JPS635883B2 - - Google Patents
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- JPS635883B2 JPS635883B2 JP57196553A JP19655382A JPS635883B2 JP S635883 B2 JPS635883 B2 JP S635883B2 JP 57196553 A JP57196553 A JP 57196553A JP 19655382 A JP19655382 A JP 19655382A JP S635883 B2 JPS635883 B2 JP S635883B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、殊に光磁気記録材料や感温素子材料
等に好適な金属磁性体に関し、新たな原理に基づ
く独自の温度―磁気特性を持つ金属磁性体に関す
る。
等に好適な金属磁性体に関し、新たな原理に基づ
く独自の温度―磁気特性を持つ金属磁性体に関す
る。
従来から良く用いられている光磁気記録材料と
しては、MnBi，MnAlGe，MnGaGe，
MnBiCu，磁性ガーネツト、希土類・遷移金属合
金の非晶質膜およびこれらの複合膜、等があり、
光磁気記録は第１図示のようにしてなすのが一般
的である。
しては、MnBi，MnAlGe，MnGaGe，
MnBiCu，磁性ガーネツト、希土類・遷移金属合
金の非晶質膜およびこれらの複合膜、等があり、
光磁気記録は第１図示のようにしてなすのが一般
的である。
第１Ａ図中に矢印ｆで示すように、磁化の方向
が磁性膜面に垂直に同方向一様である磁性膜（垂
直磁化膜）１に、補助コイル２等により、逆方向
の磁界（矢印ｈ）を与えておいて、第１Ｂ図示の
ように、局所的にレーザビームLBを照射して局
部加熱すると、当該部分に、第１Ｃ図示のように
磁化の方向が矢印−で示すように反転した反転
磁化領域３が形成される。
が磁性膜面に垂直に同方向一様である磁性膜（垂
直磁化膜）１に、補助コイル２等により、逆方向
の磁界（矢印ｈ）を与えておいて、第１Ｂ図示の
ように、局所的にレーザビームLBを照射して局
部加熱すると、当該部分に、第１Ｃ図示のように
磁化の方向が矢印−で示すように反転した反転
磁化領域３が形成される。
このようにして、或る領域を占有して反転磁化
という形で記録された情報の読み出しは、磁気カ
ー効果、又はフアラデー効果等の光と磁気との相
互作用を利用して行なわれる。
という形で記録された情報の読み出しは、磁気カ
ー効果、又はフアラデー効果等の光と磁気との相
互作用を利用して行なわれる。
而して、上記した記録のメカニズムは、従来、
大別してキユリー点記録と磁気補償点記録の二通
りに分けることができる。
大別してキユリー点記録と磁気補償点記録の二通
りに分けることができる。
第２Ａ図は、キユリー点記録方式を説明するた
めの温度Ｔに対する磁化Ｂの変化曲線Ｂ（Ｔ）を
示しており、キユリー点Tθを挾んだ二温度点
T1，T2での特性差を利用するものである。例え
ば、T1を室温とし、レーザ照射部温度T2がキユ
リー点Tθ以上となるように選ぶとして、垂直磁
化膜のある微小部分にレーザ光をあて、当該部分
をキユリー温度Tθ以上の温度T2にまで加熱し、
その後、室温T1まで冷却すると、レーザ光照射
部分が膜全体の反磁界およびコイルによる逆磁界
により、その磁化を反転する。
めの温度Ｔに対する磁化Ｂの変化曲線Ｂ（Ｔ）を
示しており、キユリー点Tθを挾んだ二温度点
T1，T2での特性差を利用するものである。例え
ば、T1を室温とし、レーザ照射部温度T2がキユ
リー点Tθ以上となるように選ぶとして、垂直磁
化膜のある微小部分にレーザ光をあて、当該部分
をキユリー温度Tθ以上の温度T2にまで加熱し、
その後、室温T1まで冷却すると、レーザ光照射
部分が膜全体の反磁界およびコイルによる逆磁界
により、その磁化を反転する。
尚、第２Ａ図中には、温度に対する保磁力Ｈの
変化曲線Ｈ（Ｔ）も併示している。
変化曲線Ｈ（Ｔ）も併示している。
これに対して、補償点を持つフエリ磁性体は、
第２Ｂ図示のように、補償温度Tcで非常に大き
な保持力を持つが、その温度から数度離れると急
激に保持力は減少する。補償点記録方式は、室温
T1付近に補償点Tcを持つ磁性膜にレーザ光を照
射して、記録部分を保持力の小さ温度領域T2に
移し、この点で逆磁界を印加し磁化Ｂの反転を行
う方式である。
第２Ｂ図示のように、補償温度Tcで非常に大き
な保持力を持つが、その温度から数度離れると急
激に保持力は減少する。補償点記録方式は、室温
T1付近に補償点Tcを持つ磁性膜にレーザ光を照
射して、記録部分を保持力の小さ温度領域T2に
移し、この点で逆磁界を印加し磁化Ｂの反転を行
う方式である。
而して、このような従来方式の最大の問題点
は、書き込み感度および読み出しＳ／Ｎ比が悪い
