JPS63148498A - Memory device with self-disagnosing function - Google Patents

Memory device with self-disagnosing function

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JPS63148498A
JPS63148498A JP61294507A JP29450786A JPS63148498A JP S63148498 A JPS63148498 A JP S63148498A JP 61294507 A JP61294507 A JP 61294507A JP 29450786 A JP29450786 A JP 29450786A JP S63148498 A JPS63148498 A JP S63148498A
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data
address
self
diagnosis
read
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Akihiko Kosuge
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Abstract

PURPOSE:To execute self-diagnosis in a short time even if the capacity of a memory device in large by executing reading and writing action at high speed through the use of a data reproducing function which is added to the memory device, logically comparing data read out by means of the reading action with an expected value, and executing self-diagnosis. CONSTITUTION:With using high speed write function, data for self diagnosis is written in an address area to be diagnosed. In such a case, data inverters 80A and 80B write data in respective address with the value inverted to '1' or '1' in respective address. If writing terminates, a read/write controller 50 is set in a data reproducing mode, and it executes the action of reproducing written data other address area. A logical comparator 100 compares having read data with the expected value and decides quality. If non-coincidence is detected, a failure generation address is transmitted to a test processor so as to display that the address is a failure. Thus, a diagnosing speed can considerably be increased, and the self-diagnosis can be terminated in a short time.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は例えば半導体試験装置等に用いられる記憶装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to a memory device used in, for example, semiconductor testing equipment.

「発明の背景」 IC化されたメモリ等を試験する半導体試験装置には試
験に使うパターン信号を収納しておく大容量の記憶装置
が設けられている。この記憶装置は高速読出及び高速書
込が行なえるように半導体のメモリ素子が用いられてい
る。半導体メモリ素子を記憶素子として用いる場合、そ
の中の一つのメモリセルでも故障していると試験に用い
る・ぐターン信号に欠陥が生じ試験の結果は信頼できな
いものとなる。
BACKGROUND OF THE INVENTION A semiconductor testing device that tests IC memories and the like is equipped with a large-capacity storage device that stores pattern signals used in testing. This memory device uses semiconductor memory elements to enable high-speed reading and writing. When a semiconductor memory device is used as a storage device, if even one memory cell in the device is faulty, a defect will occur in the turn signal used for testing, making the test results unreliable.

このため半導体試験装置では従来より使用開始時にパタ
ーン信号等を収納する記憶装置が正常か否かを自己診断
する機能を付加し、自己診断の結果記憶装置が正常であ
れば試験を開始するようにしている。
For this reason, semiconductor test equipment has traditionally been equipped with a function to self-diagnose whether or not the storage device that stores pattern signals etc. is normal at the beginning of use, and if the storage device is normal as a result of the self-diagnosis, the test is started. ing.

「従来技術」 第3図に従来の自己診断機能を具備したIC試験装置用
の記憶装置を示す。図中1は診断すべき記憶装置、2は
テストプロセッサ、3は外部記憶装置を示す。
"Prior Art" FIG. 3 shows a conventional storage device for an IC testing device equipped with a self-diagnosis function. In the figure, 1 is a storage device to be diagnosed, 2 is a test processor, and 3 is an external storage device.

ICの試験動作は次のようにして行なわれる。The IC test operation is performed as follows.

先ずテストプロセンサ2の制御によって記憶装置1に外
部記憶装置3からテストパターン信号が転送されて高速
書込手段によって高速度で書込まれる。そのテストパタ
ーン信号を読出して外部にテス) z4ターン信号を送
出し、被試験IC(特に図示しない)に印加する。
First, a test pattern signal is transferred from the external storage device 3 to the storage device 1 under the control of the test processor 2 and written at high speed by the high-speed writing means. The test pattern signal is read out and tested externally.) The z4 turn signal is sent and applied to the IC under test (not particularly shown).

ここでテスト・ぐターン信号を読出すために以下の機能
が付加されている。
Here, the following functions are added to read the test turn signal.

