JPS6369070A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPS6369070A
JPS6369070A JP21152486A JP21152486A JPS6369070A JP S6369070 A JPS6369070 A JP S6369070A JP 21152486 A JP21152486 A JP 21152486A JP 21152486 A JP21152486 A JP 21152486A JP S6369070 A JPS6369070 A JP S6369070A
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JP
Japan
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area
storage
address
defective
accessed
Prior art date
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Pending
Application number
JP21152486A
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English (en)
Inventor
Toshiro Sakurai
俊郎 櫻井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Engineering Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Engineering Corp filed Critical Toshiba Engineering Corp
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Publication of JPS6369070A publication Critical patent/JPS6369070A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、磁気ディスク装置、光デイスク装置等の記憶
装置に関し、特に記憶面の不良、劣化を管理、救済する
手段を改良した記憶装置に関する。
(従来例) 従来、この種の記憶面の不良、劣化を管理。
救済する手段を備えた記憶装置として第2図及び第3図
に示すような磁気ディスク装置を一例として説明する。
第2図は磁気ディスク装置の本体の要部を示す図であり
、磁気ディスク1はスピンドル2に取付けられて回転可
能であり、磁気ディスク1に対してはデータの保存エリ
アとして使用される一般エリア3aとこの一般エリア3
aに磁性面の不良があったときにその代替として使用さ
れる交替エリア3bとが設定され、ヘッド4の径方向の
移動動作により上記エリアがアクセスされて読出し/書
込みが行なわれるようになっている。この本体には図示
しない制−器が接続され、本体に対しヘッド4の移動動
作に伴う読出し/I込み指令及び該当アドレス指令等の
アクセス情報を与えるようになっている。
第3図は磁気ディスク2の1トラツク内のフォーマット
を示す図であり、先ず、1トラツク内に1ケ不良セクタ
がある場合についての代替動作について説明する。第2
図に示すように、1トラツク内には65ケのセクタが有
るが、その内の64ケがデータの保存エリアとして使用
される一般セクタであり、最後の1セクタが一般エリア
の磁性面の不良があったときにその代替として使用され
る交替セクタである。すなわち、通常使用されている6
4ケのセクタ内に不良セクタ1ケが発生した場合は、不
良セクタのヘッド アドレス(HEAD  ADDRE
S)に不良セクタであることを示すデータをフォーマッ
ト書込みをすることにより、そのセクタが不良セクタで
あることが設定されるものである。これ以後、この不良
セクタがアクセスされたとしてもデータエリアとして使
用されることが無く、その代替として65番目の予備セ
クタがデータエリアとして使用されることになる。
次に、トラック内に2ケ不良セクタがある場合について
の代替動作について説明する。すなわち、トラック内に
2ケ不良セクタがあると、フォーマット書込みによリー
トラックインジケータ部(71部)に不良トラックを示
すフラグを立てて、セクタアドレス部に代替となる交替
エリアのシリンダ(ALT  CYL)、ヘッド(AL
T  HD)のアドレスを書込み、以後その不良トラッ
クはデータエリアとして使用されることは無くなり、交
替エリアのトラックが代替として使用されることになる
上述した従来の磁気ディスク装置においては、その磁性
面の不良、劣化を管理、救済する手段にあって次のよう
な問題点があった。すなわち、目的とするアクセス対象
のトラックの良/不良の判別及び代替トラックのアドレ
スは、目的のトラックへヘッドをシークしてヘッドアド
レスを読まないと不可能なため、不良トラックアクセス
時の動作は、目的トラックへのへッドシーク→ディスク
面の回転持ち→データの読出し→不良トラック判定→代
替トラックへのへッドシーク→ディスク面の回転待ち→
データの読出しの手順が必要となる。
ここで、ディスクの読出し・書込み時間を決定する要因
