JP3022695B2 - Bus driver circuit - Google Patents

Bus driver circuit

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JP3022695B2
JP3022695B2 JP4299424A JP29942492A JP3022695B2 JP 3022695 B2 JP3022695 B2 JP 3022695B2 JP 4299424 A JP4299424 A JP 4299424A JP 29942492 A JP29942492 A JP 29942492A JP 3022695 B2 JP3022695 B2 JP 3022695B2
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tri
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gate
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広幸 渡邊
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日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はバスドライバ回路に関
し、特に論理集積回路からなるバスドライバ回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bus driver circuit, and more particularly to a bus driver circuit comprising a logic integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のバスドライバ回路の一例は、図3
に示すように、それぞれ違う伝達信号D7,D8,D9
とイネーブル信号EN7,EN8,EN9とを入力とす
るトライステートバッファ52,53,54の出力同士
を接続し、出力OUT3となして構成され、これらのト
ライステートバッファのうち二つ以上のトライステート
バッファの出力が同時にイネーブル状態にならないよう
に、イネーブル信号の切り換えタイミングを図示されて
いない外部で制御して、バスのショートを防止してい
た。
2. Description of the Related Art An example of a conventional bus driver circuit is shown in FIG.
As shown in the figure, different transmission signals D7, D8, D9
And the enable signals EN7, EN8, EN9 are connected to each other, and the outputs of the tristate buffers 52, 53, 54 are connected to form an output OUT3. Two or more of these tristate buffers are configured as an output OUT3. The timing of switching the enable signal is controlled externally (not shown) so as to prevent the bus from being short-circuited so that the outputs of the buses are not simultaneously enabled .

【0003】従来の他例は、図4に示すように、イネー
ブル信号EN10とEN11とを入力とするノア(NO
R)素子58と、イネーブル信号EN10,EN11,
EN12とを入力とするノア素子58と、イネーブル信
号EN11,EN12を入力とするノア素子60と、イ
ネーブル信号EN10,EN12を入力とするノア素子
61と、前記ノア素子58と前記ノア素子59の各出力
とイネーブル信号EN11とを入力とするオア(OR)
素子62と、前記ノア素子59と前記ノア素子60と前
記ノア素子61の各出力とイネーブル信号EN12とを
入力とするオア素子63と、伝達信号D10を入力と
し、かつイネーブル信号EN10で制御されるトライス
テートバッファ55と、伝達信号D11を入力とし、か
つ前記オア素子62の出力をイネーブル信号とし、かつ
出力を前記トライステートバッファ55の出力に接続し
たトライステートバッファ56と、伝達信号D12を入
力とし、かつ前記オア素子63の出力をイネーブル信号
とし、かつ出力を前記トライステートバッファ55の出
力OUT4に接続したトライステートバッファ57とか
ら構成される。
In another conventional example, as shown in FIG. 4, a NOR (NO) having enable signals EN10 and EN11 as inputs is provided.
R) element 58 and enable signals EN10, EN11,
Each of the NOR element 58 receiving the EN12, the NOR element 60 receiving the enable signals EN11 and EN12, the NOR element 61 receiving the enable signals EN10 and EN12, the NOR element 58 and the NOR element 59, respectively. OR (OR) that receives the output and the enable signal EN11 as inputs
The element 62, the NOR element 59, the NOR element 60, the OR element 63 to which each output of the NOR element 61 and the enable signal EN12 are input, and the transmission signal D10 to be input and are controlled by the enable signal EN10. A tri-state buffer 55, a transmission signal D11, an output of the OR element 62 as an enable signal, and an output connected to an output of the tri-state buffer 55, and a transmission signal D12. And a tri-state buffer 57 whose output is used as an enable signal and whose output is connected to the output OUT4 of the tri-state buffer 55.

