JPS6384316A - Logic circuit for cmos gate array - Google Patents

Logic circuit for cmos gate array

Info

Publication number
JPS6384316A
JPS6384316A JP61231040A JP23104086A JPS6384316A JP S6384316 A JPS6384316 A JP S6384316A JP 61231040 A JP61231040 A JP 61231040A JP 23104086 A JP23104086 A JP 23104086A JP S6384316 A JPS6384316 A JP S6384316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
floating
logic circuit
gate array
high impedance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61231040A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuro Hirayama
平山 哲朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61231040A priority Critical patent/JPS6384316A/en
Publication of JPS6384316A publication Critical patent/JPS6384316A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily form a floating preventing circuit when many bases are used by using a high impedance circuit as a pull-up resistance. CONSTITUTION:In a normal transfer mode the output circuit of a circuit 10 or 20 is set under an active or floating state by the enable control input 4 for transfer of data. However a bus line 8 is set mistakenly under a floating state if both circuits 10 and 20 are not active. In this respect, a VDD is connected to the line 8 with a high impedance pull-up P-FET 30 kept always in an ON state. The FET 30 is set at an impedance much higher than the ON resistance of other internal transistors. Thus the normal transfer mode is not affected. In such a way, a floating preventing circuit is easily obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はゲートアレイの機能に関し、特に高いON抵抗
のトランジスタをプルアップ用抵抗として用いる方法に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the function of gate arrays, and in particular to a method of using high ON resistance transistors as pull-up resistors.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、バス信号線がフローティングになることを防止す
る方法としては論理回路を組み合せて作成していた。例
えば、第2図に示すようにフローティング防止論理回路
40は各バスドライバーレシーバ1.0.20のトライ
ステート制御信号4を入力しその論理和の否定をトライ
ステートインバータバスのイネーブル信号に入力する。
Conventionally, a method for preventing bus signal lines from floating has been to create a combination of logic circuits. For example, as shown in FIG. 2, the floating prevention logic circuit 40 inputs the tristate control signal 4 of each bus driver receiver 1.0.20 and inputs the negation of the logical sum thereof as the enable signal of the tristate inverter bus.

ここではトライステート信号は論理″1#でアクティブ
、論理V″0“でノンアクティブ、すなわち、フローテ
ィングになるようにしである。
Here, the tri-state signal is active at logic "1#" and non-active, ie, floating, at logic "V"0.

図において、1はトライステート出力回路(ドライバー
)、2はトライステート出力回路1の出力、3は入力、
4はトライステート出力回路1のイネーブル制御入力で
ある。5は入力回路(レシーバ)、6は入力回路5の出
力、7は入力、8はパスライン、41はNOR回路、4
2はトライステー1−インバーターである。
In the figure, 1 is the tri-state output circuit (driver), 2 is the output of the tri-state output circuit 1, 3 is the input,
4 is an enable control input of the tri-state output circuit 1; 5 is an input circuit (receiver), 6 is an output of input circuit 5, 7 is an input, 8 is a pass line, 41 is a NOR circuit, 4
2 is a tri-stay 1-inverter.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来の方法は内部に多くのパスラインを必要と
する論理構造の場合、信号ラインがフローティングにな
ることを防止する論理を追加する必要があった。信号ラ
インがフローティングになると、0MO8のPチャンネ
ルトランジスタとNチャンネルトランジスタが同時にO
NLだ場合、大きい連通電流が流れたり誤動作する恐れ
があるためである。
In the conventional method described above, in the case of a logic structure requiring many internal path lines, it was necessary to add logic to prevent the signal lines from floating. When the signal line becomes floating, the P-channel transistor and N-channel transistor of 0MO8 become OFF at the same time.
This is because in the case of NL, a large communication current may flow or malfunction may occur.

従来の方法は1つのパスラインに接続されているバスド
ライバレシーバの数だけ配線を引き回しそれに論理演算
をほどこす必要があり、バスにより配線チャンネルを節
約してもこのフローティング防止回路のため、多くの配
線チャンネルを使用してしまうという欠点があった。
In the conventional method, it is necessary to route as many wires as the number of bus driver receivers connected to one pass line and perform logical operations on them. There was a drawback that wiring channels were used.

本発明の目的はバスを多数使用する場合に簡単にフロー
ティング防止回路を構成できる論理回路を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a logic circuit that can easily constitute a floating prevention circuit when a large number of buses are used.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は同一形状のセルをアレイ状に繰り返し配置した
CMOSゲートアレイ用論理回路において、高インピー
ダンスを有するトランジスタを含むセルを内部のセルの
一部に内蔵したことを特徴とするCMOSゲートアレイ
論理回路である。
The present invention relates to a CMOS gate array logic circuit in which cells of the same shape are repeatedly arranged in an array, in which a cell including a transistor having high impedance is built into a part of the internal cells. It is.

〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention.

