JPS6376183A - Testing device for magnetic bubble memory - Google Patents

Testing device for magnetic bubble memory

Info

Publication number
JPS6376183A
JPS6376183A JP22107586A JP22107586A JPS6376183A JP S6376183 A JPS6376183 A JP S6376183A JP 22107586 A JP22107586 A JP 22107586A JP 22107586 A JP22107586 A JP 22107586A JP S6376183 A JPS6376183 A JP S6376183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
central processing
random access
memory
processing unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22107586A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kanemi Hirata
甲子巳 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP22107586A priority Critical patent/JPS6376183A/en
Publication of JPS6376183A publication Critical patent/JPS6376183A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To decrease the necessary time of a central processing device action by storing the data into a second random access memory and detecting the defect of a minor loop when the defect detection is executed by a collating circuit. CONSTITUTION:A central processing device writes the writing data in parallel to a first RAM 16, and for the output, synchronized by a generator timing in an AND circuit and the output is written through a gate coil driver into a bubble memory. The data read from a bubble memory by the next timing are inputted through a sense amplifier to a defective loop detecting circuit. After the data are latched by a flip-flop, the collation with the written data is obtained at a collating circuit 18. When the collation is obtained for a minor loop and it is discovered that a defect is present, the contents are stored into a second RAM 17. When the central processing device reads the second RAM 17 at the subsequent suitable time, the presence and absence of the minor loop defect can be judged.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 磁気バブルメモリを大容量化したとき不良マイナループ
の有無を試験する装置として、中央処理装置については
処理するページ数・ゲート周期を任意に設定可能とし、
且つ不良マイナループの存在をランダムアクセスメモリ
に格納し、後で処理するようにした磁気バブルメモリの
試験装置である。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] As a device for testing the presence or absence of a defective minor loop when the capacity of a magnetic bubble memory is increased, the number of pages to be processed and the gate cycle can be arbitrarily set for the central processing unit.
Moreover, the present invention is a magnetic bubble memory testing device that stores the presence of a defective minor loop in a random access memory and processes it later.

[産業上の利用分野コ 本発明はマイナループ・メジャライン型の磁気バブルメ
モリについてそのマイナループに不良があるかどうかを
チェックする試験装置に関する。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a test device for checking whether or not there is a defect in the minor loop of a minor loop/major line type magnetic bubble memory.

従来の磁気バブルメモリにおいて、不良マイナループの
検出は中央処理装置が全て関与していたので、メモリの
集積度が大となるとき、要処理速度が中央処理装置の動
作速度に近くなり、処理能力が十分発揮されない欠点が
生じたので、その解決策の研究が望まれた。
In conventional magnetic bubble memory, the central processing unit was fully involved in detecting defective minor loops, so when the memory density increases, the required processing speed approaches the operating speed of the central processing unit, and the processing capacity decreases. Since there was a drawback that the product could not be used to its full potential, research was desired to find a solution.

[従来の技術〕 第3図は従来の試験装置を示しブロック図である。第3
図において、1は不良ループ検出回路、2は中央処理装
置、3はマイナループ・メジャライン型バブルメモリデ
バイス、4はタイミングジェネレータ、5はゲートコイ
ルドライバ、6はセンス増幅器を示す。また不良ループ
検出回路1において、11は中央処理装置データバス、
12は書込データ用シフトレジスタ、13は読出用シフ
トレジスタ、14はアンド回路、15はフリツブフロッ
プを示す。シフトレジスタ12.13は共に中央処理装
置2からアクセスが可能のようにデータバス11で接続
されている。 不良マイナループを検出することは、中
央処理装置2から書込んだデータと、読出したデータと
を照合したとき正常でないものを検出したとき不良とし
ている。
[Prior Art] FIG. 3 is a block diagram showing a conventional test device. Third
In the figure, 1 is a defective loop detection circuit, 2 is a central processing unit, 3 is a minor loop/major line type bubble memory device, 4 is a timing generator, 5 is a gate coil driver, and 6 is a sense amplifier. Further, in the defective loop detection circuit 1, 11 is a central processing unit data bus;
12 is a write data shift register, 13 is a read shift register, 14 is an AND circuit, and 15 is a flip-flop. The shift registers 12 and 13 are both connected by a data bus 11 so that they can be accessed from the central processing unit 2. A defective minor loop is detected as a defect when an abnormality is detected when the data written from the central processing unit 2 is compared with the data read.

