JPS6388408A - 半導体式加速度センサ - Google Patents
半導体式加速度センサInfo
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- JPS6388408A JPS6388408A JP61235069A JP23506986A JPS6388408A JP S6388408 A JPS6388408 A JP S6388408A JP 61235069 A JP61235069 A JP 61235069A JP 23506986 A JP23506986 A JP 23506986A JP S6388408 A JPS6388408 A JP S6388408A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体式加速度センサに係り、特に、振動子
およびダンピング液を封入したパッケージに関する。
およびダンピング液を封入したパッケージに関する。
従来、振動や加速度等を検知するのに一般的に用いられ
ている構造としては、半４体基板に半導体歪ゲージの形
成される薄肉状のダイヤフラム部を形成し、一方の厚肉
部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由端として
、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を検知
するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知られ
ている。
ている構造としては、半４体基板に半導体歪ゲージの形
成される薄肉状のダイヤフラム部を形成し、一方の厚肉
部である支持体を固定し、他方の厚肉部を自由端として
、半導体歪ゲージの抵抗値変化に応じて被測定力を検知
するカンチレバー型の半導体式加速度センサ等が知られ
ている。
そして、その様な半導体式加速度センサにおいては、そ
のカンチレバーの形状で特性がほぼ決定′されており、
カンチレバー自身の共振周波数域（通常、３５０〜４０
０１（ｚ程度）ではその他の周波数域における出力の数
十倍の出力が出てしまう。
のカンチレバーの形状で特性がほぼ決定′されており、
カンチレバー自身の共振周波数域（通常、３５０〜４０
０１（ｚ程度）ではその他の周波数域における出力の数
十倍の出力が出てしまう。
そこで、例えば自動車の加速度等を検出しようとする場
合には低周波数域（通常、１０ ｆｉｚ程度以下）しか
必要としないので、共振周波数域を含む比較的高い周波
数域をカットする為に、シリコンオイル等のダンピング
液中にカンチレバーを配置する事で粘性抵抗力による減
衰作用を利用してダンピング液を機械的なハイカットフ
ィルタとして用いていた。
合には低周波数域（通常、１０ ｆｉｚ程度以下）しか
必要としないので、共振周波数域を含む比較的高い周波
数域をカットする為に、シリコンオイル等のダンピング
液中にカンチレバーを配置する事で粘性抵抗力による減
衰作用を利用してダンピング液を機械的なハイカットフ
ィルタとして用いていた。
しかしながら、上記の様なダンピング液中に配置したカ
ンチレバーをパッケージングする場合、従来では、例え
ば凹部の形成された容器にカンチレバーの支持体を固定
し、又、ダイビング液を封入して、蓋体をネジ化めする
事により行っていた。
ンチレバーをパッケージングする場合、従来では、例え
ば凹部の形成された容器にカンチレバーの支持体を固定
し、又、ダイビング液を封入して、蓋体をネジ化めする
事により行っていた。
その為、この様にパンケージングされた半導体式加速度
センサを例えば自動車用等の使用環境条件の厳しい所で
採用する場合、広範囲な温度条件（およそ−４０〜１１
０℃）、又、それによるダンピング液の膨張・収縮等が
原因で、流動性の高いダンピング液は容器と蓋体との間
隙から外部に漏れてしまうという可能性が生じていた。
センサを例えば自動車用等の使用環境条件の厳しい所で
採用する場合、広範囲な温度条件（およそ−４０〜１１
０℃）、又、それによるダンピング液の膨張・収縮等が
原因で、流動性の高いダンピング液は容器と蓋体との間
隙から外部に漏れてしまうという可能性が生じていた。
そこで本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、厳し
い使用環境条件下でもダンピング液が漏れる事のないよ
うに気密性高くパフケージングする事を目的としている
。
い使用環境条件下でもダンピング液が漏れる事のないよ
うに気密性高くパフケージングする事を目的としている
。
上記の目的を達成する為に、本発明は、その−部を固定
し、他部を自由端とした振動子と、ダンピング液とを、 金属キャップと金属ベースとから成るハーメチックパッ
