JPS637334B2 - - Google Patents
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- JPS637334B2 JPS637334B2 JP55057515A JP5751580A JPS637334B2 JP S637334 B2 JPS637334 B2 JP S637334B2 JP 55057515 A JP55057515 A JP 55057515A JP 5751580 A JP5751580 A JP 5751580A JP S637334 B2 JPS637334 B2 JP S637334B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
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- G01L19/0038—Fluidic connecting means being part of the housing
-
- G—PHYSICS
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
-
- G—PHYSICS
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
- G01L19/143—Two part housings
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高感度で汎用性に富んだ簡易な構造の
半導体圧力変換装置に関する。
半導体圧力変換装置に関する。
近年、半導体プレーナ技術の応用によつてシリ
コン等の半導体単結晶板の一部を肉薄加工して起
歪ダイヤフラムを形成し、このダイヤフラム上に
感圧素子としての拡散層を形成し、上記拡散層の
ピエゾ抵抗効果を利用して圧力検出することが行
われている。第１図はこの種半導体圧力変換装置
の一例を模式的に示したもので、図中１は、例え
ばｎ型シリコン単結晶の中央部を肉薄加工してダ
イヤフラム２を形成した感圧ペレツトである。こ
のダイヤフラム２上には結晶方位に合せて拡散形
成されたｐ形のピエゾ抵抗層３が複数個配置され
ている。しかして感圧ペレツト１は固定台４上に
固定され、この固定台４と共に有底筒状のホルダ
５の内側に保持されている。このホルダ５の底部
から固定台４の中央部を貫通して設けられた金属
性のパイプ６は前記感圧ペレツト１のダイヤフラ
ム２に圧力P1を導入するもので、ダイヤフラム
２の表面圧力P2との差分によつてダイヤフラム
２に歪が生起される。尚、上記パイプ６はハーメ
チツク部材７によつてホルダ５に固定され、前記
抵抗層３は、ホルダ５の周囲に設けられたリード
体８にAuやAl等のボンデイングワイヤ９により
電気的に接続されている。
コン等の半導体単結晶板の一部を肉薄加工して起
歪ダイヤフラムを形成し、このダイヤフラム上に
感圧素子としての拡散層を形成し、上記拡散層の
ピエゾ抵抗効果を利用して圧力検出することが行
われている。第１図はこの種半導体圧力変換装置
の一例を模式的に示したもので、図中１は、例え
ばｎ型シリコン単結晶の中央部を肉薄加工してダ
イヤフラム２を形成した感圧ペレツトである。こ
のダイヤフラム２上には結晶方位に合せて拡散形
成されたｐ形のピエゾ抵抗層３が複数個配置され
ている。しかして感圧ペレツト１は固定台４上に
固定され、この固定台４と共に有底筒状のホルダ
５の内側に保持されている。このホルダ５の底部
から固定台４の中央部を貫通して設けられた金属
性のパイプ６は前記感圧ペレツト１のダイヤフラ
ム２に圧力P1を導入するもので、ダイヤフラム
２の表面圧力P2との差分によつてダイヤフラム
２に歪が生起される。尚、上記パイプ６はハーメ
チツク部材７によつてホルダ５に固定され、前記
抵抗層３は、ホルダ５の周囲に設けられたリード
体８にAuやAl等のボンデイングワイヤ９により
電気的に接続されている。
このような構造を有する装置によれば、感圧ペ
レツト１のダイヤフラム２に印加される圧力P1，
P2の差によるダイヤフラム２の変形により、拡
散抵抗層３が変形歪に感応した抵抗変化を示すこ
とから、この抵抗変化から上記圧力を検出するこ
とが可能となる。そして同装置は製作・電気的試
験・パツケージング等を標準的な技術により行い
得るので量産性に富み、従来のストレーンゲージ
形のものに比して低コストであり、小型化高感度
化を図り得ると共にヒステリシス特性が極めて優
れている等の効果を奏する。
レツト１のダイヤフラム２に印加される圧力P1，
P2の差によるダイヤフラム２の変形により、拡
散抵抗層３が変形歪に感応した抵抗変化を示すこ
とから、この抵抗変化から上記圧力を検出するこ
とが可能となる。そして同装置は製作・電気的試
験・パツケージング等を標準的な技術により行い
得るので量産性に富み、従来のストレーンゲージ
