させることによっても形成できる。こ
の高剛性要素の追加により前記の圧力伝達シリコン要素
と同等な剛性が得られる。
シリコン要素に高剛性部材を平行に加えることにより見
かけの剛性を増加させることによっても形成できる。こ
の高剛性要素の追加により前記の圧力伝達シリコン要素
と同等な剛性が得られる。
第1図はシリコン圧力変換器2を高温の腐蝕性ガスから
遮蔽する例えばステンレススチール合金などの絶縁ダイ
ヤフラム1を有する圧力センサを概略的に示す。押し棒
を形成する熱″a敲部材3がダイヤフラム1と剛性ビー
ム4とを結合し、一方剛性ビーム4はシリコン圧力変換
器2に結合される。圧力変換器2はその表面上に圧抵抗
素子5及び6を担持し、このためシリコン圧力変換器2
が図示したように下方へ曲げられると圧抵抗素子が圧縮
される。従って、この圧力変換器を圧縮モード圧力変換
器と称する。
遮蔽する例えばステンレススチール合金などの絶縁ダイ
ヤフラム1を有する圧力センサを概略的に示す。押し棒
を形成する熱″a敲部材3がダイヤフラム1と剛性ビー
ム4とを結合し、一方剛性ビーム4はシリコン圧力変換
器2に結合される。圧力変換器2はその表面上に圧抵抗
素子5及び6を担持し、このためシリコン圧力変換器2
が図示したように下方へ曲げられると圧抵抗素子が圧縮
される。従って、この圧力変換器を圧縮モード圧力変換
器と称する。
しんちゅうやステンレススチールよりなる筐体7には階
段状の肩7a及び7bが形成されそれぞれ圧力変換器及
び剛性ビームを支持する。ダイヤフラム1は筐体外周部
7C上に溶接される。
段状の肩7a及び7bが形成されそれぞれ圧力変換器及
び剛性ビームを支持する。ダイヤフラム1は筐体外周部
7C上に溶接される。
上記センサではビーム4と変換器2とを結合した構造が
有する剛性によりダイヤフラムのたわみがあらかじめ生
じるように設計されており、これにより機械的公差の影
響が減じられる。
有する剛性によりダイヤフラムのたわみがあらかじめ生
じるように設計されており、これにより機械的公差の影
響が減じられる。
明らかに、剛性要素は十分な剛性を有していさえすれば
ダイヤフラムであれ他の好都合な設計の部材であれかま
わない。重要なのはダイヤフラムに加わる圧力が最大で
ある場合にシリコン圧力変換器に加わる荷重がシリコン
に過大な応力を加えてこれを破壊しないようにすること
である。
ダイヤフラムであれ他の好都合な設計の部材であれかま
わない。重要なのはダイヤフラムに加わる圧力が最大で
ある場合にシリコン圧力変換器に加わる荷重がシリコン
に過大な応力を加えてこれを破壊しないようにすること
である。
第2図は本発明センサの別の実施例を示す。図中、同様
な部分には第1図と同一の符号を付してその説明を省略
する。第1図実施例との大きな相異は第2図の実施例で
は圧力変換器12の下側と圧抵抗素子15及び16が設
けられていることで、圧力変換器12が押し棒3及び4
aよりなる組立体により曲げられた場合圧抵抗素子は引
張られる。
な部分には第1図と同一の符号を付してその説明を省略
する。第1図実施例との大きな相異は第2図の実施例で
は圧力変換器12の下側と圧抵抗素子15及び16が設
けられていることで、圧力変換器12が押し棒3及び4
aよりなる組立体により曲げられた場合圧抵抗素子は引
張られる。
このため上記シリコン圧力変換器は張力モード圧力変換
器と称せられる。
器と称せられる。
第1図は圧抵抗素子に圧縮力が加わる圧力変換器を示し
ている。一方、第2図実施例では圧抵抗素子が下側に設
けられるため結線が容易になる(15aおよび16a)
利点がある。
ている。一方、第2図実施例では圧抵抗素子が下側に設
けられるため結線が容易になる(15aおよび16a)
利点がある。
第3図及び第4図は第2図に概略的に示した圧力センサ
の断面図及び底面図である。遮蔽ダイヤフラム21が筐
体27に固定され、ダイヤフラム21の下面が例えばス
テンレススチールなどの台底よりなる高剛性要素上に形
成されたスピゴット24a上に固定されたセラミック熱
遮蔽層23と係合する。
の断面図及び底面図である。遮蔽ダイヤフラム21が筐
体27に固定され、ダイヤフラム21の下面が例えばス
テンレススチールなどの台底よりなる高剛性要素上に形
成されたスピゴット24a上に固定されたセラミック熱
遮蔽層23と係合する。
引張モードシリコン圧力変換器22は高剛性要素24の
下側でセラミックリング29及びリング29を押える折
返しラグ24bにより保持される。
下側でセラミックリング29及びリング29を押える折
返しラグ24bにより保持される。
このラグ24bは筐体27の内側に螺入されるロックリ
ング27aにより圧縮されて所定形状に曲げられる。ラ
グ24bがロックリング27aにより駆動されることに
より筐体27中の全ての要素が上方へ駆動されダイヤフ
ラム21に所定のたわみがあらかじめ与えられる。
ング27aにより圧縮されて所定形状に曲げられる。ラ
グ24bがロックリング27aにより駆動されることに
より筐体27中の全ての要素が上方へ駆動されダイヤフ
ラム21に所定のたわみがあらかじめ与えられる。
センサからの出力信号はケーブル28を介して取出され
る。
る。
第4図の底面図中シリコン圧力変換器22は破線で示さ
れている。セラミックリング29にはメタリゼーション
パッド22aが形成され圧抵抗素子25.26からのリ
ード線が接続バッド25a。
れている。セラミックリング29にはメタリゼーション
パッド22aが形成され圧抵抗素子25.26からのリ
ード線が接続バッド25a。
26aを介して接続される。圧抵抗素子25゜26の数
は合計で4である変換器上の4つの接続パッドに接続さ
れ、さらにリード線によりセラミックリング上のメタリ
ゼーションパッド22aに接続される。このセラミック
リング上のメタリゼーションパッドにはケーブル28が
接続される。
は合計で4である変換器上の4つの接続パッドに接続さ
れ、さらにリード線によりセラミックリング上のメタリ
ゼーションパッド22aに接続される。このセラミック
リング上のメタリゼーションパッドにはケーブル28が
接続される。
第4図の底面図では図を児やすくするためロックリング
27aは除いて示しである。
27aは除いて示しである。
第5図は第1図に示す圧縮モード圧力変換器の変形例を
示す。この圧力変換器はダイヤフラムとして低剛性ステ
ンレススチールディスク31を使用し、このディスク3
1は他の実施例同様ステンレススチール製の管状筐体3
7に溶接されている。
示す。この圧力変換器はダイヤフラムとして低剛性ステ
ンレススチールディスク31を使用し、このディスク3
1は他の実施例同様ステンレススチール製の管状筐体3
7に溶接されている。
ディスク31はセラミックベース34上に支持されてい
るシリコンチップ32に機械的に結合されている。筐体
37中の内孔内にはロッキングカラ一部材37aが例え