【0004】本例で、二つ以上のトライステートバッフ
ァが同時にイネーブル状態になるような場合、イネーブ
ル状態となるトライステートバッファに対応するイネー
ブル信号のすべてを入力とするノア素子の出力がハイレ
ベルとなり、前記ノア素子に接続するオア素子62,6
3の出力がハイレベルとなることより、強制的に一つの
トライステートバッファだけをイネーブル状態にして、
バスのショートを防止していた。
In this embodiment, when two or more tri-state buffers are simultaneously enabled, the output of the NOR element which receives all of the enable signals corresponding to the enabled tri-state buffers goes high. , OR elements 62, 6 connected to the NOR element
Since the output of 3 is at a high level, only one tri-state buffer is forcibly enabled.
The bus short circuit was prevented.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この従来の図3のバス
ドライバ回路では、2つ以上のトライステートバッファ
が同時にイネーブル状態にならないように、イネーブル
信号の切り替えを行う必要があるため、バスが多ビット
になるとイネーブル信号制御が複雑になり、イネーブル
制御回路の設計に多大な工数がかかった。また、シミュ
レーションにより検証する場合も全ての実用状態を設定
することは難しく、検証もれによりバスがショートする
場合があった。
In the conventional bus driver circuit shown in FIG. 3, it is necessary to switch enable signals so that two or more tri-state buffers are not simultaneously enabled, so that there are many buses. When the number of bits is increased, the control of the enable signal becomes complicated, and the design of the enable control circuit requires a great deal of man-hour. Also, when verifying by simulation, it is difficult to set all the practical states, and the bus may be short-circuited due to missing verification.

【0006】そこで、従来の図4のバスドライバ回路で
は、バスショートを起こすすべてのイネーブル信号の組
み合せについて、前述したショート防止回路を設けるこ
とにより、図3のバスドライバ回路の問題点を改善した
が、バスが多ビットになるとバスがショートするイネー
ブル信号の組み合せが著しく増大し、ショート防止回路
が複雑で大規模化してしまうという問題点があった。
Therefore, in the conventional bus driver circuit of FIG. 4, the problem of the bus driver circuit of FIG. 3 has been improved by providing the above-described short prevention circuit for all combinations of enable signals that cause a bus short. When the bus becomes multi-bit, the number of combinations of enable signals causing the bus to be short-circuited increases remarkably, and there is a problem that the short-circuit prevention circuit becomes complicated and large-scale.

【0007】具体的には、バスが2ビットの場合、トラ
イステートバッファ2個に対してショート防止回路1個
であるが、バスが10ビットになるとトライステートバ
ッファ10個に対してショート防止回路は約1000個
と、バスドライバ回路に占めるショート防止回路の役割
が増大する。
More specifically, when the bus has two bits, one short prevention circuit is provided for two tristate buffers. However, when the bus has 10 bits, the short prevention circuit is provided for ten tristate buffers. With about 1,000, the role of the short circuit prevention circuit in the bus driver circuit increases.

【0008】本発明の目的は、前記問題点が解決され、
多数のビットでも著しくショート防止回路が増大せず、
またバスのショート事故を確実に解消したバスドライバ
回路を提供することにある。
[0008] An object of the present invention is to solve the above problems,
Even with a large number of bits, the short-circuit prevention circuit does not increase significantly,
Another object of the present invention is to provide a bus driver circuit that reliably eliminates a bus short circuit accident.

