JPS6350928A - 光デイスク原盤記録装置 - Google Patents
光デイスク原盤記録装置Info
- Publication number
- JPS6350928A JPS6350928A JP61193622A JP19362286A JPS6350928A JP S6350928 A JPS6350928 A JP S6350928A JP 61193622 A JP61193622 A JP 61193622A JP 19362286 A JP19362286 A JP 19362286A JP S6350928 A JPS6350928 A JP S6350928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- laser
- optical
- master
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ディスク原盤記録装置の光学系の構成に関す
る。
る。
［従来の技術〕
近年、大容量メモリとして光ディスクが実用化され、急
速に普及しつつある。光ディスクとして代表的なものは
、コンパクトディスク、光学式ビデオディスク、文書フ
ァイル用光ディスク、画像ファイル用光ディスク、コン
ピュータ・データファイル用光ディスクがある。いずれ
もディスク上にミクロンオーダの信号ピットもしくは案
内溝が形成されており、光ピツクアップにて読み取られ
るものである。信号ピット、案内溝はスタンノ（全製造
する工程において、光ディスク原盤記録装置にて形成さ
れる。
速に普及しつつある。光ディスクとして代表的なものは
、コンパクトディスク、光学式ビデオディスク、文書フ
ァイル用光ディスク、画像ファイル用光ディスク、コン
ピュータ・データファイル用光ディスクがある。いずれ
もディスク上にミクロンオーダの信号ピットもしくは案
内溝が形成されており、光ピツクアップにて読み取られ
るものである。信号ピット、案内溝はスタンノ（全製造
する工程において、光ディスク原盤記録装置にて形成さ
れる。
原盤記録装置の従来例としては、”精密機械”５０巻、
１２号、２５〜２９ページに詳しく記載されている。第
２図に光学系の構成図を示す。従来の原盤記録装置には
、スピンドル移動型と光学テーブル移動型の２種がある
が、これは後者のタイプである。１００はレジストヲコ
ーティングされたガラス原盤である。１０６は記録用レ
ーザでＡｒ＋レーザ又はＨｅ −Ｏｄ レーザが使用
される。
１２号、２５〜２９ページに詳しく記載されている。第
２図に光学系の構成図を示す。従来の原盤記録装置には
、スピンドル移動型と光学テーブル移動型の２種がある
が、これは後者のタイプである。１００はレジストヲコ
ーティングされたガラス原盤である。１０６は記録用レ
ーザでＡｒ＋レーザ又はＨｅ −Ｏｄ レーザが使用
される。
記録用レーザの出力光は音響光学変調器（ＡＯＭ）１０
７を含む変調系１０２に入る。ＡＯＭ１０７は光をＯＮ
、０ＦＦＩ、たシ、強度変調したりするのに使われる。
７を含む変調系１０２に入る。ＡＯＭ１０７は光をＯＮ
、０ＦＦＩ、たシ、強度変調したりするのに使われる。
変調された光は移動光学テーブル１０１に入シ、対物レ
ンズ１０４によりガラス原盤上に集光され、レジストが
感光される。１０５はフォーカシング用のＨｅ−Ｎｅレ
ーザである。
ンズ１０４によりガラス原盤上に集光され、レジストが
感光される。１０５はフォーカシング用のＨｅ−Ｎｅレ
ーザである。
１０３はモニタ系でガラス原盤１００で反射された光を
ＣＣＤカメラ１０８で撮像し、集光状態を確認するため
のものである。
ＣＣＤカメラ１０８で撮像し、集光状態を確認するため
のものである。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、前述の従来技術では以下のよう、な問題点が有
る。
る。
第１の問題点は、記録用レーザの波長が長いためにレジ
ストの感度の悪いところで使わざるを得ないことである
。第３図は最も良（使用されるシラプレー社のＡＺ−１
３５０ポジレジストの波長感度特性図である。Ａｒ中
レーザの波長は４５Ｚ９ｎｍ、Ｈｅ−Ｃｄ レーザの波
長は４４１．６ ｎ ｍであるが、この波長感度特性図
から波長としては、４４０ｎｍ以下が望ましいことが判
る。４４０〜４６０ｎｍでは感度が低いため、どうして
も大出力Ｖ−ザを使わざるを得ない。例えば３００■φ
のビデオディスクをカッティングする場合には、Ｈｅ
−ＯｅＬレーザならば５０ｍＷ、Ａｒ＋レーザならトー
タルパワ−４Ｗ程度のものが必要である。
ストの感度の悪いところで使わざるを得ないことである
。第３図は最も良（使用されるシラプレー社のＡＺ−１
３５０ポジレジストの波長感度特性図である。Ａｒ中
レーザの波長は４５Ｚ９ｎｍ、Ｈｅ−Ｃｄ レーザの波