ば螺入により挿入・ロックされており、その結果熱遮蔽
押し棒33が駆動されてディスク31に当接する。熱遮
敲押し棒33は耐熱材料よりなり、その中点にセンサ筐
体37へ効果的に熱を逃して吸収させるサーマルシャン
ト部材40が設けられることにより2つの部分に分割さ
れる。その結果、シリコンチップの温度はエンジン燃焼
室中の温度よりもはるかに低く保たれ、本実施例では1
40℃を超えない。
るシリコンチップ32に機械的に結合されている。筐体
37中の内孔内にはロッキングカラ一部材37aが例え
ば螺入により挿入・ロックされており、その結果熱遮蔽
押し棒33が駆動されてディスク31に当接する。熱遮
敲押し棒33は耐熱材料よりなり、その中点にセンサ筐
体37へ効果的に熱を逃して吸収させるサーマルシャン
ト部材40が設けられることにより2つの部分に分割さ
れる。その結果、シリコンチップの温度はエンジン燃焼
室中の温度よりもはるかに低く保たれ、本実施例では1
40℃を超えない。
シリコンチップ32はシリコンチップ及びセラミックベ
ース上のメタリゼーショ部分を介してセラミックベース
34中に固定されたピン38に電気的に接続される。
ース上のメタリゼーショ部分を介してセラミックベース
34中に固定されたピン38に電気的に接続される。
第6図は圧抵抗素子32aを担持するシリコンチップ3
2を示す。圧抵抗索子32aは4本の接続トラック35
を有しこれらはメタリゼーション部分を介してピン38
に接続される。このシリコンチップは圧縮モードで動作
する。
2を示す。圧抵抗索子32aは4本の接続トラック35
を有しこれらはメタリゼーション部分を介してピン38
に接続される。このシリコンチップは圧縮モードで動作
する。
このシリコンチップは長さが3may、高さが1J11
゜厚さが0.44.であり理論剛性値は1インチ当り1
xlO’ボンドである。ディスクのたわみ苗はディスク
面に働いている圧力に変換することができる。下側から
0.125“の曲率半径を有する点荷重を受けるディス
クの剛性は23xlO3ボンド/インチであり、これは
シリコンチップ剛性の2.3%である。
゜厚さが0.44.であり理論剛性値は1インチ当り1
xlO’ボンドである。ディスクのたわみ苗はディスク
面に働いている圧力に変換することができる。下側から
0.125“の曲率半径を有する点荷重を受けるディス
クの剛性は23xlO3ボンド/インチであり、これは
シリコンチップ剛性の2.3%である。
M5図及び第6図に示す圧縮モード圧力センサを組立て
る場合、まずステンレススチールディスク31がセンサ
筐体の周囲に沿って溶接される。
る場合、まずステンレススチールディスク31がセンサ
筐体の周囲に沿って溶接される。
さらに、シリコンチップがセラミックベース34上に組
立てられる。さらに熱遮蔽部材33及びサーマルシャン
ト4oがセンサ筒体37中に取付けられる。次にセラミ
ックベース34が筺体37中に取付けられ、さらに油圧
ラムを用いてロッキングカラ一部材37aがセラミック
ベース34の背後に圧入される。この作業中、ステンレ
ススチールディスク31前面のたわみがモニタされ、デ
ィスクが所定のたわみを生じるまでカラ一部材37aの
圧入が継続される。本実施例ではディスク面上における
1000分の1インチの予備たわみにより22.5ボン
ドの荷重゛がシリコンチップ上に生じる。
立てられる。さらに熱遮蔽部材33及びサーマルシャン
ト4oがセンサ筒体37中に取付けられる。次にセラミ
ックベース34が筺体37中に取付けられ、さらに油圧
ラムを用いてロッキングカラ一部材37aがセラミック
ベース34の背後に圧入される。この作業中、ステンレ
ススチールディスク31前面のたわみがモニタされ、デ
ィスクが所定のたわみを生じるまでカラ一部材37aの
圧入が継続される。本実施例ではディスク面上における
1000分の1インチの予備たわみにより22.5ボン
ドの荷重゛がシリコンチップ上に生じる。
これにより、シリコンチップが安全にたわむことのでき
る全だ、わみ量の33%に相当するたわみが生じる。8
0バールないし1200psiの動作圧によりシリコン
チップはさらにたわみ、全たわみmの約37%に達する
たわみがさらに発生する。余裕として残った30%のた
わみは例えば150パールないし2200ps iに達
する過大な圧力が加わった場合にシリコンチップを保護
するためのものである。
る全だ、わみ量の33%に相当するたわみが生じる。8
0バールないし1200psiの動作圧によりシリコン
チップはさらにたわみ、全たわみmの約37%に達する
たわみがさらに発生する。余裕として残った30%のた
わみは例えば150パールないし2200ps iに達
する過大な圧力が加わった場合にシリコンチップを保護
するためのものである。
動作圧に起因して生じるステンレススチールディスクに
あらかじめ与えられたたわみ量の減少により2%以下の
小さな誤差が生じることがある。
あらかじめ与えられたたわみ量の減少により2%以下の
小さな誤差が生じることがある。
しかし、ディスク及びシリコンチップの特性が十分にリ
ニアであるとすると誤差の与える影響は圧抵抗素子のホ
イートストンブリッジ構成により出力される出力電圧変
化の約2%の減少として現れるだけである。
ニアであるとすると誤差の与える影響は圧抵抗素子のホ
イートストンブリッジ構成により出力される出力電圧変
化の約2%の減少として現れるだけである。
ディスクに与えられる予備的なたわみは(a)セラミッ
クベースの筐体内での位置決めの誤差:及び(b)動作
温度範囲にかけるセラミック、シリコンチップ、熱遮蔽
部材及び筐体の熱膨張の不適合に起因して生じる誤差を
除くためのものである。
クベースの筐体内での位置決めの誤差:及び(b)動作
温度範囲にかけるセラミック、シリコンチップ、熱遮蔽
部材及び筐体の熱膨張の不適合に起因して生じる誤差を
除くためのものである。
第7図を参照するに、ステンレススチールディスク41
がステンレススチール管状筐体47上に溶接される。熱
遮蔽押し棒43はサーマルシャント50を担持し、この
サーマルシャント50は通気孔50aを有する。シリコ
ンチップ42は曲げモードで動作しその下側に引張モー
ドで動作する圧抵抗素子を担持する。シリコンチップ4
2は剛性ディスク44上に固定される。セラミックリン
グ49及び49aが剛性ディスク49を挟持し、一方リ
ング49.49a及びディスク44は一端にサーマルシ
ャント50を担持するスペーサ51と筐体47中の内孔
内に螺入されるロッキングカラ一部材47aとの間で保
持される。ロッキングカラ一部材47aを本体47の内
孔中に螺入することにより筐体内の全組立体が押し棒4
3を介してディスク41を押し、これによりディスク4
1に所定のたわみがあらかじめ与えられる。
がステンレススチール管状筐体47上に溶接される。熱
遮蔽押し棒43はサーマルシャント50を担持し、この
