JPS6355731B2 - - Google Patents
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- JPS6355731B2 JPS6355731B2 JP311881A JP311881A JPS6355731B2 JP S6355731 B2 JPS6355731 B2 JP S6355731B2 JP 311881 A JP311881 A JP 311881A JP 311881 A JP311881 A JP 311881A JP S6355731 B2 JPS6355731 B2 JP S6355731B2
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Description
本発明は、電気接触子に係り、特に接触抵抗特
性、耐溶着性に優れる電気接触子に関する。 電気接触子に要求される最も重要な特性は、耐
溶着性、接触抵抗特性、耐消耗性等である。その
ため、タングステン（Ｗ）、炭化タングステン
（WC）のような高融点材料と銀（Ag）、銅（Cu）
のような高導電性材料との複合化が行われ、従来
よりAg−WC合金や、Cu−Ｗ合金からなる電気
接触子が、遮断器、電気開閉器などに広く使用さ
れている。 ところで、従来使用されている60％前後のAg
を含有したAg−WC電気接触子は、接触抵抗が
低く安定しているため、中負荷程度の遮断器又は
接触器などのアーク接点兼電流接点に使用されて
いる。しかし、このAg−WC合金は、短絡責務
（定格電流の100〜1000倍）に対して著しく劣ると
いう不都合さがある。 又、30％前後のCuを含有したCu−Ｗ電気接触
子は、低価格である上に、沸点、融点が高くかつ
機械的強度が大きいため、耐アーク性、耐溶着性
に優れ例えば油中遮断器のアーキング接点として
使用された短絡責務を果たしている。しかし、こ
のCu−Ｗ接触子は、高温で非常に酸化が速く接
触抵抗の安定性が著しく劣るという不都合さがあ
る。 更に、上記事情から、短絡責務を考慮してCu
−Ｗ系若しくはCu−WC系を下層とし、接触安定
性を考慮してAg−Ｗ系若しくはAg−Wc系など
Ag系を上層（接触面）とした二層型（複合型）
の電気接触子が開発されている。しかしこの二層
型電気接触子は、製造工程、即ち前記Cu系層
とAg系層とを接合一体化する加熱工程或るいは
通電使用中にCuが接触面にまで拡散して定常使
用時に於ける接触信頼性の低下を招く場合があ
る。また、上記信頼性の低下とは別にCu系層
とAg系層との界面において、AgとCuとの共晶層
を生成し、この共晶層（融点低い）が上記接触子
を所定の機構に接合装着（加熱）する際、流出し
たり、接触子の形崩れを招いたりするなどの不都
合さが認められる。又、保証する遮断電流を越
えた短絡電流が与えられたり、保証限度の１〜２
回遮断回数を上わまわつた遮断を行なつた時な
ど、下層のCu−Ｗ、Cu−WC中に存在するCuに
原因して溶着を示すこともある。 本発明は上記事項に対処して、定格電流開閉に
於て安定な接触抵抗特性を保証しつつ且つ、苛酷
な短絡時に於ても優れた耐アーク性、耐溶着性を
兼ね備えた電気接触子の提供を目的とする。 すなわち、本発明は2000℃以上の溶融点を持つ
導電性材料からなる下層部とCdO、SnO2、
In2O3、ZnO、及びSb2O3から選ばれた１又は２
以上の酸化物を２〜30wt％含有するAg−酸化物
合金からなり前記下層部材上に接合され、上面を
接触面とする上層部とから構成されていることを
特徴とする電気接触子である。 その要旨とするところは、短絡責務を考慮した
Ｗ（2000℃以上の溶融点を持つ材料をＷで代表）
よりなる下層と、安定な接触面を考慮したAg−
酸化物系接点（Ag−CdO、Ag−SnO2、Ag−
In2O3、Ag−ZnO、Ag−SbO3系合金をAg−CdO
で代表）よりなる上層とを接続一体化したこと、
及び短絡時には、短絡電流に対しては十分な耐溶
着性を持たない上層部のAg−CdO系を飛散除去
し、より耐溶着性のすぐれた下層のＷを接触面と
