JPS635525A - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ発生装置

Info

Publication number
JPS635525A
JPS635525A JP14872286A JP14872286A JPS635525A JP S635525 A JPS635525 A JP S635525A JP 14872286 A JP14872286 A JP 14872286A JP 14872286 A JP14872286 A JP 14872286A JP S635525 A JPS635525 A JP S635525A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
microwave
microwaves
plasma
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14872286A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Ito
達男 伊藤
Masuo Tanno
丹野 益男
Shinichi Mizuguchi
水口 信一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP14872286A priority Critical patent/JPS635525A/ja
Publication of JPS635525A publication Critical patent/JPS635525A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はマイクロ波プラズマ処理装置に用いられ、大口
径のプラズマを効率良く発生するマイクロ波プラズマ発
生装置に関するものである。
従来の技術 近年、マイクロ波(例えば2.45GHz )により励
起されたプラズマが、半導体ウェ1/4のプラズマ処理
(例えばドライエツチング)に使用されつつある。これ
は、マイクロ波放電は、高周波(例えば13.56 M
Hz )放電に比べてプラズマ密度が高く、又、無電極
放電であるため、高速・低ダメージのプラズマ処理が期
待されるからである。
以下図面を参照しながら、上述した従来のマイクロ波プ
ラズマ発生装置の一例について説明する。
第4図は従来のマイクロ波プラズマ発生装置の゛主要構
造を示すものである。第4図に於いて1゜2は各々導波
管であり、マイクロ波を伝達する。
3は誘電体で、マイクロ波を透過させると共に放電領域
5の真空を保っている。4は、試料である。
以上のように構成されたマイクロ波プラズマ発生装置に
ついて、以下その動作について説明する。
まず、導波管1を伝播してきたマイクロ波は、導波管2
に入り、誘電体3を透過して放電領域5に伝達される。
導波管2の管壁は急激な形状変化によるマイクロ波の反
射を防ぐため、導波管1の軸に対し斜めになっている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、導波管1から伝送
するマイクロ波が、導波管2に入ったところで、導波管
1と導波管2の形状の違いによるインピーダンス不整合
のため、マイクロ波の反射が存在するので、マイクロ波
電力の放電領域への導入効率が悪くなるという問題点を
有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、マイクロ波の放電領域への
導入効率を高めるマイクロ波プラズマ発生装置を提供す
るものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のマイクロ波プラズ
マ発生装置は、マイクロ波発振器に接続された第1の導
波管と、第1の導波管に並列に接続され、マイクロ波の
一部を伝達する第2の導波管と、第1の導波管及び第2
の導波管に接続されると共に内部に放電領域が形成され
る真空容器とを備え、第1の導波管と第2の導波管とが
略凹−のマイクロ波管内波長でマイクロ波を伝播すると
いう構成を備えたものである。
作  用 本発明は上記した構成によってマイクロ波発振部で発生
したマイクロ波が第1の導波管を一定の管内波長で伝播
すると共に、上記マイクロ波の一部が、中途より第2の
導波管内を伝播する。ところで、マイクロ波管内波長は
、導波管の伝送方向と垂直な面の大きさで決まるが、第
1及び第2の導波管は、例えば導波管の大きさを合わせ
ることにより、或いは導波管内部に誘電体を入れて実質
的に導波管の大きさを揃えることにより、略凹−のマイ
クロ波管内波長でマイクロ波が伝播するようになってい
る。従ってマイクロ波は、第1及び第2の導波管内で、
マイクロ波管内波長を変えることなく伝播する。
従って、本発明においては、マイクロ波管内波長の変化
に起因する反射による電力損失を小さくした状態で導波
管の面積を実質2倍にする、即ち大口径プラズマを得る
こととなる。
実施例 以下本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ発生装置に
ついて、図面を参照しながら説明する。