形のものに比して低コストであり、小型化高感度
化を図り得ると共にヒステリシス特性が極めて優
れている等の効果を奏する。
ところで、感圧ペレツト１の圧力P1が加わる
ダイヤフラム２の面は金属以上の耐蝕性が確保さ
れて表面保護の必要がない。然乍ら拡散抵抗層３
を形成した圧力P2が加わる面では、上記拡散抵
抗層３の接合部保護や電極保護等が必要となる
が、その表面保護部材の選択が非常に難かしい。
この為、各種用途に対する汎用性に乏しい問題が
あつた。
ダイヤフラム２の面は金属以上の耐蝕性が確保さ
れて表面保護の必要がない。然乍ら拡散抵抗層３
を形成した圧力P2が加わる面では、上記拡散抵
抗層３の接合部保護や電極保護等が必要となる
が、その表面保護部材の選択が非常に難かしい。
この為、各種用途に対する汎用性に乏しい問題が
あつた。
さて従来、この半導体圧力センサは工業用の圧
力・差圧伝送器用として開発されている。第２図
は差圧伝送器用の一構成例を示すもので、流体圧
力に感応するSiダイヤフラム１１を保持したパツ
ケージ１２を筐体１３の中央部に圧力気密に設
け、上記ダイヤフラム１１の表裏面にそれぞれ連
通した圧力室１４ａ，１４ｂに金属ダイヤフラム
１５ａ，１５ｂを設けた構造を有する。そして、
上記金属ダイヤフラム１５ａ，１５ｂにより外部
と隔離された筐体内部に前記ダイヤフラム１１を
浸漬する状態で電気絶縁性油等のプロセス流体１
６を充填し、前記圧力室１４ａ，１４ｂに外部か
ら導入される圧力を金属ダイヤフラム１５ａ，１
５ｂとプロセス流体１６を介してSiダイヤフラム
１１の表裏面に伝達する構造となつている。尚、
図中１７はピストン機構で、圧力室１４ａ，１４
ｂに導入される圧力差が過大な場合に上記プロセ
ス流体１６の流路を閉じて、過大圧力によるSiダ
イヤフラム１１の破壊を防止するものである。
力・差圧伝送器用として開発されている。第２図
は差圧伝送器用の一構成例を示すもので、流体圧
力に感応するSiダイヤフラム１１を保持したパツ
ケージ１２を筐体１３の中央部に圧力気密に設
け、上記ダイヤフラム１１の表裏面にそれぞれ連
通した圧力室１４ａ，１４ｂに金属ダイヤフラム
１５ａ，１５ｂを設けた構造を有する。そして、
上記金属ダイヤフラム１５ａ，１５ｂにより外部
と隔離された筐体内部に前記ダイヤフラム１１を
浸漬する状態で電気絶縁性油等のプロセス流体１
６を充填し、前記圧力室１４ａ，１４ｂに外部か
ら導入される圧力を金属ダイヤフラム１５ａ，１
５ｂとプロセス流体１６を介してSiダイヤフラム
１１の表裏面に伝達する構造となつている。尚、
図中１７はピストン機構で、圧力室１４ａ，１４
ｂに導入される圧力差が過大な場合に上記プロセ
ス流体１６の流路を閉じて、過大圧力によるSiダ
イヤフラム１１の破壊を防止するものである。
一方、第３図は圧力伝送器の一例を示すもの
で、Siダイヤフラム２１の一面を大気に開放し、
他面側より圧力を加える構造を有し、上記他面側
と金属ダイヤフラム２２との間にプロセス流体２
３を充填している。尚、図中２４はSiダイヤフラ
ム２１を保持したホルダで、２５は筐体である。
で、Siダイヤフラム２１の一面を大気に開放し、
他面側より圧力を加える構造を有し、上記他面側
と金属ダイヤフラム２２との間にプロセス流体２
３を充填している。尚、図中２４はSiダイヤフラ
ム２１を保持したホルダで、２５は筐体である。
かくして上記第２図および第３図に示す工業用
の差圧・圧力伝送器では、Siダイヤフラム１１，
２１の表面がシリコン油等のプロセス流体１６，
２３にて保護されるので、上記Siダイヤフラム１
１，２１の特性を極めて安定に維持することがで
きる。そして、硫酸や弗酸やベドロ等のような腐
蝕性流体の圧力を測定する場合であつても、その
機能を十分に発揮させることができ、実用性に富
む。
の差圧・圧力伝送器では、Siダイヤフラム１１，
２１の表面がシリコン油等のプロセス流体１６，
２３にて保護されるので、上記Siダイヤフラム１
１，２１の特性を極めて安定に維持することがで
きる。そして、硫酸や弗酸やベドロ等のような腐
蝕性流体の圧力を測定する場合であつても、その
機能を十分に発揮させることができ、実用性に富
む。
ところが工業用伝送器として用いられる場合に
は上記第２図および第３図に示す如き複雑な装置
構造を採用しても問題はないが、大衆的な汎用装
置として用いる場合には、適度な性能と低コスト
であることが要求され、上記した構造を採用する
ことは到底望めない。特に、このような要求を満
たす為には、第３図に示すように、表面保護を必
要とするダイヤフラムの拡散抵抗層形成面のみを
シリコン油等で覆うことが望ましい。ところが、
上記シリコン油等をダイヤフラム面に充填し、こ
れを保持する安価な最適構造を実現することが難
かしかつた。また、上記ダイヤフラム面を上にし
て用いる等、用途が限定される虞れもあり、汎用
性に欠ける問題もあつた。
は上記第２図および第３図に示す如き複雑な装置