して露出させる機能をもつことである。 本発明の電気接触子は、相対向する２つの電気
接触子のいずれか一方に用いてもよく、両方に用
いてもよい。 図面は一実施例を表すものであり図中の１は導
電性台金で２は台金１上に接続されたＷ層であり
更に３はＷ層２上に接続されたAg−酸化物系合
金層である。一般に下層部のＷは、0.1〜１mm程
度の厚さが好ましく、上層部のAg−酸化物系合
金は0.2〜３mm程度の厚さが好ましい。 本発明の電気接触子を相対向する電気接触子の
少なくとも一方に採用した場合、定格電流開閉に
於ては上層のAg−CdO合金が安定した接触抵性
がないため、Ag−CdO合金層のほとんど大部分
が爆発的に飛散し接触面からなくなり、下層のＷ
層が現われる。しかしこの事態に於てもＷが持つ
優れた耐アーク性、耐溶着性のため、回路保護の
目的を達成し得る。 以上の如く、Ag−CdO系の機能と、Ｗ系の機
能と組合せ活用した本発明電気接触子の最大の特
徴である。 下層部を構成する2000℃以上の溶融点を持つ導
電材料は、最大10wt％までなら導電金属として
のCu又はAgの含有を許容しうるが、より苛酷な
耐アーク性、耐溶着性要求の観点からは実質的に
100％のＷ（2000℃以上の溶融点を持つ導電材料を
Ｗで代表）が望ましい。 上層部を構成する導電材料の溶融点が、2000℃
以上である必要があり、その理由は、2000℃未満
では、本発明構成に於て短絡電流に対して溶着を
示すためである。2000℃以上では、十分な高融点
性のためすぐれた耐溶着性を発揮する。 上層部を構成するAg−酸化物合金中に含まれ
るCd、Sn、In、ZnやSbの酸化物は、２〜30wt％
であり2wt％未満では、数10A程度の中電流の定
格開閉でも耐消耗性に問題を接触抵抗の安定性も
劣る場合が認められる。また、酸化物の含有量が
30wt％を越えると通電後の接触抵抗値が大きく
なつたり、接触子の温度上昇が大きくなるという
好ましくない傾向が現われる。 本発明の電気接触子は、例えば上層部と下層部
を別々に公知の方法で製造し、両者を供給するこ
とによつて製造できる。一例として上層部：Ag
−CdO合金、下層部：Cu−Ｗ合金の場合につい
て説明する。Ag−CdOの合金は、Ag−Cd合金を
溶解後３気圧の酸素中で750℃で48時間内部酸化
処理を行い、Ag−CdO合金を作る。Cu−Ｗ合金
は、Cu粉末とＷ粉末とを所要の配合比で充分に
混合し、0.5〜１トン／cm2で圧粉成形する。この
成形体中の残存空孔を充分に充たし得るCuを成
形体の上又は下に置き。900〜1300℃、水素雰囲
気中で１〜３時間保持しCuを成形体中に溶浸さ
せる。次に両者を重ねあわせて、水素雰囲気中
600〜900℃で30分間加熱保持し接合する。加熱に
より生ずるそりを機械加工により整形し所定寸法
に加工し電気接触子を得る。 本発明の他の製造例として、例えば、上層部：
Ag−CdO合金、下層部：WCの場合について説
明する。上記と同じ方法・条件で得たAg−CdO
合金の一面に、50μのWC粉末をプラズマ溶射し
WCよりなる下層部を形成させる。次いで800℃
×１時間、水素中で加熱処理を加えて電気接触子
とする。 実施例１〜11、参考例１〜２ 上層がAg−13.2％CdO合金、下層が純Mo（実
施例１）、90Mo−10Cu（実施例２）、70Mo−
30Cu（参考例１）、純Ｗ（実施例３）、純Ta（実施
例例４）、純Nb（実施例５）、純Hf（実施例６）、
MoC（実施例７）、WC（実施例８）、TaC（実施例
９）、NbC（実施例10）、HfC（実施例11）、Fe（参
考例２）からなる四角すい台形（５mm×14mm、８
mm×14mm、厚さは上層接点が１mm、下層は0.5mm）
の電気接触子を前述の方法で製作した。尚、炭化
物（実施例７〜11）については、プラズマ溶射法
によつて上層点の一面に直接溶射したものであ
る。これらを台金につけた後225Aの定格電流を
開閉する能力を持つ１−ヒユーズ・ブレーカを改
良した試験機の可動側接点及び固定側接点として
取付け、30kAを２回遮断させた。表−１はその
時の所見を示すものである。30kAの遮断に先立