長は４４１．６ ｎ ｍであるが、この波長感度特性図
から波長としては、４４０ｎｍ以下が望ましいことが判
る。４４０〜４６０ｎｍでは感度が低いため、どうして
も大出力Ｖ−ザを使わざるを得ない。例えば３００■φ
のビデオディスクをカッティングする場合には、Ｈｅ
−ＯｅＬレーザならば５０ｍＷ、Ａｒ＋レーザならトー
タルパワ−４Ｗ程度のものが必要である。
これらのレーザは全長１ｍ前後の非常に大きなガスレー
ザであるため、装置全体が大きくならざるを得ない。
ザであるため、装置全体が大きくならざるを得ない。
第２の問題点は、上記大出力レーザは大変高価なことで
ある。数１００万円〜１０００万円以上もする。
ある。数１００万円〜１０００万円以上もする。
第３の問題点は、光学系全体が大きく複雑なため外部振
動、周囲温度変化に弱く、設置条件が厳しくなることで
ある。
動、周囲温度変化に弱く、設置条件が厳しくなることで
ある。
第４の問題点は、上記Ａｒ＋レーザ、Ｈｅ−０ｅＬレー
ザは寿命が非常に短く、数１０００時間程時間量力低下
をきたすことである。これはレーザ発振させずに放置し
ておくだけでも劣化する。したがって、ランニングコス
トの負担が大きい。
ザは寿命が非常に短く、数１０００時間程時間量力低下
をきたすことである。これはレーザ発振させずに放置し
ておくだけでも劣化する。したがって、ランニングコス
トの負担が大きい。
第５の問題点は、対物レンズによる絞シ込みビーム径が
これ以上小さくならないため、光ディスクの記録密度が
向上しないことである。
これ以上小さくならないため、光ディスクの記録密度が
向上しないことである。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは装置全体が小さく信頼性が高く、
安価で、ランニングコストも安く、しかも高密度記録の
可能な光ディスク原盤記録装置を提供することである。
の目的とするところは装置全体が小さく信頼性が高く、
安価で、ランニングコストも安く、しかも高密度記録の
可能な光ディスク原盤記録装置を提供することである。
本発明の光ディスク原盤記録装置は、記録用レーザとし
て波長８８０ｎｍ以下の半導体レーザを使用し、出力光
を２次高調波発生素子に入射させて波長を半分にしたの
ち、対物レンズにより原盤に集光することを特徴とする
。
て波長８８０ｎｍ以下の半導体レーザを使用し、出力光
を２次高調波発生素子に入射させて波長を半分にしたの
ち、対物レンズにより原盤に集光することを特徴とする
。
本発明では半導体レーザを使用する訳であるがその寸法
は１００ミクロン立方程度であシ、値段は数千円〜数万
円程度、しかも寿命Ｉ／ｉ１０万時間以上であシ、放置
しておいただけでは劣化しない。
は１００ミクロン立方程度であシ、値段は数千円〜数万
円程度、しかも寿命Ｉ／ｉ１０万時間以上であシ、放置
しておいただけでは劣化しない。
そして半導体レーザーの出力光を２次高調波発生素子に
より、波長を半分にして対物レンズで集光するため絞り
込みビーム径は半分になる。絞り込みビーム径φは 】 λ：波長 ＮＡ：対物レンズの開口数 で表される。波長７５０ｎｍの半導体Ｖ−ザを２次高調
波発生素子に入射させると５７５ｎｍとなる。原盤記録
装置のＮＡは通常０．９であるため、φ＝［１４２μ− となる。Ａｒ＋レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザよりも小さく
なシ記録密度を向上できる。−！ｌたレジストの感度の
良いところに相当する波長になっているため記録パワー
を要しない。更に、光学系全体を１つの小さなユニット
にまとめることができるため、装置全体が小さくなり、
信頼性も高くなる。
より、波長を半分にして対物レンズで集光するため絞り
込みビーム径は半分になる。絞り込みビーム径φは 】 λ：波長 ＮＡ：対物レンズの開口数 で表される。波長７５０ｎｍの半導体Ｖ−ザを２次高調
波発生素子に入射させると５７５ｎｍとなる。原盤記録
装置のＮＡは通常０．９であるため、φ＝［１４２μ− となる。Ａｒ＋レーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザよりも小さく
なシ記録密度を向上できる。−！ｌたレジストの感度の
良いところに相当する波長になっているため記録パワー
を要しない。更に、光学系全体を１つの小さなユニット
にまとめることができるため、装置全体が小さくなり、
信頼性も高くなる。
第１図は本発明の光ディスク原盤記録装置の光−学系の
構成図である。１は７８０ｎｍの半導体レ−ザであり、
その出射光をレンズ２及び５により２次高調波発生素子
４の光導波路５に入射させる２次高調発生素子４はニオ
ブ酸リチウム結晶上に幅数ミクロン、厚さ１ミクロン以
下の光導波路５を形成したもので、光導波路５に電界を
印加することにより結晶の非線型効果によって波長半分