【0009】本発明のバスドライバ回路は、ソース電極
が電源電圧端子に接続されたpチャネル型MOS電界効
果トランジスタとソース電極が基準電位端子に接続され
たnチャネル型MOS電界効果トランジスタとを直列接
続して直列の接続節点を出力端子とした出力段と、外部
へ出力すべき伝達信号と外部から与えられるイネーブル
信号の反転信号とを入力とし出力信号を前記pチャネル
型MOS電界効果トランジスタのゲート入力とするNA
NDゲート回路と、前記伝達信号及び前記イネーブル信
号を少なくとも入力して出力信号を前記nチャネル型M
OS電界効果トランジスタのゲート入力とするNORゲ
ート回路と、前記NANDゲート回路の出力信号を反転
させるインバータとからなるトライステートバッファを
複数備え、各々のトライステートバッファの前記NOR
ゲート回路に他のトライステートバッファの前記インバ
ータの出力信号を入力するように構成し、前記複数のト
ライステートバッファの出力端子を共通に接続したこと
を特徴とする。また、ソース電極が電源電圧端子に接続
されドレイン電極が出力端子に接続されたpチャネル型
MOS電界効果トランジスタと、ドレイン電極が前記出
力端子に接続された第1のnチャネル型MOS電界効果
トランジスタと、ドレイン電極が前記第1のnチャネル
型MOS電界効果トランジスタのソース電極に接続され
ソース電極が基準電位端子に接続された第2のnチャネ
ル型MOS電界効果トランジスタとからなる出力段と、
外部へ出力すべき伝達信号と外部から与えられるイネー
ブル信号の反転信号とを入力とし出力信号を前記pチャ
ネル型MOS電界効果トランジスタのゲート入力とする
NANDゲート回路と、前記伝達信号及び前記イネーブ
ル信号を入力して出力信号を前記第2のnチャネル型M
OS電界効果トランジスタのゲート入力とするNORゲ
ート回路と、出力点が前記第1のnチャネル型MOS電
界効果トランジスタのゲート電極に接続された複数入力
のANDゲート回路とからなるトライステートバッファ
を複数備え、各々のトライステートバッファの前記AN
Dゲート回路に他のトライステートバッファの前記NA
NDゲート回路の出力信号を入力するように構成し、前
記複数のトライステートバッファの出力端子を共通に接
続したことを特徴とする。
The bus driver circuit according to the present invention comprises a source electrode
Is a p-channel MOS field effect connected to the power supply voltage terminal
The transistor and the source electrode are connected to the reference potential terminal.
Connected in series with an n-channel MOS field effect transistor
The output stage with the series connection node as the output terminal
Transmission signal to be output to the controller and externally applied enable
The inverted signal of the signal is input and the output signal is the p-channel.
NA as gate input of MOS field effect transistor
An ND gate circuit, the transmission signal and the enable signal;
And at least an output signal from the n-channel type M
NOR gate as gate input of OS field effect transistor
And the output signal of the NAND gate circuit is inverted.
And a tri-state buffer
A plurality of said NORs of each tri-state buffer
The gate circuit is connected to the above-mentioned inverter of another tri-state buffer.
Data output signals, and the plurality of
The output terminals of the Lystate buffers are commonly connected . Also, the source electrode is connected to the power supply voltage terminal
P-channel type with drain electrode connected to output terminal
The MOS field effect transistor and the drain electrode
First n-channel MOS field effect connected to the input terminal
A transistor and a drain electrode connected to the first n-channel
Connected to the source electrode of a MOS field-effect transistor
A second n-channel in which the source electrode is connected to the reference potential terminal
An output stage comprising a MOS-type MOS field-effect transistor;
Transmission signal to be output to outside and enable given from outside
Input signal and the inverted signal of the
Used as the gate input of a flannel MOS field effect transistor
NAND gate circuit, transmission signal and enable signal
And outputs an output signal to the second n-channel type M
NOR gate as gate input of OS field effect transistor
And the output point is connected to the first n-channel type MOS power supply.
Multiple inputs connected to the gate electrode of a field effect transistor
Tri-state buffer composed of AND gate circuits
And the AN of each tri-state buffer
The above-mentioned NA of another tri-state buffer is added to the D gate circuit.
The output signal of the ND gate circuit is configured to be input.
Connect the output terminals of multiple tri-state buffers in common.
It is characterized by having continued .

【0010】[0010]

【実施例】図1は本発明の第1の実施例のバスドライバ
回路を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a bus driver circuit according to a first embodiment of the present invention.

【0011】図1において、本実施例のバスドライバ回
路は、伝達信号D1,D2,D3,イネーブル信号EN
1,EN2,EN3が入力され、唯一の出力OUT1を
得るためのトライステートバッファ19,20,21を
備えている。
In FIG. 1, a bus driver circuit according to this embodiment includes transmission signals D1, D2, D3, and an enable signal EN.
1, EN2, and EN3 are input, and tristate buffers 19, 20, and 21 are provided for obtaining only one output OUT1.

【0012】即ち、本実施例では、第一のイネールブ信
号EN1を入力とするインバータ1と、この出力と第一
の伝達信号D1とを入力とするナンド(NAND)素子
2と、前記ナンド素子2の出力を入力とし、その出力を
第一のショート防止信号22とするインバータ4と、前
記ナンド素子2の出力をゲート電極に接続し、ソース電
極を電源に接続したPチャネルトランジスタ5と、前記
第一のイネーブル信号EN1と前記第一の伝達信号D1
と第二のショート防止信号23と第三のショート防止信
号24とを入力とするノア(NOR)素子3と、前記ノ
ア素子3の出力をゲート電極に接続し、ソース電極を接
地し、ドレイン電極を前記伝達信号の出力OUT1とし
たNチャネルトランジスタ6とで構成される第一のトラ
ンステートバッファ19を設け、さらに前記第一のトラ
イステートバッファ19と同様な構成の第二,第三のト
ライステートバッファ20,21とを設ける。
That is, in the present embodiment, an inverter 1 receiving the first enable signal EN1 as an input, a NAND (NAND) element 2 receiving this output and the first transmission signal D1 as inputs, and the NAND element 2 And an P-channel transistor 5 having its output connected to a gate electrode and its source electrode connected to a power supply; One enable signal EN1 and the first transmission signal D1
(NOR) element 3 which receives the input of the second short prevention signal 23 and the third short prevention signal 24, the output of the NOR element 3 is connected to the gate electrode, the source electrode is grounded, and the drain electrode is Is provided with an N-channel transistor 6 having the transmission signal output OUT1 and a second and third tristate buffer 19 having the same configuration as the first tristate buffer 19. Buffers 20 and 21 are provided.