は、最も時間を要するヘッドのシーク時間とディスク面
の回転持ちであるので、従来の方式では2ケ所の代替動
作では読出し・書込み時間が2回必要となり、このため
正常なエリアに対するアクセスが遅くなってしまい、こ
の種の記憶装置が一般的に要求されている高速アクセス
性に反することになった。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来の記憶装置では複数の記憶面不良エリア
の代替処理を行うと、それ以後のデータアクセス時にア
クセスの遅延を招くことになり、問題であった。
そこで本発明は、複数の記憶面不良エリアの代替処理を
行っても、それ以後のデータアクセス時にアクセスの遅
延を招くことがない記憶装置を提供することにある。
[発明の構成コ (問題点を解決するための手段) 本発明は上記問題点を解決し且つ目的を達成するために
次のような手段を講じたことを特徴としている。すなわ
ち、本発明による記憶装置は、記憶媒体に対しデータの
保存エリアとして使用される一般エリアとこの一般エリ
アに記憶面の不良があったときにその代替として使用さ
れる交替エリアとが設定され、ヘッドの移動動作により
上記エリアがアクセスされて読出し/書込みが行なわれ
る記憶装置本体と、この記憶装置本体に対し上記ヘッド
の移動動作に伴う読出し/II込み指令及び該当アドレ
ス指令等のアクセス情報を与える制御器と、上記一般エ
リアにおける記憶面不良エリアのアドレス等の情報を記
憶するアクセス可能な記憶手段と、上記制御器力1らの
アクセス情報を上記記憶手段がアクセスされるようなア
クセス情報に変換する変換手段と、この変換手段からの
アクセス情報により上記記憶手段がアクセスされ該当す
るエリアが記憶面不良か否かを判定する判定手段と、こ
の判定手段により上記エリアが記憶面不良であると判定
されたとき上記交替エリアにおける代替アドレスを゛示
すアクセス情報を上記記憶装置本体に与え上記エリアが
記憶面不良でないと判定されたとき上記制御器からの上
記アクセス情報を上記記憶装置本体に与える選択手段と
を具備した構成としている。
(作用) このような手段を講じたことにより、アクセス可能な記
憶手段には、一般エリアにおける記憶面不良エリアのア
ドレス等の情報を記憶するようになり、記憶装置本体を
アクセスすることなくして記憶面不良エリアは知ること
ができ、もって複数の記憶面不良エリアの代替処理を行
っても、それ以後のデータアクセス時には記憶面不良エ
リアはアクセスされれす、正規の記憶面エリアは遅延な
くアクセスされることになる。
(実施例) 以下本発明にかかる記憶装置の一実施例を図面を参照し
て説明する。第1図は磁気ディスク装置に適用した本実
施例の構成を示すブロック図である。第1図において、
磁気ディスク記憶装置本体10は、記憶媒体であるたと
えば第2図に示すような磁気ディスク2に対しデータの
保存エリアとして使用される一般エリア3aとこの一般
エリア3aに記憶面の不良があったときにその代替とし
て使用される交替エリア3bとが設定され、ヘッド4の
移動動作により上記エリアがアクセスされて読出し/I
込みが行なわれるようになっている。制御器11は、こ
の磁気ディスク記憶装置本体10に対しヘッドの移動動
作に伴う読出し/書込み指令及び該当アドレス指令等の
アクセス情報を与えるようになっており、この制御器1
1と磁気ディスク記憶装置本体10とにより通常の磁気
ディスク装置を構成している。
情報記憶部12は、一般エリア3aにおける記憶面不良
エリアのアドレスを記憶するもので、高速にアクセス可
能な記憶手段としてたとえばEEPROM素子等の読出
し/書込みが可能で不揮発性のメモリ素子を用いて構成
される。アドレス変換部13は制御器11からの磁気デ
ィスク装置本体10でのアドレスを情報記憶部12に対
応したアドレスに変換するようになっている。判定部1
4はアドレス変換部13からのアドレスにより情報記憶
部12がアクセスされ、該当するエリアの磁性面が不良
か否かを判定するようになっている。選択部15は判定
部14でエリアが磁性面不良であると判定されたとき交
替エリア3bにおける代替アドレスを磁気ディスク記憶
装置本体10に与え、そのエリアが磁性面不良でないと
判定されたとき制御器11からのアドレスを磁気ディス
ク記憶装置本体10に与えるようになっている。
次に上記の如く構成された本実施例の作用について説明
する。すなわち、本実施例によれば、情報記憶部12に
は、一般エリア3aにおける磁性面不良エリアのアドレ
スが記憶されているので、制御器11からのアドレスは
アドレス変換部13に変換されて情報記憶部12に与え
ら、そして、アドレス指定された該当エリア(情報記憶
部12上)は判定部14により磁性面が不良か否かを判
定されることになる。よって、選択部15は判定部14
でエリアが磁性面不良であると判定されたとき交替エリ
ア3bにおける代替アドレスを磁気ディスク記憶装置本
体10に与え、そのエリアが記憶面不良でないと判定さ
れたとき制御器11からのアドレスを磁気ディスク記憶
装置本体1oに与えるようになる。
したがって、本実施例によれば、磁気ディスク記憶装置
本体1oをアクセスすることなくして磁性面不良エリア
を知ることができ、もって複数の記憶面不良エリアの代
替処理を行っても、それ以後のデータアクセス時には磁
性面不良エリアはアクセスされれす、正規の磁性面エリ