■ 記憶装置1において指定したアドレスから指定した
アドレスまでに収納したテストパターン信号を高速で読
出して送出する機能と、■ 記憶装置1において指定し
たアドレスから指定したアドレスまでに収納したテス)
 z?ターン信号を高速で記憶装置1内の他の記憶領域
に書き移す機能とである。
■ A function to read out and send out test pattern signals stored from a specified address to a specified address in the storage device 1 at high speed, and ■ test pattern signals stored from a specified address to a specified address in the storage device 1)
Z? This function is to transfer the turn signal to another storage area in the storage device 1 at high speed.

この二つの機能を実行するために読出及び書込を行なう
アドレス領域の先頭アドレスを設定する先頭アドレスポ
インタ10と、書き換えする送り先アドレス領域の先頭
アドレスを指定する送り先アドレスポインタ20と、読
出及び書込を行なうアドレス領域を指定するだめのワー
ドカウンタ30と、指定したアドレス領域の読出及び書
込が終了したことを検出するゼロ検出器4oと、読出書
込制御器50と、クロック発生器60とが設けられてい
る。
In order to execute these two functions, there is a start address pointer 10 that sets the start address of the address area to be read and written, a destination address pointer 20 that specifies the start address of the destination address area to be rewritten, and a destination address pointer 20 that specifies the start address of the address area to be rewritten. A word counter 30 for specifying the address area to perform the reading, a zero detector 4o for detecting completion of reading and writing of the specified address area, a read/write controller 50, and a clock generator 60. It is provided.

先頭アドレスポインタ10と送り先アドレスポインタ2
0はプリセット可能なアップダウンカウンタが用いられ
、アドレスマルチプレクサ4の切替によってテストプロ
セッサ2から先頭アドレスと送り先アドレスが与えられ
てその先頭アドレスと送り先アドレスがプリセットされ
る。
Start address pointer 10 and destination address pointer 2
For 0, a presettable up/down counter is used, and by switching the address multiplexer 4, a start address and a destination address are given from the test processor 2, and the start address and destination address are preset.

先頭アドレスポインタ10と送り先アドレスポインタ2
0にグリセノドされた先頭アドレスと送す先アドレスは
マルチプレクサ5によって選択されて記憶装置1に与え
られる。
Start address pointer 10 and destination address pointer 2
The starting address and the destination address that have been reset to 0 are selected by the multiplexer 5 and provided to the storage device 1.

読出及び書込を行なう場合には先頭アドレスポインタ1
0にグリセノドされた先頭アドレスが記憶装置1に与え
られ読出又は書込が行なわれる毎に先頭アドレスポイン
タ10がその設定されたモードに従って+1又は−1ず
つ計数動作し、記憶装置1のアドレスを+1又は−1ず
つ歩進させる。
When reading and writing, start address pointer 1
Every time the start address that has been reset to 0 is given to the storage device 1 and read or written, the start address pointer 10 counts by +1 or -1 according to the set mode, and the address of the storage device 1 is increased by +1. Or increment by -1.

データの移し換を行なう場合は先頭アドレスポインタ1
0と送り先アドレスポインタ20のグリセノド値が交互
に記憶装置1に与えられる。
When transferring data, start address pointer 1
0 and the Grisenode value of the destination address pointer 20 are alternately applied to the storage device 1.

つまり先頭アゾレスポインタ10のプリセント値が記憶
装置1に与えられている状態で読出書込制御器50は記
憶装置1からそのアドレスに記憶されているデータを読
出し、レジスタ6にストアする。次にマルチプレクサ5
は送り先アドレスポインタ20を選択してそのシリセッ
ト値を記憶装置1に与えデータの送り先アドレスをアク
セスする。このアクセスが完了した時点で読出書込制御
器50は読出したデータをデータレノスタ6からマルチ
プレクサ7を通じて記憶装置1に与え、送り先アドレス
にデータを書込む。
That is, with the precent value of the head Azores pointer 10 being given to the storage device 1, the read/write controller 50 reads the data stored at that address from the storage device 1 and stores it in the register 6. Next, multiplexer 5
selects the destination address pointer 20, gives its reset value to the storage device 1, and accesses the destination address of the data. When this access is completed, the read/write controller 50 applies the read data from the data reno star 6 to the storage device 1 through the multiplexer 7, and writes the data to the destination address.