第1図において、1はトライステート出力回路、5は入
力回路で、出力回路1の出力2と入力回路5の入カフは
結線され、これらはパスライン8に結線されている。出
力回路1の入力3と入力回路5の出力6は各々別の回路
に結線されるが、ここでは省略しである。この入出力回
路1,5の2回路を10.20で示しである。通常の転
送モードでは回路10又は20どちらか一方の出力回路
がイネーブル制御人力4によりアクティブ又はフローテ
ィングになってデータの転送を行う。しかし、回路10
と20のいずれもアクティブでない場合、パスライン8
はフローティングになってしまうため、高インピーダン
スプルアップPチャンネルトランジスタ30を常時ON
にしたままvDDとパスライン8に結線しておく。この
Pチャンネルトランジスタ30は内部の他のトランジス
タのON抵抗より充分高いインピーダンスを有するよう
に設定しであるので、通常の転送モードには影響しない
In FIG. 1, 1 is a tri-state output circuit, 5 is an input circuit, and the output 2 of the output circuit 1 and the input cuff of the input circuit 5 are connected, and these are connected to a pass line 8. Although the input 3 of the output circuit 1 and the output 6 of the input circuit 5 are connected to separate circuits, they are omitted here. These two input/output circuits 1 and 5 are shown at 10.20. In the normal transfer mode, the output circuit of either the circuit 10 or 20 is made active or floating by the enable control manual 4 to transfer data. However, circuit 10
and 20 are not active, pass line 8
becomes floating, so the high impedance pull-up P-channel transistor 30 is always turned on.
Connect it to vDD and pass line 8 while leaving it as . Since this P-channel transistor 30 is set to have a sufficiently higher impedance than the ON resistance of other internal transistors, it does not affect the normal transfer mode.

ただし、パスライン8がフローティングになりはじめる
とVOO値に推移する。
However, when the pass line 8 begins to float, it changes to the VOO value.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は高インピーダンス回路を例
えばプルアップ抵抗として使用することにより、バスを
多数使用する場合に簡単にフローティングの防止回路を
構成できる効果がある。
As explained above, the present invention has the advantage that by using a high impedance circuit, for example, as a pull-up resistor, it is possible to easily configure a floating prevention circuit when a large number of buses are used.

従来はバスに接続される回路の数が増えるとフローティ
ング防止回路は増え又、その結線のために多数のルート
チャンネルが使われる欠点があったが、本発明によれば
、パスラインに1回路使用すればよく、ゲート密度を向
上できる効果がある。
Conventionally, as the number of circuits connected to a bus increases, the number of floating prevention circuits increases, and a large number of route channels are used to connect them.However, according to the present invention, one circuit is used for the pass line. This has the effect of improving gate density.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
例の一例を示す構成図である。 1・・・トライステート出力回路(ドライバー)、5・
・・入力回路(レシーバ−)、8・・・パスライン、3
0・・・高インピーダンスプルアップPチャンネルトラ
ンジスタ
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional example. 1... Tri-state output circuit (driver), 5.
...Input circuit (receiver), 8...Pass line, 3
0...High impedance pull-up P channel transistor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)同一形状のセルをアレイ状に繰り返し配置したC
MOSゲートアレイ用論理回路において、高インピーダ
ンスを有するトランジスタを含むセルを内部のセルの一
部に内蔵したことを特徴とするCMOSゲートアレイ論
理回路。
(1) C in which cells of the same shape are repeatedly arranged in an array
A CMOS gate array logic circuit characterized in that a cell including a transistor having high impedance is built into some of the internal cells in the logic circuit for a MOS gate array.
JP61231040A 1986-09-29 1986-09-29 Logic circuit for cmos gate array Pending JPS6384316A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231040A JPS6384316A (en) 1986-09-29 1986-09-29 Logic circuit for cmos gate array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231040A JPS6384316A (en) 1986-09-29 1986-09-29 Logic circuit for cmos gate array

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6384316A true JPS6384316A (en) 1988-04-14

Family

ID=16917333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61231040A Pending JPS6384316A (en) 1986-09-29 1986-09-29 Logic circuit for cmos gate array

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6384316A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4575648A (en) Complementary field effect transistor EXCLUSIVE OR logic gates
EP0239059B1 (en) Logical circuit
US4595845A (en) Non-overlapping clock CMOS circuit with two threshold voltages
US5045714A (en) Multiplexer with improved channel select circuitry
US5436887A (en) Digital full-duplex transceiver
US4943740A (en) Ultra fast logic
US4962471A (en) High speed digital carry look ahead circuit for parallel adder
US4918329A (en) Data transmission system
JPH0876976A (en) Xor circuit, inversion selector circuit and adding circuit using these circuits
JP2749185B2 (en) Composite logic circuit
JPS6384316A (en) Logic circuit for cmos gate array
EP0138126A2 (en) Logic circuit with low power structure
JP2852051B2 (en) Complementary clock donand circuit
JP2767911B2 (en) Pull-up / pull-down input circuit
JP2735268B2 (en) LSI output buffer
JP3022695B2 (en) Bus driver circuit
US5926039A (en) Active load for an N channel logic network
US4992682A (en) Clock drive circuit
JP2734590B2 (en) Synchronous programmable logic array
JP2574756B2 (en) Complementary MOS integrated circuit
JP2595074B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2752778B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0697815A (en) Exclusive or circuit
JPH07154236A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPS6382126A (en) Bus level holding circuit