JPS6376564A - 原稿読み取り装置 - Google Patents
原稿読み取り装置Info
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- JPS6376564A JPS6376564A JP61221449A JP22144986A JPS6376564A JP S6376564 A JPS6376564 A JP S6376564A JP 61221449 A JP61221449 A JP 61221449A JP 22144986 A JP22144986 A JP 22144986A JP S6376564 A JPS6376564 A JP S6376564A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、画像読み取り装置に係り、特に、原稿への光
照射手段すなわち光源と原稿からの反射光検出手段とを
一体化してなる画像読み取り装置に関する。
照射手段すなわち光源と原稿からの反射光検出手段とを
一体化してなる画像読み取り装置に関する。
［従来技術およびその問題点］
水素化アモルファスシリコン等のアモルファス半導体薄
膜あるいは硫化カドミウム１ｄｓ）−セレン化カドミウ
ム（ＣｄＳｅ）等の多結晶ｉＷＩ］Ａを光導電体層とし
て使用したサンドイッチ型の光電変換素子は、優れた光
電変換特性を有しており、かつＩＩ４造が簡単で大面積
化が容易であることから、原稿と同一幅のセンサ部を有
する密着型イメージセンサ、すなわち縮小光学系を必要
としない大面積デバイスとして原稿読み取り装置への幅
広い利用が注目されている。
膜あるいは硫化カドミウム１ｄｓ）−セレン化カドミウ
ム（ＣｄＳｅ）等の多結晶ｉＷＩ］Ａを光導電体層とし
て使用したサンドイッチ型の光電変換素子は、優れた光
電変換特性を有しており、かつＩＩ４造が簡単で大面積
化が容易であることから、原稿と同一幅のセンサ部を有
する密着型イメージセンサ、すなわち縮小光学系を必要
としない大面積デバイスとして原稿読み取り装置への幅
広い利用が注目されている。
この密着型イメージセンサは、微細な光電変換素子を原
稿の読み取り幅に相当する長さ分だけ直線上に配列し、
原稿からの反射光により生じた個々の素子の抵抗変化を
選択回路により時系列信号としてとり出すもので、通常
、第３図に示す如く、左右の発光ダイオード（ＬＥＤ）
アレイからなる光源１１１により、照射された原稿１１
２からの反射光をライトフォーカシングロッドレンズア
レイと呼ばれる導光系１１３で、光電変換素子からなる
受光索子アレイ１１４に導き、そこで原稿の像を等倍の
正立像として結像するように構成されており、受光素子
アレイが受光した光量の大小を光電流の大小に変換し、
原稿の読み取りが行なわれる。
稿の読み取り幅に相当する長さ分だけ直線上に配列し、
原稿からの反射光により生じた個々の素子の抵抗変化を
選択回路により時系列信号としてとり出すもので、通常
、第３図に示す如く、左右の発光ダイオード（ＬＥＤ）
アレイからなる光源１１１により、照射された原稿１１
２からの反射光をライトフォーカシングロッドレンズア
レイと呼ばれる導光系１１３で、光電変換素子からなる
受光索子アレイ１１４に導き、そこで原稿の像を等倍の
正立像として結像するように構成されており、受光素子
アレイが受光した光量の大小を光電流の大小に変換し、
原稿の読み取りが行なわれる。
このような装置では、ライトフォーカシングロッドレン
ズアレイは光ファイバを用いているため、その屈折率変
化を大ぎくすることができないことから開口率が小さく
、高価であるという欠点があった。
ズアレイは光ファイバを用いているため、その屈折率変
化を大ぎくすることができないことから開口率が小さく
、高価であるという欠点があった。
また、光源は原稿面と受光素子アレイとの間に配置され
ねばならない上、光源と原稿面との間には必ずある一定
の間隔が必要であり、真の意味で密着とすることができ
なかった。
ねばならない上、光源と原稿面との間には必ずある一定
の間隔が必要であり、真の意味で密着とすることができ
なかった。
そこで、開口率が大きく先便用効率の高い導光系を備え
た密着型イメージセンサを形成すべく、透光性基板の１
方の面に受光素子を配設すると共に他方の面に多層薄膜
からなる導光系を形成し、他方の面を入射面としたもの
（特開昭５９−１２１９４７号公報）等も提案されてい
る。
た密着型イメージセンサを形成すべく、透光性基板の１
方の面に受光素子を配設すると共に他方の面に多層薄膜
からなる導光系を形成し、他方の面を入射面としたもの
（特開昭５９−１２１９４７号公報）等も提案されてい
る。
しかしながら、依然として光源は原稿面と受光素子アレ
イとの間に配置されねばならず、装置の小型化には限界
があった。
イとの間に配置されねばならず、装置の小型化には限界
があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、軽量でか
つ小型の原稿読み取り装置を提供することを目的とする
。
つ小型の原稿読み取り装置を提供することを目的とする
。
〔問題点を解決するための手段］