サーマルシャント50は通気孔50aを有する。シリコ
ンチップ42は曲げモードで動作しその下側に引張モー
ドで動作する圧抵抗素子を担持する。シリコンチップ4
2は剛性ディスク44上に固定される。セラミックリン
グ49及び49aが剛性ディスク49を挟持し、一方リ
ング49.49a及びディスク44は一端にサーマルシ
ャント50を担持するスペーサ51と筐体47中の内孔
内に螺入されるロッキングカラ一部材47aとの間で保
持される。ロッキングカラ一部材47aを本体47の内
孔中に螺入することにより筐体内の全組立体が押し棒4
3を介してディスク41を押し、これによりディスク4
1に所定のたわみがあらかじめ与えられる。
シリコンリング49中に形成された凹部49の中にはプ
リント回路基板52が保持され、プリント回路基板52
上の導体トラックは出力端子48とチップ42の下側の
圧抵抗要素とを接続する。
リント回路基板52が保持され、プリント回路基板52
上の導体トラックは出力端子48とチップ42の下側の
圧抵抗要素とを接続する。
シリコンチップ42はシリコンリング49とシリコンチ
ップ42を直接に支持する中間リング49bとの間にて
ばねにより弾性力を加えるざらにばねワッシャ53によ
り剛性ディスク44の下側に締着される。
ップ42を直接に支持する中間リング49bとの間にて
ばねにより弾性力を加えるざらにばねワッシャ53によ
り剛性ディスク44の下側に締着される。
シリコンチップ42はエツチングをされていない圧力変
換器であり、ひずみゲージが形成させているシリコン面
を点荷重を加えることによりたわませた場合約15ボン
ドの荷重の範囲までなら非常に直線性の良い応答を生じ
る。従って押し棒43は実質的に点荷重を加える。セラ
ミックリング49bは荷重を分散させるワッシャとして
作用しシリコンチップ42を受入れるための四角形の凹
部が形成されている。
換器であり、ひずみゲージが形成させているシリコン面
を点荷重を加えることによりたわませた場合約15ボン
ドの荷重の範囲までなら非常に直線性の良い応答を生じ
る。従って押し棒43は実質的に点荷重を加える。セラ
ミックリング49bは荷重を分散させるワッシャとして
作用しシリコンチップ42を受入れるための四角形の凹
部が形成されている。
図示したように、ステンレススチールディスク41は筐
体47を塞ぎ、さらに裏当てワッシャ47bが設けられ
、ディスク41及びワッシャ47bがいずれも筐体に同
時に溶接される。これにより、溶接の際のステンレスス
チールディスク41の変形が最小になる。環状プリント
回路基板52とシリコンチップのメタリゼーション部と
め間の配線は筐体47の底を通って行なわれる。圧縮モ
ードセンサの場合と同じく低剛性のステンレススチール
ディスクがセンサ筐体の一端を塞ぎ、熱遮蔽部材とサー
マルシャントとがディスクをカプセルへ結合する作用を
する。
体47を塞ぎ、さらに裏当てワッシャ47bが設けられ
、ディスク41及びワッシャ47bがいずれも筐体に同
時に溶接される。これにより、溶接の際のステンレスス
チールディスク41の変形が最小になる。環状プリント
回路基板52とシリコンチップのメタリゼーション部と
め間の配線は筐体47の底を通って行なわれる。圧縮モ
ードセンサの場合と同じく低剛性のステンレススチール
ディスクがセンサ筐体の一端を塞ぎ、熱遮蔽部材とサー
マルシャントとがディスクをカプセルへ結合する作用を
する。
ロッキングカラー47aはあるいは筐体47中に圧入し
てもよく、これによりステンレススチールディスクの前
面を強制的にたわませることも可能である。
てもよく、これによりステンレススチールディスクの前
面を強制的にたわませることも可能である。
本実施例ではシリコンチップの剛性が11×104ボン
ド/インチと計算されるがこの値は先の実施例の圧縮モ
ード装置における値よりも小さい。従って補強要素を追
加することにより剛性値を35xlO’まで高めた。こ
のモードではシリコンチップのたわみが増大するので動
作圧に起因してステンレススチールディスクにあらかじ
め与えられていたたわみが減少し7.6%の誤差が生じ
る。この場合は剛性ディスク41の剛性を減少させるこ
とによりこの誤差をほとんど除去することができる。
ド/インチと計算されるがこの値は先の実施例の圧縮モ
ード装置における値よりも小さい。従って補強要素を追
加することにより剛性値を35xlO’まで高めた。こ
のモードではシリコンチップのたわみが増大するので動
作圧に起因してステンレススチールディスクにあらかじ
め与えられていたたわみが減少し7.6%の誤差が生じ
る。この場合は剛性ディスク41の剛性を減少させるこ
とによりこの誤差をほとんど除去することができる。
動作圧が1200g5iの領域における有用なたわみは
シリコンチップの可能な全たわみ岳の37%であり、た
わみの損失量は圧縮モード圧力センサの場合と同程度で
ある。
シリコンチップの可能な全たわみ岳の37%であり、た
わみの損失量は圧縮モード圧力センサの場合と同程度で
ある。
第8図は本発明の別の概略化した実施例を示す。
図示のセンサはステンレススチール製管状筐体60を有
しその外側にはねじ溝61が形成しである。筐体60は
環状外周リム62を有しその上にステンレススチール製
一体ダイヤフラム又はベローズ63が固定される。この
ベローズ63はその後部に拡大部63aを有し、この拡
大部63aが筐体60上に形成されたリム62に適合し
てかぶせられる。さらにこの拡大部63aの後縁部がリ
ム62の後縁部で折り返され環状溝部62a中に折り込
まれる。このベローズは円筒形状をしたスペーサ部分6
3bと円筒形状の縮径部分63cとを有し、この縮径部
分63Cは断熱性材料より形成されたあるいは少なくと
もシリコンチップ65への熱伝導が極めて少ない材料よ
りなる押し棒64をしっかりと囲んで保持する。押し棒
64は先端部64aに球面が形成されておりチップ65
との間で効果的な点接触を形成する。
しその外側にはねじ溝61が形成しである。筐体60は
環状外周リム62を有しその上にステンレススチール製
一体ダイヤフラム又はベローズ63が固定される。この
ベローズ63はその後部に拡大部63aを有し、この拡
大部63aが筐体60上に形成されたリム62に適合し
てかぶせられる。さらにこの拡大部63aの後縁部がリ
ム62の後縁部で折り返され環状溝部62a中に折り込
まれる。このベローズは円筒形状をしたスペーサ部分6
3bと円筒形状の縮径部分63cとを有し、この縮径部
分63Cは断熱性材料より形成されたあるいは少なくと
もシリコンチップ65への熱伝導が極めて少ない材料よ
りなる押し棒64をしっかりと囲んで保持する。押し棒
64は先端部64aに球面が形成されておりチップ65
との間で効果的な点接触を形成する。
チップ65は曲げモードにて支持台66及び67の間で
動作をする。チップへの結線は本体60中の通路68.