の２次高調波が発生する。２次高調波発生素子４からの
出射光をレンズ６によって平行光とし、偏光ビームスプ
リッタ７．４分の波長板８、対物レンズ９により原盤１
６上に集光される。尚、２次高調波発生素子の入射側、
出射側にはビーム整形用光学系、もしくは光路変換光学
系が入ることもある。原盤１６Ｆ！、ガラス平板１４上
にレジスト１５がスピンコーティングされている。原盤
１６で反射された光は４分の波長板８を通過し偏光ビー
ムスブリック７で反射され、レンズ１）、シリンドリカ
ルレンズ１２を通って４分割Ｐ工Ｎフォトダイオード１
３に入射する。４分割Ｐ工Ｎフォトダイオードの出力の
対角和の差をとることによりフォーカス・エラー信号が
得られる。いわゆる非点収差法である。フォーカス・エ
ラー信号によりレンズアクチュエータ１０を駆動して、
絞り込みビームが原盤１６上で常に合焦となるように制
御する。光学系１７はユニット化され、原盤１６の径方
向に移動する構成となっている。光学系１７は手の平に
のるぐらいの大きさであり、コン／くクトにまとめるこ
とが可能である。本実施例では、記録光により同時にフ
ォーカスサーボをかける構成となっているため、従来例
よりも簡単な光学系になっている。
構成図である。１は７８０ｎｍの半導体レ−ザであり、
その出射光をレンズ２及び５により２次高調波発生素子
４の光導波路５に入射させる２次高調発生素子４はニオ
ブ酸リチウム結晶上に幅数ミクロン、厚さ１ミクロン以
下の光導波路５を形成したもので、光導波路５に電界を
印加することにより結晶の非線型効果によって波長半分
の２次高調波が発生する。２次高調波発生素子４からの
出射光をレンズ６によって平行光とし、偏光ビームスプ
リッタ７．４分の波長板８、対物レンズ９により原盤１
６上に集光される。尚、２次高調波発生素子の入射側、
出射側にはビーム整形用光学系、もしくは光路変換光学
系が入ることもある。原盤１６Ｆ！、ガラス平板１４上
にレジスト１５がスピンコーティングされている。原盤
１６で反射された光は４分の波長板８を通過し偏光ビー
ムスブリック７で反射され、レンズ１）、シリンドリカ
ルレンズ１２を通って４分割Ｐ工Ｎフォトダイオード１
３に入射する。４分割Ｐ工Ｎフォトダイオードの出力の
対角和の差をとることによりフォーカス・エラー信号が
得られる。いわゆる非点収差法である。フォーカス・エ
ラー信号によりレンズアクチュエータ１０を駆動して、
絞り込みビームが原盤１６上で常に合焦となるように制
御する。光学系１７はユニット化され、原盤１６の径方
向に移動する構成となっている。光学系１７は手の平に
のるぐらいの大きさであり、コン／くクトにまとめるこ
とが可能である。本実施例では、記録光により同時にフ
ォーカスサーボをかける構成となっているため、従来例
よりも簡単な光学系になっている。
半導体レーザとしては、現在のところ１．５μ情帯と８
００ｎｍ近辺の２通りがあるが、Ｈｅ−Ｃｄレーザが４
４．１．６μ想であることから、８８０ｎｍ以下の半導
体Ｖ−ザを使うことになる。本実施例では、２次高調波
の波長は３９０ｎｍであり対物レンズのＮＡが（１９で
あるから絞り込みビーム径は０．４３ μｔｎとなり、
Ｈｅ −Ｏｄレーザ、Ａｒ＋レーザを使用した場合より
も小さくなシ、記録密度が向上する。更に、３９０ｎｍ
ではレジストの感度が良好なため対物出射パワーとして
は数ｍＷもあれば充分である。
００ｎｍ近辺の２通りがあるが、Ｈｅ−Ｃｄレーザが４
４．１．６μ想であることから、８８０ｎｍ以下の半導
体Ｖ−ザを使うことになる。本実施例では、２次高調波
の波長は３９０ｎｍであり対物レンズのＮＡが（１９で
あるから絞り込みビーム径は０．４３ μｔｎとなり、
Ｈｅ −Ｏｄレーザ、Ａｒ＋レーザを使用した場合より
も小さくなシ、記録密度が向上する。更に、３９０ｎｍ
ではレジストの感度が良好なため対物出射パワーとして
は数ｍＷもあれば充分である。
また、本実施例においては原盤１６はガラス平板１４上
にレジスト１５をスピンコーティングしたものを使用し
ているが、バブル形成可能な記録媒体をスパッタ等の方
法により成膜したものを使用してもよい。この場合には
現像工程が無く、いわゆるドライプロセスによシスタン
パが製造される。
にレジスト１５をスピンコーティングしたものを使用し
ているが、バブル形成可能な記録媒体をスパッタ等の方
法により成膜したものを使用してもよい。この場合には
現像工程が無く、いわゆるドライプロセスによシスタン
パが製造される。
更に、本実掩例では光ディスクの場合について述べたが
、光カードに対しても同様に適用可能であシ、形状には
制限は無い。
、光カードに対しても同様に適用可能であシ、形状には
制限は無い。
以上述べたように本発明によれば、８８０ｎｍ以下の半
導体レーザと２次高調波発生素子を組み合せることによ
り、光学系がユニット化され小型になると同時に信頼性