ケージ内に備え、 前記金属キャップと前記金属ベースとを電気抵抗溶接す
る事により気密封止した事を特徴とする半導体式加速度
センサを採用している。
し、他部を自由端とした振動子と、ダンピング液とを、 金属キャップと金属ベースとから成るハーメチックパッ
ケージ内に備え、 前記金属キャップと前記金属ベースとを電気抵抗溶接す
る事により気密封止した事を特徴とする半導体式加速度
センサを採用している。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の全体の斜視図であり、
気宝封止前を表している。図において、１００はコバー
ル等の金属より成るステムであり、本発明のいう金属ベ
ースである。ステム１００はその外周である溶接部１０
１をのぞいて、後述する台座６、ストッパー２００等を
搭載する凸部がプレス加工等により形成されており、又
、外部との電気接続をする為に例えば４つの貫通孔が存
在しており、その貫通孔に硬質ガラス５００を溶着する
事により介在してリード端子４００が固定されている。
気宝封止前を表している。図において、１００はコバー
ル等の金属より成るステムであり、本発明のいう金属ベ
ースである。ステム１００はその外周である溶接部１０
１をのぞいて、後述する台座６、ストッパー２００等を
搭載する凸部がプレス加工等により形成されており、又
、外部との電気接続をする為に例えば４つの貫通孔が存
在しており、その貫通孔に硬質ガラス５００を溶着する
事により介在してリード端子４００が固定されている。
リード端子４００とステム１００とは硬質ガラス５００
により電気的に絶縁されており、又、硬質ガラス５００
は気密性良（介在している。
により電気的に絶縁されており、又、硬質ガラス５００
は気密性良（介在している。
次に、ステム１００上に搭載され、カンチレバー４ａお
よび台座６により成るセンサエレメントについて第２図
を用いて詳細に説明する。第２図（ａ）に示す上面図、
及びそのＡ−Ａ線断面図である同図（ｂ）において、４
ａは例えばＮ型シリコン単結晶基板から成るカンチレバ
ーであり、薄肉状のダイヤフラム部７、自由端１、自由
端１を保護する為に自由端１の周りに配置するガード部
４ａ、、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード部
４ａ。
よび台座６により成るセンサエレメントについて第２図
を用いて詳細に説明する。第２図（ａ）に示す上面図、
及びそのＡ−Ａ線断面図である同図（ｂ）において、４
ａは例えばＮ型シリコン単結晶基板から成るカンチレバ
ーであり、薄肉状のダイヤフラム部７、自由端１、自由
端１を保護する為に自由端１の周りに配置するガード部
４ａ、、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード部
４ａ。
との間ｒ４４ａｚを形成する為のスクライブはカンチレ
バー４ａを両面エツチングする事により行われ、例えば
、カンチレバー４ａのスクライブする箇所の表面（第２
図（ｂｌにおける上面）で予め溝堀りエツチングしてお
き、その後のダイヤフラム部７の形成時に裏面より工・
ノチングを行う事でダイヤフラム部７の形成とスクライ
ブとを同時に行う。
バー４ａを両面エツチングする事により行われ、例えば
、カンチレバー４ａのスクライブする箇所の表面（第２
図（ｂｌにおける上面）で予め溝堀りエツチングしてお
き、その後のダイヤフラム部７の形成時に裏面より工・
ノチングを行う事でダイヤフラム部７の形成とスクライ
ブとを同時に行う。
支持体８及びガード部４ａ、の所定領域の表面にはＮｉ
Ｎ等をめっき又は蒸着した下地１ｉ３ｂが形成されてお
り、同じく下地層３ｂの形成されている台座６と半田１
５ｂを介して接着している。
Ｎ等をめっき又は蒸着した下地１ｉ３ｂが形成されてお
り、同じく下地層３ｂの形成されている台座６と半田１
５ｂを介して接着している。
尚、台座６にはカンチレバー４ａが被測定加速度に応じ
て変位できるように所定の深さの凹部が形成されている
。この凹部の深さは自由＄１の変位の最大値を決定する
ものであり、強い衝撃が加わ。
て変位できるように所定の深さの凹部が形成されている
。この凹部の深さは自由＄１の変位の最大値を決定する
ものであり、強い衝撃が加わ。
った場合に、自由端１の第２図（ｂｌ中下方向の変位に
おける機械的ストッパーとして働きカンチレバー４ａの
破壊を防止している。又、台座６の材質としてはカンチ
レバー４ａとの熱膨張係数をあわせる為にシリコンが望
ましく、その形状は同図（Ｃ１に示すように、凹部６ａ
は一方の端面６ｂから他方の端面６Ｃにわたって形成さ
れている。このような形状に台座を形成する事により、
ダンピング液は台座６の凹部６ａを通って自由に出入り