69を通って導入される。また管状のプラスデック製ロ
ック部材6oが通路68.69中に延在する管状延長部
71及び72を有し、これにより通路68.69の金属
壁から導出されるリードI273が絶縁される。ロック
部材70はケーブル外被76を筐体60中の内孔77内
に保持するための刻み74及び75を有する。
動作をする。チップへの結線は本体60中の通路68.
69を通って導入される。また管状のプラスデック製ロ
ック部材6oが通路68.69中に延在する管状延長部
71及び72を有し、これにより通路68.69の金属
壁から導出されるリードI273が絶縁される。ロック
部材70はケーブル外被76を筐体60中の内孔77内
に保持するための刻み74及び75を有する。
筐体60の内孔77に沿って細い溝よりなる通路78が
形成されベローズ63内の空間と外界とを結ぶ。これに
より、例えば温度変化などが生じてもベローズ内に圧力
が加わることが防止される。
形成されベローズ63内の空間と外界とを結ぶ。これに
より、例えば温度変化などが生じてもベローズ内に圧力
が加わることが防止される。
チップ65は厚いエツチングされていないチップであり
その前面65b上に接続パッド65aを有し、この接続
バッド65aはチップ中に拡散して形成されたひずみゲ
ージ素子に接続される。
その前面65b上に接続パッド65aを有し、この接続
バッド65aはチップ中に拡散して形成されたひずみゲ
ージ素子に接続される。
ベローズ63特にベローズ63に加わる外圧に応じて軸
方向へ動くベローズ63の端部80゜81.82は押し
棒64の先端がチップに押しあてられた場合にベローズ
に所定のあらかじめ加えられるたわみが正しく生じるよ
うに精密に注意深く調整される必要がある。
方向へ動くベローズ63の端部80゜81.82は押し
棒64の先端がチップに押しあてられた場合にベローズ
に所定のあらかじめ加えられるたわみが正しく生じるよ
うに精密に注意深く調整される必要がある。
センサを組立てる際、チップが支持台上に取付けられ、
ケーブルがロック部材と共に挿入され、ケーブルからの
裸のリード線73がパッド65aに接続される。次いで
ベローズが押し棒64と共にリム62上に取付けられさ
らにそのリム部分63aが溝部62a内へ折返される。
ケーブルがロック部材と共に挿入され、ケーブルからの
裸のリード線73がパッド65aに接続される。次いで
ベローズが押し棒64と共にリム62上に取付けられさ
らにそのリム部分63aが溝部62a内へ折返される。
拡散形成されたひずみゲージ素子は引張りモードで動作
しまたホイートストンブリッジを形成するように接続さ
れる。
しまたホイートストンブリッジを形成するように接続さ
れる。
ブリッジの−の対角線上に入力電圧(支流又は直流)が
加えられ他の対角線を結ぶ出力電圧を測定することによ
り圧力が測定される。
加えられ他の対角線を結ぶ出力電圧を測定することによ
り圧力が測定される。
上記実施例の測定範囲はO〜1200psiであり、ま
た周波数応答は5〜8kH2,動作温度は −b である。
た周波数応答は5〜8kH2,動作温度は −b である。
シリコンチップは単一の圧抵抗素子でもよいが完全なブ
リッジ、すなわちブリッジを形成する4つの圧抵抗素子
よりなる回路としてもよい。
リッジ、すなわちブリッジを形成する4つの圧抵抗素子
よりなる回路としてもよい。
第9図に示す高圧力センサは中央部に可動域90Aを有
するステンレススチール製ダイヤフラム90よりなり、
この中央可動域90Aは固定された環状外周部90Bに
波形支持領域90Cを介して接続される。このダイヤフ
ラム90は打抜き及び圧印加工により製造することがで
きる。外周部分90Bは筐体91のリム90Bに溶接さ
れる。
するステンレススチール製ダイヤフラム90よりなり、
この中央可動域90Aは固定された環状外周部90Bに
波形支持領域90Cを介して接続される。このダイヤフ
ラム90は打抜き及び圧印加工により製造することがで
きる。外周部分90Bは筐体91のリム90Bに溶接さ
れる。
筐体91は小径内孔部91Cと大径内孔部91Dとの間
に階段部91Bを有する。リム91A及び溶接部は第9
A図にわかりやすく示されている。
に階段部91Bを有する。リム91A及び溶接部は第9
A図にわかりやすく示されている。
ステンレススチール製押し棒92の一端92Aには荷重
分散用部材93が溶接されて筐体91中に適合・挿入さ
れる。その際、荷重分散用部材93はダイヤフラムの下
側に波形域90Gにより画成された領域内に適合する。
分散用部材93が溶接されて筐体91中に適合・挿入さ
れる。その際、荷重分散用部材93はダイヤフラムの下
側に波形域90Gにより画成された領域内に適合する。
押し棒92は外端部92Bにおいて案内部材94の内孔
94A内を案内される。この案内部材94は押し棒が挿
入された後大径内孔91Dの方向から内孔91C内に押
し込まれ、その際傾斜した環状固定領域94Bが内孔9
1Gの壁面にくい込む。
94A内を案内される。この案内部材94は押し棒が挿
入された後大径内孔91Dの方向から内孔91C内に押
し込まれ、その際傾斜した環状固定領域94Bが内孔9
1Gの壁面にくい込む。
変換器取付部95はステンレススチール管よりなり筐体
91の内孔91D中に押し込まれる。取付部95は挿入
の際、押し棒の端部92Bが変換器96に当接すること
によりダイヤフラム90が所定のたわみを生じる位置に
おいて溶接される。
91の内孔91D中に押し込まれる。取付部95は挿入
の際、押し棒の端部92Bが変換器96に当接すること
によりダイヤフラム90が所定のたわみを生じる位置に
おいて溶接される。
取付部95は筐体91の薄肉部91Eを介して位置97
でスポット溶接される。
でスポット溶接される。
取付部は第9B図に示すように正方形凹部95Aを有し
この中にエツチングされたシリコンひずみゲージ変換器
96が適合する。このシリコンひずみゲージ変換器96
は4つのひずみゲージ98を含み、これらがそれぞれリ
ード線によって4つの出力ビン99に接続されている。
この中にエツチングされたシリコンひずみゲージ変換器