も向上する。また、近年半導体レーザの大量生産化と長
寿命化によシ、装置コストカ安価とｆｒ、シ、ランニン
グコストも低く抑えることができる。更に、絞り込みビ
ーム径がＨｅ −Ｏｄレーザ、Ａｒ＋レーザを使用した
場合よりも小さくなるため、記録密度を向上させること
ができる。
導体レーザと２次高調波発生素子を組み合せることによ
り、光学系がユニット化され小型になると同時に信頼性
も向上する。また、近年半導体レーザの大量生産化と長
寿命化によシ、装置コストカ安価とｆｒ、シ、ランニン
グコストも低く抑えることができる。更に、絞り込みビ
ーム径がＨｅ −Ｏｄレーザ、Ａｒ＋レーザを使用した
場合よりも小さくなるため、記録密度を向上させること
ができる。
第１図は、本発明の光ディスク原盤記録装置の光学系の
構成図。 第２図は、従来の光ディスク原盤記録装置の光学系の構
成図。 第６図は、シラブレー社のポジレジストＡＺ−１３５０
の波長感度特性図ウ ド・・半導体レーザ ２・・・レンズ ３・・・レンズ ４・・・２次高調波発生素子 ５・・・光導波路 ６・・・レンズ ７・・・偏光ビームスプリッタ ８・・・４分の波長板 ？・・・対物レンズ １０・・・レンズアクチュエータ １）・・・レンズ １２・・・シリンドリカルレンズ １３・・・４分割Ｐ工Ｎフォトダイオード１４・・・ガ
ラス平板 １５・・・レジスト １６・・・原盤 １７・・・光学系 １００・・・ガラス原盤 １０１・・・移動光学テーブル １０２・・・変調系 １０３・・・モニタ系 １０４・・・対物レンズ １０５−Ｈｅ−Ｎ ｅレーザ １０６・・・記録用レーザ １０７・・・音響光学変調器 １０８・・・ＣＯＤカメラ 以 上 昂３図
構成図。 第２図は、従来の光ディスク原盤記録装置の光学系の構
成図。 第６図は、シラブレー社のポジレジストＡＺ−１３５０
の波長感度特性図ウ ド・・半導体レーザ ２・・・レンズ ３・・・レンズ ４・・・２次高調波発生素子 ５・・・光導波路 ６・・・レンズ ７・・・偏光ビームスプリッタ ８・・・４分の波長板 ？・・・対物レンズ １０・・・レンズアクチュエータ １）・・・レンズ １２・・・シリンドリカルレンズ １３・・・４分割Ｐ工Ｎフォトダイオード１４・・・ガ
ラス平板 １５・・・レジスト １６・・・原盤 １７・・・光学系 １００・・・ガラス原盤 １０１・・・移動光学テーブル １０２・・・変調系 １０３・・・モニタ系 １０４・・・対物レンズ １０５−Ｈｅ−Ｎ ｅレーザ １０６・・・記録用レーザ １０７・・・音響光学変調器 １０８・・・ＣＯＤカメラ 以 上 昂３図
Claims (2)
- （１）記録用レーザとして波長８８０ｎｍ以下の半導体
レーザを使用し、出力光を２次高調波発生素子に入射さ
せて前記波長を半分にしたのち、対物レンズにより原盤
に集光することを特徴とする光ディスク原盤記録装置。 - （２）原盤が平板上にレジストを塗布されたものである
か、もしくは平板上に光照射によりバブル形成可能な記
録媒体を成膜したものであることを特徴とする前記第１
項記載の光ディスク原盤記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193622A JPS6350928A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク原盤記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193622A JPS6350928A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク原盤記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350928A true JPS6350928A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16311001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193622A Pending JPS6350928A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 光デイスク原盤記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350928A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0383943A1 (en) * | 1988-09-01 | 1990-08-29 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and method of producing the same |
