JPS6350392A - エピタキシヤル成長法 - Google Patents
エピタキシヤル成長法Info
- Publication number
- JPS6350392A JPS6350392A JP19609586A JP19609586A JPS6350392A JP S6350392 A JPS6350392 A JP S6350392A JP 19609586 A JP19609586 A JP 19609586A JP 19609586 A JP19609586 A JP 19609586A JP S6350392 A JPS6350392 A JP S6350392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- substrate
- grown
- growth
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 title abstract 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明はエピタキシャル成長法によって基板上に複数種
類の半導体結晶を重ねて成長させるヘテロ構造を有する
薄膜結晶を成長させる方法に関する。
類の半導体結晶を重ねて成長させるヘテロ構造を有する
薄膜結晶を成長させる方法に関する。
［従来の技術］
基板上に例えばｐ型とｎ型の二種類の半導体結晶を成長
させる方法は■−ｖ族化合物においてスライドボート法
を用いてよく行われ、技術も確立している。スライドボ
ート法では成長用原料を収容する槽を複数個設けておく
と、その数だけの種類の成長用原料が用意でき、その数
だけの薄膜結晶を重ねていわゆるヘテロ構造を作ること
ができる。ただし、スライドボート法は開管法であるか
ら、蒸気圧の高い元素を構成成分とする場合にはそれが
蒸発して組成比にずれが出るので、使えない。蒸気圧の
高い成分を含む材料の場合は閉管法が使われ、傾斜（ｔ
ｉｔ）Ｉ）ｉｎＯ）法や浸漬（ｄｉｌ）ｌ）ｉｒｉｃｌ
）法がその代表的なものである。しかし、これらではそ
の構造から一種類の薄膜結晶を成長させ得るにずぎない
。
させる方法は■−ｖ族化合物においてスライドボート法
を用いてよく行われ、技術も確立している。スライドボ
ート法では成長用原料を収容する槽を複数個設けておく
と、その数だけの種類の成長用原料が用意でき、その数
だけの薄膜結晶を重ねていわゆるヘテロ構造を作ること
ができる。ただし、スライドボート法は開管法であるか
ら、蒸気圧の高い元素を構成成分とする場合にはそれが
蒸発して組成比にずれが出るので、使えない。蒸気圧の
高い成分を含む材料の場合は閉管法が使われ、傾斜（ｔ
ｉｔ）Ｉ）ｉｎＯ）法や浸漬（ｄｉｌ）ｌ）ｉｒｉｃｌ
）法がその代表的なものである。しかし、これらではそ
の構造から一種類の薄膜結晶を成長させ得るにずぎない
。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、ｎ−ｖｉ族系の化合物半導体では蒸気圧の高
い元素が多く、特に水銀を成分とするＨｇ１−ｘＣｄｘ
Ｔｅにおいては水銀の蒸発が著しい。このため開管法で
はＨｃ＋１−ｘＣｄｘｌ−ｅは所定の組成比、すなわち
Ｘ値を持つ薄膜結晶を得ることは極めて困難でおり、ま
してペテロ構造のものは不可能である。一種類の薄膜結
晶を得るのであれば閉管法によって可能である。従って
、二種類又はそれ以上の数の累積薄膜結晶を成長させる
には二回又はそれ以上の回数だけ結晶成長を繰り返せば
よいことになる。しかしながら、例えば傾斜法において
は一回の成長工程は、成長用閉管の準備、成長用原料の
閉管への装填、基板ホールダーへの基板の装着、基板ホ
ールダーの閉管への装填、閉管の排気と真空封入、成長
終了後の基板回収のための閉管の開封などからなり、複
数の薄膜層を成長させるには、これらの工程を全て複数
回繰り返さねばならず、その手間と時間ｔよ相当な仇と
なる。もし、二種類程度の薄膜成長ならば、手間をいと
わない向きもあろうが、出来れば一回で済むことが望ま
しい。しかしながら、こうした手間の問題よりももっと
重要な問題が起る。すなわち、複数の薄膜層を得るには
復数回だけこれら一連の工程を繰り返すのであって、一
つの薄膜層の成長終了後ごとに基板回収のため閉管を開
封することは既に述べた通りであるが、この開封の際に
は必ず空気に触れるので、酸化層が形成される。
い元素が多く、特に水銀を成分とするＨｇ１−ｘＣｄｘ
Ｔｅにおいては水銀の蒸発が著しい。このため開管法で
はＨｃ＋１−ｘＣｄｘｌ−ｅは所定の組成比、すなわち
Ｘ値を持つ薄膜結晶を得ることは極めて困難でおり、ま
してペテロ構造のものは不可能である。一種類の薄膜結
晶を得るのであれば閉管法によって可能である。従って
、二種類又はそれ以上の数の累積薄膜結晶を成長させる
には二回又はそれ以上の回数だけ結晶成長を繰り返せば
よいことになる。しかしながら、例えば傾斜法において
は一回の成長工程は、成長用閉管の準備、成長用原料の