96が適合する。このシリコンひずみゲージ変換器96
は4つのひずみゲージ98を含み、これらがそれぞれリ
ード線によって4つの出力ビン99に接続されている。
ビン99の形を第10A図に示す。ビンはしんちゅうよ
りなりrDJ字形のヘッド99Aを有する。シリコン変
換器96は取付部95及びビン99から変換器の下をそ
の側面にまで延在して達する絶縁層100により絶縁さ
れる。この絶縁W!J1ooを第9C図に概略的に示す
。
りなりrDJ字形のヘッド99Aを有する。シリコン変
換器96は取付部95及びビン99から変換器の下をそ
の側面にまで延在して達する絶縁層100により絶縁さ
れる。この絶縁W!J1ooを第9C図に概略的に示す
。
ビン99は第10C図に詳細に示す管状セラミック絶縁
体107により保持される。
体107により保持される。
第108図は取付部95の外観図であり変換器出力ビン
及び絶縁体を除いて示しである。取付部95には4つの
対称的に1m12nして形成された内孔95Bが形成さ
れておりこの中にビン9つを保持する絶縁管101が収
められる。rDJ字形ヘッドの平坦な側面は絶縁F31
00を介して変換器96のそれぞれの縁部にあてられる
。
及び絶縁体を除いて示しである。取付部95には4つの
対称的に1m12nして形成された内孔95Bが形成さ
れておりこの中にビン9つを保持する絶縁管101が収
められる。rDJ字形ヘッドの平坦な側面は絶縁F31
00を介して変換器96のそれぞれの縁部にあてられる
。
出力ワイヤ102はそれぞれのビン99から内孔95B
を通ってさらに取付部95の内孔95Cに沿って延在す
る。
を通ってさらに取付部95の内孔95Cに沿って延在す
る。
ひずみゲージ素子98は第11図に示すブリッジ構成に
接続され、図中に各素子の鋳型的な抵抗値をキロオーム
単位で示した。圧力が1200psiの場合、端子A及
びBの間に印加した5ボルトの直流電圧により端子C及
びDの間に約16011Vの直流出力が現れる。入力電
圧及び出力電圧がいずれも直流であるため本発明による
圧力センサは様々なエンジン制御装置及び他の高圧力感
知装置に対して応用することができる。
接続され、図中に各素子の鋳型的な抵抗値をキロオーム
単位で示した。圧力が1200psiの場合、端子A及
びBの間に印加した5ボルトの直流電圧により端子C及
びDの間に約16011Vの直流出力が現れる。入力電
圧及び出力電圧がいずれも直流であるため本発明による
圧力センサは様々なエンジン制御装置及び他の高圧力感
知装置に対して応用することができる。
また、筐体91の上部の径は約6馴であるが下部の径は
約8.5Mであり、このためエンジンのシリンダヘッド
中にねじにより固定することが容易にできる。従って、
本発明によるセンサを既存のエンジンの既存のホーバー
ヘッドバルブギヤとエンジンシリンダの間の比較的小さ
い螺条孔に挿入することが可能である。
約8.5Mであり、このためエンジンのシリンダヘッド
中にねじにより固定することが容易にできる。従って、
本発明によるセンサを既存のエンジンの既存のホーバー
ヘッドバルブギヤとエンジンシリンダの間の比較的小さ
い螺条孔に挿入することが可能である。
すなわち、本発明により、既存のエンジンにほとんど改
造なしに取付・使用できる製造が簡単で高出力を与える
小形の圧力センサが得られる。
造なしに取付・使用できる製造が簡単で高出力を与える
小形の圧力センサが得られる。
押し棒92は径が1Jwしがなく従って軽量であるが同
時にダイヤフラムに加わる力を伝達するに十分な強度を
有し、また効果的な熱遮蔽部材として作用する。このセ
ンサは力を効果的に測定する。
時にダイヤフラムに加わる力を伝達するに十分な強度を
有し、また効果的な熱遮蔽部材として作用する。このセ
ンサは力を効果的に測定する。
シリコン変換器96は第9図に示すように下側がエツチ
ングされており、その結果このエツチング部分96Bが
変換器外周部96Aにより支持される。この様子を第9
D図に示す。第9D図は変換器を切る断面図である。第
9D図に示すようにひずみゲージ98は最大の曲げを受
ける部分である部分96B上の部分96Bと支持外周部
96Aとが接続される位置に取付けられる。エツチング
される深さは極(わずかである。図示した実施例ではチ
ップの厚さは0.420amである。チップの径は約5
al+でありエツチング部分の径は約2 m 、またエ
ツチング部分の厚さは約0.38.である。このような
少量のエツチングでもエツチング領域の端部に形成され
る段部の直上に形成される部分96Aと96Bとの接続
部において曲げが十分に生じる。このように、シリコン
チップは有効な厚肉の変!!!I器として作用し、先に
説明した実施例と同様なダイヤフラム90に所定のたわ
みがあらかじめ与えられる。このダイヤフラム90は一
体支持領域90Gにより弾力性要素とされている。
ングされており、その結果このエツチング部分96Bが
変換器外周部96Aにより支持される。この様子を第9
D図に示す。第9D図は変換器を切る断面図である。第
9D図に示すようにひずみゲージ98は最大の曲げを受
ける部分である部分96B上の部分96Bと支持外周部
96Aとが接続される位置に取付けられる。エツチング
される深さは極(わずかである。図示した実施例ではチ
ップの厚さは0.420amである。チップの径は約5
al+でありエツチング部分の径は約2 m 、またエ
ツチング部分の厚さは約0.38.である。このような
少量のエツチングでもエツチング領域の端部に形成され
る段部の直上に形成される部分96Aと96Bとの接続
部において曲げが十分に生じる。このように、シリコン
チップは有効な厚肉の変!!!I器として作用し、先に
説明した実施例と同様なダイヤフラム90に所定のたわ
みがあらかじめ与えられる。このダイヤフラム90は一
体支持領域90Gにより弾力性要素とされている。
変換器96とわずかにエツチングすることによっても第
11図の離間した支持部66.67と同一の効果を得る
ことができる。ただし、この場合エツチング作業をシリ
コンチップ中に注入・形成されているひずみゲージと正