そこで本発明の原稿読み取り装置では、多数個の光電変
換素子を配列せしめてなるセンサ部の受光面側に、薄膜
Ｅｌ素子からなる発光部を配設せしめ、センサ部におい
て発光部からの直接光と原稿面からの反射光との和を検
知するようにしている。
換素子を配列せしめてなるセンサ部の受光面側に、薄膜
Ｅｌ素子からなる発光部を配設せしめ、センサ部におい
て発光部からの直接光と原稿面からの反射光との和を検
知するようにしている。
（作用〕
この原稿読み取り装置では、第１図にその１例を示す如
く発光部ＥＬからの光りには表面側すなわち原稿面に向
う第１の光Ｌ１と、直接裏面側のセンサ部Ｓに向う第２
の光Ｌ２とがある。
く発光部ＥＬからの光りには表面側すなわち原稿面に向
う第１の光Ｌ１と、直接裏面側のセンサ部Ｓに向う第２
の光Ｌ２とがある。
これらのうち第１の光Ｌ１は原稿面に６Ｇが存在すると
きのみ反射されて反射光Ｌ ′ として発元部ＥＬを通
りセンサ部Ｓに入る。
きのみ反射されて反射光Ｌ ′ として発元部ＥＬを通
りセンサ部Ｓに入る。
このように、センサ部Ｓは通常は第２の光Ｌ２を受けて
おり、像Ｇが存在するときのみＬ１′が入射し、センサ
部はＬ ＋Ｌ１′の光を受ける。
おり、像Ｇが存在するときのみＬ１′が入射し、センサ
部はＬ ＋Ｌ１′の光を受ける。
従って１２に対応するセンサ電流■をしきい値とし、画
情報の読み取りを行なうことが可能となる。
情報の読み取りを行なうことが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明実施例の原稿読み取り装置を示す図で
ある。
ある。
この原稿読み取り装置は、ガラス基板１０上に形成され
たｍ行ｎ列のドツトマトリックスセンサからなるセンサ
部Ｓとこのセンサ部Ｓの受光面側に酸化シリコン層から
なる透光性の絶縁膜２０を介して配設された薄膜ＥＬ素
子からなる発光部ＥＬとから構成されており、発光部Ｅ
Ｌからの光で原稿面りを照射し、この反射光の有無をセ
ンサ部Ｓによって検出するようにしたものである。
たｍ行ｎ列のドツトマトリックスセンサからなるセンサ
部Ｓとこのセンサ部Ｓの受光面側に酸化シリコン層から
なる透光性の絶縁膜２０を介して配設された薄膜ＥＬ素
子からなる発光部ＥＬとから構成されており、発光部Ｅ
Ｌからの光で原稿面りを照射し、この反射光の有無をセ
ンサ部Ｓによって検出するようにしたものである。
ここでセンサ部Ｓはガラス基板１０上にストライブ状に
分割形成されたｍ本のクロム層パターンからなる金属型
１１１と、水素化アモルファスシリコン層からなる光導
電層１２と前記金属電極とは直交するように形成された
０本のストライブ状の酸化錫（ＳｎＯ２）層パターンか
らなる透光性電極１３とが順次ｆＳ層されてなり、金属
電極１１と透光性電極１３の各パターンの交差部づなわ
ち両者で囲まれた部分が夫々サンドインチ型の光電変換
素子として動作するようになっている。
分割形成されたｍ本のクロム層パターンからなる金属型
１１１と、水素化アモルファスシリコン層からなる光導
電層１２と前記金属電極とは直交するように形成された
０本のストライブ状の酸化錫（ＳｎＯ２）層パターンか
らなる透光性電極１３とが順次ｆＳ層されてなり、金属
電極１１と透光性電極１３の各パターンの交差部づなわ
ち両者で囲まれた部分が夫々サンドインチ型の光電変換
素子として動作するようになっている。
また発光部ＥＬは、前記透光匪の絶縁股上に形成された
背面電極３１としての酸化錫製と、酸化タンタルからな
る第１の誘電体層３２と光光翳３３としての発光中心を
マンガン（Ｍｎ）とした硫化亜ｍ （Ｚ ｎ Ｓ ）層
（ＺｎＳ ：Ｍｎ）Ｈ（ｔ、タンタルからなる第２の誘
電体層３４と、表面の透光性電極３５としての酸化錫層
とを順次積層せしめてなる二重誘電体溝造の薄膜ＥＬ素
子からなるもので、前記背面電極と透光性電極との間に
電圧を印加することにより、光光層から光が放出せしめ
られる。ここで、光は、できるだけ表面に向うようにす
る必要があるが、第１の誘電体層および背面電極は、原
稿面からの反射光を透過するものでなければならない。
背面電極３１としての酸化錫製と、酸化タンタルからな
る第１の誘電体層３２と光光翳３３としての発光中心を
マンガン（Ｍｎ）とした硫化亜ｍ （Ｚ ｎ Ｓ ）層
（ＺｎＳ ：Ｍｎ）Ｈ（ｔ、タンタルからなる第２の誘
電体層３４と、表面の透光性電極３５としての酸化錫層
とを順次積層せしめてなる二重誘電体溝造の薄膜ＥＬ素
子からなるもので、前記背面電極と透光性電極との間に
電圧を印加することにより、光光層から光が放出せしめ
られる。ここで、光は、できるだけ表面に向うようにす
る必要があるが、第１の誘電体層および背面電極は、原
稿面からの反射光を透過するものでなければならない。
製造に際しては、通常の薄膜形成技術およびフォトリソ
グラフィー技術を用いて順次各層を積層せしめるように
すればよいが、ここで注意すべきなのは、透光性絶縁膜
２０の形成を減圧ＣＶＤ法による等の方法によりセンサ
部Ｓ表面の段差を減少ぜしめるようにすることである。
グラフィー技術を用いて順次各層を積層せしめるように
すればよいが、ここで注意すべきなのは、透光性絶縁膜
２０の形成を減圧ＣＶＤ法による等の方法によりセンサ
