JPS63502067A - フアイバ・オプテイックレ−ザ及びその増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ファイバ・オプティックレーザ及びその増幅器技術背景 器の改良に関するか、若しくはそれらに関連するものの改良に関するもので、こ れらは有効利得が放射線のＨ’９放出によって供給されるタイプの能動デバイス である。これらのデバイスは、能動ドーパンツイオンの配分が合同される所定の 長さのファイバと、前記ファイバに結合されたオプティカル・ボンピングソース から成る。

ハイブリッド半導体−ダイオード及びオプティカルファイバ技術は、共に良く進 歩されている。しかしながら、これらの技術の要素の十分な統合は、尚、成就さ れるべきである。

これらは、能動デバイスのために必要とされるものであり、シングル・モードフ ァイバシステムに容易に両立可能であると共に、これらの技術を僑轄することが できる。

１且呈１ マルチモードファイバ・ジオミトリレーザの詳細は、最近１０年間（１９７３年 ）の初期に発表されたものである。背景として、興味のある読本は、Ｊ、　５ｔ ｏｎｅ及びＣ，Ａ、　Ｂｕｒｒｕｓによる以下の論説に参照される。すなわち、 ”ＮｅｏｄｙＩｌｉｕｎＡｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ　２３　ｐｐ　３８８− ３８９　（Ｏｃｔ　１９７３）；及び“Ｎｅｏｄｙｎｉｕｎ　−Ｄｏｐｅｄ　Ｆ ｉｂｒｅ　Ｌａ５ｅｒｓ：　Ｒｏｏ［ｌＴｅ１！ｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃ＊０ｐｅ ｒａｔｉｏｎ　ｗｉｔｈ　ａｎ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌａ５ｅｒ　Ｐｕｎｐ” 、Ａｐｐｌ　０ｐｔｉｃｓ１３　ｐｏ　１２５６−１２５８　（Ｊｕｎｅ　１９ ７４）である。前記レーザは、８００から１５ミクロンに及ぶコアの直径に伴っ たファイバ（長さ約ＩＣＩ＞のスタブ長から成ると述べられる。連続的（ＣＷ） 放射作用は、オプティカルボンピングソースとして端結合ガリウム砒化物（Ｇａ Ａｓ）注入レーザの使用が実証される。

にもかかわらず、重要な進歩は、シングル・モードファイバ技術、及びその時以 来１０年以上の出来事に於いて作成し、現在までシングル・モードファイバシス テムに伴って十分に両立可能な無ファイバ・レーザが開発されてきた。

１豆皮皿ｊ この発明は必要な前述のものをａｔζすため、及びシングル・モードｍｔＮが可 能であると共にシングル・モードファイバシステムと両立可能なファイバ・レー ザ若しくはその増幅器を提供するためである。

この発明に従って、利得が放射線の誘導放出によって提供されるタイプのファイ バ・オプティックレーザ若しくはその増幅器である能動デバイスであって、この デバイスは、能動ドーパントイオンに合同するクラッドされた所定の長さのグラ スファイバと、結合されたオプティカルポンプソースを具備し、前記ファイバは シングル・モードジオミトリであると共に、放射波長でシングル横モード伝播を 支持することを可能にし、前記能動ドーパントイオン、希土類のイオン若しくは 転換金属は低レベルの一球なａ度で前記ファイバに合同され、前記ファイバは超 低損失群を提供するζ互ｉユ亘上ヱＡデバイスが提供される。

それは前記シングル・モードジオミトリのファイバとして使用するために便利な ものであり、ファイバはステップ・インデックスプロフィールを有している。し かしながら、シングル・モードファイバの他のタイプは、この発明の範囲から除 外されないものであると共に、偏光持続ファイバ、偏光ファイバ、散乱移動ファ イバ及びヘリカル・コアファイバの形状であってもよい。ドーパンツはｆＪａ記 ファイバコア、クラッドするファイバ、また（よ両名で合同され得る。より多く のドーパントの種類は、デバイス可転性を広げるために合同されることができる 。

