JPS6357203B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6357203B2
JPS6357203B2 JP26815885A JP26815885A JPS6357203B2 JP S6357203 B2 JPS6357203 B2 JP S6357203B2 JP 26815885 A JP26815885 A JP 26815885A JP 26815885 A JP26815885 A JP 26815885A JP S6357203 B2 JPS6357203 B2 JP S6357203B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cutting
cut
blade
contact
rotation
Prior art date
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Expired
Application number
JP26815885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62127206A (ja
Inventor
Yoshiaki Koyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Diamond Industrial Co Ltd
Original Assignee
Asahi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Diamond Industrial Co Ltd filed Critical Asahi Diamond Industrial Co Ltd
Priority to JP26815885A priority Critical patent/JPS62127206A/ja
Publication of JPS62127206A publication Critical patent/JPS62127206A/ja
Publication of JPS6357203B2 publication Critical patent/JPS6357203B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はIDブレードによる切断方式、とくに
硬脆性材料の薄切り方法に関するものである。
〔従来の技術〕
IDブレードによる切断は周知である。第3図
は円環状のIDブレード1の中心開口部2の周辺
を示すもので、金属薄板の基体1はその外周部で
保持し外方に張力を印加して緊張状態で平坦を保
つ。内周縁3にはダイヤモンド砥石部4が付設さ
れている。これを矢印5のように高速回転し、開
口部2に被切断材6を挿入して矢印7の方向に送
ることにより切断が行われる。
また被切断材6を静止し、回転するIDブレー
ドを矢印8の方向に送つてもよい。要は両者の相
対関係にあるので、以下便宜上送りは矢印8とし
て説明する。
被切断材はSiなどの半導体あるいはガラスなど
に切断需要が多く、第3図のように断面6の円柱
状の素材を輪切りにして薄板とする例が多い。寸
法例としては、Si単結晶の直径150mmの円柱を輪
切りにして厚さ1mm以下の薄板とする。
9は黒鉛製などの支持片で、円柱状の被切断材
6の全長にわたり円柱の母線に沿つて接着して置
く。
第4図はIDブレード内周縁の位置10より、
送り8にしたがつて切断が進行する状態である。
内周縁の位置11では曲線11の上方は既切断、
下方は未切断である。以下送りにしたがつて逐次
11,12,13,……と進行し、15に至つて
切断が完了する。
切断完了時15では支持片9も若干切り込まれ
るが、切断された薄板は、16,17間において
支持片9の全幅にわたり接着が保たれている。切
断を繰返して分離された多数の薄板は櫛歯状に支
持片9上に残つて、以後の取扱いに資する。
以上は一般に行われているIDブレードによる
切断法である。IDブレードは一種のダイヤモン
ドホイールであり、内周の砥石部4が被切断材を
研削除去し、その厚さに相当する幅の溝を掘りな
がら、その溝に進入して行くのが切断過程であ
る。研削作用を働く刃先は砥石部4の内周面であ
りこの作用面と被切断材6とは第4図11,12
……の円弧に沿つて接触する。接触の長さは切断
の初期と終期とを除いて一般に長く、最大は被切
断材6の直径よりも長い。
すなわちこの切断方式においては、接触長に比
例する切断抵抗が高いことが難点である。その上
に、長い接触長は以下の弊害を伴う。
IDブレード刃先と被切断材との接触面は幅の
せまい深い溝の底であり、溝にはブレードが嵌入
しているので冷却水が接触面にまで届きにくいも
のであり、ブレード刃先と被切断材とが強く圧接
している接触面に冷却水が行きわたることは、接
触長に比例して困難を増す。このために切屑の排
除が不円滑となりブレード刃先は目詰り状態とな
り、また接触部の温度が上昇してIDブレードの
研削性能が劣化する。
これ等の現象がもともと高い切断抵抗をさらに
増大して、緊張により平面を保つIDブレードを
弯曲させ、切断面の平坦度を損ねる。薄板切断に
おいては、得られた薄板の品質として平面度、平
行度が重要で、上述の過程によりこれ等が許容値
を越えるに至つてIDブレードの寿命となる。す
なわちこの切断方式においては、切断製品の薄板