そのため書込データ用シフトレジスタ12に例えば8ビ
ツトデータを並列格納し、クロ・ツクにより1ビツトず
つをシリアルに書込みパルスとして送出する。このとき
タイミングジェネレータ4からのパルスによりアンド回
路14で同期をとってから、書込ドライバを駆動する。
For this purpose, for example, 8-bit data is stored in parallel in the write data shift register 12, and each bit is serially sent out as a write pulse using a clock. At this time, synchronization is achieved in the AND circuit 14 using a pulse from the timing generator 4, and then the write driver is driven.

バブルに書込まれたデータは、次のタイミングで読出さ
れて、一旦フリップフロップ15でランチされる。次に
続出データ用シフトレジスク3に取り込まれ8ビット並
列データに変換される。8ビット並列データは次に中央
処理装置内に取り込まれ、先に書込まれたデータと比較
照合される。
The data written in the bubble is read out at the next timing and once launched in the flip-flop 15. Next, the data is taken into the continuous data shift register 3 and converted into 8-bit parallel data. The 8-bit parallel data is then taken into the central processing unit and compared against previously written data.

その結果データに不一致が発見されたときマイナループ
不良と判断する。
As a result, when a mismatch is found in the data, it is determined that the minor loop is defective.

この不良マーブ検出装置ではバブルメモリ駆動について
メモリ・データ数とゲート周期が固定した値を使用して
いた。
This defective marb detection device uses fixed values for the number of memory data and gate period for bubble memory drive.

[発明が解決しようとする問題点] 従来の第3図に示す回路構成では、中央処理装置による
処理時間のみが1ビツト当たり10μ秒程度を要してい
た。そのため書込データに1バイトを使用すると、1バ
イトの処理だけに80μ秒を要し、中央処理装置の能力
の限界に近くなった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional circuit configuration shown in FIG. 3, only the processing time by the central processing unit required about 10 microseconds per bit. Therefore, when one byte is used for write data, it takes 80 microseconds to process just one byte, which is close to the limit of the central processing unit's ability.

したがってメモリ容量のより大きいものにこの手段を適
用することは中央処理装置の能力上、処理動作が適合で
きなくなった。
Therefore, if this method were applied to a device with a larger memory capacity, the processing operation could no longer be adapted due to the capabilities of the central processing unit.

またメモリのページ数・ゲート周期が所定プログラムに
より固定的にセントされたのみであった。
In addition, the number of memory pages and the gate period were only set fixedly by a predetermined program.

そのため試験の動作に当たり機械的な一律処理ができる
のみであった。
Therefore, only uniform mechanical processing could be performed during the test operations.

本発明の目的は前述の欠点を改善し、中央処理装置は不
良ループ検出について、照合出の直接動作を行うことな
く、ハードウェアにより照合を行い不良検出し、蓄積し
たデータを読出すこと、また中央処理装置の試験装置に
おける処理を能率的に行うようにしたバブルメモリの試
験装置を提供することにある。
An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks, and to detect defective loops by a central processing unit, without performing a direct operation of matching and outputting the faulty loops, the central processing unit performs matching and detecting faults by hardware, and reads out the accumulated data. An object of the present invention is to provide a bubble memory testing device that efficiently performs processing in a central processing unit testing device.

[問題点を解決するための手段] 第1図は本発明の原理構成として、不良ループ検出回路
の構成のみを示している。第1図において、11は中央
処理装置とのデータバス、16は第1ランダムアクセス
メモリ (以下本明細書においてランダムアクセスメモ
リをRAMと略記する)、17は第2RAM、18は照
合囲路を示している。
[Means for Solving the Problems] FIG. 1 shows only the configuration of a defective loop detection circuit as the principle configuration of the present invention. In FIG. 1, 11 is a data bus with the central processing unit, 16 is a first random access memory (hereinafter, random access memory will be abbreviated as RAM), 17 is a second RAM, and 18 is a verification circuit. ing.

図示しない磁気バブルメモリデバイスがマイナマーゾ・
メジャライン型であるとき、そのマイナループにデータ
を書込み、読出出力を中央処理装置で処理することによ
りマイナループの不良を検出する磁気バブルメモリの試
験装置において、本発明は下記の構成としている。
A magnetic bubble memory device (not shown) is
The present invention is a testing device for a magnetic bubble memory that detects a failure in a minor loop when the memory is of a major line type by writing data in the minor loop and processing the read output by a central processing unit, and the present invention has the following configuration.