そのうえ、多くの不動ファイバデバイスは、スペクトル制御またはテムボラルス イッチングを提供するために、前記能動デバイスに伴った統合に於いて使用する ことができる。

１、　回折格子は、フィールドが化学的または□械的手段によりてクラッドされ るファイバを移動することにより、伸ばされてきた後の）？イバにデポジットす る。前記レーザの狭スペクトル綜は、それ故に青ることができる。

２、　縦または横の何れかの前記ファイバレーザの７コースト・オプティック変 調番よ、圧電気材料よｌ；は音波を使用している。スイッチングまたは変調は故 に為遂げることができ、空洞Ｑ−スイッチング及びモード゛・ロッキングを含ん でおり、そして、 ３、　ファイバロ光器は、フィールドデバイスを伸ばすか、または出力偏光状態 を！’Ｊｔｌｉｌするために使用することができるシングル偏光ファイバを使用 しているかの何れかである。

新規ノ製造工程（Ｓ、　Ｂ、　Ｐｏｏｌｅ　ｅｔ　ａｌ　“Ｆａｂｒｉｃａｔｉ ｏｎ　ｏｆｌｏｗ−１ｏｓｓ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｒａｒ ｅ−ｅａｒｔｈ　１ｏｎｓ″。

Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｌｅｔｔ　２１　ｐｐ　７３７−７３８　（１９８５））を 使用することによって、それは９００ｐｐｍに対して一楊な低ドーパントと度上 昇に伴うシングル・モードファイバをｉＩｙ＠−＋るために現在可能なものであ り、低損失を持続する間は現代の遠距離通信ファイバ（すなわち≦４０ｄＢ／ｂ 及び代表的に〜１　＃／／ｍ　＞の特性である。これらのファイバは、溶融カッ プラ、偏光器、フィルタ及び位相変調器（例えば、シングル偏光動作、波長選択 、モードロッキング及びＱスイッチングを馬連げるため）のようなファイバデバ イスが存在するに伴って十分に両立できるものであり、そしてその結果として新 規の全ファイバレーザ／増幅器技術を観察するために可能である。

この中で考えられるものとして、シングル・モードファイバレーザ及びその増幅 器は、これらの大部分の相対物に渡る多数の利益を所有する。これらの小さなコ ア（代表的に直径８ｕｌＸ下）の効力によって、非常に低いＢ値（〜１００ＪＪ Ｉ４）及び高利得を馬連げることができる。ま１ζ、代表的に７？イバ全体の直 径は約１００μであり、熱効果は最小となるべく試みられる。

これらの特質の結果として、有効なレーザ作用または増幅器利得は、一層平凡で ない希土類転換金属ドーパンツのため、及び平凡でないオプティカル転換のため に作り出すことができるものであり、すなわち複雑化した約記牙プテイカル転換 は本質的に弱いものである。’ＬＡの通読的なレーザ動作は、パルスモードでの み前述して作用してきた３−レベルレーザシステムのために可能に見出してきた 。

故に、ｉな記ドーパント濃度は低くなり、製造は経済的にできる。代表的なデバ イスは、ドーパント酸化物の０．１ＪＪｇと同祿に小さく使用することができる 。

とはいえ、それとなく、この中で考えられるものとして、最低ドーパ２８２度レ ーザ及びそのｍ幅器で、相対的に長い長さ、例えば５　ｃｔｎと、最大は少なく とも３００ｍのファイバを合同し、（前記ファイバの長さはクラッドされたモー ドフィルタとして供給すると共に利得が配分される）、コンパクトデバイスを作 り出すことができる。巻かれた１ＴｒＬの長さのファイバレーザはＩｃｍ”内に 容易に適応することができる。

ファイバ群中央として選択されたならば、シリカは良好の出力ハンドリング特性 を有する。更に高シリカガラス群の存在に於いて、希土類のオプティカル転換ま たは転換金属ドーバンツは実質上伸ばされる。これは、調整可能なレーザ及び広 帯域増幅器の両者の実状を以下に詳述する。

