JPS6360480B2 - - Google Patents
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- JPS6360480B2 JPS6360480B2 JP56002076A JP207681A JPS6360480B2 JP S6360480 B2 JPS6360480 B2 JP S6360480B2 JP 56002076 A JP56002076 A JP 56002076A JP 207681 A JP207681 A JP 207681A JP S6360480 B2 JPS6360480 B2 JP S6360480B2
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- mager
- line
- magnetic bubble
- read
- bubble memory
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- Expired
Links
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子、特に誤動作や
特性不良等の判別を容易にした磁気バブルメモリ
素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly to a magnetic bubble memory device in which malfunctions, defective characteristics, etc. can be easily determined.
一般に磁気バブルメモリ素子のループ構成には
シングルループ構成とメイジヤマイナループ構成
とがあり、上記メイジヤマイナループ構成にはさ
らにトランスフアゲート方式、ブロツクリプリケ
ータトランスフア方式およびブロツクリプリケー
タスワツプ方式がある。そして、上記トランスフ
アゲート方式はメジヤループを有し、このループ
はマイナループと分離して特性を知ることができ
る。一方、ブロツクリプリケータトランスフア方
式およびブロツクリプリケータスワツプ方式にお
いては書き込みメイジヤライン、読み出しメイジ
ヤラインを有するが、これらのメイジヤラインの
動作は、原理上、マイナループなどの動作と分離
することができなかつた。このため、素子の不良
個所を検出する際、その検出方法が極めて複雑で
あつた。すなわち、素子の誤動作や特性不良等が
生じた場合、その原因がどの個所に存在するのか
容易に判別することができなかつた。 In general, the loop configuration of a magnetic bubble memory device includes a single loop configuration and a mager-minor loop configuration, and the mager-minor loop configuration further includes a transfer gate type, a block replicator transfer type, and a block replicator swap type. The transfer gate method has a major loop, and the characteristics of this loop can be determined by separating it from the minor loop. On the other hand, the block replicator transfer method and the block replicator swap method have a write mager line and a read mager line, but the operation of these mager lines cannot be separated from the operation of the minor loop in principle. . For this reason, the detection method for detecting defective parts of elements has been extremely complicated. That is, when a malfunction or characteristic defect of an element occurs, it is not possible to easily determine where the cause is.
第1図は従来の磁気バブルメモリ素子の一例を
示す要部拡大平面図である。同図において、1は
磁気バブル検出部、2は読み出しメイジヤライ
ン、3はマイナループ、4は書き込みメイジヤラ
イン、5は磁気バブルの発生させるジエネレータ
ゲート、6はゲート部である。 FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts of an example of a conventional magnetic bubble memory element. In the figure, 1 is a magnetic bubble detection section, 2 is a read mager line, 3 is a minor loop, 4 is a write mager line, 5 is a generator gate where magnetic bubbles are generated, and 6 is a gate section.
このように構成された磁気バブルメモリ素子に
おいて、ジエネレータゲート5で発生した磁気バ
ブルは書き込みメイジヤライン4→ゲート部6→
マイナループ3→ゲート部6→読み出しメイジヤ
ライン2→検出部1への順へ転送される。 In the magnetic bubble memory element configured in this way, the magnetic bubble generated at the generator gate 5 is transmitted from the write mager line 4 to the gate section 6 to
The data is transferred in the order of minor loop 3 → gate section 6 → read mager line 2 → detection section 1.
しかしながら上記構成による磁気バブルメモリ
素子は、同図から明らかなようにジエネレータゲ
ート5から検出部1の間に書き込みメイジヤライ
ン4、ゲート部6、マイナループ3および読み出
しメイジヤライン2が直列的に接続して構成され
ているため、この磁気バブルメモリ素子に誤動作
や特性不良等の欠陥が発生した場合、その欠陥部
がどの個所に発生しているかを容易に判別するこ
とができなかつた。 However, in the magnetic bubble memory device having the above configuration, as is clear from the figure, the write mager line 4, the gate portion 6, the minor loop 3, and the read mager line 2 are connected in series between the generator gate 5 and the detecting portion 1. Therefore, when a defect such as a malfunction or a characteristic defect occurs in the magnetic bubble memory element, it is not possible to easily determine where the defect occurs.
したがつて本発明は、読み出しメイジヤライン
の一部にジエネレータゲートを新たに設けること
によつて、上記欠点を除去し、量産時においても
容易に欠陥個所を判別できるようにした磁気バブ
ルメモリ素子を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention provides a magnetic bubble memory element that eliminates the above drawbacks by newly providing a generator gate in a part of the readout mager line, thereby making it possible to easily identify defective locations even during mass production. is intended to provide.
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第2図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
一例を示す要部拡大平面図であり、第1図と同記
号は同一要素となるのでその説明は省略する。第
2図において、読み出しメイジヤライン2の一
部、例えばこのメイジヤライン2の始点部分には
磁気バブルを発生させるジエネレータゲート7が
メイジヤライン4への書き込み用ジエネレータゲ
ート5と直列接続されて設けられている。そし
て、このジエネレータゲート7で発生した磁気バ
ブルは読み出しメイジヤライン2を介して検出部
1へと転送されてこの検出部1で読み出される。 FIG. 2 is an enlarged plan view of essential parts showing an example of the magnetic bubble memory element according to the present invention, and since the same symbols as in FIG. 1 represent the same elements, a description thereof will be omitted. In FIG. 2, a generator gate 7 for generating magnetic bubbles is connected in series with a generator gate 5 for writing to the mager line 4 in a part of the read mager line 2, for example, at the starting point of the mager line 2. It is being The magnetic bubbles generated at the generator gate 7 are transferred to the detection unit 1 via the readout mager line 2 and read out by the detection unit 1.