| EP0486192A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | International Business Machines Corporation | A semiconductor laser system with a non linear crystal resonator |
| EP0507523A2 (en) * | 1991-04-01 | 1992-10-07 | International Business Machines Corporation | Laser system |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61193622A patent/JPS6350928A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0383943A1 (en) * | 1988-09-01 | 1990-08-29 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and method of producing the same |
| US5179566A (en) * | 1988-09-01 | 1993-01-12 | Seiko Epson Corporation | Light-generating device and method of fabricating same |
| EP0486192A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | International Business Machines Corporation | A semiconductor laser system with a non linear crystal resonator |
| EP0507523A2 (en) * | 1991-04-01 | 1992-10-07 | International Business Machines Corporation | Laser system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1248203C (zh) | 全息照相术光信息记录再现装置 | |
| JPH05242521A (ja) | 光ディスクプレーヤ | |
| JPS6350928A (ja) | 光デイスク原盤記録装置 | |
| US7113472B2 (en) | Optical head including an active polymer film for switching voltage during recording and reproducing processes | |
| JPH0291829A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH0523411B2 (ja) | ||
| US5742567A (en) | Master optical disk recording apparatus | |
| JPH0580056B2 (ja) | ||
| JP2000298869A (ja) | 光学的ピックアップ・ヘッド | |
| JPS60234247A (ja) | 光ヘツド | |
| JPS6232532B2 (ja) | ||
| KR20010011518A (ko) | 근접장 광기록 및 재생장치 | |
| JP2921107B2 (ja) | 光学ヘッド | |
| JPH01315040A (ja) | 光ヘッド装置及び情報記録再生方法 | |
| JPS6161450B2 (ja) | ||
| JPH01138632A (ja) | 光学ヘッド | |
| JP2572783B2 (ja) | 光学的ピックアップ装置 | |
| JPS5897141A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPH0520709A (ja) | 光学式信号記録再生装置および光学式信号記録方法 | |
| JPH0830974A (ja) | 情報記録再生方法および装置 | |
| JPH0221058B2 (ja) | ||
| JPH04123318A (ja) | 光記録再生方法 | |
| Katayama et al. | Compact magneto-optical head module integrated with chip elements using double holograms | |
| JPH0520722A (ja) | 光記録方法 | |
| JPH10143909A (ja) | 光ピックアップ装置 |