即ちデータパターンを書込んでおく第lRAM16と、
不良パターンを確認したときその内容を書込んでおく第
2RAM17と、第lRAM15の出力とバブルメモリ
の読出出力との照合を行う照合回路18とを具備するこ
とである。また第2発明では第1発明の構成に付加して
、中央処理装置の周辺装置(図示せず)から、処理すべ
きページ数・ゲート周期を所定値に設定可能とする構成
を有する。
That is, a first RAM 16 in which the data pattern is written;
It is provided with a second RAM 17 in which the contents are written when a defective pattern is confirmed, and a verification circuit 18 that performs verification between the output of the first RAM 15 and the read output of the bubble memory. In addition to the configuration of the first invention, the second invention has a configuration that allows the number of pages to be processed and the gate period to be set to predetermined values from a peripheral device (not shown) of the central processing unit.

[作用] 第1図において、中央処理装置は書込みデータを第lR
AM16に並列的に書込み、その出力をアンド回路にお
いてジェネレータタイミングで同期をとりゲートコイル
ドライバ5を介してバブルメモリに書込む。次のタイミ
ングでバブルメモリから読出したデータはセンス増幅記
を介して不良ループ検出回路に入力する。そしてプリン
プフロフブでランチしたのち、照合回路18において書
込みデータと照合をとる。マイナループ毎に照合をとっ
て不良のあることを発見したとき、第2RAM17にそ
の内容を格納しておく。中央処理装置は後の適当な時に
おいて第2RAM17を読出せば、マイナループ不良の
有無を判断することができる。
[Operation] In FIG. 1, the central processing unit writes write data to
The data is written in AM16 in parallel, and its output is synchronized with the generator timing in an AND circuit and written into the bubble memory via the gate coil driver 5. The data read from the bubble memory at the next timing is input to the defective loop detection circuit via the sense amplifier. Then, after lunch at the printer buffer, the collation circuit 18 collates the data with the written data. When a defect is found by checking each minor loop, the contents are stored in the second RAM 17. If the central processing unit reads the second RAM 17 at a later appropriate time, it can determine whether there is a minor loop failure.

次に中央処理装置はチェックすべきマイナループに応じ
てページ数・ゲート周期を周辺装置から所定値に設定す
ることにより、最も好適な動作ができるように制御する
ことができる。
Next, the central processing unit can control the number of pages and gate period to predetermined values from the peripheral device according to the minor loop to be checked, so as to perform the most suitable operation.

バブルへの書込端子と読出端子は複数のチップに並列接
続することが可能である。
The write and read terminals to the bubble can be connected in parallel to multiple chips.

[実施例] 第2図は本発明の実施例として第1図の不良ループ検出
回路に、不良ループマスクRAMを設けて処理をより能
率的にできる場合を示す。第2図において、19は第3
RAMとして不良ループマスク・ランダムアクセスメモ
リを第lRAMと並列的に接続している。また20はE
OR回路で照合回路を構成する。始めてチップ内不良ル
ープを検出するときは第3RAM19に格納するデータ
がないから、前述のように試験を始める。不良ループが
検出されたときは、中央処理装置により記録装置に記録
させておくことが良い。次に同一チップについて不良ル
ープが発生したか否か検出するときは、事前に不良ルー
プのデータ以外のデータを第3RAM19に格納する。
[Embodiment] FIG. 2 shows, as an embodiment of the present invention, a case where the defective loop detection circuit of FIG. 1 is provided with a defective loop mask RAM to make processing more efficient. In Figure 2, 19 is the third
A defective loop mask/random access memory as a RAM is connected in parallel with the first RAM. Also, 20 is E
A verification circuit is configured with an OR circuit. When a defective loop within the chip is detected for the first time, there is no data to be stored in the third RAM 19, so the test is started as described above. When a defective loop is detected, it is preferable that the central processing unit records it in a recording device. Next, when detecting whether a defective loop has occurred in the same chip, data other than the data of the defective loop is stored in the third RAM 19 in advance.