最高の希土類ドーパンツ及び幾つかの転換金属ドーパンツは、現在試験的に調査 してきた。著しり、損失の全ての表示窓は、高損失吸収帯に極めて接近するにも かかわらず低いものである。これは、極端に長い増幅器及びレーザの構造を可能 にする。３００７７Ｌの長さのレーザは、現在試験中である。

要約すると、前記能動デバイスは、これらが！！傷なしの高出力を処理すること ができることによって、遠距離通信応用のために改善されたソース／増幅器を提 供するこの中で考處供する他のファイバデバイス（例えば回折格子）に関連して もよい。非直線効果は、ファイバレーザに於いて得られるオプティカル出力レベ ルで容易に馬連げることができることもまた注意すべきで、多くの同時式レーザ 及び非直線効果の開光ができる。

ＬＵ立鼠皇皇ｊヱ この明１［１出に添付する図面に於いて、第１図は、ダイオード注入ファイバフ ァプリー・ベローレーザのための試験的な配置を示す概略平面図、第２図は前述 の図面の前記レーザのために測定されるポンプパワーの様能として出力パワーを 表してりるグラフ、第３図はＱスイッチ空洞レーザを示す概略平面図で、前述の 第１図の前記レーザと異なったものであり、第４図は調整可能な空洞レーザを示 す概略平面図で、第１図及び第３図のレーザとは異なるものであり、第５図はシ リカをドープされたネオジミウム−、エルピウムーー及びテルビウム−のための スペクトルの吸収を表すグラフ、 第６図及び第７図はファイバをドープしたエルビウムのための及びブラセオミジ ウムーのためのスペクトルの放射線を示すグラフであり、これらはこれらのファ イバを含んでいるレーザに応じた調整を示すものであり、第８図はファイバリン グ空洞レーザをポンプした色素レーザのための試験的な配置を示す概略平面図、 第９図は前述の図面に示される前記リング空洞レーザの出カスベクトルを表すグ ラフ、 第１０図はドープされたファイバ増幅器を示す概略平面図である。

Ｘ１」日とｊ里 この発明をより理解することができるために、その実施例が詳述されると共に参 照文が添付の図面に対して作成される。

次の説明は、例によってのみ供給される。

いま、図面を参照すると、ゲルマニア／シリカコアのシングル・モードジオミド リステップ・インデックスプロフィールファイバは、３００　ｐ　ｐ　ｍ″のＮ ｄ３−に伴りてドープし、１シの遮断波長及び１％のインデックス差異は、１９ ８５年８月１３日付の英国の先願の特許出願番号第８，５２０，３００号に述べ られた方法を使用してＩ！４成されたもので、前文に言及した記事“Ｆａｂｒｉ ｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｉｏｖ、−１ｏｓｓ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｂｒｅｓ　ｃ ｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｒａｒｅ−ｅａｒｔｈ　１ｏｎｓ″に出版される詳細を発 表する。要約すると、高純度で水酸化されたネオジミウムトリチロライドは、修 正気層成長（ＭＯＶＤ）方法の間ドーパントソースとして使用される。前記トリ チロライドは、塩素染色ガスの存在に於ける第１の無水化物であると共に、キャ リアチャンバの壁に対して溶ムする。

５ｉ０２−８２０３のようなりラッドされているガラス部材は、在来的な手法で 熱されたシリカチューブの内壁にデポジットされる。それ以来、Ｊｉｆｆ記キャ リアチャンバは所望の気圧を得るために約１０００℃に予熱される。コアデボシ ソジョン間に、反応体（代表的にＧｅＣｌ４及び５ｉＣ１４）は酸素と共に混合 され、且つ前記熱されたドーバントチセンバを通過される前記希土類ハロ、ゲン 化物の制御されたＱが、前記ガスの流れに浮遊される。前記ＭＣＶＤ熱範囲の温 度（ま、デポジットされたコアガラス層が溶融するために十分に熱されないよう に選択される。この本質的な特徴は、溶解よりＩｉｌに前記材料の更なる乾煙を 可能にする。この後者の乾燻ステップは、９００℃で熱するこ版される詳剖を発 表すとを延期することによって行われるか、または例えば塩素ガスの流れの存在 に於けるものである。非焼結された層は、ガラス状の層を形成するために溶ける ものであり、プリフォームは１０４＠シ、そしてファイバは記述されたジオミト リに描かれる。