構造を採用しても問題はないが、大衆的な汎用装
置として用いる場合には、適度な性能と低コスト
であることが要求され、上記した構造を採用する
ことは到底望めない。特に、このような要求を満
たす為には、第３図に示すように、表面保護を必
要とするダイヤフラムの拡散抵抗層形成面のみを
シリコン油等で覆うことが望ましい。ところが、
上記シリコン油等をダイヤフラム面に充填し、こ
れを保持する安価な最適構造を実現することが難
かしかつた。また、上記ダイヤフラム面を上にし
て用いる等、用途が限定される虞れもあり、汎用
性に欠ける問題もあつた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、安価で汎用性に
富む簡易な構造を有し、感圧ペレツトのダイヤフ
ラム面の表面保護を効果的に行つてその特性を十
分に発揮することのできる半導体圧力変換装置を
提供することにある。
ので、その目的とするところは、安価で汎用性に
富む簡易な構造を有し、感圧ペレツトのダイヤフ
ラム面の表面保護を効果的に行つてその特性を十
分に発揮することのできる半導体圧力変換装置を
提供することにある。
即ち、本発明は、感圧ペレツトのダイヤフラム
面の表面保護を行うシリコン油等の電気絶縁性の
油が、上記ペレツトの傾き等によつてその自重に
より落下しなければ保護目的を達成することに着
目してなされたものである。
面の表面保護を行うシリコン油等の電気絶縁性の
油が、上記ペレツトの傾き等によつてその自重に
より落下しなければ保護目的を達成することに着
目してなされたものである。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。
明する。
第４図は実施例装置の概略構成を示す断面模式
図である。ｎ−Si単結晶板からなる感圧ペレツト
３１は、その一面中央部を肉薄加工してダイヤフ
ラム３２を形成し、このダイヤフラム３２上の他
面側に結晶方位に沿つてＰ型不純物を拡散し、拡
散抵抗層（ピエゾ抵抗層）３３を複数個形成して
いる。この感圧ペレツト３１はダイヤフラム３２
の周囲脚部を、固定台３４上に固定されている。
この固定台３４には、その中央部に上記ダイヤフ
ラム３２の空間部に連通する孔３４ａを有し、こ
の孔３４ａに嵌合して金属性の圧力導入パイプ３
５を圧力気密に固定している。しかして有底筒状
体からなるホルダ３６の底面中央部には、上記パ
イプ３５を挿通する孔３６ａが設けられており、
パイプ３５は孔３６ａ部にハーメチツクシール部
材３７により気密に固定されている。これにより
前記感圧ペレツト３１がホルダ３６の内部に保持
され、前記ダイヤフラム３２の裏面部空間がパイ
プ３５を介して大気に開放されている。一方、ホ
ルダ３６の周壁部に設けられた複数の孔３６ｂに
は金属リード線３８がガラス板３９により絶縁さ
れて固定されている。このリード線３８の上端部
と前記感圧ペレツト３１の拡散抵抗層３３の電極
部とがAu等のボンデイング線４０にて接続され
て電極リードの引出しがなされている。しかし
て、ホルダ３６の内部には前記感圧ペレツト３１
を侵漬してシリコン油等の粘性を有し、且つ電気
絶縁性を有する油４１が充填され、この油４１を
ホルダ３６内に封入する如くホルダ３６の上端開
口部に蓋体４２が嵌合固定されている。この蓋体
４２には、前記感圧ペレツト３１に対向する領域
を避けて、つまり周辺領域に多数の貫通孔４３が
穿たれている。これらの貫通孔４３の径はホルダ
３６に充填される油４１の比重やホルダ３６の底
面からの蓋体４２の高さｈ等に基づいて定められ
ている。即ち、本装置を逆さにした場合、油４１
の自重に比して表面張力が大なる関係に設定し、
貫通孔４３を介する油４１の漏洩を阻止するよう
に構成されている。例えば貫通孔４３の半径を
ｒ、油４１の比重をρ、その表面張力をνとした
とき、 2πrν＞hρ・πr2 なる関係を満たすように設定される。この条件を
満足すれば貫通孔４３の数は問題とならないこと
は云うまでもない。従つて例えば通常のセンサで
あつて、ｈ＝1.5cm、油４１の比重ρが0.9、蓋体
４２がアルミ材からなり表面張力νが50dyn／cm
以上である場合には、貫通孔４３の半径ｒを0.07
cm以下に設定すればよい。
図である。ｎ−Si単結晶板からなる感圧ペレツト
３１は、その一面中央部を肉薄加工してダイヤフ
ラム３２を形成し、このダイヤフラム３２上の他
面側に結晶方位に沿つてＰ型不純物を拡散し、拡
散抵抗層（ピエゾ抵抗層）３３を複数個形成して
いる。この感圧ペレツト３１はダイヤフラム３２
の周囲脚部を、固定台３４上に固定されている。
この固定台３４には、その中央部に上記ダイヤフ
ラム３２の空間部に連通する孔３４ａを有し、こ
の孔３４ａに嵌合して金属性の圧力導入パイプ３
５を圧力気密に固定している。しかして有底筒状
体からなるホルダ３６の底面中央部には、上記パ
イプ３５を挿通する孔３６ａが設けられており、
パイプ３５は孔３６ａ部にハーメチツクシール部