する事ができ、カンチレバー４ａの周波数応答を改善で
きる。
おける機械的ストッパーとして働きカンチレバー４ａの
破壊を防止している。又、台座６の材質としてはカンチ
レバー４ａとの熱膨張係数をあわせる為にシリコンが望
ましく、その形状は同図（Ｃ１に示すように、凹部６ａ
は一方の端面６ｂから他方の端面６Ｃにわたって形成さ
れている。このような形状に台座を形成する事により、
ダンピング液は台座６の凹部６ａを通って自由に出入り
する事ができ、カンチレバー４ａの周波数応答を改善で
きる。
自由端１の一生面（接着面）２には複数箇所（図では７
箇所）に下地Ｎ３ ａが形成されており、その下地Ｎ
３ ａを介して負荷としての半田層５ａを接着している
。ここで、本例のように半田Ｊ’ｆｆ１５ａを複数箇所
に形成する事により半田の垂れ、片寄りを極力抑える事
ができる。面、下地Ｎ３ ａ及び半田層５ａは、支持体
８又はガード部４ａ＋の表面上に形成される下地Ｎ３ｂ
及び半田層５ｂとそれぞれ同時に同じ工程で形成可能で
ある。
箇所）に下地Ｎ３ ａが形成されており、その下地Ｎ
３ ａを介して負荷としての半田層５ａを接着している
。ここで、本例のように半田Ｊ’ｆｆ１５ａを複数箇所
に形成する事により半田の垂れ、片寄りを極力抑える事
ができる。面、下地Ｎ３ ａ及び半田層５ａは、支持体
８又はガード部４ａ＋の表面上に形成される下地Ｎ３ｂ
及び半田層５ｂとそれぞれ同時に同じ工程で形成可能で
ある。
又、ダイヤフラム部７内あるいはダイヤフラム部７上（
図は前者）に公知の半導体加工技術、例えば、ボロン等
のＰ型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダイ
ヤフラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲー
ジ９が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で等大して形
成した配線層１１ａ、及びＡＩ蒸着膜等から成る配線部
材１１ｂにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的
接続されておりフルブリッジを構成している。尚、１（
ｌはシリコン酸化膜等の保護膜であり、又、配線部材１
１ｂのパッド部とリード端子４００とはワイヤｖＡ３０
０をワイヤボンディングする事により電気接続している
。
図は前者）に公知の半導体加工技術、例えば、ボロン等
のＰ型不純物を熱拡散又はイオン注入する事によりダイ
ヤフラム部７内に導入し、形成した４個の半導体歪ゲー
ジ９が存在しており、Ｐ型不純物を高濃度で等大して形
成した配線層１１ａ、及びＡＩ蒸着膜等から成る配線部
材１１ｂにより各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的
接続されておりフルブリッジを構成している。尚、１（
ｌはシリコン酸化膜等の保護膜であり、又、配線部材１
１ｂのパッド部とリード端子４００とはワイヤｖＡ３０
０をワイヤボンディングする事により電気接続している
。
そして、上記のセンサエレメントは、自由端１に加速度
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加しておくことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田によりステム１００
に台座６を接着する事により固定される。
を加えるとダイヤフラム部７に歪を生じ、加速度の大き
さに応じて半導体歪ゲージ９の抵抗値が変化し、ブリッ
ジ回路に予め電圧を印加しておくことによりブリッジ出
力として不平衡電圧を生じ、その電圧値に応じて被検出
加速度を検知するものであり、半田によりステム１００
に台座６を接着する事により固定される。
第１図において２００はストッパーであり、台座６がカ
ンチレバー４３の自由端１の下方向の変位における機械
的ストッパーであるのに対し、上方向への変位における
ストッパーをなす。すなわち、ストッパー２００とカン
チレバー４ａとは所定の間隙を存するように形成されて
いる。尚、その材質は例えばコバール等から成り、又、
半田によりステム１００に接着している。
ンチレバー４３の自由端１の下方向の変位における機械
的ストッパーであるのに対し、上方向への変位における
ストッパーをなす。すなわち、ストッパー２００とカン
チレバー４ａとは所定の間隙を存するように形成されて
いる。尚、その材質は例えばコバール等から成り、又、
半田によりステム１００に接着している。
次に、６００はコバール等の金属より成るシェルであり
、本発明の言う金属キャップである。シェル６００はス
テム１００の溶接部１０１に相対する位置に同じく溶接