ファイバ１は２ｍの長さで、８２０ｎｎのポンプ波長での５ｄＢ／ｍの吸収作用 が選択された。このファイバのための放射波長（１，０８８ｐＬ）での損失は、 ４ｄ３／−であった。第１図は試験的な配置を示す。ファイバ端３．５は、放射 波長ブのための高透過率（〜８０％）に付着すると共に直接に接触する。上昇さ れた空洞の純粋度のため、それは前記ファイバ端角度を最小にするために本質的 であり、それ故に約記鏡に伴って詳細な接触を確実にする。トウールタイプ番号 第００７号を固く結合するヨーク技術が使用されると共に、前記゛ファイバ端３ ．５が前記須７．９に対する屈折率整合以前に探索される。二も択一的に、反射 的なコーティング、例えば多層誘電体コーティングは、前記ファイバ端面上へ直 接にデポジットすることができる。

端ボンピングは、シングル・モードＧａＡＩＡＳレーザ１１（）ｌｉｔａｃｈｉ 　ＨＬＰ　１４００）によるものであり、それはレンズ配置１３．１５によって 焦点が合わされ、且つ１６％の効率のファイバ中に送出される。放射閾値は、６ ００ｐＷの総合半導体レーザパワーのために観察される。これは、長さ２ｍのフ ァイバ１で、１００ｐＩＡのみの評価され吸収されたポンプ・パワーに応すると 共に、非常に低い空洞内損失の徴候である。

前記ファイバレーザのためのポンプパワーの低能としての出力パワーは、第２図 に示される。前記出力の不飽和は、最大有効（２０＋ｍ１４）に上げるポンプパ ワーで観察された。減ぜられた耐撃係敗での前記レーザの動作は、放射＠値に於 いてＢ減少を供給し、熟効串を無視してよいとりうことを表示する。前記ファイ バレーザは、前述のネオジミウムがドープされｌζガラスレーザとは灰なって、 予備冷却なしにＣＷを容易前記ポンプの変調は緩和振ｖＪを作り出す。

前記ファイバレーザの動作の波長は、１．０８８μｓとなるべく測定されたもの で、すなわち、在来的なネオミジウムガラスレーザのために予期するよりも、艮 ざ略３’Ｏｎｌ′Ｉの波長によってシフトされる。

前記ドープされたファイバ（１）で継ぐか、または形成し得る、ということを注 意する。

前述のレーザ空洞は、Ｑ−スイッチングを供給するために限定することができる 。代表的な配置は、第３図に示される。

ここで、マイクロスコープ対物レンズ１７、アコ−スト・オプティックデフレク タ１９及び出力鏡２１は、第１図の隣接した鏡９の位置で使用される。試験配置 に於いて、ファイバ１は以下の特性を有して使用される：直径３．５−のコア、 ０．２１のＮＡ、長さ３．２ｍそして９７％のポンプ波長（３００ｐｐｍ　ｎｄ ！　”含有量に一致する）での総合吸収である。前記放射波長＜１．０８８７Ｆ Ｌ）での損失は、無視してよい（１０ｄＢ／ｂ＞ものであった。約記ファイバ瑞 ３，５は、固く結合されると共に−＠３が入力誘電体鏡７に接触する。この鏡７ は、前記ポンプ波長での高伝送（Ｔ−８５％）及び前記放射波長での高反射力（ Ｒ−９９，８％）を有する、と（Ａえども低反射力説は有利に使用することがで きる。前記ポンプソース１１は前述のように使用されたもので、且つ光が略２５ ％の効率でファイバの中に送出された。前記ＣＷ閾値は、吸収された３、７ｍ１ ４である。前記アコ−スト・オプティックデフレクタ１９は、伝送モードで使用 されたもめで、高Ｑ状態は２μｓ持続パルスに伴って供給されたＲＦを電子的に 移動することによって為遂げられる。前記出力鏡２１は、１２％の前記放射波長 での伝送を有したこの配置に於いて使用される。パルス繰返数は、シングルショ ットと出力パワーまたはパルス持続のピークに於いて無変更で４ｋＨｚ間で可変 となる。