閉管への装填、基板ホールダーへの基板の装着、基板ホ
ールダーの閉管への装填、閉管の排気と真空封入、成長
終了後の基板回収のための閉管の開封などからなり、複
数の薄膜層を成長させるには、これらの工程を全て複数
回繰り返さねばならず、その手間と時間ｔよ相当な仇と
なる。もし、二種類程度の薄膜成長ならば、手間をいと
わない向きもあろうが、出来れば一回で済むことが望ま
しい。しかしながら、こうした手間の問題よりももっと
重要な問題が起る。すなわち、複数の薄膜層を得るには
復数回だけこれら一連の工程を繰り返すのであって、一
つの薄膜層の成長終了後ごとに基板回収のため閉管を開
封することは既に述べた通りであるが、この開封の際に
は必ず空気に触れるので、酸化層が形成される。
ざらには他の汚れなどが付着するなど薄膜層の表面は汚
染される。一般にこうしたエピタキシャル成長では成長
に先立ってクリーニングと称して基板などの表面層を成
長用原料を用いてメルトバックし、汚れを取り去る工程
が含まれる。このメルトバックは基板のように相当の厚
さのめるものであれば、少々の行き過ぎは許されるが、
エピタキシャル成長させたような数μｍという薄さの結
晶膜ではそれは許されず、事実上クリーニングは不可能
となる。従って、ここに述べた封入法を用いた閉管法で
は複数の結晶膜層を成長させることはできない。このこ
とは従来の浸漬法も同様である。
染される。一般にこうしたエピタキシャル成長では成長
に先立ってクリーニングと称して基板などの表面層を成
長用原料を用いてメルトバックし、汚れを取り去る工程
が含まれる。このメルトバックは基板のように相当の厚
さのめるものであれば、少々の行き過ぎは許されるが、
エピタキシャル成長させたような数μｍという薄さの結
晶膜ではそれは許されず、事実上クリーニングは不可能
となる。従って、ここに述べた封入法を用いた閉管法で
は複数の結晶膜層を成長させることはできない。このこ
とは従来の浸漬法も同様である。
本発明は従来の開管法や閉管法では不可能であった蒸気
圧の高い元素を成分として含む材料を用いて複数の薄膜
結晶層を基板上に成長させる方法を提供することを目的
とする。
圧の高い元素を成分として含む材料を用いて複数の薄膜
結晶層を基板上に成長させる方法を提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は浸漬法を用いたエピタキシャル成長法によって
基板上に複数種の半導体結晶を重ねて成長させるペテロ
構造を有する薄膜結晶を成長させる方法において、成長
炉の中に複数種の半導体結晶材料を各々収容した複数の
容器を設置し、はじめに第１の容器中で一種類目の結晶
を基板上に成長させ、次いでこれを第２の容器に移動さ
せてその容器中で二種類目の結晶を一種類目の結晶に重
ねて成長させる工程を繰り返し行うことにより複数種の
薄膜結晶を重ねて成長させることを特徴とするエピタキ
シャル成長法である。
基板上に複数種の半導体結晶を重ねて成長させるペテロ
構造を有する薄膜結晶を成長させる方法において、成長
炉の中に複数種の半導体結晶材料を各々収容した複数の
容器を設置し、はじめに第１の容器中で一種類目の結晶
を基板上に成長させ、次いでこれを第２の容器に移動さ
せてその容器中で二種類目の結晶を一種類目の結晶に重
ねて成長させる工程を繰り返し行うことにより複数種の
薄膜結晶を重ねて成長させることを特徴とするエピタキ
シャル成長法である。
［発明の原理］
本発明の原理は次の如くである。すなわち、複数の結晶
材料を収容するための複数の容器を設置することが出来
る閉管法としては浸漬法が挙げられる。これはよく知ら
れているように第２図の固定した材料容器１に対して可
動な基板ホールダー２が配されており、容器中で成長用
材料３が溶解され、成長に適する温度になったときに、
基板４を装着したホールダ−２を動かして基板４を材料
３中に浸漬して結晶を成長させるという方法である。本
発明はまず第１の容器中の材料が成長適温になったなら
ば基板を装着した基板ホールダーを下降させてこれに浸
漬させ、基板上に結晶成長を行わせる。所定の厚さの結
晶膜が得られたならば、基板ホールダーを上方に動かし
て基板を容器中の材料から引き上げる。次に基板ホール
ダーを回転させて一種類目の結晶が成長している基板を
第２の容器の上方に位置させる。第２の容器中の材料が
成長適温になったならば、基板ホールダーを下降させて
これに浸漬させ、一種類目の結晶上に二種類目の結晶を
所定の厚さだけ成長させる。このような手順を繰り返し
て複数種類の結晶を重ねて成長させるものである。ここ
で、注目すべきことは、一つの材料容器から次の材料容
器に移るときに成長した結晶の表面が成長炉の中の雰囲
気、例えば不活性ガス、還元性ガスあるいは真空などに
触れるのみで、空気や他の汚染源に決して触れなないこ
とにおり、これも本発明の特徴の一つとなっている。
材料を収容するための複数の容器を設置することが出来
る閉管法としては浸漬法が挙げられる。これはよく知ら
れているように第２図の固定した材料容器１に対して可