の品質が劣化し勝であり、またIDブレードの寿
命も短い。
以上の難点を克服するために送り8と同時に被
切断材6をその円筒軸芯のまわりに回転する切断
方式が提案されている。第4図において切断開始
時にはブレード内周円10と被切断材6との接触
長はきわめて短いが、この接触状態が6を回転す
ることにより切断終了まで続くと考えてよいであ
ろう。第5図は被切断材6の中心近くまで送りが
進んだ状態で、ブレード内周円は20の位置にあ
る。6を回転しない場合には接触長は21,2
2,23の曲線となり前述のように甚だ長いが、
回転を併用すれば未切断部はすでに小径の24と
なつているので接触長は依然として極めて短い。
回転切断方式では上述の理由により切断抵抗は
低く、得られる薄板の平面度、平行度などの切断
品質は良好、また送りの速度を上げて作業能率を
高めることができ、しかもIDブレードの寿命も
長いことが実証されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上の利点にも拘らず、回転切断方式にも決定
的な難点があるために実用は限られ、依然として
被切断材を回転しない第3図、第4図の切断方式
がもつぱら用いられている。
難点は支持片9が用を為さないことにある。支
持片9を用いても回転のため切断されて薄板とと
もに分離するからである。切断が終了すると薄板
は支持を失つて落下し、高速回転するIDブレー
ドまたはブレード保持緊張機構に触れて破損する
おそれがある。これを防ぐため切断済の薄板を安
全に回収する措置を溝じてもなお以下の問題が残
る。
第5図の状態では被切断材6の中心部24以外
の部はすでに切断されて薄板状となつており、こ
れが24の部で母材に支持されている。切断完了
に近づくと未切断部24は極めて小径となり、切
断抵抗に耐えられず、破断して薄板を分離する。
すなわち薄板の中心部に破断痕の突起が残り、全
面均質を要求される薄板製品に決定的な欠陥とな
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の目的は被切断材回転方式における接触
長の短い特長を保有し、しかも切断済薄板の保持
を確保して薄板中心部に破断痕を作ることのない
切断方式を提供することにある。
本発明の切断方式においても被切断材を回転す
るが、従来方式の連続回転に替えて、定められた
角度範囲内を往復回転する。すなわち第1図のよ
うに被切断材6には支持片9を接着し、これが
IDブレードの内周円4に触れない範囲9,9′間
を角度θにわたつて往復回転する。
〔作用〕
送りと回転とを併用すると、被切断材は渦線に
沿つて切断されて行く。第6図は連続回転の場合
の渦線の例である。被切断材6の1回転あたりの
送り量をFとすれば、ブレード内周円の位置30
でA点で接触して切断を開始し1回転後には内周
円の位置は31となり孤A1B1で被切断材6に接
触する。内周円31上、A1B1の左右および右方
はすでに切断された空位であるから接触はない。
さらに1回転後は内周円32上の接触部はA2B2
となる。すなわち接触線はFを距てる渦線の間を
斜めに横切る。1回転あたりの送り量Fを小さく
すれば接触長A1B1等は短くなる。
本発明の方法において第7図の角度θの間を往
復回転し、1往復あたりの送り量をGとすれば、
ジグザグの曲線ABCDEに沿つて切断が進行す
る。曲線AB,BC等は第6図と同様の渦線で、
往の行程を右巻の渦とすれば復は左巻となる。隣
の曲線との間隔は0(ゼロ)からGの間を変化す
るので、これを斜めに横切るブレード内周円との
接触長は0(ゼロ)と最大との間を変化して平均
値は小さく、前述の目的に適う。
被切断材6を静止して見れば、IDブレード
(内周円)の中心は角度θの間を往復回転しなが
ら、1往復につきGの割合で被切断材6の中心か
ら離間して行くことになる。第8図HJKLを内周
円中心の軌跡の一部とする。折返し点Jにおける
ブレード内周円の位置は41で、この時被切断材
6の未切断部は曲線PQRSを境界として下方にあ
る。内周円41はPQにわたつて被切断材と接触
しているが、これは折返し点であるから、次に反
転に移れば矢印Wのように内周円は42の方に移
動し、接触は離れる。
第8図42はブレード中心がKにある時の内周
円で、この時の接触長は短く、D1である。以後
回転と送りとにしたがつて接触はD1D2D3……と
変化し、この過程で切断された形状はQR1S1とな
る。説明を省略した前出の曲線PQRSも同様の過
程によりH→Jで終わる前行程で形成されたもの
であり、第7図のジグザグ模様の一部がRQR1
見られる。
接触長はD1D2D3……と次第に長くなるが、
R1S1において最大となると同時に接触は離れて
新たに極めて短い接触部を作る。最大の場合の接
触長はやや大きいが、非回転切断における第4図
の最大接触長にくらべて約1/2であり、また極め
て短い場合もあるので平均値ははるかに小さい。
第4図において長大な接触長をもつてブレード内
周円が被切断材に圧接を持続するのにくらべれば
条件は非常に有利である。ことに接触長が最大に
なると同時に接触が離れるので冷却水がよくまわ
り、切屑の排除が有効に行われて目詰りも防止さ
れる。
〔実施例〕
本発明の切断方式は被切断材を回転する利点を
活用するものであるから、往復回転の角度範囲は
大きいほど有利である。この角度範囲を制限する
のは支持片9が切断されないという条件である。