【0013】前記第二のトライステートバッファ20
は、第一,第三のトライステートバッファ19,21の
ショート防止信号23を出力し、第二のイネーブル信号
EN2と第二の伝達信号D2と前記第一,第三のトライ
ステートバッファ19,21のショート防止信号出力2
2,24とを入力とし、伝達信号の出力を前記第一のト
ライステートバッファ19の伝達信号の出力OUT1に
接続する。
The second tri-state buffer 20
Outputs a short-circuit prevention signal 23 of the first and third tri-state buffers 19 and 21, and outputs a second enable signal EN2, a second transmission signal D2, and the first and third tri-state buffers 19 and 21. Short prevention signal output 2
2, 24 are input, and the output of the transmission signal is connected to the output OUT1 of the transmission signal of the first tri-state buffer 19.

【0014】第三のトライステートバッファ21は、第
三のイネーブル信号EN3と第三の伝達信号D3と前記
第一,第二のトライステートバッファ19,20のショ
ート防止信号出力22,23とを入力とし、伝達信号の
出力を前記第一のトライステートバッファ19の伝達信
号の出力OU1に接続し、ショート防止信号24を出力
する。
The third tri-state buffer 21 receives a third enable signal EN3, a third transmission signal D3, and short-circuit prevention signal outputs 22, 23 of the first and second tri-state buffers 19, 20. The output of the transmission signal is connected to the output OU1 of the transmission signal of the first tri-state buffer 19, and the short-circuit prevention signal 24 is output.

【0015】次に、本実施例のバスドライバ回路の動作
について説明を行う。伝達信号D1がハイレベル,イネ
ーブル信号EN1がロウレベルになると、ナンド素子2
の出力はロウレベルとなり、インバータ4の出力はハイ
レベルとなり、Pチャネルトランジスタ5はオン状態と
なり、トライステートバッファ19の出力OU1はハイ
レベルとなる。この時、ナンド素子8がロウレベルであ
ればPチャネルトランジスタ11がオン状態となり、ト
ライステートバッファ20の出力はハイレベルとなるた
め、バスはショート状態にはならない。また、ナンド素
子8がハイレベルであればPチャネルトランジスタ11
はオフ状態となり、ノア素子9はロウレベルとなり、N
チャネルトランジスタ12はオフ状態となるため、トラ
イステートバッファ20の出力はハイインピーダンスと
なり、バスはショート状態にはならない。
Next, the operation of the bus driver circuit of this embodiment will be described. When the transmission signal D1 goes high and the enable signal EN1 goes low, the NAND element 2
Is at a low level, the output of the inverter 4 is at a high level, the P-channel transistor 5 is turned on, and the output OU1 of the tri-state buffer 19 is at a high level. At this time, if the NAND element 8 is at a low level, the P-channel transistor 11 is turned on and the output of the tri-state buffer 20 is at a high level, so that the bus does not enter a short-circuit state. If the NAND element 8 is at a high level, the P-channel transistor 11
Is turned off, the NOR element 9 becomes low level, and N
Since the channel transistor 12 is turned off, the output of the tri-state buffer 20 becomes high impedance, and the bus does not become short-circuited.

【0016】トライステートバッファ21についても同
様に、ナンド素子14がロウレベルの時はトライステー
トバッファ21の出力はハイレベルとなり、ナンド素子
14がハイレベルの時はトライステートバッファ21の
出力はハイインピーダンスとなり、バスはショート状態
にはならない。
Similarly, when the NAND element 14 is at a low level, the output of the tristate buffer 21 is at a high level, and when the NAND element 14 is at a high level, the output of the tristate buffer 21 is at a high impedance. The bus does not go into a short state.

【0017】この動作により、任意のトライステートバ
ッファの出力がハイレベルの時は、他のトライステート
バッファの出力がハイレベル又はハイインピーダンスと
なるため、バスのショートを防止することができる。ま
た、バスのビット数に相当する数のトライステートバッ
ファのみでバスドライバ回路を構成することができる。
With this operation, when the output of an arbitrary tri-state buffer is at a high level, the output of another tri-state buffer is at a high level or a high impedance, so that a short circuit of the bus can be prevented. Further, a bus driver circuit can be constituted by only the number of tri-state buffers corresponding to the number of bits of the bus.