材３７により気密に固定されている。これにより
前記感圧ペレツト３１がホルダ３６の内部に保持
され、前記ダイヤフラム３２の裏面部空間がパイ
プ３５を介して大気に開放されている。一方、ホ
ルダ３６の周壁部に設けられた複数の孔３６ｂに
は金属リード線３８がガラス板３９により絶縁さ
れて固定されている。このリード線３８の上端部
と前記感圧ペレツト３１の拡散抵抗層３３の電極
部とがAu等のボンデイング線４０にて接続され
て電極リードの引出しがなされている。しかし
て、ホルダ３６の内部には前記感圧ペレツト３１
を侵漬してシリコン油等の粘性を有し、且つ電気
絶縁性を有する油４１が充填され、この油４１を
ホルダ３６内に封入する如くホルダ３６の上端開
口部に蓋体４２が嵌合固定されている。この蓋体
４２には、前記感圧ペレツト３１に対向する領域
を避けて、つまり周辺領域に多数の貫通孔４３が
穿たれている。これらの貫通孔４３の径はホルダ
３６に充填される油４１の比重やホルダ３６の底
面からの蓋体４２の高さｈ等に基づいて定められ
ている。即ち、本装置を逆さにした場合、油４１
の自重に比して表面張力が大なる関係に設定し、
貫通孔４３を介する油４１の漏洩を阻止するよう
に構成されている。例えば貫通孔４３の半径を
ｒ、油４１の比重をρ、その表面張力をνとした
とき、 2πrν＞hρ・πr2 なる関係を満たすように設定される。この条件を
満足すれば貫通孔４３の数は問題とならないこと
は云うまでもない。従つて例えば通常のセンサで
あつて、ｈ＝1.5cm、油４１の比重ρが0.9、蓋体
４２がアルミ材からなり表面張力νが50dyn／cm
以上である場合には、貫通孔４３の半径ｒを0.07
cm以下に設定すればよい。
かくしてこのような構造を採用した本装置によ
れば、表面保護作用を呈する油を安定に保持する
ことができる上、貫通孔４３を介する圧力導入が
可能となる為に従来のような金属ダイヤフラムが
不要である。従つて従来構造に比して構成の大幅
な簡素化と低コスト化を図り得る。そして、汎用
装置としての或る程度の性能確保を図ることがで
きる上、使用形態も種々変えることができるので
取扱いが容易である。特に、上記油４１と混り合
う溶媒系の液体を除けば、各種液体と接触させて
使用することができるので、汎用装置としての性
能を十分に発揮する。
れば、表面保護作用を呈する油を安定に保持する
ことができる上、貫通孔４３を介する圧力導入が
可能となる為に従来のような金属ダイヤフラムが
不要である。従つて従来構造に比して構成の大幅
な簡素化と低コスト化を図り得る。そして、汎用
装置としての或る程度の性能確保を図ることがで
きる上、使用形態も種々変えることができるので
取扱いが容易である。特に、上記油４１と混り合
う溶媒系の液体を除けば、各種液体と接触させて
使用することができるので、汎用装置としての性
能を十分に発揮する。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるもの
ではない。例えば蓋体に設ける貫通孔の数やその
孔径は装置の仕様に応じて上記した条件を満足さ
せるべく設定すればよい。また油として上述した
シリコン油のみに限定されることもない。また感
圧ペレツトの仕様についても種々設計可能であ
る。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲
で変形して実施することができる。
ではない。例えば蓋体に設ける貫通孔の数やその
孔径は装置の仕様に応じて上記した条件を満足さ
せるべく設定すればよい。また油として上述した
シリコン油のみに限定されることもない。また感
圧ペレツトの仕様についても種々設計可能であ
る。要するに本発明はその要旨を逸脱しない範囲
で変形して実施することができる。
第１図は半導体圧力変換装置の基本構成図、第
２図および第３図はそれぞれ工業用の圧力差圧伝
送器の概略構成図、第４図は本発明の一実施例の
装置概略構成を示す断面模式図である。 ３１……感圧ペレツト、３２……ダイヤフラ
ム、３３……拡散抵抗層、３４……固定台、３５
……圧力導入パイプ、３６……ホルダ、４１……
電気絶縁性油、４２……蓋体、４３……貫通孔。
２図および第３図はそれぞれ工業用の圧力差圧伝
送器の概略構成図、第４図は本発明の一実施例の
装置概略構成を示す断面模式図である。 ３１……感圧ペレツト、３２……ダイヤフラ
ム、３３……拡散抵抗層、３４……固定台、３５
……圧力導入パイプ、３６……ホルダ、４１……
電気絶縁性油、４２……蓋体、４３……貫通孔。
Claims (1)
- １ 肉薄ダイヤフラム上に歪抵抗層を拡散形成し
た半導体単結晶からなる感圧ペレツトと、この感
圧ペレツトを取囲んで保持したホルダと、このホ
ルダに設けられて上記感圧ペレツトに圧力を導入
する機構と、上記ホルダに充填されて前記感圧ペ
レツトを侵漬した電気絶縁性の油と、この油を前
記ホルダ内に閉塞する前記ホルダの蓋体と、この