確に合致するように行える利点が得られ、後で狂いが生
じることはない。このエツチングの位置を正確に合致さ
せることは高感度圧力センサを得るのに必須であるのが
見出された。
11図の離間した支持部66.67と同一の効果を得る
ことができる。ただし、この場合エツチング作業をシリ
コンチップ中に注入・形成されているひずみゲージと正
確に合致するように行える利点が得られ、後で狂いが生
じることはない。このエツチングの位置を正確に合致さ
せることは高感度圧力センサを得るのに必須であるのが
見出された。
第12図は第11図に示すブリッジ回路の端子A及びB
の間に4.5■の電圧を加えた場合の圧力対電圧を示す
グラフである。図中のゼロ点オフセットは先に説明した
あらかじめ加えられたたわみに起因する。
の間に4.5■の電圧を加えた場合の圧力対電圧を示す
グラフである。図中のゼロ点オフセットは先に説明した
あらかじめ加えられたたわみに起因する。
第13図は負荷が加わった状態で運転している内燃エン
ジンの−のシリンダ中の動作工程中の圧力を本発明によ
る圧力センサにより感知した結果を示すグラフである。
ジンの−のシリンダ中の動作工程中の圧力を本発明によ
る圧力センサにより感知した結果を示すグラフである。
図示の動作は上死点(TDC)の15#前から始り、圧
力が立上り始めるところで点火が始まり、最大圧力が生
じる直前にTDCに達する。最大圧力が発生した後に生
じている圧力の変動はノッキングをあられす。図中の動
作はTDC後約40°の時点まで延在する。本発明によ
る圧力センサはまたノッキングをピックアップするのみ
ならず、曲線の下側の領域の面積を求めることもできる
。従って電子υIf211装置を用いてノッキングが最
小になりかつ面積が最大になるように燃料供給】及び供
給タイミングを調整することが可能になる。
力が立上り始めるところで点火が始まり、最大圧力が生
じる直前にTDCに達する。最大圧力が発生した後に生
じている圧力の変動はノッキングをあられす。図中の動
作はTDC後約40°の時点まで延在する。本発明によ
る圧力センサはまたノッキングをピックアップするのみ
ならず、曲線の下側の領域の面積を求めることもできる
。従って電子υIf211装置を用いてノッキングが最
小になりかつ面積が最大になるように燃料供給】及び供
給タイミングを調整することが可能になる。
第14図は第9図〜第13図に示す実施例中の圧力セン
サの製造過程を示す図である。まず筐体91が形成され
る(第14A図)。次いでヱ体91に蓋部材(ダイヤフ
ラム90)が溶接される(第14B図)。次いで第14
C図の過程で筐体91が治具中で反転されヘッド92A
を備えた押し棒92が挿入される。次いで案内部94が
押込まれる(第140図)。R後に変換器取付部5が圧
力抵抗素子の出力をモニタしつつラムにより押込まれる
(矢印R)。圧抵抗素子の出力が所定値(例えば25a
+V)に達したのがメータM上で検出されるとラムが停
止され、位置97で溶接がなされてこのあらかじめ与え
られる所定のたわみが固定される。
サの製造過程を示す図である。まず筐体91が形成され
る(第14A図)。次いでヱ体91に蓋部材(ダイヤフ
ラム90)が溶接される(第14B図)。次いで第14
C図の過程で筐体91が治具中で反転されヘッド92A
を備えた押し棒92が挿入される。次いで案内部94が
押込まれる(第140図)。R後に変換器取付部5が圧
力抵抗素子の出力をモニタしつつラムにより押込まれる
(矢印R)。圧抵抗素子の出力が所定値(例えば25a
+V)に達したのがメータM上で検出されるとラムが停
止され、位置97で溶接がなされてこのあらかじめ与え
られる所定のたわみが固定される。
変換器上の径111Wの棒が加える151ボンドの力に
より変換器に約1/1000インチのたわみが生じる。
より変換器に約1/1000インチのたわみが生じる。
すなわち変換器の剛性は大よそ上記のようなたわみを生
じる値になっている。
じる値になっている。
要約すると、本発明は曲げモードで動作する厚肉シリコ
ンチップ(65)と、ベローズである可撓性弾性蓋部材
と、ベローズからチップへ力を伝達する断熱性押し棒と
よりなる自動車エンジンの燃焼室用の圧力センサを提供
する。
ンチップ(65)と、ベローズである可撓性弾性蓋部材
と、ベローズからチップへ力を伝達する断熱性押し棒と
よりなる自動車エンジンの燃焼室用の圧力センサを提供
する。
第1図は圧抵抗素子に圧縮ひずみが作用する本発明一実
施例による曲げモード厚肉シリコン圧力センサの概略図
、第2図は圧抵抗素子に張力ひずみが作用する本発明に
よるシリコン圧力センサの第2実施例の概略図、第3図
は剛性が強化された別の実施例を示す図、第4図は第3
図の圧力センサの底面図、第5図は圧縮モード変換器を
備えた圧力センサの実施例を示す図、第6図は第5図の
変換器チップを示す図、第7図は剛性強化変換器を備え
た曲げモード圧力センサの別の実施例を示す図、第8図
は肉厚シリコンチップ変換器を備えた曲げモード圧力セ
ンサのさらに別の実施例を示す図、第9図は本発明によ
る内燃エンジンの動作中のシリンダ圧を感知する圧力セ
ンサの軸方向に沿う断面図、第9A図及び第9C図は第
9図の詳細を示す拡大図、第9B図はうインX−xに沿
う第9図の横断面図、第10A、10B及び10C図は
第9図実施例の詳細を示す拡大図、第11図は第9図実
施例で使用するひずみゲージ素子のブリッジ接続を示す
回路図、第12図は第9図〜第11図に示す圧力センサ
の圧力/出力電圧曲線、第13図は第9図〜第11図に
示す圧力センサを使用した圧力/行程曲線の例を示す図
、第14図は第9図〜第13図の製造段階を示す図であ
る。 1.21.90・・・ダイヤフラム、2・・・圧力変換
器、3.4a、33.43.64.92・・・押し棒、
4・・・剛性ビーム、5.6・・・圧抵抗素子、7,2
7゜47、60.91−・・筐体、7a、7b・・−E
l、12゜22・・・圧力変換器、15.16・・・圧
抵抗素子、23・・・熱遮蔽層、24・・・高剛性要素
、24a・・・スピゴット、24b・・・ラグ、25.