読出終了と書込が終了すると先頭アドレスポインタ10
及び送り先アドレスポインタ20は指定されたモードに
従って+1又は−1ずつ計数動作し、記憶装置1の読出
アドレスと送り先アドレスを+1又は−1ずつ歩進させ
る。
When reading and writing are completed, the start address pointer 10
The destination address pointer 20 counts by +1 or -1 according to the designated mode, and increments the read address of the storage device 1 and the destination address by +1 or -1.

一方ワードカウンタ30はプリセット可能な例えばダウ
ンカウンタによって構成され読出又は書込を行なう領域
を決めるだめのワード数をテストプロセッサ2から与え
られそのワード数をプリセントされる。
On the other hand, the word counter 30 is constituted by a presettable down counter, for example, and is given the number of words from the test processor 2 to determine the area to be read or written, and is preset with the number of words.

ワードカウンタ30は記憶装置1が1アドレス歩進する
毎に−1ずつ減算動作を行ない、歩進の数がプリセント
された値に達するとゼロ検出器110がその状態を検出
し、読出書込制御器50に検出信号を送ってその動作を
停止させる。
The word counter 30 performs a subtraction operation by -1 every time the storage device 1 advances by one address, and when the number of advances reaches the precented value, the zero detector 110 detects the state and performs read/write control. A detection signal is sent to the device 50 to stop its operation.

このようにして記憶装置1の所望のアドレス領域に高速
度でテストパターン信号を書込む動作及びそのアドレス
領域に書込まれたテス)/Fターン信号を高速度で読出
して他に送出する動作、更に書込まれているテスト・ぐ
ターン信号を他の記憶領域に移し換える動作が行なわれ
る構成となっている。
In this way, the operation of writing a test pattern signal at a high speed into a desired address area of the storage device 1, and the operation of reading out the TEST)/F turn signal written in the address area at a high speed and sending it to others, Furthermore, the structure is such that an operation is performed to transfer the written test signal to another storage area.

ところで記憶装置1の各記憶セルが正常か否かを診断す
るには従来はテストプロセッサ20指令によって記憶装
置1の各アドレスに自己診断用のデータを書込み、その
データを読出してテストプロセッサ2に送り、テストプ
ロセッサ2において期待値と比較し、良否を判定してい
る。
By the way, in order to diagnose whether each memory cell of the memory device 1 is normal or not, conventionally, data for self-diagnosis is written to each address of the memory device 1 by a command from the test processor 20, and the data is read and sent to the test processor 2. , the test processor 2 compares it with the expected value to determine pass/fail.

「発明が解決しようとする問題点」 従来は自己診断の実行はテストゾロセッサ2によって行
なっている。このため診断の速度はテストゾロセッサ2
の実行速度となり、診断時間が長く掛る欠点がある。特
にICテスタに設けられる記憶装置1は記憶容量が例え
ば16Mバイトと大きいため自己診断に比較的長い時間
が必要となる。
"Problems to be Solved by the Invention" Conventionally, self-diagnosis has been carried out by the test processor 2. Therefore, the speed of diagnosis is Test Zorocessor 2.
This method has the disadvantage that the execution speed is 100%, and the diagnosis time is long. In particular, since the storage device 1 provided in the IC tester has a large storage capacity of, for example, 16 Mbytes, a relatively long time is required for self-diagnosis.

因みに16Mバイトの場合的2公程度の時間になる。Incidentally, in the case of 16MB, the time will be about the same as that of the second common law.