アは遅延なくアクセスされることになる。
ここで、情報記憶部12における磁性面不良エリアを示
すアドレス情報の更新を、代替動作時に随時行うように
することにより、制御器11側から見た磁気ディスク記
憶装置本体10側の全動作は遅滞が無いものとなり、有
利である。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、磁気デ
ィスク記憶装置本体にたとえばヘッドの移動時間が問題
となる記憶装置として光デイスク記憶装置等に適用して
もよいものである。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明は、記憶媒体に対しデータの
保存エリアとして使用される一般エリアとこの一般エリ
アに記憶面の不良があったときにその代替として使用さ
れる交替エリアとが設定され、ヘッドの移動動作により
上記エリアがアクセスされて読出し/書込みが行なわれ
る記憶装置本体と、この記憶装置本体に対し上記ヘッド
の移動動作に伴う読出し/書込み指令及び該当アドレス
指令等のアクセス情報を与える制御器と、上記一般エリ
アにおける記憶面不良エリアのアドレス等の情報を記憶
するアクセス可能な記憶手段と、上記制御器からのアク
セス情報を上記記憶手段がアクセスされるようなアクセ
ス情報に変換する変換手段と、この変換手段からのアク
セス情報により上記記憶手段がアクセスされ該当するエ
リアが記憶面不良か否かを判定する判定手段と、この判
定手段により上記エリアが記憶面不良であると判定され
たとき上記交替エリアにおける代替アドレスを示すアク
セス情報を上記記憶装置本体に与え上記エリアが記憶面
不良でないと判定されたとき上記制御器からの上記アク
セス情報を上記記憶装置本体に与える選択手段とを具備
した構成としている。
この構成によれば、高速にアクセス可能な記憶手段には
、一般エリアにおける記憶面不良エリアのアドレス等の
情報を記憶するようになり、記憶装置本体をアクセスす
ることなくして記憶面不良エリアは知ることができ、も
って複数の記憶面不良エリアの代替処理を行っても、そ
れ以後のデータアクセス時には記憶面不良エリアはアク
セスされれず、正規の記憶面エリアは遅延なくアクセス
されることになる。
よって、本発明によれば、複数の記憶面不良エリアの代
替処理を行っても、それ以後のデータアクセス時には、
クセスの遅延を招くことがないようにした記憶装置が提
供されるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる記憶装置に一実施例の構成を示
すブロック図、第2図は磁気ディスク装置の本体の要部
を示す図、第3図は磁気ディスクの1トラツク内のフォ
ーマットを示す図である。 10・・・磁気ディスク装置本体、11・・・制御器、
12・・・情報記憶部、13・・・アドレス変換部、1
4・・・判定部、15・・・運択部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 記憶媒体に対しデータの保存エリアとして使用される一
    般エリアとこの一般エリアに記憶面の不良があつたとき
    にその代替として使用される交替エリアとが設定され、
    ヘッドの移動動作により上記エリアがアクセスされて読
    出し/書込みが行なわれる記憶装置本体と、この記憶装
    置本体に対し上記ヘッドの移動動作に伴う読出し/書込
    み指令及び該当アドレス指令等のアクセス情報を与える
    制御器と、上記一般エリアにおける記憶面不良エリアの
    アドレス等の情報を記憶する高速にアクセス可能な記憶
    手段と、上記制御器からのアクセス情報を上記記憶手段
    がアクセスされるようなアクセス情報に変換する変換手
    段と、この変換手段からのアクセス情報により上記記憶
    手段がアクセスされ該当するエリアが記憶面不良か否か
    を判定する判定手段と、この判定手段により上記エリア
    が記憶面不良であると判定されたとき上記交替エリアに
    おける代替アドレスを示すアクセス情報を上記記憶装置
    本体に与え上記エリアが記憶面不良でないと判定された
    とき上記制御器からの上記アクセス情報を上記記憶装置
    本体に与える選択手段とを具備したことを特徴とする記
    憶装置。
JP21152486A 1986-09-10 1986-09-10 記憶装置 Pending JPS6369070A (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58150111A (ja) * 1982-03-03 1983-09-06 Nec Corp 磁気デイスク装置
JPS59203205A (ja) * 1983-05-04 1984-11-17 Mitsubishi Electric Corp デイスク装置
JPS62159218A (ja) * 1986-01-07 1987-07-15 Nec Corp デイスク制御方式
JPS6339173A (ja) * 1986-08-01 1988-02-19 Nec Corp 磁気デイスク装置

Patent Citations (4)

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