【0018】図2は本発明の第2の実施例のバスドライ
バ回路を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a bus driver circuit according to a second embodiment of the present invention.

【0019】図2において、本実施例のバスドライバ回
路は、ショート防止制御用としてNチャネルトランジス
タ30をトライステートバッファ46の出力段のNチャ
ネルトランジスタ31とPチャネルトランジスタ29と
の間に直列に接続し、直接第二,第三のトライステート
バッファ47,48のショート防止信号50,51とを
入力とするアンド(AND)素子28の出力にて、この
Nチャネルトランジスタ30を制御している。
In FIG. 2, the bus driver circuit of this embodiment has an N-channel transistor 30 connected in series between the N-channel transistor 31 and the P-channel transistor 29 at the output stage of the tri-state buffer 46 for short-circuit prevention control. The N-channel transistor 30 is controlled by the output of the AND element 28 which receives the short prevention signals 50 and 51 of the second and third tri-state buffers 47 and 48 directly.

【0020】第一のトライステートバッファ46は、イ
ネーブル信号EN4を入力とするインバータ25と、伝
達信号D4とインバータ25の出力とを入力とするNA
ND素子26と、AND素子28と、Pチャネルトラン
ジスタ29と、Nチャネルトランジスタ30,31とを
有し、ショート防止信号49をNAND素子26の出力
から得ている。第二,第三のトライステートバッファ4
7,48も、第一のトライステートバッファ46と同様
な構成である。本実施例の構成でも、第1の実施例と同
様の効果が得られる。
The first tri-state buffer 46 has an inverter 25 receiving the enable signal EN4 as an input, and a NA receiving the transmission signal D4 and the output of the inverter 25 as inputs.
It has an ND element 26, an AND element 28, a P-channel transistor 29, and N-channel transistors 30 and 31. A short prevention signal 49 is obtained from the output of the NAND element 26. Second and third tri-state buffers 4
7 and 48 have the same configuration as the first tri-state buffer 46. With the configuration of this embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、2つ以
上のトライステートバッファが同時にイネーブル状態に
なっても、バスがショートしないようにしたので、イネ
ーブル制御回路の設計がしやすく、検証もれによるバス
のショートも完全に防止できるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, the bus is not short-circuited even when two or more tri-state buffers are simultaneously enabled, so that the enable control circuit can be easily designed and verified. This has the effect that the short circuit of the bus due to leakage can be completely prevented.

【0022】また、本発明は、特にトライステートバッ
ファにショート防止機能をもたせた場合には、別個ショ
ート防止回路を設ける必要がなくなり、バスドライバ回
路をバスのビット数に相当するトライステートバッファ
のみで構成できるため、バスが多ビットになっても1ビ
ットに対する回路規模は増大しないという効果がある。
In addition, the present invention eliminates the need to provide a separate short-circuit prevention circuit, particularly when the tri-state buffer has a short-circuit prevention function, so that the bus driver circuit can be constituted by only a tri-state buffer corresponding to the number of bits of the bus. Since the configuration is possible, there is an effect that the circuit scale for one bit does not increase even if the bus has many bits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のバスドライバ回路を示
す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a bus driver circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention.

【図3】従来技術の一例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the related art.

【図4】従来技術の他例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another example of the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,4,7,10,13,16,25,32,39
インバータ 2,8,14,26,33,40 ナンド(NAN
D)素子 3,9,15,27,34,41,58,59,60,
61 ノア(NOR)素子 5,11,17,29,36,43 Pチャネルトラ
ンジスタ 6,12,18,30,31,37,38,44,45
Nチャネルトランジスタ 19,20,21,46,47,48,52,53,5
4,55,56,57トライステートバッファ 22,23,24,49,50,51 ショート防止
信号 28,35,42 アンド(AND)素子 62,63 オア(OR)素子
1,4,7,10,13,16,25,32,39
Inverter 2,8,14,26,33,40 NAND (NAN
D) Element 3, 9, 15, 27, 34, 41, 58, 59, 60,
61 NOR element (NOR) element 5, 11, 17, 29, 36, 43 P-channel transistor 6, 12, 18, 30, 31, 37, 38, 44, 45
N-channel transistors 19, 20, 21, 46, 47, 48, 52, 53, 5
4, 55, 56, 57 Tristate buffer 22, 23, 24, 49, 50, 51 Short prevention signal 28, 35, 42 AND (AND) element 62, 63 OR (OR) element