切断の初期には第2図θ1のように、角度範囲は
180゜以上も可能であるが、切断の進行とともに制
限角度は縮小することが、第1図に明らかであ
る。切断の終了時には往復回転の範囲は0ないし
極めて小さい角度となることが、第4図15から
もわかる。
第9図は1往復の回転について送りを被切断材
6の直径の1/10として10往復で切断完了するもの
とし、回転角は200゜より初めて1往復ごとに20゜
減少して終了時に0とした場合の切断線図であ
る。送りを定速とすれば往復回転の周期は一定、
回転速度は往復角度範囲に逆比例して遅くなる。
1往復についての切断面積は回を追つて小さくな
るので、回転速度について上述の相対関係を保つ
て、送り速度を次第に上昇すれば能率的となる。
第10図は同じく往復回転角200゜をもつて開始
し、1往復ごとに20゜減少するが、1行程の送り
量は回転角度範囲に比例して減少させる場合の切
断線図である。送り速度、回転速度ともに一定と
するか、または一定の比率を保つたまま増減する
ことができる。この例では4.5往復9行程の後は
回転を停止し送りのみで切断を続行している。こ
の時の接触長は図に見られるように、十分に短
い。
本発明の切断方式を実施するには被切断材を回
転可能とする軸受機構を要し、その軸芯はIDブ
レードの板面に対し正確に垂直であることが、切
断精度のために肝要である。これは従来の連続回
転方式の切断機ですでに実現されている。送りの
直線度も同じ理由から要求されるが、これも従来
のIDブレード切断機に備つている。往復のため
の回転方向の逆転、その位置ないし時点、回転速
度などを、送りとも開連して制御することは機械
的、電気的、あるいは電子的に行うことができ
る。
〔発明の効果〕
本発明の切断方式は切断抵抗が低いために切断
能率が高く、切断面の平面度などの切断精度が高
く、IDブレードの寿命も長い被切断材回転方式
の利点を保有し、しかも切断面中心に破断痕の突
起を生じることがない。これにより半導体、ガラ
スなどの薄切りにおいて高品質の薄板を経済的に
製造することができる。また近年切断需要の増大
している難削セラミクスなども十分な採算性をも
つて精密切断加工を施すことができ、関係業界に
貢献する所が大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明に係る切断方式の説
明図、第3図は従来から用いられている円環状
IDブレードの中心部断面図、第4図は切断状態
を示す図、第5図は切断完了直前の断面図、第6
図は連続回転の場合の渦線の例を示す断面図、第
7図は角度θの間を往復回転させる場合の断面
図、第8図乃至第10図は切削軌跡を示す図であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 被切断材をIDブレードの内周円に向つて送
    り込むと同時に、IDブレードの面と垂直の軸芯
    のまわりに被切断材を限られた角度範囲内で往復
    回転させることを特徴とする切断方式。 2 被切断材の側面に、切断面と垂直方向の全長
    にわたる支持片を接着し、これがIDブレードに
    よつて切断されない角度範囲内で該被切断材を往
    復回転させることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の切断方式。
JP26815885A 1985-11-28 1985-11-28 切断方式 Granted JPS62127206A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26815885A JPS62127206A (ja) 1985-11-28 1985-11-28 切断方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26815885A JPS62127206A (ja) 1985-11-28 1985-11-28 切断方式

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Publication Number Publication Date
JPS62127206A JPS62127206A (ja) 1987-06-09
JPS6357203B2 true JPS6357203B2 (ja) 1988-11-10

Family

ID=17454707

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JP26815885A Granted JPS62127206A (ja) 1985-11-28 1985-11-28 切断方式

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3060445B2 (ja) * 1992-07-16 2000-07-10 株式会社東京精密 半導体ウエハのスライシング方法及びその装置
KR100337060B1 (ko) * 1999-07-24 2002-05-16 이덕수 헤어 클립

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JPS62127206A (ja) 1987-06-09

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