それは第3RAMのデータが書込データパターンRAM
17のデータを書込まないようにするためである。した
がって第3RAMにより書込まれたデータについてEO
R回路20が不一致を検出すれば、そのとき新しい不良
ループを転出したことが判り、それを第2RAM17に
格納する。第3RAM19を設けたことにより第2RA
M17続出データの信頼性が高まる。
That is, the data in the third RAM is the write data pattern RAM.
This is to prevent data No. 17 from being written. Therefore, regarding the data written by the third RAM, EO
If the R circuit 20 detects a mismatch, it will know that a new defective loop has been transferred, and will store it in the second RAM 17. By providing the third RAM 19, the second RA
The reliability of M17 data continues to increase.

次に中央処理装置から制御されてページ管理用のカウン
タが複数準備されていたが、本発明においてはそれらカ
ウンタの設定値を所定値とするために、外部周辺装置を
使用する。そのため試験すべきページの大きさが固定さ
れないから、短時間で有効に試験を終わらせることがで
きる。
Next, although a plurality of counters for page management are prepared under the control of the central processing unit, in the present invention, an external peripheral device is used to set the set values of these counters to predetermined values. Therefore, since the size of the page to be tested is not fixed, the test can be completed effectively in a short time.

[発明の効果コ このようにして本発明によると、不良ループ検出回路の
構成としてバブルとのインタフェースを並列的に出来、
また中央処理装置に対する制御を行うようにしたから、
バブルチップの不良ループ検出のため、中央処理装置動
作の必要時間を減らすことができる。即ち不良ループを
検出する動作がバブルの動作速度と同じ程度にでき、中
央処理装置能力に関係しないからである。大容量・高速
駆動のバブルメモリの試験を最小時間で行うことができ
る。また続出/書込のページ数・ゲート周期を所定値に
設定できるため、条件を様々に変えて試験をすることが
でき、試験結果の信頼性が向上する。
[Effects of the Invention] Thus, according to the present invention, the interface with the bubble can be parallelized as a configuration of the defective loop detection circuit.
Also, since it controls the central processing unit,
Due to the detection of defective bubble chip loops, the time required for central processing unit operation can be reduced. In other words, the operation for detecting a defective loop can be performed at the same speed as the bubble operation, and is not related to the central processing unit capacity. It is possible to test large-capacity, high-speed bubble memory in the minimum amount of time. Furthermore, since the number of successive/write pages and gate period can be set to predetermined values, tests can be performed under various conditions, improving the reliability of test results.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理構成を示す図、 第2図は本発明の実施例の構成を示す図、第3図は従来
の不良ループ試験装置の構成を示す図である。 ニー・・不良ループ検出回路 2・−中央処理装置 3−・−バブルメモリデバイス 4−タイミングジェネレータ 5−ゲートコイルドライバ 11〜中央処理装置データバス 16・〜第1RAM(データパターン用)17−第2R
AM(不良パターン用) 18−照合回路 19−・・第3RAM(パターンマスク用)20−EO
R回路 特許出願人    富士通株式会社 代 理 人  弁理士  鈴木栄祐 り大ミ ツY庁iイダ1j 第2図
FIG. 1 is a diagram showing the basic configuration of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a conventional defective loop testing device. Knee: Defective loop detection circuit 2 - Central processing unit 3 - Bubble memory device 4 - Timing generator 5 - Gate coil driver 11 - Central processing unit data bus 16 - 1st RAM (for data pattern) 17 - 2nd R
AM (for defective pattern) 18-verification circuit 19--3rd RAM (for pattern mask) 20-EO
R circuit patent applicant Fujitsu Limited Agent Patent attorney Eisuke Suzuki Daimitsu Y Agency iida 1j Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 I 、磁気バブルメモリデバイスのマイナループにデー
タを書込み、読出出力を中央処理装置で処理することに
よりマイナループの不良を検出する磁気バブルメモリの
試験装置において、 少なくともデータパターンを書込んでおく第1ランダム
アクセスメモリ(16)と、不良ループを確認したとき
その内容を書込んでおく第2ランダムアクセスメモリ(
17)と、第1ランダムアクセスメモリ(16)の出力
とバブルメモリ読出出力との照合を行う照合回路(18
)とを具備し、 該照合回路(18)により不良検出を行ったときそのデ
ータを第2ランダムアクセスメモリ(17)に格納し、
中央処理装置は第2ランダムアクセスメモリ(17)の
読出出力によりマイナループの不良を検出することを特
徴とする磁気バブルメモリの試験装置。 II、磁気バブルメモリデバイスのマイナループにデータ
を書込み、読出出力を中央処理装置で処理することによ
りマイナループの不良を検出する磁気バブルメモリの試
験装置において、 少なくともデータパターンを書込んでおく第1ランダム
アクセスメモリ(16)と、不良ループを確認したとき
その内容を書込んでおく第2ランダムアクセスメモリ(
17)と、第1ランダムアクセスメモリ(16)の出力
とバブルメモリ読出出力との照合を行う照合回路(18
)とを具備し、 該照合回路(18)により不良検出を行ったときのデー
タを第2ランダムアクセスメモリ(17)に格納し、中
央処理装置は第2ランダムアクセスメモリ(17)の読
出出力によりマイナループの不良を検出し、 且つ中央処理装置は、その周辺装置から処理するページ
数・ゲート周期を所定値に設定可能とされたことを特徴
とする磁気バブルメモリの試験装置。
[Claims] I. A magnetic bubble memory testing device that detects defects in the minor loop by writing data in the minor loop of a magnetic bubble memory device and processing read output by a central processing unit, wherein at least a data pattern is written. A first random access memory (16) is used to store the defective loop, and a second random access memory (16) is used to write the contents when a defective loop is confirmed.
17) and a verification circuit (18) that performs verification between the output of the first random access memory (16) and the bubble memory readout output.
), when the verification circuit (18) detects a defect, the data is stored in the second random access memory (17);
A magnetic bubble memory testing device characterized in that the central processing unit detects a minor loop failure based on the read output of the second random access memory (17). II. In a magnetic bubble memory test device that detects defects in the minor loop by writing data in the minor loop of a magnetic bubble memory device and processing read output by a central processing unit, the first random access is performed by writing at least a data pattern. A memory (16) and a second random access memory (16) into which the contents are written when a defective loop is confirmed.
17) and a verification circuit (18) that performs verification between the output of the first random access memory (16) and the bubble memory readout output.
), the data when a defect is detected by the matching circuit (18) is stored in a second random access memory (17), and the central processing unit is configured to read out data from the second random access memory (17). 1. A testing device for a magnetic bubble memory, which detects a defect in a minor loop, and is characterized in that the central processing unit is capable of setting the number of pages and gate period to be processed from its peripheral devices to predetermined values.
JP22107586A 1986-09-19 1986-09-19 Testing device for magnetic bubble memory Pending JPS6376183A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22107586A JPS6376183A (en) 1986-09-19 1986-09-19 Testing device for magnetic bubble memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22107586A JPS6376183A (en) 1986-09-19 1986-09-19 Testing device for magnetic bubble memory