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ソース電極が電源電圧端子に接続された
pチャネル型MOS電界効果トランジスタとソース電極
が基準電位端子に接続されたnチャネル型MOS電界効
果トランジスタとを直列接続して直列の接続節点を出力
端子とした出力段と、外部へ出力すべき伝達信号と外部
から与えられるイネーブル信号の反転信号とを入力とし
出力信号を前記pチャネル型MOS電界効果トランジス
タのゲート入力とするNANDゲート回路と、前記伝達
信号及び前記イネーブル信号を少なくとも入力して出力
信号を前記nチャネル型MOS電界効果トランジスタの
ゲート入力とするNORゲート回路と、前記NANDゲ
ート回路の出力信号を反転させるインバータとからなる
トライステートバッファを複数備え、 各々のトライステートバッファの前記NORゲート回路
に他のトライステートバッファの前記インバータの出力
信号を入力するように構成し、前記複数のトライステー
トバッファの出力端子を共通に接続した ことを特徴とす
るバスドライバ回路。
1. A source electrode is connected to a power supply voltage terminal.
P-channel type MOS field effect transistor and source electrode
Is connected to the reference potential terminal, the n-channel MOS field effect
Connected in series with the output transistor and outputs a connection node in series
The output stage as a terminal, the transmission signal to be output to the outside, and the external
And the inverted signal of the enable signal given from
An output signal is supplied to the p-channel MOS field effect transistor.
A NAND gate circuit as a gate input of the
At least a signal and the enable signal
A signal of the n-channel MOS field-effect transistor
A NOR gate circuit serving as a gate input;
And an inverter that inverts the output signal of the gate circuit.
A plurality of tri-state buffers, the NOR gate circuit of each tri-state buffer
The output of the inverter of another tri-state buffer
A plurality of tri-states.
A bus driver circuit , wherein output terminals of a buffer are commonly connected .
【請求項2】 ソース電極が電源電圧端子に接続されド
レイン電極が出力端子に接続されたpチャネル型MOS
電界効果トランジスタと、ドレイン電極が前記出力端子
に接続された第1のnチャネル型MOS電界効果トラン
ジスタと、ドレイン電極が前記第1のnチャネル型MO
S電界効果トランジスタのソース電極に接続されソース
電極が基準電位端子に接続された第2のnチャネル型M
OS電界効果トランジスタとからなる出力段と、外部へ
出力すべき伝達信号と外部から与えられるイネーブル信
号の反転信号とを入力とし出力信号を前記pチャネル型
MOS電界効果トランジスタのゲート入力とするNAN
Dゲート回路と、前記伝達信号及び前記イネーブル信号
を入力して出力信号を前記第2のnチャネル型MOS電
界効果トランジスタのゲート入力とするNORゲート回
路と、出力点が前記第1のnチャネル型MOS電界効果
トランジスタのゲート電極に接続された複数入力のAN
Dゲート回路とからなるトライステートバッファを複数
備え、 各々のトライステートバッファの前記ANDゲート回路
に他のトライステートバッファの前記NANDゲート回
路の出力信号を入力するように構成し、前記複数のトラ
イステートバッファの出力端子を共通に接続した ことを
特徴とするバスドライバ回路。
A source electrode connected to the power supply voltage terminal;
P-channel MOS with rain electrode connected to output terminal
A field effect transistor and a drain electrode connected to the output terminal
N-channel MOS field-effect transistor connected to
A transistor and a drain electrode are formed of the first n-channel type MO.
Source connected to source electrode of S field effect transistor
The second n-channel type M whose electrode is connected to the reference potential terminal
Output stage consisting of OS field effect transistor and external
Transmission signal to be output and enable signal given externally
And the output signal is the p-channel type
NAN as gate input of MOS field effect transistor
D gate circuit, the transmission signal and the enable signal
And outputs the output signal to the second n-channel MOS
NOR gate times as gate inputs of field effect transistors
And the output point is the first n-channel MOS field effect.
Multiple input AN connected to the gate electrode of the transistor
Multiple tri-state buffers consisting of D gate circuits
And the AND gate circuit of each tri-state buffer
The NAND gate circuit of another tri-state buffer.
A plurality of traffic signals.
A bus driver circuit , wherein output terminals of an state buffer are commonly connected .
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