蓋体に設けられて前記油の表面張力による油の漏
洩を生じることのない小孔とを具備したことを特
徴とする半導体圧力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5751580A JPS56154638A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Semiconductor pressure converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5751580A JPS56154638A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Semiconductor pressure converter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56154638A JPS56154638A (en) | 1981-11-30 |
| JPS637334B2 true JPS637334B2 (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=13057866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5751580A Granted JPS56154638A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Semiconductor pressure converter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56154638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011236522A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Japan Vilene Co Ltd | 液体供給装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0690297B2 (ja) * | 1983-03-01 | 1994-11-14 | シチズン時計株式会社 | 圧力センサー付電子時計の圧力検出部構造 |
| JPS63199044U (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-21 | ||
| DE19631742C2 (de) * | 1996-08-06 | 2000-07-20 | Siemens Ag | Elektronisches Sensor-Bauelement |
| CN100465599C (zh) * | 2005-12-23 | 2009-03-04 | 昆山双桥传感器测控技术有限公司 | 压阻式土应力传感器 |
| JP6021110B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-11-02 | 国立大学法人 東京大学 | 感圧型センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143980A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-15 | Automobile Antipollution | Handotaihizumigeejishikiatsuryokusensa |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1980
- 1980-04-30 JP JP5751580A patent/JPS56154638A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143980A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-15 | Automobile Antipollution | Handotaihizumigeejishikiatsuryokusensa |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011236522A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Japan Vilene Co Ltd | 液体供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56154638A (en) | 1981-11-30 |
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