１：３００のマーク・父ベース比に伴った様械的チョッパは、Ｑスイッチングの 二者択一的な方法を提供するために前記空洞に置換される。前記放射波長での６ ５％の伝送の出力！ｉ２１を使用することによって、３００１１１４以上のビー クパワー、の出力パルス、及び４００　Ｈｚの繰返数での５００ｎＳのＦ　Ｗ　 ＨＭが、そのときに得られる。飽和可能な吸収器は、Ｑ−スイッチング及びモー ド・ロッキングのためにも使用することができる。多分、これは追加的なドーパ ントとして前記ファイバ内部に合同することができる。

第３図の前記Ｑ−スイッチング配置は、第４図に示されるように、ビームスプリ ッタ２３及び反射回折格子２５を追加することができる。

試験的な配置の分析として、５１４ｎｎでの１５ｃ９／ｍ不飽和吸収に伴りて長 さ５７７ＬでＮｄ３＋をドープしたファイバ１は、利得中位として使用される。

アルゴン・イオンレーザは、ポンプソースとして使用される。オプティカルフィ ードバックは、平面入力鏡７　（Ｒ＞９９％　＠１．０９ｕ；Ｔ＝８０％　＠５ １４ｎ１１）及び回折格子２５　（６００列／＃、１−で示される）で提供され る。空洞内ｙ股は１曲記ビームスプリツタ／出力カツプラ２３として使用される 。約記欣躬波長は、前記回折格子２５の角度を変えることによって選択すること ができる。前記レーザは広く調整可能であり、１０６５ｎｎから１１４５ｎｉの ８００１の範囲に渡って調整可能である。閾値は、前記ファイバで吸収された１ ０１のみに応する２５１１Ｗ入力で生じる。パルス及びＣＷ動作が説明された。

他の希土類または伝逆金属ドーパンツは、述べられた技術を使用するファイバに 合同することができ、特定のハロゲン化物ドーパントＩＢＭ駆物質を使用する。

これらはまた、実際的なポンプ波長での高吸収帯及び有効な放射緑波長での低損 失窓を表す。これは、第５図、の希土類エルビウム（Ｅｒ”）及びテルビウム（ Ｔｂ３　”　）に図解される。

第４図の同様の配置は、エルビウムがドープされたファイバのために試験してき た。前記ファイバ１はＮ５１４ｎｌでの１０ｄＢ／ｍの不飽和吸収に伴う９０ｃ ｉの長さであった。これは、入力誘電体鏡７（Ｒ＝８２％　＠１．５４ｕ；Ｔ＝ ７７％　＠５１４ｎ１１）に接触するものであった。また、６００列／闇の６ｆ ｆ記回折格子は、１．６−で示される。十分調整している１、５２８から１．５ ４２と、１．５４４から１．５５５ｕとによる２５ｎ１の範囲は、閾値（３０１ ｍＷ）のそ長範囲の殆んどに及ぶ。ブラセオジミウムがドープされたファイバも また、調整できる。５９０ｎｎでの色素レーザの使用、及び１０４８ｎ１ｇ−１ １０４８ｎ１の調！！範囲６１ｎ１の回折格子が示される１−は、ＣＷＲｈ６Ｇ 色素レーザの使用が得られてきた。前記閾値は、吸収パワー１０１で生じた。

ファイバ１の長さは、コンパクトな徂合わせを供給するために巻くことができる 。それは、リング空洞レーザ構造を構成するために可能なものであり、その例は 第８図に示される。