ち、 〔A〕： 550V、1350A、カ率0.5で50回の開閉を行
なつたが実施例１〜11、参考例１〜２の各接点
とも、 (1) 各接触子（上層）の損傷は極めて軽微であ
つた。 (2) 接触抵抗は、初期値150〜189μΩに対し
て、143〜204μΩであつた。 (3) 上層接点と下層接点、及びこれらと合金と
の境界からの剥離はなかつた。 〔B〕： 〔A〕に引きつづき550V、225Aで4000回の
開閉をおこなつた。 (1) 接触抵抗が181〜20gμΩとなつたが安定し
た接触特性が維持された。 (2) 両層間の剥離は見られなかつた。 〔C〕： 〔B〕に続き、225A周囲温度30℃で接触子
温度（上昇値）を測定したが、いずれも表１の
ように温度特性上問題はなかつた。 〔D〕： 〔C〕に続き30kAを２回遮断したところ、
各試料とも、２回目の遮断で上層の13.2CdO接
点が、飛散し下層接点面が露出した状態となつ
た。このような状態でも、下層接点の効果で、
実施例１−11では遮断電波による溶着は見られ
なかつたが、参考例１−２では強固の溶着を呈
した。溶着の原因は、参考例１の場合は、Cu
量の増加による（実施例２の90Mo−Cuが軽度
の溶着を示し、Cuの増加により溶着の傾向に
あることを示す）。参考例２の場合には、Feの
融点が低いためと考えられる。 この実施例１〜11、参考例１−２の上層接点の
厚さは前述のように１mmとしたため、２回目の遮
断でちようど上層のCdO接点が飛散・消失したも
ので、更に厚くすれば遮断回数は増加しうる。こ
の場合遮断回数を重ねることにより下層の酸化が
蓄積されるので、遮断回数を多く保証せねばなら
ない時には、相応の厚さが上層接点に必要なこと
は勿論である。 下層接点として、実施例１で使用したMoに、
実施例３のＷを混合して使用することは技術上何
ら困難がなく実施例７以降の炭化物の混合も同じ
である。参考例３のように下層接点がない時に
は、強固の溶着を示す。
性、耐溶着性に優れる電気接触子に関する。 電気接触子に要求される最も重要な特性は、耐
溶着性、接触抵抗特性、耐消耗性等である。その
ため、タングステン（Ｗ）、炭化タングステン
（WC）のような高融点材料と銀（Ag）、銅（Cu）
のような高導電性材料との複合化が行われ、従来
よりAg−WC合金や、Cu−Ｗ合金からなる電気
接触子が、遮断器、電気開閉器などに広く使用さ
れている。 ところで、従来使用されている60％前後のAg
を含有したAg−WC電気接触子は、接触抵抗が
低く安定しているため、中負荷程度の遮断器又は
接触器などのアーク接点兼電流接点に使用されて
いる。しかし、このAg−WC合金は、短絡責務
（定格電流の100〜1000倍）に対して著しく劣ると
いう不都合さがある。 又、30％前後のCuを含有したCu−Ｗ電気接触
子は、低価格である上に、沸点、融点が高くかつ
機械的強度が大きいため、耐アーク性、耐溶着性
に優れ例えば油中遮断器のアーキング接点として
使用された短絡責務を果たしている。しかし、こ
のCu−Ｗ接触子は、高温で非常に酸化が速く接
触抵抗の安定性が著しく劣るという不都合さがあ
る。 更に、上記事情から、短絡責務を考慮してCu
−Ｗ系若しくはCu−WC系を下層とし、接触安定
性を考慮してAg−Ｗ系若しくはAg−Wc系など
Ag系を上層（接触面）とした二層型（複合型）
の電気接触子が開発されている。しかしこの二層
型電気接触子は、製造工程、即ち前記Cu系層
とAg系層とを接合一体化する加熱工程或るいは
通電使用中にCuが接触面にまで拡散して定常使
用時に於ける接触信頼性の低下を招く場合があ
る。また、上記信頼性の低下とは別にCu系層
とAg系層との界面において、AgとCuとの共晶層
を生成し、この共晶層（融点低い）が上記接触子
を所定の機構に接合装着（加熱）する際、流出し
たり、接触子の形崩れを招いたりするなどの不都
合さが認められる。又、保証する遮断電流を越
えた短絡電流が与えられたり、保証限度の１〜２
回遮断回数を上わまわつた遮断を行なつた時な
ど、下層のCu−Ｗ、Cu−WC中に存在するCuに
原因して溶着を示すこともある。 本発明は上記事項に対処して、定格電流開閉に