第1図は本発明の第1の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ発生装置のプラズマ発生部を示すものである。第1
図において、6は主導波管(第1の導波管)、7は副導
波管(第2の導波管)で、主導波管6に隣接して設けら
れている。sa、sbは主導波管6と副導波管7とを連
通ずる孔(例えばスリット)であり、主導波管6と副導
波管7を電磁気的に結合する。孔sa、abのピッチP
はマイクロ波管内波長のKになっている。9は誘電体板
でマイクロ波を透過させると共に、放電領域1oの真空
を保っている。30は放電領域10を内部に備えた真空
容器、11は試料である。以上のように構成されたマイ
クロ波プラズマ発生装置について、以下第1図及び第2
図を用いてその動作を説明する。
まず第2図は主・副導波管6.了の結合部におけるマイ
クロ波の伝播を示すものであって、12は進行波で主導
波管6を伝播する。13も進行波であり、副導波管7を
伝播する。14は反射波であり、副導波管下を伝播する
。マイクロ波発掘器で発生したマ°イクロ波は主導波管
6を通り、放電領域10に達するが、マイクロ波の一部
は途中、上記孔8a、sbを通って副導波管7を伝播す
る。
この時、上記孔aa、sbのピッチPがマイクロ波管内
波長のKであることから、上記孔8aよりの反射波14
と、上記孔8bよりの反射波14とでは行程差がマイク
ロ波管内波長のZとなって位相が逆転するため反射波が
互いに打ち消しあって消失する。これは方向性結合器の
原理として良く知られたものである。従って副導波管7
には、進行波13だけが存在することとなる。故に主導
波管6と副導波管7とを伝播するマイクロ波が放電領域
10に達し、大口径の放電プラズマを発生させることと
なる。
以上のように本実施例によれば、マイクロ波発振器で発
生したマイクロ波を主導波管6及び副導波管子を用いて
、放電領域に伝送することにより、1つの導波管だけを
用いて発生した放電プラズマよりも大口径の放電プラズ
マを得ることができる。
また主導波管6と副導波管7とを連通ずる孔8a。
8bの間隔をマイクロ波管内波長のZとすることにより
、副導波管7内での反射波をなくシ、電力損失を少なく
することができる。
以下本発明の第2の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
第3図は本発明の第2の実施例を示すマイクロ波プラズ
マ発生装置のプラズマ発生部を示す図である。
同図において、16は主導波管(第1の導波管)、16
は副導波管(第2の導波管)、17a、1ybは主導波
管15と副導波管16とを連通ずる孔、18は誘電体板
、19は放電領域、2oは試料、29は真空容器で、以
上は第1図の構成と同様なものである。第1図の構成と
異なるのは、マイクロ波反射板21、ボルト22及び、
ロックナツト23を副導波管16側に設け、マイクロ波
反射板21を副導波管16内で上下させ得るようにした
点である。
上記のように構成されたマイクロ波プラズマ発生装置に
ついて、以下その動作を説明する。
第1の実施例において説明したようにマイクロ波発振器
で発生したマイクロ波は、主導波管15及び副導波管1
θの双方より放電領域19に入射し、プラズマを発生さ
せるがこの時、マイクロ波反射板21を上下に調節する
ことにより、副導波管16内にたつ定在波を変化させ、
放電領域19内に入射するマイクロ波を最大にすること
が出来る。
以上のように、副導波管1e内にマイクロ波反射板21
を上下調節可能なように設けることにより、入射マイク
ロ波と放電領域19との結合度を変化させることができ
る。
また、マイクロ波の結合孔を説明の便宜上2ケとしたが
、結合孔の数は複数で良い。
発明の効果 以上のように本発明はマイクロ波発振器に接続された第
1の導波管と、第1の導波管に並列に接続した第2の導
波管とを設けることにより、マイクロ波電力の損失を小
さくした上で、大口径プラズマを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例におけるマイクロ波プラ
ズマ発生装置のプラズマ発生部を示す断面図、第2図は
第1図の導波管部の詳細断面図、第3図は本発明の第2
の実施例におけるマイクロ波プラズマ発生装置のプラズ
マ発生部を示す断面図、第4図は従来のマイクロ波プラ
ズマ発生装置のプラズマ発生部を示す断面図である。 6.16・・・・・・第1の導波管(主導波管)、7゜
16・・・・・・第2の導波管(副導波管)、sa、s
b。 17a、17b・・・・・・孔、10.19・・・・・
・放電領域、29.30・・・・・・真空容器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マイクロ波発振器と、これから発生したマイクロ
    波を伝達する第1の導波管と、上記第1の導波管に並列
    に接続され、マイクロ波の一部を伝達する第2の導波管
    と、上記第1の導波管及び第2の導波管に接続されると
    共に内部に放電領域が形成される真空容器とを備え、上
    記第1の導波管と、上記第2の導波管とが略同一のマイ
    クロ波管内波長でマイクロ波を伝達することを特徴とす
    るマイクロ波プラズマ発生装置。
  2. (2)第1の導波管と第2の導波管を隣接させ、マイク