26・・・圧抵抗器、27a・・・ロックリング、28
・・・ケーブル、29・・・セラミックリング、22a
・・・メタリゼーションパッド、25a、26a・・・
接続パッド、31・・・ステンレススチールディスク、
32.42.65・・・シリコンチップ、37・・・管
状筐体、37a・・・ロッキングカラ一部材、38・・
・ビン、46.50・・・サーマルシャント、41・・
・ディスク、44・・・剛性ディスク、47a・・・ロ
ッキングカラー、48.102・・・出力ワイヤ、49
.49a、49b・・・リング、51・・・スペーサ、
52・・・プリント回路基板、53・・・ワッシャ、6
1・・・ねじ溝、62.91A・・・リム、62a・・
・環状溝部、63・・・ベローズ、63a・・・拡大部
、65a・・・接続パッド、66.67・・・支持台、
68.69・・・通路、70・・・ロック部材、71゜
72・・・管状延在部、73・・・リード線、74.7
5・・・刻み、77.95B、95C・・・内孔、80
゜81.82・・・1部、90A・・・可動域、90B
・・・外周部(リム)、90C・・・支持領域、91B
・・・階段部、91C・・・小径内孔部、91D・・・
大径内孔部、92A・・・押し棒の一端、93・・・荷
重分散部材、94・・・案内部材、94△・・・案内部
材内孔、94B・・・案内部材固定領域、95・・・変
換器取付部、95A・・・凹部、96・・・ひずみゲー
ジ変換器、96A・・・変換器外周部、96B・・・エ
ツチング部分、97・・・位置、98・・・ひずみゲー
ジ、99・・・出力ビン、100・・・絶Q層、101
・・・絶縁管。 心@都 手続ネIn正書 昭和62年 7月24日 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー27−
ル3エイチエー マルトラパーズ ストリート 10番
地名 称 エステイ−シー ピーエルシー代表者 マ
ーク チャールズ デニス 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地
6、 補正の対象 図面。 7、補正の内容 図面の浄書(内容に変更なし)を別紙のとおり補充する
。 手続ネ甫正りけ(方式) %式% 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー27−
ル3エイチエー マルトラバーズ ストリート 10番
地名 称 エステイ−シー ビーエルシー代表者 マ
ーク チャールズ デニス 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地
6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 7、補正の内容 明細書中、第27頁16行記載の[第9A図及び第9C
図]を「第9A、第9C図及び第9D図」と補正する。
施例による曲げモード厚肉シリコン圧力センサの概略図
、第2図は圧抵抗素子に張力ひずみが作用する本発明に
よるシリコン圧力センサの第2実施例の概略図、第3図
は剛性が強化された別の実施例を示す図、第4図は第3
図の圧力センサの底面図、第5図は圧縮モード変換器を
備えた圧力センサの実施例を示す図、第6図は第5図の
変換器チップを示す図、第7図は剛性強化変換器を備え
た曲げモード圧力センサの別の実施例を示す図、第8図
は肉厚シリコンチップ変換器を備えた曲げモード圧力セ
ンサのさらに別の実施例を示す図、第9図は本発明によ
る内燃エンジンの動作中のシリンダ圧を感知する圧力セ
ンサの軸方向に沿う断面図、第9A図及び第9C図は第
9図の詳細を示す拡大図、第9B図はうインX−xに沿
う第9図の横断面図、第10A、10B及び10C図は
第9図実施例の詳細を示す拡大図、第11図は第9図実
施例で使用するひずみゲージ素子のブリッジ接続を示す
回路図、第12図は第9図〜第11図に示す圧力センサ
の圧力/出力電圧曲線、第13図は第9図〜第11図に
示す圧力センサを使用した圧力/行程曲線の例を示す図
、第14図は第9図〜第13図の製造段階を示す図であ
る。 1.21.90・・・ダイヤフラム、2・・・圧力変換
器、3.4a、33.43.64.92・・・押し棒、
4・・・剛性ビーム、5.6・・・圧抵抗素子、7,2
7゜47、60.91−・・筐体、7a、7b・・−E
l、12゜22・・・圧力変換器、15.16・・・圧
抵抗素子、23・・・熱遮蔽層、24・・・高剛性要素
、24a・・・スピゴット、24b・・・ラグ、25.
26・・・圧抵抗器、27a・・・ロックリング、28
・・・ケーブル、29・・・セラミックリング、22a
・・・メタリゼーションパッド、25a、26a・・・
接続パッド、31・・・ステンレススチールディスク、
32.42.65・・・シリコンチップ、37・・・管
状筐体、37a・・・ロッキングカラ一部材、38・・
・ビン、46.50・・・サーマルシャント、41・・
・ディスク、44・・・剛性ディスク、47a・・・ロ
ッキングカラー、48.102・・・出力ワイヤ、49
.49a、49b・・・リング、51・・・スペーサ、
52・・・プリント回路基板、53・・・ワッシャ、6
1・・・ねじ溝、62.91A・・・リム、62a・・
・環状溝部、63・・・ベローズ、63a・・・拡大部
、65a・・・接続パッド、66.67・・・支持台、
68.69・・・通路、70・・・ロック部材、71゜
72・・・管状延在部、73・・・リード線、74.7
5・・・刻み、77.95B、95C・・・内孔、80
゜81.82・・・1部、90A・・・可動域、90B
・・・外周部(リム)、90C・・・支持領域、91B
・・・階段部、91C・・・小径内孔部、91D・・・
大径内孔部、92A・・・押し棒の一端、93・・・荷
重分散部材、94・・・案内部材、94△・・・案内部
材内孔、94B・・・案内部材固定領域、95・・・変
換器取付部、95A・・・凹部、96・・・ひずみゲー
ジ変換器、96A・・・変換器外周部、96B・・・エ
ツチング部分、97・・・位置、98・・・ひずみゲー
ジ、99・・・出力ビン、100・・・絶Q層、101
・・・絶縁管。 心@都 手続ネIn正書 昭和62年 7月24日 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー27−
ル3エイチエー マルトラパーズ ストリート 10番
地名 称 エステイ−シー ピーエルシー代表者 マ
ーク チャールズ デニス 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地
6、 補正の対象 図面。 7、補正の内容 図面の浄書(内容に変更なし)を別紙のとおり補充する
。 手続ネ甫正りけ(方式) %式% 住 所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー27−
ル3エイチエー マルトラバーズ ストリート 10番
地名 称 エステイ−シー ビーエルシー代表者 マ
ーク チャールズ デニス 4、代理人 住 所 〒102 東京都千代田区麹町5丁目7番地
6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄。 7、補正の内容 明細書中、第27頁16行記載の[第9A図及び第9C
図]を「第9A、第9C図及び第9D図」と補正する。
Claims (10)
- (1) 内燃エンジンの燃焼室中に生じる大気圧を超え
る高圧力を感知する圧力センサであつて、剛性の筺体と
、筺体中に設けられたセンサチツプと、筐体の一端を塞
ぐ耐熱性かつ可撓性の蓋部材と、蓋部材とセンサチップ
とを結合して蓋部材に加わった力をセンサチップに伝達
する力伝達部材とよりなり、該センサチップにより蓋部
材に外側から加わる圧力に対応する出力信号を得ること
を特徴とする圧力センサ。 - (2) 該チツプは曲げモードで動作するように構成さ
れており、チツプ上に該出力信号を出力する引張モード
又は圧縮モードで動作するひずみゲージ抵抗器が設けら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
圧力センサ。 - (3) 蓋部材はベローズであり筐体上への取付けの際
後端縁部が筺体上の環状溝部中に折返されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の圧力センサ。 - (4) 所定のたわみを蓋部材にあらかじめ与える弾性
要素を含む特許請求の範囲第1項記載の圧力センサ。 - (5) 該弾性要素は蓋部材と一体に形成される特許請
求の範囲第4項記載の圧力センサ。 - (6) 蓋部材は一体形成された環状波形部を有し、こ
の環状波形部によりダイヤフラムと弾性要素とが支持さ
れまた蓋部材にあらかじめたわみを加えることが可能に
なることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の圧力
センサ。 - (7) 該力伝達部材は棒と、棒とダイヤフラムの間に
設けらるディスク状部材とよりなり、該ディスク状部材
は該環状波形部内の主要部分においてダイヤフラムを支
持することを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の圧
力センサ。 - (8) 蓋部材は比較的高い剛性を有するセンサチツプ
と比較して比較的低い剛性を有することを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の圧力センサ。 - (9) 互いに嵌合した第1及び第2の筺体部分よりな
り、第1の筺体部分は可撓性感圧要素及び押し棒組立体
を支持し、第2の筺体部分は変換器を支持し、該変換器
は該感圧要素の比較的低い剛性に対して比較的高い剛性
を有し、該第1及び第2の筺体部分を結合するこにより
押し棒が感圧要素と変換器の間で力を伝達しまた感圧要
素に加わる永久的な弾性的たわみが決定されることを特
徴とする圧力センサ。 - (10) 感圧要素及び押し棒組立体を支持する第1の
筺体部分を形成し、低い剛性を有する該感圧要素よりも
高い剛性を有する変換器を支持する第2の筺体部分を形
成し、第1及び第2の筺体部分を互いに嵌合させて感圧
要素に加わる力を変換器に押し棒を介して伝達し、さら
に感圧要素に生じている永久的な弾性的たわみを決定す