ここで、ファイバリング２７（直径７０ｃｇ＋）は、Ｎｄ３　”をドープしたフ ァイバから作成した溶融した逓変カンプラ２９の２つの部分を共に継ぐことによ って作り出される。前記カップラ２９は、前記リング２７の中に結合された５　 ９５　ｎｌｌでの色素レーザポンプ３１のパワーの８０％を超えるために設計さ れたもので、一方、回遊によって１０％未渦の放射波長が抽出される。カップラ 損失は、６３３　ｎＷ　（ファイバマルチ・モード）で３（１８となるべく測定 されるもので、１μｓで１　ｄＢであった。

前記ファイバは、前述の実施例（第１図）に於いて使用されたものであり、にも かかわらす５９５ｒ＋ｎの色素レーザポンプ波長での吸収は、相当に高い＜３０ ｄＢ／ｉ）ものであった。

このリングレーザ惧造に於いて、前記ポンプ放射！ａはリード１ではなく、前記 リング２７内に大部分吸収されるべきである。

それは、１つのドープされない及び１つのドープされたファイバから、前記カッ プラ２９を構成するための利点となり、このような前記リードは前記ポンプ波長 で吸収されな（１゜放射閾値は、８０ｎＨの色素レーザポンプパワーで観察され るもので、それはカップラ損失及びリード吸収のためであり、前記リングで吸収 された数ミリワットに相当する。２８０１１Ｗの最大色素レーザパワーで、（リ ング吸収２０１Ｗで概算）、前記リング・レーザ出力は２１である。双方向リン グ・レーザ出力のために考慮すると、傾斜効率は略２０％となるべく概算される 。

前記放射波長は、４ｎｍの全幅の半分の最大スペクトル幅に伴い、１．０７８μ ｓを中心とする（第９図を兄よ）。直線配置からの１０１のシフトは、前記カッ プラ波長応答と前記レーザ利得曲線間の僅かな不整合に払われるべきものである 。

それは、故に前記カップラ特性が変化することによって、金利侍曲綜（ＱＱｎｍ 幅）に渡る前記レーザ波長を調整するために可能なものである。

ｊｉ１幅器配置は第１０図に示されるもので、これはドープされたファイバ１か ら成る開放式４ボートカフブラ２９．３３を使用することで構成される。これに 示されるように、在来的な伝送ファイバ３５の中に挿入される。放射線波長の信 号番よ、利得中位として供給する主ファイバ１に沿って伝送される。ソース３１ からのボンピング放射線は、結合ファイバ３３に結合されると共に、そこから主 ファイバ１に結合される。

増加した効率は、ファイバ１中に前記ボンピング放射線を結合するために設計さ れたカップラを使用して得ることができるが、前記放射波長で結合しない。更に 、前記リード３３は、前記ポンプパワーが坦幅しているファイバ１の選択に於い て、１イバとなる、ということが利益になる。

２５８のシングル通過利得は、同様の配置を使用する長ざ３ＴｒＬのエルビウム がドープされたファイバ（３００ｐｐｍＥ　ｒ　＠　４″）のために測定されて きた。レーザ作用の兆候を防ぐため、フレセント（ｆｒｅｓｅｎｔ、　）反射か らの結、果となるオプティカルフ、イードバックは、前記ファイバの一端を整合 するインデックスによって減ぜ°られる。実際に、ファイバシステ。