動な基板ホールダー２が配されており、容器中で成長用
材料３が溶解され、成長に適する温度になったときに、
基板４を装着したホールダ−２を動かして基板４を材料
３中に浸漬して結晶を成長させるという方法である。本
発明はまず第１の容器中の材料が成長適温になったなら
ば基板を装着した基板ホールダーを下降させてこれに浸
漬させ、基板上に結晶成長を行わせる。所定の厚さの結
晶膜が得られたならば、基板ホールダーを上方に動かし
て基板を容器中の材料から引き上げる。次に基板ホール
ダーを回転させて一種類目の結晶が成長している基板を
第２の容器の上方に位置させる。第２の容器中の材料が
成長適温になったならば、基板ホールダーを下降させて
これに浸漬させ、一種類目の結晶上に二種類目の結晶を
所定の厚さだけ成長させる。このような手順を繰り返し
て複数種類の結晶を重ねて成長させるものである。ここ
で、注目すべきことは、一つの材料容器から次の材料容
器に移るときに成長した結晶の表面が成長炉の中の雰囲
気、例えば不活性ガス、還元性ガスあるいは真空などに
触れるのみで、空気や他の汚染源に決して触れなないこ
とにおり、これも本発明の特徴の一つとなっている。
［実施例］
次に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。第
１図は本発明に用いた結晶成長炉の概略図である。この
浸漬型エピタキシャル結晶成長装置は耐圧性石英ガラス
管５の上下開口端をステンレス鋼部材６および７で密閉
し、内部が真空および高圧に耐えられるようなｌ造にな
っており、その減圧および加圧はバルブ８を通して行わ
れる。
１図は本発明に用いた結晶成長炉の概略図である。この
浸漬型エピタキシャル結晶成長装置は耐圧性石英ガラス
管５の上下開口端をステンレス鋼部材６および７で密閉
し、内部が真空および高圧に耐えられるようなｌ造にな
っており、その減圧および加圧はバルブ８を通して行わ
れる。
この装置の上部から］入している基板ホールダ−２′は
上下動及び軸のまわりに回転可能である。
上下動及び軸のまわりに回転可能である。
そしてその炉内での長さの中程で図のように二つの屈曲
部を有し、その下部は再び上部と平行になっており、下
端には基板４が取りつ【ブられるようになっている。こ
の基板ホールダ−２′の下方には二種類の結晶成長用材
料３および３′が入っている材料容器１および１′が設
置されており、各々の中心は基板の中心が描く円周に位
置するようになっている。
部を有し、その下部は再び上部と平行になっており、下
端には基板４が取りつ【ブられるようになっている。こ
の基板ホールダ−２′の下方には二種類の結晶成長用材
料３および３′が入っている材料容器１および１′が設
置されており、各々の中心は基板の中心が描く円周に位
置するようになっている。
本実施例において、基板はＣｄＴｅ単結晶板でおり、二
種類の結晶成長用材料は成長させようとする結晶膜がｎ
型ならびにｎ型のＨｑＣｄＴｅであるから、一種類目の
材料ではＨｇの量を少し減少させ、二種類目の材料では
Ｈｇの量を少し増加させておる。結晶材料を溶解させる
ためのヒーターは各容器に付属しており、成長炉全体を
適温に保つためのヒーターも石英ガラス管５を取り巻い
ているが、図面の簡略化のためいずれも省略しである。
種類の結晶成長用材料は成長させようとする結晶膜がｎ
型ならびにｎ型のＨｑＣｄＴｅであるから、一種類目の
材料ではＨｇの量を少し減少させ、二種類目の材料では
Ｈｇの量を少し増加させておる。結晶材料を溶解させる
ためのヒーターは各容器に付属しており、成長炉全体を
適温に保つためのヒーターも石英ガラス管５を取り巻い
ているが、図面の簡略化のためいずれも省略しである。
結晶成長は次の手順で行なう。まず、蒸気圧の高いＨＱ
の蒸発を抑えるため、バルブ８によって成長炉内の空気
をアルゴンで置換した後、炉内が５００℃になったとき
、１５気圧となるようにアルゴンで加圧した。次に、一
種類目の結晶成長を行うため、ヒーターの加熱により結
晶材料３を溶解し、成長適温に温度コントロールした。
の蒸発を抑えるため、バルブ８によって成長炉内の空気
をアルゴンで置換した後、炉内が５００℃になったとき
、１５気圧となるようにアルゴンで加圧した。次に、一
種類目の結晶成長を行うため、ヒーターの加熱により結
晶材料３を溶解し、成長適温に温度コントロールした。
そして通常の浸漬法の如く基板ホールダ−２′を下降さ
せて基板４を結晶材料３の中へ浸漬し、毎分０．０５℃
の速さで降温しながら基板上に結晶膜を２０μｍ程度成
長させた。約４０分後、基板を結晶材料３から引き出し
、基板ホールダーを回転させて二種類目の結晶材料３′
の上方に位置させ、結晶材料３′が融解して成長適温に
なったならば基板４をその中に浸漬させた。そして前と
同速度で降温しながら一種類目の結晶膜上に二種類目の
結晶膜を３μｍ程度成長させた後、基板を引き上げて結
晶材料３′から離し、成長炉の温度を常温まで降下させ
て結晶成長を終了した。二種類の結晶膜が成長した基板
をその表面に垂直な面で襞間し、その面内をＸＭＡで調