この発明の目的は自己診断に要する時間を大幅に短縮す
ることができる自己診断機能を具備した記憶装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a storage device equipped with a self-diagnosis function that can significantly shorten the time required for self-diagnosis.

「問題点を解決するための手段」 この発明では、従来から設けられている先頭アドレスポ
インタ、送り先アドレスポインタ、ワードカウンタ、ゼ
ロ検出器、読出書込制御器、クロック発生器等に加えて
、自己診断用データを保持しておく診断用データレジス
タと、自己診断用データの書込時にデータの値を1アド
レス毎に「1」と「0」に反転させるデータ反転器と、
自己診断を行なう領域を決めるワード数を保持しておく
ワードレジスタと、このワードレジスタに保持したワー
ド数をワードカウンタの値がゼロになる毎にワードカウ
ンタに与えて再ロードするマルチプレクサと、診断領域
の各アドレスから読出したデータを期待値と比較する論
理比較器とを設けた構造とするものである。
"Means for Solving Problems" In this invention, in addition to the conventionally provided head address pointer, destination address pointer, word counter, zero detector, read/write controller, clock generator, etc. A diagnostic data register that holds diagnostic data; a data inverter that inverts the data value to "1" and "0" for each address when writing self-diagnostic data;
A word register that holds the number of words that determines the area to perform self-diagnosis, a multiplexer that reloads the word counter by giving the number of words held in this word register to the word counter every time the value of the word counter reaches zero, and a diagnostic area. The structure includes a logical comparator that compares data read from each address with an expected value.

「作用」 この発明の構成によれば従来からある高速書込機能を利
用して診断すべきアドレス領域に自己診断用データを書
込む。この場合釜アドレスにはデータ反転器によってア
ドレス毎にデータの値が「1」と「0」に反転して書込
が行なわれる。
"Operation" According to the configuration of the present invention, self-diagnosis data is written into the address area to be diagnosed using a conventional high-speed write function. In this case, the data value is inverted to "1" and "0" for each address by a data inverter and then written to the hook address.

書込が終了すると読出書込制御器はデータの移し換えモ
ードに設定され、書込んだデータを他のアドレス領域に
移し換えを行なう動作を実行する。
When writing is completed, the read/write controller is set to a data transfer mode and executes an operation to transfer the written data to another address area.

この場合送υ先アドレスを読出アドレスと同一に設定す
ることにより読出したデータは再び同一アドレスに再書
込みされる。
In this case, by setting the destination address to be the same as the read address, the read data is rewritten to the same address again.

読出したデータは論理比較器で期待値と比較し、良否を
判定する。不一致が検出された場合はその不良発生アド
レスをテストゾロセッサに送り、そのアドレスが不良で
あることを表示させる。
The read data is compared with an expected value by a logical comparator to determine whether it is good or bad. If a mismatch is detected, the address where the defect occurred is sent to the test processor, and it is displayed that the address is defective.

このようにこの発明によれば自己診断用データの書込及
び読出全従来からある高速書込機能とデータの移し換え
機能を利用し、更に良否の判定を論理比較器によって行
なう構成としたからテストプロセッサによって良否を判
定する場合と比較して診断速度を大幅に速くすることが
できる。よって自己診断を短時間に済ませることができ
る。
As described above, according to the present invention, the conventional high-speed writing function and data transfer function are used to write and read data for self-diagnosis, and the logic comparator is used to determine pass/fail. Diagnosis speed can be significantly increased compared to when a processor is used to determine pass/fail. Therefore, self-diagnosis can be completed in a short time.

「実施例」 第1図にこの発明の一実施例を示す。第1図において第
3図と対応する部分には同一符号を付して示す。
"Embodiment" FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals.