於て安定な接触抵抗特性を保証しつつ且つ、苛酷
な短絡時に於ても優れた耐アーク性、耐溶着性を
兼ね備えた電気接触子の提供を目的とする。 すなわち、本発明は2000℃以上の溶融点を持つ
導電性材料からなる下層部とCdO、SnO2、
In2O3、ZnO、及びSb2O3から選ばれた１又は２
以上の酸化物を２〜30wt％含有するAg−酸化物
合金からなり前記下層部材上に接合され、上面を
接触面とする上層部とから構成されていることを
特徴とする電気接触子である。 その要旨とするところは、短絡責務を考慮した
Ｗ（2000℃以上の溶融点を持つ材料をＷで代表）
よりなる下層と、安定な接触面を考慮したAg−
酸化物系接点（Ag−CdO、Ag−SnO2、Ag−
In2O3、Ag−ZnO、Ag−SbO3系合金をAg−CdO
で代表）よりなる上層とを接続一体化したこと、
及び短絡時には、短絡電流に対しては十分な耐溶
着性を持たない上層部のAg−CdO系を飛散除去
し、より耐溶着性のすぐれた下層のＷを接触面と
して露出させる機能をもつことである。 本発明の電気接触子は、相対向する２つの電気
接触子のいずれか一方に用いてもよく、両方に用
いてもよい。 図面は一実施例を表すものであり図中の１は導
電性台金で２は台金１上に接続されたＷ層であり
更に３はＷ層２上に接続されたAg−酸化物系合
金層である。一般に下層部のＷは、0.1〜１mm程
度の厚さが好ましく、上層部のAg−酸化物系合
金は0.2〜３mm程度の厚さが好ましい。 本発明の電気接触子を相対向する電気接触子の
少なくとも一方に採用した場合、定格電流開閉に
於ては上層のAg−CdO合金が安定した接触抵性
がないため、Ag−CdO合金層のほとんど大部分
が爆発的に飛散し接触面からなくなり、下層のＷ
層が現われる。しかしこの事態に於てもＷが持つ
優れた耐アーク性、耐溶着性のため、回路保護の
目的を達成し得る。 以上の如く、Ag−CdO系の機能と、Ｗ系の機
能と組合せ活用した本発明電気接触子の最大の特
徴である。 下層部を構成する2000℃以上の溶融点を持つ導
電材料は、最大10wt％までなら導電金属として
のCu又はAgの含有を許容しうるが、より苛酷な
耐アーク性、耐溶着性要求の観点からは実質的に
100％のＷ（2000℃以上の溶融点を持つ導電材料を
Ｗで代表）が望ましい。 上層部を構成する導電材料の溶融点が、2000℃
以上である必要があり、その理由は、2000℃未満
では、本発明構成に於て短絡電流に対して溶着を
示すためである。2000℃以上では、十分な高融点
性のためすぐれた耐溶着性を発揮する。 上層部を構成するAg−酸化物合金中に含まれ
るCd、Sn、In、ZnやSbの酸化物は、２〜30wt％
であり2wt％未満では、数10A程度の中電流の定
格開閉でも耐消耗性に問題を接触抵抗の安定性も
劣る場合が認められる。また、酸化物の含有量が
30wt％を越えると通電後の接触抵抗値が大きく
なつたり、接触子の温度上昇が大きくなるという
好ましくない傾向が現われる。 本発明の電気接触子は、例えば上層部と下層部
を別々に公知の方法で製造し、両者を供給するこ
とによつて製造できる。一例として上層部：Ag
−CdO合金、下層部：Cu−Ｗ合金の場合につい
て説明する。Ag−CdOの合金は、Ag−Cd合金を
溶解後３気圧の酸素中で750℃で48時間内部酸化
処理を行い、Ag−CdO合金を作る。Cu−Ｗ合金
は、Cu粉末とＷ粉末とを所要の配合比で充分に
混合し、0.5〜１トン／cm2で圧粉成形する。この
成形体中の残存空孔を充分に充たし得るCuを成
形体の上又は下に置き。900〜1300℃、水素雰囲
気中で１〜３時間保持しCuを成形体中に溶浸さ
せる。次に両者を重ねあわせて、水素雰囲気中
600〜900℃で30分間加熱保持し接合する。加熱に
より生ずるそりを機械加工により整形し所定寸法
に加工し電気接触子を得る。 本発明の他の製造例として、例えば、上層部：
Ag−CdO合金、下層部：WCの場合について説
明する。上記と同じ方法・条件で得たAg−CdO
合金の一面に、50μのWC粉末をプラズマ溶射し
WCよりなる下層部を形成させる。次いで800℃