    ロ波の伝達方向にマイクロ波管内波長の1/4の間隔で
    設けた複数の孔で第1の導波管と第2の導波管とを連通
    した特許請求の範囲第1項記載のマイクロ波プラズマ発
    生装置。
JP14872286A 1986-06-25 1986-06-25 マイクロ波プラズマ発生装置 Pending JPS635525A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14872286A JPS635525A (ja) 1986-06-25 1986-06-25 マイクロ波プラズマ発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14872286A JPS635525A (ja) 1986-06-25 1986-06-25 マイクロ波プラズマ発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS635525A true JPS635525A (ja) 1988-01-11

Family

ID=15459139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14872286A Pending JPS635525A (ja) 1986-06-25 1986-06-25 マイクロ波プラズマ発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS635525A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016135899A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 国立大学法人大阪大学 マイクロ波プラズマ気相反応装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016135899A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 国立大学法人大阪大学 マイクロ波プラズマ気相反応装置
JPWO2016135899A1 (ja) * 2015-02-25 2017-12-07 国立大学法人大阪大学 マイクロ波プラズマ気相反応装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8493161B2 (en) Compact excitation assembly for generating a circular polarization in an antenna and method of fashioning such a compact excitation assembly
US6847003B2 (en) Plasma processing apparatus
EP1536671A1 (en) Plasma processing device
KR100566357B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치, 마이크로파 플라즈마처리 방법 및 마이크로파 급전 장치
JP3957135B2 (ja) プラズマ処理装置
Cross et al. Experimental studies of two-dimensional coaxial Bragg structures for a high-power free-electron maser
JPH09232099A (ja) プラズマ処理装置
Lee et al. Design and analysis of a multimode feed horn for a monopulse feed
JP2003151797A (ja) プラズマプロセス装置および処理装置
JPH0231881B2 (ja)
KR950034579A (ko) 플라즈마 처리방법 및 장치
JP2012190899A (ja) プラズマ処理装置
JPS635525A (ja) マイクロ波プラズマ発生装置
WO1988002933A1 (en) Orthogonal mode electromagnetic wave launcher
JP2007180034A (ja) プラズマ処理装置
JP3129814B2 (ja) マイクロ波プラズマ装置
JPS63232300A (ja) マイクロ波プラズマ発生装置
RU2052878C1 (ru) Широкополосная антенная решетка
JP2857090B2 (ja) マイクロ波励起プラズマ処理装置
US4573054A (en) Excitation device for a dual band ultra-high frequency corrugated source of revolution
JPH07263186A (ja) プラズマ処理装置
JPH10107011A (ja) プラズマ処理装置
JP2004259581A (ja) プラズマ処理装置
JPH0834129B2 (ja) マイクロ波プラズマ生成方法及びその装置
JPS63232299A (ja) マイクロ波プラズマ発生装置