部６０１を有し、その他の部分はプレス加工により凹部
が形成され箱形となっている。又、シェル６００には気
田封止後にダンピング液を注入する為の穴６０２及びそ
の際に空気を逃がす為の穴６０３が形成されている。
、本発明の言う金属キャップである。シェル６００はス
テム１００の溶接部１０１に相対する位置に同じく溶接
部６０１を有し、その他の部分はプレス加工により凹部
が形成され箱形となっている。又、シェル６００には気
田封止後にダンピング液を注入する為の穴６０２及びそ
の際に空気を逃がす為の穴６０３が形成されている。
次に、本実施例の要部に関する気密封止を行う工程につ
いて説明する。第１図では図示していないが、第３図の
部分的断面図に示すように、ステム１００の溶接部１０
１におけるシェル６００側表面には、例えばその断面が
三角形状をなす突部１０１ａが全周にわたって存在して
おり、溶接部６０１と溶接部１０１とを接触させて図中
矢印方向に機械的な圧力を加えつつ、シェル６００とス
テム１００間に通電する事により、通電電流は突部Ｉｏ
ｔａから局部的に短時間に流れ、その時に発生するジュ
ール熱により両者の溶接を行う。尚、以上の説明はプロ
ジェクション抵抗溶接についてのものであるが、本発明
のいう電気抵抗溶接とはこれに限定される事なく、例え
ばコンデンサ溶接等であってもよい。
いて説明する。第１図では図示していないが、第３図の
部分的断面図に示すように、ステム１００の溶接部１０
１におけるシェル６００側表面には、例えばその断面が
三角形状をなす突部１０１ａが全周にわたって存在して
おり、溶接部６０１と溶接部１０１とを接触させて図中
矢印方向に機械的な圧力を加えつつ、シェル６００とス
テム１００間に通電する事により、通電電流は突部Ｉｏ
ｔａから局部的に短時間に流れ、その時に発生するジュ
ール熱により両者の溶接を行う。尚、以上の説明はプロ
ジェクション抵抗溶接についてのものであるが、本発明
のいう電気抵抗溶接とはこれに限定される事なく、例え
ばコンデンサ溶接等であってもよい。
そして、シェル６００とステム１００の溶接の後は、第
４図の第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図に示すよ
うに、穴６０２に例えば吐出先が針状の注入器９００を
差し込み例えばシリコンオイル等のダンピング液７００
を一定量、例えば全容積の７０〜８０％程度注入する。
４図の第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図に示すよ
うに、穴６０２に例えば吐出先が針状の注入器９００を
差し込み例えばシリコンオイル等のダンピング液７００
を一定量、例えば全容積の７０〜８０％程度注入する。
その際、シェル６００内に存在した空気は第１図を用い
て説明した穴６０３より外部に逃げる事になるが、残っ
。
て説明した穴６０３より外部に逃げる事になるが、残っ
。
た空気８００はそのままダンピング液７００と同封され
る事となる。そして、ダンピング液７００の注入後は注
入器９００を取りのぞき、六６０２及び６０３を半田に
より封止する。尚、図に示すように六６０２の部分は凹
部が形成されており、（図示はしないが穴６０３にも形
成されている）その凹部に半田が溜まる。又、シェル６
００にはダンピング液７００の波立ちを抑制する為の隔
壁６０４が形成されている。そして気密封止された半導
体式加速度センサは図中矢印方向を上方向として組付け
られる。
る事となる。そして、ダンピング液７００の注入後は注
入器９００を取りのぞき、六６０２及び６０３を半田に
より封止する。尚、図に示すように六６０２の部分は凹
部が形成されており、（図示はしないが穴６０３にも形
成されている）その凹部に半田が溜まる。又、シェル６
００にはダンピング液７００の波立ちを抑制する為の隔
壁６０４が形成されている。そして気密封止された半導
体式加速度センサは図中矢印方向を上方向として組付け
られる。
そこで本実施例によると、通常パワートランジスタ等の
パッケージングに用いられる金属製のハーメチックパッ
ケージを改良したものを用いて、シェル６００とステム
１００を電気抵抗溶接する事により気密封止しており、
この電気抵抗溶接は短時間で行われセンサエレメント近
傍をほとんど加熱する事がないのでセンサエレメントに
何ら悪影響を与える事なく、又、溶接部の歪が小さく、
シーリング強度も強いので、ダンピング液７００が漏れ
る事のない気密性高くパッケージソゲされる事になる。
パッケージングに用いられる金属製のハーメチックパッ
ケージを改良したものを用いて、シェル６００とステム
１００を電気抵抗溶接する事により気密封止しており、
この電気抵抗溶接は短時間で行われセンサエレメント近
傍をほとんど加熱する事がないのでセンサエレメントに