ということである。その原因は、室温T1がキユ
リー点Tθまたは磁気補償点Tc近くの室温での磁
化Ｂの大きさが比較的小さいこと、および温度変
化による磁化の変化Ｂ（Ｔ）が連続的であること
などによる。
は、書き込み感度および読み出しＳ／Ｎ比が悪い
ということである。その原因は、室温T1がキユ
リー点Tθまたは磁気補償点Tc近くの室温での磁
化Ｂの大きさが比較的小さいこと、および温度変
化による磁化の変化Ｂ（Ｔ）が連続的であること
などによる。
従つて、逆に、第３図示のような特性、即ち、
或る臨界温度Tpを中心にできるだけ狭い温度幅
で磁化Ｂが不連続的に大きく異なるような特性曲
線Ｂ（Ｔ）を持つ磁性体が開発できれば、例えば
臨界温度Tpを挾む二温度点T1，T2での大きな磁
化の差を利用して、上述のような従来の欠点を伴
わない光磁気記録が行える。また、ここでは光磁
気材料の例を詳述したが、この特性は、磁性の変
化をコイル、ホール素子等で検出するとか、永久
磁石等で吸引力を検出することによりスイツチン
グ動作を基本動作とする感温素子等の温度センサ
材料としても利用できる。
或る臨界温度Tpを中心にできるだけ狭い温度幅
で磁化Ｂが不連続的に大きく異なるような特性曲
線Ｂ（Ｔ）を持つ磁性体が開発できれば、例えば
臨界温度Tpを挾む二温度点T1，T2での大きな磁
化の差を利用して、上述のような従来の欠点を伴
わない光磁気記録が行える。また、ここでは光磁
気材料の例を詳述したが、この特性は、磁性の変
化をコイル、ホール素子等で検出するとか、永久
磁石等で吸引力を検出することによりスイツチン
グ動作を基本動作とする感温素子等の温度センサ
材料としても利用できる。
本発明は、この点に鑑みてなされたもので、第
３図示の如き所求の特性に極力近い磁性体の開示
をその目的としたものである。
３図示の如き所求の特性に極力近い磁性体の開示
をその目的としたものである。
本発明者は、この目的に即し、以下の知見に基
づいて、全く新たな物理現象である強磁性、反強
磁性間での温度上昇に伴う磁気相転移を持つ磁性
体の提供に成功し、この原理により、既述した第
３図示の所求の特性曲線を得たものである。
づいて、全く新たな物理現象である強磁性、反強
磁性間での温度上昇に伴う磁気相転移を持つ磁性
体の提供に成功し、この原理により、既述した第
３図示の所求の特性曲線を得たものである。
金属強磁性体（フエリ磁性体を含む）と常磁性
体（広義；狭義の常磁性体及び反強磁性体を含
む）との混成磁性体例えば、金属間化合物YFe2，
ZrFe2，HFe2，Ni3B4などの強磁性体とNbFe2，
MoFe2，TaFe2，WFe2，TiFe2，Mn3B4等、狭
義の常磁性体または反強磁性体とを混成均一状態
とすると、適当な組成領域で、空間的に同一場所
に強磁性と反強磁性の性質が共存した状態ができ
る。磁性を担う電子が遍歴電子であるような金属
磁性体においては、反強磁性秩序発生温度が強磁
性秩序発生温度より高い場合、温度上昇により或
る臨界温度を界にして強磁性から反強磁性への相
転移を起こす。従つて、臨界温度乃至転移温度
Tpを界にしての磁化は大きく異つた不連続的な
ものとなる。また、この相転移を示す磁性体は、
二種類の磁性体を混合してその間に磁気的相互作
用が働くようにした従来の複合材料の知識と技術
では、得られないもである。
体（広義；狭義の常磁性体及び反強磁性体を含
む）との混成磁性体例えば、金属間化合物YFe2，
ZrFe2，HFe2，Ni3B4などの強磁性体とNbFe2，
MoFe2，TaFe2，WFe2，TiFe2，Mn3B4等、狭
義の常磁性体または反強磁性体とを混成均一状態
とすると、適当な組成領域で、空間的に同一場所
に強磁性と反強磁性の性質が共存した状態ができ
る。磁性を担う電子が遍歴電子であるような金属
磁性体においては、反強磁性秩序発生温度が強磁
性秩序発生温度より高い場合、温度上昇により或
る臨界温度を界にして強磁性から反強磁性への相
転移を起こす。従つて、臨界温度乃至転移温度
Tpを界にしての磁化は大きく異つた不連続的な
ものとなる。また、この相転移を示す磁性体は、
二種類の磁性体を混合してその間に磁気的相互作
用が働くようにした従来の複合材料の知識と技術
では、得られないもである。
このような知見により、金属強磁性体と広義の
常磁性体とを混成して成る磁性体として、本発明
が完成したものであるが、第４図には、その一実
施例として、HfFe2にTaFe2を20％加えた物質の
磁化の温度変化曲線を示している。約150Kの転
移温度Tpで強磁性・反強磁性間での相転移を起
こし、磁化が急激に変化している。この転移温度
TpはTaFe2の濃度および加える物質の種類を変
えることにより変化させることができる。
常磁性体とを混成して成る磁性体として、本発明
が完成したものであるが、第４図には、その一実
施例として、HfFe2にTaFe2を20％加えた物質の
磁化の温度変化曲線を示している。約150Kの転