部Ｓ表面の段差を減少ぜしめるようにすることである。
これにより、発光部が平坦面に形成され、均一な光照射
を行なうことができる。
を行なうことができる。
次に、この原稿読み取り装置を用いた読み取り操作につ
いて説明する。
いて説明する。
発光部ＥＬの背面電極３１と透光性電極３５との間に所
定の電圧を印加すると、発光層３３がら第１の光Ｌ１お
よび第２の光Ｌ２が夫々表面側および裏面側に放出され
る。
定の電圧を印加すると、発光層３３がら第１の光Ｌ１お
よび第２の光Ｌ２が夫々表面側および裏面側に放出され
る。
前記第１の光Ｌ１は原稿面りを照射し、第２の光Ｌ２は
背面のセンサ部Ｓに直接入ＱＡｉ！シめられる。
背面のセンサ部Ｓに直接入ＱＡｉ！シめられる。
そして原稿面りに像Ｇが存在しないときは、そのまま外
に出ていくが、像Ｇが存在するときは、像Ｇに反射され
、反射光Ｌ ′として光元部を通過してセンサ部Ｓに入
る。
に出ていくが、像Ｇが存在するときは、像Ｇに反射され
、反射光Ｌ ′として光元部を通過してセンサ部Ｓに入
る。
センサ部Ｓでは、通常は直接光し、を受けており、像が
存在する場合のみ反射光Ｌ１′を受け、計Ｌ−Ｌ２＋し
１′の光量を得ることになる。第２図に、発光部の輝度
とセンサ電流との関係を示す。ａは像がある場合、ｂは
像がない場合を示す。
存在する場合のみ反射光Ｌ１′を受け、計Ｌ−Ｌ２＋し
１′の光量を得ることになる。第２図に、発光部の輝度
とセンサ電流との関係を示す。ａは像がある場合、ｂは
像がない場合を示す。
そこで直接光Ｌ２よりやや大きい値に対応する光電流Ｉ
をしきい値Ｃとし、センサ部を流れる電流ｉがしきい値
Ｃより大であるときをＯＮ、小であるときをＯＦＦとす
ることにより２次元の視覚情報として取り出すことがで
きる。
をしきい値Ｃとし、センサ部を流れる電流ｉがしきい値
Ｃより大であるときをＯＮ、小であるときをＯＦＦとす
ることにより２次元の視覚情報として取り出すことがで
きる。
かかる装置によれば光源（照明手段）が不要であり原稿
と密着して配置できる上極めて構造が簡単かつ小形（特
に薄形）軽量化が可能である。
と密着して配置できる上極めて構造が簡単かつ小形（特
に薄形）軽量化が可能である。
また、２次元の視覚情報の読み取りには従来はフォトダ
イオードによる点順次走査方式か、ラインセンサによる
線順次走査方式かが用いられてきたが、これらの方法で
は、情報の読み取りに□械駆動系が必要であり、読み取
りに多大な詩間を要していたのに対し、この装置によれ
ば、大面積化が容易で２次元の読み取りを短時間で容易
に行なうことができる。
イオードによる点順次走査方式か、ラインセンサによる
線順次走査方式かが用いられてきたが、これらの方法で
は、情報の読み取りに□械駆動系が必要であり、読み取
りに多大な詩間を要していたのに対し、この装置によれ
ば、大面積化が容易で２次元の読み取りを短時間で容易
に行なうことができる。
なお、実施例では、２次元の情報読み取りについて説明
したが、１次元の情報読み取りにも適用可能であること
はいうまでもない。
したが、１次元の情報読み取りにも適用可能であること
はいうまでもない。
また、センサ部の構造についてもドツトマトリックス形
に限定されることなく適宜変更可能である。
に限定されることなく適宜変更可能である。
更にまた、発光部の薄膜ＥＬ素子の構造についても同様
である。
である。
（効果）
以上説明してきたように、本発明の原稿読み取り装置に
よれば、センサ部の受光面側に薄膜ＥＬ素子からなる発
光部を一体的に配設せしめるようにしているため、照明
手段が不要である上、小型かつ軽量化が可能となる。
よれば、センサ部の受光面側に薄膜ＥＬ素子からなる発
光部を一体的に配設せしめるようにしているため、照明
手段が不要である上、小型かつ軽量化が可能となる。
第１図は、本発明実施例の原稿読み取り装置を示す図、
第２図は、同装置における薄膜ＥＬ索子の輝度とセンサ
電流との関係を示す図、第３図は、従来例の密着型イメ
ージセンサを示す図である。 １１１・・・光源、１１２・・・原稿、１１３・・・導
光系、１１４・・・受光素子アレイ、Ｓ・・・センサ部
、ＥＬ・・・発光部、１０・・・ガラス基板、１１・・
・金属電惨、１２・・・光導電層、１３・・・透光性電
十、２０・・・透光性絶縁膜、３１・・・背面電極、３
２・・・第１の誘電体層、３３・・・発光層、３４・・
・第２の誘電体層、３５・・・透光性電極、Ｄ・・・原
稿面、Ｇ・・・像。 １−う）ミ〉 出願人代理人 木 村 高 久１□汀し１１こ１ス１
−嗜一 ミー一一１ノ
第２図は、同装置における薄膜ＥＬ索子の輝度とセンサ
電流との関係を示す図、第３図は、従来例の密着型イメ
ージセンサを示す図である。 １１１・・・光源、１１２・・・原稿、１１３・・・導
光系、１１４・・・受光素子アレイ、Ｓ・・・センサ部
、ＥＬ・・・発光部、１０・・・ガラス基板、１１・・
・金属電惨、１２・・・光導電層、１３・・・透光性電
十、２０・・・透光性絶縁膜、３１・・・背面電極、３
２・・・第１の誘電体層、３３・・・発光層、３４・・
・第２の誘電体層、３５・・・透光性電極、Ｄ・・・原