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6376183A true JPS6376183A (en) 1988-04-06

Family

ID=16761092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22107586A Pending JPS6376183A (en) 1986-09-19 1986-09-19 Testing device for magnetic bubble memory

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6376183A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758005B2 (en) Failure test apparatus and method for automatic test equipment
KR970004077B1 (en) Method and apparatus for detecting retention faults in memory
US3892955A (en) Program controlled testing system
JPH02255925A (en) Method and device for memory test
KR940002904B1 (en) Memory card resident diagnostic testing
JPS6376183A (en) Testing device for magnetic bubble memory
JPS63148498A (en) Memory device with self-disagnosing function
JPH04157535A (en) Register inspecting method
JP3018431B2 (en) On-chip test method for semiconductor memory
JP2970088B2 (en) LSI tester
JP2943237B2 (en) Detector for semiconductor integrated circuit device
JPS6153579A (en) Tester for function of logical circuit
JP2001167597A (en) Test device for semiconductor memory
JP3060650B2 (en) Pattern memory device
JPS6011400B2 (en) IC test equipment
JPS632200A (en) Memory test system
JPS6167162A (en) Memory-checking circuit
SU1200347A1 (en) Device for checking address circuits of memory block
JPH03176680A (en) Testing device for ic
JPH0198979A (en) Scan test control circuit
JPH0997194A (en) Data acquisition device for fail memory
JPS60549A (en) Memory testing system
JPH05298140A (en) Self-diagnostic system
JPH03209699A (en) Pattern memory circuit with self-checking circuit
JPS63155347A (en) Auxiliary circuit for diagnosis of memory