×１時間、水素中で加熱処理を加えて電気接触子
とする。 実施例１〜11、参考例１〜２ 上層がAg−13.2％CdO合金、下層が純Mo（実
施例１）、90Mo−10Cu（実施例２）、70Mo−
30Cu（参考例１）、純Ｗ（実施例３）、純Ta（実施
例例４）、純Nb（実施例５）、純Hf（実施例６）、
MoC（実施例７）、WC（実施例８）、TaC（実施例
９）、NbC（実施例10）、HfC（実施例11）、Fe（参
考例２）からなる四角すい台形（５mm×14mm、８
mm×14mm、厚さは上層接点が１mm、下層は0.5mm）
の電気接触子を前述の方法で製作した。尚、炭化
物（実施例７〜11）については、プラズマ溶射法
によつて上層点の一面に直接溶射したものであ
る。これらを台金につけた後225Aの定格電流を
開閉する能力を持つ１−ヒユーズ・ブレーカを改
良した試験機の可動側接点及び固定側接点として
取付け、30kAを２回遮断させた。表−１はその
時の所見を示すものである。30kAの遮断に先立
ち、 〔A〕： 550V、1350A、カ率0.5で50回の開閉を行
なつたが実施例１〜11、参考例１〜２の各接点
とも、 (1) 各接触子（上層）の損傷は極めて軽微であ
つた。 (2) 接触抵抗は、初期値150〜189μΩに対し
て、143〜204μΩであつた。 (3) 上層接点と下層接点、及びこれらと合金と
の境界からの剥離はなかつた。 〔B〕： 〔A〕に引きつづき550V、225Aで4000回の
開閉をおこなつた。 (1) 接触抵抗が181〜20gμΩとなつたが安定し
た接触特性が維持された。 (2) 両層間の剥離は見られなかつた。 〔C〕： 〔B〕に続き、225A周囲温度30℃で接触子
温度（上昇値）を測定したが、いずれも表１の
ように温度特性上問題はなかつた。 〔D〕： 〔C〕に続き30kAを２回遮断したところ、
各試料とも、２回目の遮断で上層の13.2CdO接
点が、飛散し下層接点面が露出した状態となつ
た。このような状態でも、下層接点の効果で、
実施例１−11では遮断電波による溶着は見られ
なかつたが、参考例１−２では強固の溶着を呈
した。溶着の原因は、参考例１の場合は、Cu
量の増加による（実施例２の90Mo−Cuが軽度
の溶着を示し、Cuの増加により溶着の傾向に
あることを示す）。参考例２の場合には、Feの
融点が低いためと考えられる。 この実施例１〜11、参考例１−２の上層接点の
厚さは前述のように１mmとしたため、２回目の遮
断でちようど上層のCdO接点が飛散・消失したも
ので、更に厚くすれば遮断回数は増加しうる。こ
の場合遮断回数を重ねることにより下層の酸化が
蓄積されるので、遮断回数を多く保証せねばなら
ない時には、相応の厚さが上層接点に必要なこと
は勿論である。 下層接点として、実施例１で使用したMoに、
実施例３のＷを混合して使用することは技術上何
ら困難がなく実施例７以降の炭化物の混合も同じ
である。参考例３のように下層接点がない時に
は、強固の溶着を示す。
【表】
【表】
実施例12〜22、参考例４〜５
上層接点としてAg−CdO（参考例４、実施例12
〜13）、Ag−7.6SnO2（実施例14）、Ag−6.9In2O3
（実施例15）、Ag−10.1ZnO（実施例16）、Ag−
8.1Sb2O3（実施例17）、Ag−SnO2−In2O3（参考例
５、実施例18〜19）、Ag−ZnO−SnO2（実施例
20）、Ag−Sn2O3−SnO2（実施例21）、Ag−ZnO
−SnO2−In2O3（実施例22）下層接点が純Moから
なる四角すい台形（５mm×14mm、８mm×14mm厚さ
は上層接点が１mm、下層接点は0.5mm）の電気接
触子を前述の方法で作成した。 これらを台金に取りつけたあと、225Aの定格
電流を開閉する能力を持つ１−ヒユーズ・ブレー
カを改良した試験機の可動側接点及び固定側接点
として取りつけ、30kAを２回遮断させた。表−
２はその時の所見を示すものである。 30kA2回の遮断に先立ち、 〔A〕： 550V、1350A、カ率0.5で50回の開閉を行
なつたが実施例12〜22の各接点は、 (1) 各接触子（上層）の損傷は極めて軽微であ