べたところ、基板上に成長したＨＣｌＣｄＴｅ膜の厚さ
は約２５μｍでおり、所定の厚さより厚かったが、これ
は成長速度の誤差に基くものであろう。又、一種類目の
結晶膜と二種類目との境界はこの方法では認めることは
出来なかったが、原因は両者の差が、Ｈｇが僅か多いか
少ないかの差だけであるため、Ｘ〜ｉＡでは検知出来な
いためである。尚、これらの結晶膜が各々ｎ型及びｎ型
でおることは、予備実験として各々を独立にＣｄＴｅ基
根上に成長させた試料についてホール測定した結果確認
されている。
せて基板４を結晶材料３の中へ浸漬し、毎分０．０５℃
の速さで降温しながら基板上に結晶膜を２０μｍ程度成
長させた。約４０分後、基板を結晶材料３から引き出し
、基板ホールダーを回転させて二種類目の結晶材料３′
の上方に位置させ、結晶材料３′が融解して成長適温に
なったならば基板４をその中に浸漬させた。そして前と
同速度で降温しながら一種類目の結晶膜上に二種類目の
結晶膜を３μｍ程度成長させた後、基板を引き上げて結
晶材料３′から離し、成長炉の温度を常温まで降下させ
て結晶成長を終了した。二種類の結晶膜が成長した基板
をその表面に垂直な面で襞間し、その面内をＸＭＡで調
べたところ、基板上に成長したＨＣｌＣｄＴｅ膜の厚さ
は約２５μｍでおり、所定の厚さより厚かったが、これ
は成長速度の誤差に基くものであろう。又、一種類目の
結晶膜と二種類目との境界はこの方法では認めることは
出来なかったが、原因は両者の差が、Ｈｇが僅か多いか
少ないかの差だけであるため、Ｘ〜ｉＡでは検知出来な
いためである。尚、これらの結晶膜が各々ｎ型及びｎ型
でおることは、予備実験として各々を独立にＣｄＴｅ基
根上に成長させた試料についてホール測定した結果確認
されている。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように本発明を用いることにより、
蒸気圧の高い材料を含む結晶材料もスライドボート法に
よるような組成のずれがなく、又、一つの結晶膜と次の
結晶膜との間に空気などが触れる余地がないため両者間
に酸化膜などが発生せず、円滑な接合面が得られる効果
を有するものである。
蒸気圧の高い材料を含む結晶材料もスライドボート法に
よるような組成のずれがなく、又、一つの結晶膜と次の
結晶膜との間に空気などが触れる余地がないため両者間
に酸化膜などが発生せず、円滑な接合面が得られる効果
を有するものである。
第１図は本発明の結晶成長炉の概略図、第２図は従来の
浸漬法の成長炉の原理図である。 １．１′・・・材料容器 ２，２′・・・基板ホールダ
ー３．３′・・・結晶材料 ４・・・基板５・・・石英
ガラス管 ６．７・・・ステンレス鋼部材８・・・バ
ルブ 第２図
浸漬法の成長炉の原理図である。 １．１′・・・材料容器 ２，２′・・・基板ホールダ
ー３．３′・・・結晶材料 ４・・・基板５・・・石英
ガラス管 ６．７・・・ステンレス鋼部材８・・・バ
ルブ 第２図
Claims (1)
- （１）浸漬法を用いたエピタキシャル成長法によって基
板上に複数種の半導体結晶を重ねて成長させるヘテロ構
造を有する薄膜結晶を成長させる方法において、成長炉
の中に複数種の半導体結晶材料を各々収容した複数の容
器を設置し、はじめに第１の容器中で一種類目の結晶を
基板上に成長させ、次にこれを第２の容器に移動させて
その容器中で二種類目の結晶を一種類目の結晶に重ねて
成長させる工程を繰り返し行うことにより、複数の種類
の薄膜結晶を重ねて成長させることを特徴とするエピタ
キシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19609586A JPS6350392A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19609586A JPS6350392A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | エピタキシヤル成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350392A true JPS6350392A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16352131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19609586A Pending JPS6350392A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922126A (en) * | 1996-05-31 | 1999-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus, and its wafer holder |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4939221A (ja) * | 1972-08-23 | 1974-04-12 | ||