何ら悪影響を与える事なく、又、溶接部の歪が小さく、
シーリング強度も強いので、ダンピング液７００が漏れ
る事のない気密性高くパッケージソゲされる事になる。
尚、電気抵抗溶接としてプロジェクション抵抗溶接を行
った場合、パフケージは６気圧程度の内圧に耐える事が
でき、又、少量の空気８００を同封しているので広範囲
な温度変化によるダンピング液７００の膨張、収縮にも
十分耐えうる。
った場合、パフケージは６気圧程度の内圧に耐える事が
でき、又、少量の空気８００を同封しているので広範囲
な温度変化によるダンピング液７００の膨張、収縮にも
十分耐えうる。
次に、ダンピング液のパッケージ内への注入量が確認可
能な本発明の第２の実施例を説明する。
能な本発明の第２の実施例を説明する。
第５図（ａ）はその全体の斜視図であり、同図（ト））
はその要部断面図である。図においてシェル６００には
貫通孔である窓部６０５が形成されており、その窓部６
０５全体を覆うようにして例えば石英ガラス等から成る
透明部材６０６が溶着等により気密性良く内側から接着
している。ここで、ダンピング液７００のパンケージ内
に注入する量は、通常は吐出装置等により制御して一定
量注入しているが、何らかの原因でダンピング液７００
の量がａｆｆｌでなかった場合、又は、センサエレメン
ト近傍に気泡が残っていた場合には、半導体式加速度セ
ンサの特性に重大な影響を及ぼしてしまうが、本実施例
によると、窓部６０５を通してパッケージ内をのぞく事
により、そのような事態を予め確認でき、対処できると
いう効果がある。尚、第５図は簡単の為にストッパー２
００、リード端子４００等は図示していないが、第１図
と同様のものが適用可能である。又、本例において第４
図を用いて説明したような隔壁６０４を形成しようとす
ると透明部材６０６が邪魔になるが、シェル６００の側
壁を利用する、ステム１００側に形成する等の手法によ
り形成可能である。又、透明部材６０６には量の確認を
容易にする為に目盛り等を形成してもよい。
はその要部断面図である。図においてシェル６００には
貫通孔である窓部６０５が形成されており、その窓部６
０５全体を覆うようにして例えば石英ガラス等から成る
透明部材６０６が溶着等により気密性良く内側から接着
している。ここで、ダンピング液７００のパンケージ内
に注入する量は、通常は吐出装置等により制御して一定
量注入しているが、何らかの原因でダンピング液７００
の量がａｆｆｌでなかった場合、又は、センサエレメン
ト近傍に気泡が残っていた場合には、半導体式加速度セ
ンサの特性に重大な影響を及ぼしてしまうが、本実施例
によると、窓部６０５を通してパッケージ内をのぞく事
により、そのような事態を予め確認でき、対処できると
いう効果がある。尚、第５図は簡単の為にストッパー２
００、リード端子４００等は図示していないが、第１図
と同様のものが適用可能である。又、本例において第４
図を用いて説明したような隔壁６０４を形成しようとす
ると透明部材６０６が邪魔になるが、シェル６００の側
壁を利用する、ステム１００側に形成する等の手法によ
り形成可能である。又、透明部材６０６には量の確認を
容易にする為に目盛り等を形成してもよい。
次に、温度に対する安定性、耐ＥＭＩ（電磁障害）性の
向上を目的とした本発明の第３の実施例を説明する。本
実施例の特徴は第６図の模式的断面図に示すように、パ
ッケージ内にセンサ出力の増幅回路９００を設置する事
である。通常、カンチレバー４３から出力される電気信
号は数ｍＶ以下と非常に微弱であり、又、その信号を増
幅処理する回路はパッケージ外部に配置されている為、
カンチレバー４ａと増幅、処理回路間に熱勾配が生じ易
く、より正確に検出しようとする場合には温度に応じて
熱勾配の分を補正してやらなければならないが、本実施
例によると、パッケージ内に増幅回路９００が配置して
いるのでカンチレバー４ａとの熱勾配はほとんど生じる
事なく、温度に対して安定的となる。又、パンケージは
金属製であるので耐ＥＭＩ性に優れており、パッケージ
内にて増幅した信号をパッケージ外部に出力しているの
でＥＭＩの影響をほとんど受ける事がないという効果が
ある。尚、出力処理回路としては少なくとも増幅回路が
あればよいのであって、他の処理回路もパフケージ内に
配置してもよい。又、第６図において図に示すものと同
一構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
向上を目的とした本発明の第３の実施例を説明する。本
実施例の特徴は第６図の模式的断面図に示すように、パ
ッケージ内にセンサ出力の増幅回路９００を設置する事
である。通常、カンチレバー４３から出力される電気信
号は数ｍＶ以下と非常に微弱であり、又、その信号を増
幅処理する回路はパッケージ外部に配置されている為、