つた。 (2) 接触抵抗は、初期値178〜305μΩに対して
175〜320μΩであつた。 (3) 上層と下層及びこれらと台金との境界から
の剥離はなかつた。 〔B〕： 〔A〕に引きつづき550V、225Aで4000回の
開閉を行なつた。 (1) 接触抵抗が188〜353μΩとなつたが安定し
た接触特性が維持された。（実施例12〜22） (2) 両層及び台金間の剥離はなかつた。 (3) 表−２の如く、CdO又はIn2O3、SnO2等、
含有酸化物量の低い上層接点は、開閉後の接
触抵抗のばらつきが多い傾向を示した。（参
考例４、５） 〔C〕： 〔B〕に引きつづき、225A周囲温度30℃で
接触子温度（上昇値）を測定したがいずれも20
〜30℃で温度特性上問題はなかつた。 〔C〕： 〔C〕に引きつづき30kAを２各試料とも上
層物（酸化物含有接点層）が、ほとんど飛散
し、下層接点面（Mo接点）が露出した状態と
なつた。このような状態でも下層接点の効果で
実施例12〜22では、溶着が見られなかつた。上
層接点中の酸化物層の少ない参考例４〜５で
は、下層Moには著しい表面荒れなどの損傷が
認められた上層接点中の酸化物の下限量は、
2wt％を必要とする。上限は、上層接点を作製
する時の技術的困難さから、30％程度である。
〜13）、Ag−7.6SnO2（実施例14）、Ag−6.9In2O3
（実施例15）、Ag−10.1ZnO（実施例16）、Ag−
8.1Sb2O3（実施例17）、Ag−SnO2−In2O3（参考例
５、実施例18〜19）、Ag−ZnO−SnO2（実施例
20）、Ag−Sn2O3−SnO2（実施例21）、Ag−ZnO
−SnO2−In2O3（実施例22）下層接点が純Moから
なる四角すい台形（５mm×14mm、８mm×14mm厚さ
は上層接点が１mm、下層接点は0.5mm）の電気接
触子を前述の方法で作成した。 これらを台金に取りつけたあと、225Aの定格
電流を開閉する能力を持つ１−ヒユーズ・ブレー
カを改良した試験機の可動側接点及び固定側接点
として取りつけ、30kAを２回遮断させた。表−
２はその時の所見を示すものである。 30kA2回の遮断に先立ち、 〔A〕： 550V、1350A、カ率0.5で50回の開閉を行
なつたが実施例12〜22の各接点は、 (1) 各接触子（上層）の損傷は極めて軽微であ
つた。 (2) 接触抵抗は、初期値178〜305μΩに対して
175〜320μΩであつた。 (3) 上層と下層及びこれらと台金との境界から
の剥離はなかつた。 〔B〕： 〔A〕に引きつづき550V、225Aで4000回の
開閉を行なつた。 (1) 接触抵抗が188〜353μΩとなつたが安定し
た接触特性が維持された。（実施例12〜22） (2) 両層及び台金間の剥離はなかつた。 (3) 表−２の如く、CdO又はIn2O3、SnO2等、
含有酸化物量の低い上層接点は、開閉後の接
触抵抗のばらつきが多い傾向を示した。（参
考例４、５） 〔C〕： 〔B〕に引きつづき、225A周囲温度30℃で
接触子温度（上昇値）を測定したがいずれも20
〜30℃で温度特性上問題はなかつた。 〔C〕： 〔C〕に引きつづき30kAを２各試料とも上
層物（酸化物含有接点層）が、ほとんど飛散
し、下層接点面（Mo接点）が露出した状態と
なつた。このような状態でも下層接点の効果で
実施例12〜22では、溶着が見られなかつた。上
層接点中の酸化物層の少ない参考例４〜５で
は、下層Moには著しい表面荒れなどの損傷が
認められた上層接点中の酸化物の下限量は、
2wt％を必要とする。上限は、上層接点を作製
する時の技術的困難さから、30％程度である。
【表】
【表】
以上述べた上層接点としてAg−酸化物系材料
を下層接点としてMo、Ｗなどを選択し、かつ必
要とする遮断回数に応じた厚さを持たせて構成さ
せることによつて遮断時の耐溶着性を改良させ得
る。特に〔D〕に於ける30kA遮断では、下層接点材
がない時１〜２回の遮断が限度であること。上層
接点材中のCu又はAgなどの量は10％以上含有す
ると、より回数の多い遮断を有する場合、特に溶