このような構成によれば、読み出しメイジヤラ
イン2および書き込みメイジヤライン4等のメイ
ジヤラインと磁気バブルを保存するマイナループ
3とを動作的に分離することができるので、検出
部1および読み出しメイジヤライン2の特性をマ
イナループ3、書き込みメイジヤライン4および
ゲート部6の影響を受けずに測定することができ
る。この場合、ジエネレータゲート7は第3図に
要部拡大平面図で示したように本来のジエネレー
タゲート5と比較してその配列が逆方向に配設さ
れている。このため、両者を直列に接続しても素
子の動作に悪影響は全くなく、両者の使い分け
は、各種ビツト定数を変更するだけで良い。この
ため、配線用パツドの数量も増加することなく、
全く従来通りで可能となる。 According to such a configuration, the mager lines such as the read mager line 2 and the write mager line 4 can be operationally separated from the minor loop 3 for storing magnetic bubbles, so that the detection unit 1 and the read mager line 2 can be separated from each other. Characteristics can be measured without being influenced by the minor loop 3, write major line 4, and gate section 6. In this case, the generator gate 7 is arranged in the opposite direction compared to the original generator gate 5, as shown in an enlarged plan view of the main part in FIG. Therefore, even if they are connected in series, there is no adverse effect on the operation of the element, and they can be used selectively by simply changing the various bit constants. Therefore, the number of wiring pads does not increase, and
This is possible in the conventional manner.
なお、上記実施例において、磁気バブルメモリ
チツプは、ブロツクリプリケータトランスフア方
式について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、ブロツクリプリケータスワツプ
方式等のようにマイナループとの結合にトランス
フアイン機能を有しないメイジヤラインに書き込
み機能を付加した磁気バブルメモリチツプに適用
しても前述と同様の効果が得られる。 In the above embodiments, the magnetic bubble memory chip uses a block replicator transfer method, but the present invention is not limited to this, and may be used for coupling with a minor loop such as a block replicator swap method. Even when applied to a magnetic bubble memory chip in which a write function is added to a mager line that does not have a transfer function, the same effect as described above can be obtained.
以上説明したように本発明によれば、素子の誤
動作や特性不良等が生じた際、その原因が読み出
しメイジヤライン、検出部に存在するのかマイナ
ループに存在するのかを迅速に分離することがで
きる。また、検出部、メイジヤラインの特性評価
も可能となり、不良対策、試験等に優れた磁気バ
ブルメモリ素子を実現することができるという極
めて優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, when a malfunction or characteristic defect of an element occurs, it is possible to quickly determine whether the cause exists in the readout major line, the detection section, or the minor loop. In addition, it becomes possible to evaluate the characteristics of the detection section and the mager line, and an extremely excellent effect can be obtained in that a magnetic bubble memory element that is excellent in defect countermeasures, testing, etc. can be realized.
第1図は従来の磁気バブルメモリ素子の一例を
示す要部拡大平面図、第2図は本発明による磁気
バブルメモリ素子の一例を示す要部拡大平面図、
第3図は本発明による磁気バブルメモリ素子に係
わるジエネレータゲートのパターンの一例を示す
要部拡大平面図である。
1……検出部、2……読み出しメイジヤライ
ン、3……マイナループ、4……書き込みメイジ
ヤライン、5……ジエネレータゲート、6……ゲ
ート部、7……ジエネレータゲート。
FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts showing an example of a conventional magnetic bubble memory element, FIG. 2 is an enlarged plan view of essential parts showing an example of a magnetic bubble memory element according to the present invention,
FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a pattern of a generator gate related to a magnetic bubble memory element according to the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Detection part, 2...Read mager line, 3...Minor loop, 4...Write mager line, 5...Generator gate, 6...Gate section, 7...Generator gate.
Claims (1)
プ3と、読み出し用メイジヤライン2と、該読み
出しメイジヤラインに接続された磁気バブル検出
器1とを具備して成る磁気バブルメモリ素子にお
いて、その制御導体が直列に接続され、互いに逆
方向に配置された第1及び第2のバブル発生器
5,7を設け、上記第1の発生器5は上記書き込
みメイジヤライン4に、上記第2の発生器7は上
記読み出しメイジヤライン2に接続したことを特
徴とする磁気バブルメモリ素子。1. A magnetic bubble memory element comprising a write mager line 4, a minor loop 3, a read mager line 2, and a magnetic bubble detector 1 connected to the read mager line, the control conductor of which is connected in series. There are first and second bubble generators 5, 7 connected and arranged in opposite directions to each other, the first generator 5 in the write mager line 4 and the second generator 7 in the read mager line. A magnetic bubble memory element characterized in that it is connected to Meijer Line 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP207681A JPS57117172A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP207681A JPS57117172A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Magnetic bubble memory element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57117172A JPS57117172A (en) | 1982-07-21 |
JPS6360480B2 true JPS6360480B2 (en) | 1988-11-24 |
Family
ID=11519246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP207681A Granted JPS57117172A (en) | 1981-01-12 | 1981-01-12 | Magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57117172A (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49106740A (en) * | 1973-02-12 | 1974-10-09 | ||
JPS5345133A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory unit |
JPS5471528A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Read-in system for magnetic bubble memory |
JPS5680877A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory chip |
-
1981
- 1981-01-12 JP JP207681A patent/JPS57117172A/en active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49106740A (en) * | 1973-02-12 | 1974-10-09 | ||
JPS5345133A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory unit |
JPS5471528A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Fujitsu Ltd | Read-in system for magnetic bubble memory |
JPS5680877A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-02 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble memory chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57117172A (en) | 1982-07-21 |
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