| JPS6283398A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | Showa Denko Kk | 液相エピタキシヤル成長装置 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19609586A patent/JPS6350392A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4939221A (ja) * | 1972-08-23 | 1974-04-12 | ||
| JPS6283398A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | Showa Denko Kk | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5922126A (en) * | 1996-05-31 | 1999-07-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor liquid phase epitaxial growth method and apparatus, and its wafer holder |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4642142A (en) | Process for making mercury cadmium telluride | |
| JP2754765B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| Bowers et al. | Comparison of Hg 0.6 Cd 0.4 Te LPE layer growth from Te-, Hg-, and HgTe-rich solutions | |
| JPS6350392A (ja) | エピタキシヤル成長法 | |
| JP2746497B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Ivanov‐Omskii et al. | The epitaxial growth of CdxHg1− xTe from stoichiometric melts. Crystallization and diffusion | |
| JPH0310595B2 (ja) | ||
| GB2243242A (en) | Growing liquid phase epitaxial layers on a substrate | |
| US5264190A (en) | Liquid phase epitaxial film growth apparatus | |
| US3697338A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| JPH0338736B2 (ja) | ||
| JP3848409B2 (ja) | ＺｎＳｅエピタキシャル基板およびその製造方法 | |
| JP2556159B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法 | |
| Yasuda | Epitaxial Growth of Silicon Films on Sapphire and Spinel by Vacuum Evaporation | |
| JP2700123B2 (ja) | ＨｇＣｄＴｅの液相エピタキシヤル成長方法及びその装置 | |
| JP3193070B2 (ja) | 酸化物超電導体膜を半導体上に形成する方法 | |
| JPH02263432A (ja) | エピタキシャル結晶の製造方法 | |
| Nishitani et al. | An improved LPE growth method for GaAs-Ga1-xAlxAs double heterostructures | |
| JP3030584B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法および製造装置 | |
| US4774904A (en) | Multiple-layer growth of plural semiconductor devices | |
| JPS621358B2 (ja) | ||
| JPS5934137Y2 (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS6381918A (ja) | 混晶の製造方法 | |
| JPH03273617A (ja) | 結晶育成方法 | |
| JPH0348431A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長装置 |