移温度Tpで強磁性・反強磁性間での相転移を起
こし、磁化が急激に変化している。この転移温度
TpはTaFe2の濃度および加える物質の種類を変
えることにより変化させることができる。
この組み合せに特定せずとも、第４図示と相似
乃至同様な結果が得られることは上記メカニズム
からして顕らかであり、組成比及び転移温度の設
定は各組み合せにおける設計的事項である。
乃至同様な結果が得られることは上記メカニズム
からして顕らかであり、組成比及び転移温度の設
定は各組み合せにおける設計的事項である。
ともかくも、このような独自の特性を持つ本発
明の磁性体によれば、すぐれた温度センサのみな
らず。これまでに使用されてきた記録の原理およ
び読み出し法を利用して、書き込み感度および読
み出しＳ／Ｎ比の非常に優れた光磁気記録および
再生を行うことができる。
明の磁性体によれば、すぐれた温度センサのみな
らず。これまでに使用されてきた記録の原理およ
び読み出し法を利用して、書き込み感度および読
み出しＳ／Ｎ比の非常に優れた光磁気記録および
再生を行うことができる。
第１図は光磁気記録の記録方式の説明図、第２
図は各記録方式に用いる従来の磁性体の特性図、
第３図は望ましい特性図、第４図は本発明一実施
例の磁性体の特性図、である。 図中、１は磁性体、２はコイル、３は磁化反転
領域、である。
図は各記録方式に用いる従来の磁性体の特性図、
第３図は望ましい特性図、第４図は本発明一実施
例の磁性体の特性図、である。 図中、１は磁性体、２はコイル、３は磁化反転
領域、である。
Claims (1)
- １ 臨界温度を界に強磁性と反強磁性との間で磁
気相転移を起こす磁性体であつて、金属強磁性体
と広義の常磁性体とを混合均一化して成る、前記
磁性体において磁性を担う電子が遍歴電子であ
り、かつ反強磁性秩序温度が強磁性秩序温度より
高いことを特徴とする磁性体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196553A JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57196553A JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986204A JPS5986204A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS635883B2 true JPS635883B2 (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=16359646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57196553A Granted JPS5986204A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | 磁性体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986204A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897191A (en) * | 1988-05-27 | 1990-01-30 | Zenon Environmental Inc. | Tubular membrane module with fluid shear protection |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899698A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-17 | ||
| JPS5018378A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-02-26 |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP57196553A patent/JPS5986204A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4899698A (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-17 | ||
| JPS5018378A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-02-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5986204A (ja) | 1984-05-18 |
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