JPS6387753A - Manufacture of semiconductor integrated circuit - Google Patents
Manufacture of semiconductor integrated circuitInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造方法に関し、特にそ
のバリ取り工程を簡略化したものに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and particularly to a method for simplifying the deburring process.
第４図は従来の製造方法によって作られた半導体集積回
路の正面断面を部分的に示し、図において、１はモール
ド部、３はリードフレーム、６は該リードフレームの表
面に付着したバリである。FIG. 4 shows a partial front cross section of a semiconductor integrated circuit manufactured by a conventional manufacturing method. In the figure, 1 is a mold part, 3 is a lead frame, and 6 is a burr attached to the surface of the lead frame. .
次に、このバリの取り方について説明する。第４図に示
したバリ６のようにリードフレーム３上にあるバリにつ
いては、サンドペーパ等でフレーム３の表面をこすって
このバリ６を取り去る。ここでこのバリ６はリードをメ
ンキする際に有害となるため、必ずきれいに取り去る必
要がある。また、リード間にあるバリについては、水圧
をかける等の方法によってこれを取り去る。Next, we will explain how to remove this burr. For burrs on the lead frame 3, such as the burrs 6 shown in FIG. 4, the burrs 6 are removed by rubbing the surface of the frame 3 with sandpaper or the like. Since this burr 6 becomes harmful when the lead is torn, it is necessary to remove it completely. Further, burrs between the leads are removed by applying water pressure or the like.
従来の半導体集積回路の製造方法におけるバリ取り工程
は、人手による作業工程を含むものであり、非常に時間
がかかるという欠点があった。The deburring process in the conventional semiconductor integrated circuit manufacturing method involves a manual work process, which has the drawback of being extremely time consuming.
また、この作業の精度が良くないため、人間の目による
目視検査を行い、チＪ−７りをしな・ければならず時間
がかかるとともに経費がかかるという問題点があった。Furthermore, since the accuracy of this work is not good, visual inspection and testing must be performed with human eyes, which is time consuming and costly.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、バリ取り作業を簡略化するとともに、目視
によくチェック工程を省略することができる半導体集積
回路の製造方法を得ることを目的とする。This invention has been made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide a method for manufacturing semiconductor integrated circuits that can simplify the deburring work and omit the visual check process. purpose.
この発明に係る半導体集積回路の製造方法は、リードフ
レームのリード部に耐熱シールを被覆するかあるいは耐
熱樹脂によってコーティングを行い、その後樹脂モール
ドし、その後上記耐熱シールあるいはコーティングをは
がして付着したバリを取り去るものである。The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes covering the lead portion of a lead frame with a heat-resistant seal or coating with a heat-resistant resin, followed by resin molding, and then peeling off the heat-resistant seal or coating to remove the attached burrs. It is something to be taken away.
この発明においては、リードフレームのリード部に耐熱
シールを被覆するかあるいは耐熱樹脂によってコーティ
ングを行い、その後樹脂モールドし、その後上記耐熱シ
ールあるいはコーティングをはがして付着したバリを取
り去るようにしたから、耐熱シールもしくは耐熱樹脂コ
ーティングにより、リード部上及びリード間にバリが付
着するのを防止でき、バリをはがしやすくできる。In this invention, the lead portion of the lead frame is covered with a heat-resistant seal or coated with a heat-resistant resin, then molded with resin, and then the heat-resistant seal or coating is peeled off to remove the attached burr. The seal or heat-resistant resin coating can prevent burrs from adhering to the lead portion and between the leads, making it easier to remove the burrs.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例による半導体集積回路の製造
方法における樹脂モールド工程を完了した状態の半導体
集積回路の上面図を示し、第２図はその横方向の断面図
、第３図は第１図の縦方向の部分断面図を示し、図にお
いて、１は樹脂モールド部、２はリードフレーム、３は
リードフレーム２のリード部、４はリードフレームのタ
イバー部、５はリード部２及びダイパ一部４を被ってい
る耐熱シールもしくは耐熱樹脂コーティングであり、ま
た６は上記耐熱シールあるいは耐熱樹脂′コーティング
５上に付着したバリである。FIG. 1 shows a top view of a semiconductor integrated circuit after completing a resin molding step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a lateral cross-sectional view thereof, and FIG. 1 is a vertical partial cross-sectional view of FIG. A heat-resistant seal or heat-resistant resin coating covers the dieper portion 4, and 6 indicates burrs attached to the heat-resistant seal or heat-resistant resin coating 5.
