JPS6381530U - - Google Patents

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JPS6381530U
JPS6381530U JP17623086U JP17623086U JPS6381530U JP S6381530 U JPS6381530 U JP S6381530U JP 17623086 U JP17623086 U JP 17623086U JP 17623086 U JP17623086 U JP 17623086U JP S6381530 U JPS6381530 U JP S6381530U
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JP
Japan
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semiconductor element
zero
utility
model registration
cross detector
Prior art date
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JP17623086U
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例の構成を示す回路
図、第2図はシリコンダイオード10の電圧―電
流特性を示す図、第3図は従来の電圧比較回路の
構成を示す回路図、第4図はゼロクロスデイテク
タZの動作を説明するための図である。 10……シリコンダイオード、Z……ゼロクロ
スデイテクタ、R3〜R5……抵抗、2……オペ
アンプ、11……ダイオード。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ゼロクロスデイテクタと、前記ゼロクロス
    デイテクタの入力端子に直列に接続された半導体
    素子とを具備する電圧比較回路。 (2) 前記半導体素子がシリコンダイオードであ
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項記載の電圧比較回路。 (3) 前記半導体素子がシリコンバリスタである
    ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項
    記載の電圧比較回路。
JP17623086U 1986-11-17 1986-11-17 Pending JPS6381530U (ja)

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JP17623086U JPS6381530U (ja) 1986-11-17 1986-11-17

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JP17623086U JPS6381530U (ja) 1986-11-17 1986-11-17

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JPS6381530U true JPS6381530U (ja) 1988-05-28

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JP17623086U Pending JPS6381530U (ja) 1986-11-17 1986-11-17

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