る段階よりなる圧力センサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8615305 | 1986-06-23 | ||
GB868615305A GB8615305D0 (en) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | Pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6388418A true JPS6388418A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=10599954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62155260A Pending JPS6388418A (ja) | 1986-06-23 | 1987-06-22 | 圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0251592A3 (ja) |
JP (1) | JPS6388418A (ja) |
KR (1) | KR910001841B1 (ja) |
BR (1) | BR8703143A (ja) |
GB (1) | GB8615305D0 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0236327A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体圧力変換器 |
JP2010122036A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Denso Corp | 圧力センサ |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4106102A1 (de) * | 1991-02-27 | 1992-09-03 | Bosch Gmbh Robert | Druckgeber zur druckerfassung im brennraum von brennkraftmaschinen |
IT1313816B1 (it) | 1999-11-03 | 2002-09-23 | Gefran Sensori S R L | Dispositivo sensore di pressione ad elevata precisione |
DE102004023744A1 (de) * | 2004-05-11 | 2005-12-01 | Behr Gmbh & Co. Kg | Sensoranordnung |
JP5558667B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2014-07-23 | ローズマウント インコーポレイテッド | 改良されたプロセスアダプタを備えた圧力変換器 |
WO2007009277A1 (de) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Kistler Holding Ag | Sensoreinheit |
WO2008025182A2 (de) | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Kistler Holding Ag | Sensoreinheit |
CN113340487A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-09-03 | 西南交通大学 | 土压力盒 |
CN116380330B (zh) * | 2023-05-31 | 2023-10-24 | 成都凯天电子股份有限公司 | 一种用于高温的无液体压阻式碳化硅压力传感器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA920280A (en) * | 1970-11-16 | 1973-01-30 | Omron Tateisi Electronics Co. | Semiconductive transducer |
FR2224752B1 (ja) * | 1973-04-09 | 1977-09-02 | Thomson Medical Telco | |
JPS59171824A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-28 | Nec Corp | 力変換器 |
US4625561A (en) * | 1984-12-06 | 1986-12-02 | Ford Motor Company | Silicon capacitive pressure sensor and method of making |
GB2175398A (en) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Stc Plc | Pressure transducer |
-
1986
- 1986-06-23 GB GB868615305A patent/GB8615305D0/en active Pending
-
1987
- 1987-06-19 EP EP87305450A patent/EP0251592A3/en not_active Withdrawn
- 1987-06-22 BR BR8703143A patent/BR8703143A/pt unknown
- 1987-06-22 JP JP62155260A patent/JPS6388418A/ja active Pending
- 1987-06-23 KR KR1019870006376A patent/KR910001841B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0236327A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体圧力変換器 |
JP2010122036A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Denso Corp | 圧力センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR880000784A (ko) | 1988-03-29 |
KR910001841B1 (ko) | 1991-03-28 |
GB8615305D0 (en) | 1986-07-30 |
BR8703143A (pt) | 1988-03-08 |
EP0251592A2 (en) | 1988-01-07 |
EP0251592A3 (en) | 1989-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3065291B2 (ja) | 力センサ | |
US6062088A (en) | Pressure sensor | |
US5412994A (en) | Offset pressure sensor | |
JP4075776B2 (ja) | 物理量センサおよび圧力センサ | |
US5038069A (en) | Cylinder pressure sensor for an internal combustion engine | |
US6732589B2 (en) | Pressure sensor, a method for manufacturing a pressure sensor and a combustion engine having a pressure sensor | |
EP0333091B1 (en) | Transducer for picking-up pressures, vibrations and/or accelerations and converting them into electrical signals | |
US5877425A (en) | Semiconductor-type pressure sensor with sensing based upon pressure or force applied to a silicon plate | |
KR0176983B1 (ko) | 내연기관의 연소실 내의 압력 탐지용 압력 센서 | |
US4764747A (en) | Glass header structure for a semiconductor pressure transducer | |
JPS6388418A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
US6487898B1 (en) | Engine cylinder pressure sensor with thermal compensation element | |
US5264820A (en) | Diaphragm mounting system for a pressure transducer | |
US7540658B2 (en) | Temperature detecting device | |
JP2001074582A (ja) | 筒内圧センサ | |
CN116577003A (zh) | 一种轴力传感器 | |
CN116576997A (zh) | 一种轴力传感器 | |
CN116576998A (zh) | 一种轴力传感器 | |
JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
JPH0654274B2 (ja) | 半導体圧力変換器 | |
JPH01501962A (ja) | 圧力センサ | |
JP2013140044A (ja) | 圧力検出装置および圧力検出装置付き内燃機関 | |
CN219416507U (zh) | 一种轴力传感器 | |
CN219416518U (zh) | 一种轴力传感器 | |
CN219416519U (zh) | 一种轴力传感器 |