着の発生などを招来すること、等で、これよりも
遮断回数を多く必要とする場合その効果を発揮す
る。 以上述べた実施例では、固定側接点と可動側接
点の双方に本発明の電気接触子を用いたがいずれ
か一方にのみ用いても良好な耐溶着性を得ること
が出来る。
を下層接点としてMo、Ｗなどを選択し、かつ必
要とする遮断回数に応じた厚さを持たせて構成さ
せることによつて遮断時の耐溶着性を改良させ得
る。特に〔D〕に於ける30kA遮断では、下層接点材
がない時１〜２回の遮断が限度であること。上層
接点材中のCu又はAgなどの量は10％以上含有す
ると、より回数の多い遮断を有する場合、特に溶
着の発生などを招来すること、等で、これよりも
遮断回数を多く必要とする場合その効果を発揮す
る。 以上述べた実施例では、固定側接点と可動側接
点の双方に本発明の電気接触子を用いたがいずれ
か一方にのみ用いても良好な耐溶着性を得ること
が出来る。
図面は本発明に係る電気接触子の一実施例を表
す図である。 １……導電性台金、２……Mo、３……Ag−
Cu合金層。
す図である。 １……導電性台金、２……Mo、３……Ag−
Cu合金層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 2000℃以上の溶融点を持つ導電材料からなる
下層部とCdO（酸化カドミウム）、SnO2（酸化ス
ズ）、In2O3（酸化イジウム）、ZnO（酸化亜鉛）、及
びSb2O3（酸化アンチモン）から選ばれた１又は
２以上の酸化物を２〜30wt％（重量％）含有す
るAg−酸化物合金からなり、前記下層部上に接
合され、上面を接触面とする上層部とから構成さ
れている事を特徴とする電気接触子。 ２ 下層部がＷ、Mo、Ta、Nb、Hfの１つから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電気接触子。 ３ 下層部がＷ、Mo、Ta、Nb、Hfの炭化物の
１つからなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電気接触子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP311881A JPS57118313A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Electric contactor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP311881A JPS57118313A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Electric contactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57118313A JPS57118313A (en) | 1982-07-23 |
| JPS6355731B2 true JPS6355731B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=11548432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP311881A Granted JPS57118313A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Electric contactor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57118313A (ja) |
-
1981
- 1981-01-14 JP JP311881A patent/JPS57118313A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57118313A (en) | 1982-07-23 |
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