この発明によって付加される部分は自己診断時に自己診
断用データを保持しておく自己診断用データレノスタフ
0と、この自己診断用データレジスタ70に保持したデ
ータを1アドレス毎に「1」と「O」を反転させて記憶
装置1に与えるデータ反転器80Aと、ワードカウンタ
30の計数値がゼロになる毎にワードカウンタ30に設
定値Wを再ロードするために設けたワードレジスタ90
と、期待値を発生させるデータ反転器80Bと、データ
反転器soA、soBに必要に応じて反転指令信号を与
えるグー)GAと、記憶装置1から読出したデータと期
待値とを比較する論理比較器100とである。
The parts added by this invention are a self-diagnosis data renostaph 0 that holds self-diagnosis data during self-diagnosis, and data held in this self-diagnosis data register 70 that is set to "1" and "1" for each address. A data inverter 80A that inverts the data "O" and supplies it to the storage device 1, and a word register 90 provided to reload the set value W to the word counter 30 each time the count value of the word counter 30 becomes zero.
, a data inverter 80B that generates an expected value, a logic comparison that provides an inversion command signal to the data inverters soA and soB as necessary, and a logical comparison that compares the data read from the storage device 1 with the expected value. 100.

自己診断用データレジスタ70にはテストプロセッサ2
が自己診断プログラムを実行開始初期の段階でテストプ
ロセッサ2から自己診断用データが送られて来てストア
される。自己診断用データレジスタ70にストアされた
自己診断用データはデータ反転器80Aを通じて記憶装
置1に供給される。
The self-diagnosis data register 70 includes a test processor 2.
Self-diagnosis data is sent from the test processor 2 at an early stage of execution of the self-diagnosis program and is stored. The self-diagnosis data stored in the self-diagnosis data register 70 is supplied to the storage device 1 through the data inverter 80A.

データ反転器80Aはデー)GAを通じて1アドレス毎
に「1」と「0」を交互に繰返す信号が与えられ、この
反転信号によって自己診断用データレジスタ70にスト
アしたデータを1アドレス毎に「1」と「0」に反転さ
せて記憶装置1に供給し、これを指定したアドレス領域
に記憶する。
The data inverter 80A is supplied with a signal that alternately repeats "1" and "0" for each address through the data GA, and this inverted signal causes the data stored in the self-diagnosis data register 70 to be changed to "1" and "0" for each address. '' is inverted to "0" and supplied to the storage device 1, which is stored in the designated address area.

この書込動作は先にも説明したように書込の先頭アドレ
スを規定する先頭アドレスポインタ10とワードカウン
タ30と協動によって行なわれる。
This write operation is performed in cooperation with the word counter 30 and the start address pointer 10 that defines the start address for writing, as described above.

つまり先頭アドレスポインタ10にグリセノドされた先
頭アドレスからワードカウンタ30にグリセノドされた
ワード数に対応するアドレスまでが指定され、そのアド
レス領域に1アドレス毎に「1」と「0」が反転した自
己診断用データを書込む。この書込動作を第2図に示す
区間Aで行なう。
In other words, the address from the first address written in the starting address pointer 10 to the address corresponding to the number of words written in the word counter 30 is specified, and the self-diagnosis in which "1" and "0" are inverted for each address in the address area is specified. Write data for This write operation is performed in section A shown in FIG.

ここで先頭アドレスAAを記憶装置1の先頭アドレスと
し、ワード数Wを記憶装置1の全アドレス数に設定する
ことにより記憶装置1の先頭アドレスAAから最終アド
レスAZまでの全アドレス領域を指定することができる
。また必要に応じて記憶装置1の一部のアドレス領域を
指定することもできる。
Here, by setting the starting address AA as the starting address of the storage device 1 and setting the number of words W to the total number of addresses in the storage device 1, the entire address area from the starting address AA to the final address AZ of the storage device 1 can be specified. I can do it. Further, it is also possible to specify a part of the address area of the storage device 1 as necessary.

指定したアドレスまで自己診断用データが書込まれると
ゼロ検出器40がワードカウンタ30の計数値がゼロに
なったことを検出し、その検出信号を読出書込制御器5
0に与えて動作モードをデータの移し換えモードに切換
る。
When the self-diagnosis data is written to the specified address, the zero detector 40 detects that the count value of the word counter 30 has become zero, and reads out the detection signal from the write controller 5.
0 to switch the operation mode to data transfer mode.