次に製造方法について説明する。リードフレーム２上の
バリ６から保護する必要のあるリード部３の両面及びリ
ード部３間に、あらかじめ耐熱シールをはりつけるか、
もしくは耐熱樹脂によるコーティングを行う、この時、
シールのはり合せ部もしくはコーティングのすき間が生
じないように密着性を良くする必要がある。その後この
リードフレーム２上にＩＣチップのグイボンド及びワイ
アボンドを行なった後、全体を樹脂モールドする。Next, the manufacturing method will be explained. Either attach a heat-resistant seal in advance to both sides of the lead part 3 and between the lead parts 3 that need to be protected from the burrs 6 on the lead frame 2, or
Or coating with heat-resistant resin, at this time,
It is necessary to have good adhesion so that there are no gaps in the seal joint or coating. Thereafter, the IC chip is bonded and wire bonded onto this lead frame 2, and then the whole is resin molded.
このような本実施例ではバリ６は第２図、第３図に示す
ように耐熱シールもしくはコーティングの上に付着して
おり、このためモールド完了後に、この耐熱シールもし
くは耐熱コーティングをはがして付着したバリは簡単に
とり除くことができる。In this example, the burr 6 is attached to the heat-resistant seal or coating as shown in FIGS. Burrs can be easily removed.
なお、上記実施例ではシールもしくはコーティングをＩ
Ｃチップの′ダイボンド前に行う場合について述べたが
、これはワイアボンドまで通常のフローで、樹脂モール
ド前に耐熱シールもしくは耐熱コーティングを行っても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。Note that in the above embodiments, the seal or coating is
Although we have described the case where this is done before die bonding of the C chip, this can be done in the normal flow up to wire bonding, and heat resistant sealing or heat resistant coating can be done before resin molding, and the same effect as in the above embodiment can be achieved.
以上のように、この発明にかかる半導体集積回路の製造
方法によれば、リードフレームのリード部上及びリード
部間を耐熱シールもしくは耐熱コーティングによって被
覆し、その後樹脂モールドするようにしたので、上記シ
ールもしくはコーティングをはがすことによってバリ取
りを簡単に行なうことができるとともにバリ取りの精度
が向上して、目視検査工程を簡略化することができると
いう効果がある。As described above, according to the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to the present invention, the lead portions of the lead frame and between the lead portions are coated with a heat-resistant seal or heat-resistant coating, and then resin molded. Alternatively, deburring can be easily performed by peeling off the coating, and the accuracy of deburring can be improved, thereby simplifying the visual inspection process.
第１図はこの発明の一実施例の半導体集積回路の製造方
法におけるモールド工程を完了した状態の半導体集積回
路を示す上面図、第２図及び第３図はそれぞれ第１図の
横方向の断面図及び縦方向の断面図、第４図は従来の製
造方法を説明するための断面図である。
１・・・樹脂モールド部、２・・・リードフレーム、３
・・・リード部、４・・・タイバ一部、５・・・耐熱シ
ールあるいは耐熱コーティング。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。FIG. 1 is a top view showing a semiconductor integrated circuit after the molding process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are cross sections taken in the lateral direction of FIG. 1, respectively. FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a conventional manufacturing method. 1...Resin mold part, 2...Lead frame, 3
...Lead part, 4...Part of tie bar, 5...Heat-resistant seal or heat-resistant coating. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.
Claims (2)
する半導体集積回路の製造方法において、上記素子を搭
載したリードフレームに耐熱性シールを被覆するかある
いは耐熱性樹脂によりコーティングを行ない、その後樹
脂モールドによりパッケージングを行い、その後上記耐
熱性シールあるいはコーティングをはがしてバリ取りを
行うことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。(1) In a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit in which a semiconductor element is packaged with a resin mold, a lead frame on which the element is mounted is covered with a heat-resistant seal or coated with a heat-resistant resin, and then packaged with a resin mold. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, which comprises the steps of: removing the heat-resistant seal or coating and deburring the heat-resistant seal or coating.
ーティングは、リードフレーム間を含みリードフレーム
の両面に施すようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体集積回路の製造方法。(2) Manufacturing a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the heat-resistant seal coating or the heat-resistant resin coating is applied to both sides of the lead frame, including between the lead frames. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23408586A JPS6387753A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23408586A JPS6387753A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387753A true JPS6387753A (en) | 1988-04-19 |
Family
ID=16965375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23408586A Pending JPS6387753A (en) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387753A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258331A (en) * | 1989-10-20 | 1993-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23408586A patent/JPS6387753A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258331A (en) * | 1989-10-20 | 1993-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars |
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