カンチレバー４ａと増幅、処理回路間に熱勾配が生じ易
く、より正確に検出しようとする場合には温度に応じて
熱勾配の分を補正してやらなければならないが、本実施
例によると、パッケージ内に増幅回路９００が配置して
いるのでカンチレバー４ａとの熱勾配はほとんど生じる
事なく、温度に対して安定的となる。又、パンケージは
金属製であるので耐ＥＭＩ性に優れており、パッケージ
内にて増幅した信号をパッケージ外部に出力しているの
でＥＭＩの影響をほとんど受ける事がないという効果が
ある。尚、出力処理回路としては少なくとも増幅回路が
あればよいのであって、他の処理回路もパフケージ内に
配置してもよい。又、第６図において図に示すものと同
一構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
尚、本発明は上記３つの実施例に限定される事なく、そ
の主旨を逸脱しない限り種々変形可能である。
の主旨を逸脱しない限り種々変形可能である。
例えば、上記実施例では自由端ｌの変位を制限。
する為、台座６に凹部６ａが形成され、又、ストッパー
２００が設けられているが、それらがない構成としても
よい。又、半田ＪＥＪ ５ ａには慣性を増加してより
積電感度を高める為に半田以外の負倚を接着してもよい
。
２００が設けられているが、それらがない構成としても
よい。又、半田ＪＥＪ ５ ａには慣性を増加してより
積電感度を高める為に半田以外の負倚を接着してもよい
。
以上述べたように本発明によると、金属キャップと金属
ベースとを電気抵抗溶接して気密封止した事により、厳
しい使用環境条件下でもダンピング液が漏れる事のない
ような気密性の高いパンケージを有する半導体式加速度
センサを提供できるという効果がある。
ベースとを電気抵抗溶接して気密封止した事により、厳
しい使用環境条件下でもダンピング液が漏れる事のない
ような気密性の高いパンケージを有する半導体式加速度
センサを提供できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の気密封止前における全
体の斜視図、第２図（ａｌは第１図におけるセンサエレ
メントの上面図、第２図（１））は同図（ａ）における
Ａ−Ａ線断面図、第２図（Ｃ）は第１図における台座の
斜視図、第３図は第１図における実施例の部分的断面図
、第４図は第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図、第
５図（ａ）は本発明の第２の実施例の全体の斜視図、第
５図（ｂｌは同図（ａｌにおける要部断面図、第６図は
本発明の第３の実施例の模式的断面図である。 １・・・自由端＋４ａ・・・カンチレバー、６・・・台
座。 ８・・・支持体、 １００・・・ステム、６００・・
・シェル。 ７００・・・ダンピング液。
体の斜視図、第２図（ａｌは第１図におけるセンサエレ
メントの上面図、第２図（１））は同図（ａ）における
Ａ−Ａ線断面図、第２図（Ｃ）は第１図における台座の
斜視図、第３図は第１図における実施例の部分的断面図
、第４図は第１図における溶接後のＢ−Ｂ線断面図、第
５図（ａ）は本発明の第２の実施例の全体の斜視図、第
５図（ｂｌは同図（ａｌにおける要部断面図、第６図は
本発明の第３の実施例の模式的断面図である。 １・・・自由端＋４ａ・・・カンチレバー、６・・・台
座。 ８・・・支持体、 １００・・・ステム、６００・・
・シェル。 ７００・・・ダンピング液。
Claims (5)
- （１）その一部を固定し、他部を自由端とした振動子と
、ダンピング液とを、 金属キャップと金属ベースとから成るハーメチックパッ
ケージ内に備え、 前記金属キャップと前記金属ベースとを電気抵抗溶接す
る事により気密封止した事を特徴とする半導体式加速度
センサ。 - （２）上記金属キャップは、上記ダンピング液注入用の
穴、及び、注入の際に上記ハーメチックパッケージ内の
空気を逃がす為の穴を備えているものである特許請求の
範囲第１項記載の半導体式加速度センサ。 - （３）上記金属キャップは、上記ダンピング液の波立ち
を抑制する為の隔壁を備えているものである特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の半導体式加速度センサ。 - （４）上記金属キャップは、その一部に窓部を有し、少
なくとも該窓部を覆うように透明な部材が接着している
特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の半
導体式加速度センサ。 - （５）上記ハーメチックパッケージ内には、上記振動子
から出力される信号値を増幅する増幅回路を少なくとも
有する出力処理回路をも備える特許請求の範囲第１項乃
至第４項のいずれかに記載の半導体式加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235069A JPH0615986B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体式加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61235069A JPH0615986B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体式加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388408A true JPS6388408A (ja) | 1988-04-19 |
| JPH0615986B2 JPH0615986B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16980606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61235069A Expired - Lifetime JPH0615986B2 (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体式加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615986B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016057136A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量センサ |
| CN110085580A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-02 | 星科金朋半导体（江阴）有限公司 | 一种植入阻尼器的芯片封装结构及其封装方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436771A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Shimadzu Corp | Vibration detector |
| JPS55166014A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Low cyclic vibration measuring device |
| JPS59158566A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体加速度センサ |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP61235069A patent/JPH0615986B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5436771A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Shimadzu Corp | Vibration detector |
| JPS55166014A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Low cyclic vibration measuring device |
| JPS59158566A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体加速度センサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016057136A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 物理量センサ |
| CN110085580A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-02 | 星科金朋半导体（江阴）有限公司 | 一种植入阻尼器的芯片封装结构及其封装方法 |
| CN110085580B (zh) * | 2019-05-27 | 2024-05-24 | 星科金朋半导体（江阴）有限公司 | 一种植入阻尼器的芯片封装结构及其封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0615986B2 (ja) | 1994-03-02 |
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