データの移し換えモードは先頭アドレスポインタ10で
指定したアドレスからデータを読出し、そのデータを論
理比較器100で期待値と比較するのと同時に、送り先
アドレスレジスタ20に設定したアドレスにブータラ書
込む。自己診断時には先頭アドレスポインタ10に設定
するアドレスと送り先アドレスとを同一アドレスに設定
するからデータは読出されたアドレスに再書込みされる
In the data transfer mode, data is read from the address specified by the start address pointer 10, and the logical comparator 100 compares the data with an expected value, and at the same time, the data is written to the address set in the destination address register 20. During self-diagnosis, the address set in the head address pointer 10 and the destination address are set to the same address, so data is rewritten to the read address.

ここで先頭アドレスポインタ10と送り先アドレスポイ
ンタ20はデータの移し換tモー)’[切換えられたと
きにダウンカウントモードに切換られ、データの移し換
え動作は最終アドレスAZから先頭アドレスに向って歩
進しながら行なわれる。
Here, the start address pointer 10 and the destination address pointer 20 are switched to the down count mode when the data transfer mode)'[is switched, and the data transfer operation advances from the final address AZ to the first address. It is done while

更に最終アドレスAZに達した状態でデータの移し換え
モードに切換りたときにワードレジスタ90に設定した
ワード数をマルチブレフサ8を通じてワードカウンタ3
0に与え再ロードする。従ってデータの移し換え動作は
ワードカウンタ30の値がゼロになるまで実行される。
Furthermore, when the final address AZ is reached and the data transfer mode is switched, the number of words set in the word register 90 is transferred to the word counter 3 through the multi-blephr 8.
0 and reload. Therefore, the data transfer operation is executed until the value of word counter 30 becomes zero.

この状態を第2図の区間Bに示す。This state is shown in section B of FIG.

データの移し換え動作が先頭アドレスAAまで行なわれ
ると、ゼロ検出器40がワードカウンタ30の計数値が
ゼロになったことを検出し、その検出信号を読出書込制
御器50に与え、先頭アドレスポインタ10と送り先ア
トV7.1!’(7fi20をアップカウントモードに
切換ると共にマルチブレフサ81!を通じてワードカウ
ンタ30にワードレジスタ90に保持したワード数を再
ロードする。
When the data transfer operation is performed up to the start address AA, the zero detector 40 detects that the count value of the word counter 30 has become zero, gives the detection signal to the read/write controller 50, and sends the data to the start address AA. Pointer 10 and destination ato V7.1! '(7fi20 is switched to up-count mode and the number of words held in the word register 90 is reloaded into the word counter 30 through the multi-blephr 81!.

この切換によりデータの移し換え動作は第2図の区間C
に示すように先頭アドレスAAかも最終アドレスAZに
向って歩進しながら実行される。
With this switching, the data transfer operation is performed in section C in Figure 2.
As shown in FIG. 3, the execution is performed while the start address AA is also incrementing toward the end address AZ.

データの移し換え動作中に各アドレスから読出されたデ
ータは全て論理比較器100において期待値と比較され
る。期待値はデータレジスタ70に保持した自己診断用
データをデータ反転器80Bを通じて取出され、1アド
レス毎に「1」と「0」が反転した期待値データと、記
憶装置1から読出したデータとを比較し、一致、不一致
を判定し、不一致が発生したとき、不良発生を表わす信
号を論理比較器100からテストプロセッサ2に送ると
共にアドレスレジスタ110から不良アドレスをテスト
プロセッサ2に送出し、テストプロセッサ2に付属する
表示器に不良の有と、そのアドレスを表示させる。
All data read from each address during a data transfer operation is compared with an expected value in logic comparator 100. The expected value is obtained by taking out the self-diagnosis data held in the data register 70 through the data inverter 80B, and combining the expected value data with "1" and "0" inverted for each address and the data read from the storage device 1. The comparison is made to determine whether there is a match or a mismatch, and when a mismatch occurs, a signal indicating the occurrence of a defect is sent from the logic comparator 100 to the test processor 2, and a defective address is sent from the address register 110 to the test processor 2. The presence of a defect and its address are displayed on the display attached to the device.