ム中に前記ファイバを継ぐことは、エタロン効果を大いに削除するために十分と なり、故に低反射力ＷＡＲは容易に成就可能である。

浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） 浄書・１内容に変更なし） フッイノぐ−Ｌ−フ′ボ′ド−フ゛さイしたｐｒ−り調襲」モ目夛、−゛貧大、 ズヘ２７ｈ゛し浄書・；、′寸容；二変、？Ｉ′なし）手続補゛正書防式） ＰＣＴ／ＧＢ８６１００４８５ ２、発明の名称 ファイバーオプティック　レーザ及びその増幅器３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 氏名　ミアース・ロバート・ジョセフ（ほか３名）４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号　ＵＢＥビル昭和６３年４月１９日（発送 日） ６、補正の対象 国内書面（発明者及び特許出願人の住所）図面の翻訳文１代理権を証する書面（ 訳文）国際調査報告 ｌｌｌｌ−１仙１＾帥−１，・１・　ＰＣＴ／ＧＢ　８６１００４８５ＡＮＮＥ Ｘ　Ｔｏ　ＴＨＥ　ＩＮＴＥＦｕ４ＡＴＩＯＮＡｒ、　５ＥＡＲＣＨだＰＯＲＴ 　ＯＮ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. １．利得が放射線の誘導放出によって提供されるタイプのファイバ・オプティッ クレーザ若しくはその増幅器である能動デバイスであって、このデバイスは、能 動ドーパントイオンに合同するクラッドされた所定の長さのグラスファイバ（１ ）と、結合されたオプティカルポンプソース（１１）を具備し、 前記ファイバ（１）はシングル・モードジオミトリであると共に、放射波長でシ ングル榛モード伝播を支持することを可能にし、 前記能動ドーパントイオン、希土類のイオン若しくは転換金属は低レベルの一様 な濃度で前記ファイバ（１）に合同され、前記ファイバは超低損失群を提供する ことを特徴とするデバイス。
2. ２．第１及び第２の鏡（７、９）を含み、前記ファイバ（１）はこれらの鏡（７ 、９）間に挿入されると共にファプリー・ぺロー空調を形成する請求の範囲第１ 項記載のデバイス。
3. ３．第１の鏡（７）と、反射部材（９；２５）と、波長選択調整手段（２５）と を含み、前記ファイバ（１）は前記鏡（７）と前記反射部材（９）間に挿入され 、且つ前記調整手段（２５）は形成された前記空洞に伴って協力的である請求の 範囲第１項記載のデバイス。
4. ４．回折格子（２５）を含み、これは反射部材として及び調整手段として供給す る請求の範囲第３項記載のデバイス。
5. ５．前記スイッチング部材（１９）は前記空洞に挿入される前述の請求の範囲第 ２項乃至第４項の何れか１項に記載のデバイス。
6. ６．前記ファイバ（１）巻かれたものである前述の請求の範囲第１項乃至第５項 の何れか１項に記載のデバイス。
7. ７．前記ファイバ（１）はオプティック・カップラ（２９）の一部として含まれ 、前記ドープされたファイバ（１）はリング（２７）の形状で、且つリング空洞 を提供する請求の範囲第１項記載のデバイス。
8. ８．前記ファイバ（１）はオプティック・カップラ（２９）の一部として含まれ 、同様に他のファイバも、このカップラ（２９）の結合された残りの部分が開放 式である請求の範囲第１項記載のデバイス。
9. ９．前記ドーパントイオンはネオジミウムから成り、これらのイオンの濃度は９ ００ｐｐｍ以下である請求の範囲第１項記載のデバイス。
10. １０．前記誘導放出は３−レベルオプテイカル転換からの結果によって作り出す 請求の範囲第１項記載のデバイス。
11. １１．前記ドーパントイオンはエルビウム若しくはプラセオジミウムから成る請 求の範囲第１０項記載のデバイス。
12. １２．ＣＷモードで動作したときファプリー・ぺロー空洞若しくはリング空洞レ ーザとなる請求の範囲第１１項記載のデバイス。
13. １３．シングル・モードファイバ伝送システムの一部として統合する請求の範囲 第１項記載のデバイス。
14. １４．前記複数の異なったドーパントイオン種、希土類のイオン若しくは転換金 属ドーパンツは前記ファイバ（１）に合同される請求の範囲第１項記載のデバイ ス。
15. １５．添付の図面に示されると共にそれに応じて前述のように実質的に行なうた めに構成し、適合し、且つ配置するファイバ・オプティックレーザ若しくはその 増幅器。