稿面、Ｇ・・・像。 １−う）ミ〉 出願人代理人 木 村 高 久１□汀し１１こ１ス１
−嗜一 ミー一一１ノ
Claims (2)
- （１）所定の間隔で多数個の光電変換素子を配列せしめ
てなるセンサ部と、 該センサ部の受光面側に配設せしめられた薄膜ＥＬ素子
からなる発光部とからなり、 センサ部において、発光部から直接入射する光と、原稿
面からの反射光との和を検知することにより原稿の読み
取りを行なうようにしたことを特徴とする原稿読み取り
装置。 - （２）前記センサ部は２次元のドットマトリックスセン
サから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の原稿読み取り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221449A JP2769812B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 原稿読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221449A JP2769812B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 原稿読み取り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376564A true JPS6376564A (ja) | 1988-04-06 |
| JP2769812B2 JP2769812B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=16766907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221449A Expired - Lifetime JP2769812B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 原稿読み取り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2769812B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015068568A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 撮像装置、有機ｅｌ素子、撮像方法、プログラムおよび記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101471A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Read-in system |
| JPS59210664A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Fujitsu Ltd | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221449A patent/JP2769812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57101471A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Read-in system |
| JPS59210664A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Fujitsu Ltd | 長尺密着型イメ−ジセンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015068568A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 撮像装置、有機ｅｌ素子、撮像方法、プログラムおよび記録媒体 |
| JPWO2015068568A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2017-03-09 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 撮像装置、有機ｅｌ素子、撮像方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US9912851B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-03-06 | Nec Lighting, Ltd. | Image-capturing device, organic el element, image-capturing method, program, and recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2769812B2 (ja) | 1998-06-25 |
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