「発明の効果」 以上説明したようKこの発明てよれば記憶装置lに付加
されているデータの移し換え機能を利用して読出書込の
動作を高速度で行なわせ、その読出動作によって読出さ
れたデータを期待値と論理比較し、自己診断を行なう構
成としたから高速度で自己診断を行なわせることができ
る。よって記憶装置1の容量が大きくても短時間に自己
診断を行なうことができる。
"Effects of the Invention" As explained above, according to this invention, the data transfer function added to the storage device L is used to perform read/write operations at high speed, and the read/write operations are performed at high speed. Since the system is configured to perform self-diagnosis by logically comparing the obtained data with expected values, self-diagnosis can be performed at high speed. Therefore, even if the storage device 1 has a large capacity, self-diagnosis can be performed in a short time.

因みに16Mバイトの記憶装置1を自己診断する時間は
従来は120秒であったものを約2秒程度に短縮するこ
とができた。
Incidentally, the time for self-diagnosing the 16 Mbyte storage device 1, which was conventionally 120 seconds, has been reduced to about 2 seconds.

またこの発明では従来から持っている機能を有効に使っ
たのでコストの上昇はわずかであるが、自己診断時間を
大幅に短縮できる利点が得られる。
Furthermore, since the present invention effectively uses the conventional functions, the increase in cost is small, but the advantage is that the self-diagnosis time can be significantly shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を説明するためのブロック
図、第2図はこの発明の詳細な説明するためのグラフ、
第3図は従来の自己診断機能を持つ記憶装置を説明する
ためのブロック図である。 1・・・記憶装置、2・・・テストプロセッサ、3・・
・外部メモリ、4,5,7.8・・・マルチプレクサ、
10・・・先頭アドレスポインタ、20・・・送り先ア
ドレスポインタ、30・・・ワードカウンタ、40・・
・ゼロ検出器、50・・・読出書込制御器、60・・・
クロック発生器、110・・・アドレスレノスタ。
FIG. 1 is a block diagram for explaining one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph for explaining the invention in detail,
FIG. 3 is a block diagram for explaining a conventional storage device with a self-diagnosis function. 1...Storage device, 2...Test processor, 3...
・External memory, 4, 5, 7.8... multiplexer,
10...Start address pointer, 20...Destination address pointer, 30...Word counter, 40...
・Zero detector, 50...Read/write controller, 60...
Clock generator, 110...Address reno star.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)A、書込まれているデータを高速度で読出し、そ
のデータを他の装置に転送する高速転送 手段と、 B、書込まれているデータを読出し、そのデータを他の
アドレスに再書込みする書替手 段と、 C、高速転送手段及び書替手段がその動作を開始するア
ドレスを与えるアドレスポイン タと、 D、このアドレスポインタによって設定されたアドレス
から高速転送動作及び書替動作 を実行するワード数を記憶するワードカウ ンタと、 E、このワードカウンタの内容が所定の値に達したこと
を検出する検出器と、 F、読出されたデータと期待値とを比較する論理比較器
と、 から成る自己診断機能を具備した記憶装置。
(1) A. A high-speed transfer means that reads the written data at high speed and transfers the data to another device; B. Reads the written data and rewrites the data to another address. C. An address pointer that provides the address at which the high-speed transfer means and rewriting means start their operations; D. Executing the high-speed transfer operation and rewriting operation from the address set by this address pointer. A word counter that stores the number of words; E, a detector that detects when the contents of the word counter reach a predetermined value; and F, a logical comparator that compares the read data with an expected value. A storage device equipped with self-diagnosis functions.
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