JPS634893A - 超純水からの微粒子除去装置 - Google Patents
超純水からの微粒子除去装置Info
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- JPS634893A JPS634893A JP14881886A JP14881886A JPS634893A JP S634893 A JPS634893 A JP S634893A JP 14881886 A JP14881886 A JP 14881886A JP 14881886 A JP14881886 A JP 14881886A JP S634893 A JPS634893 A JP S634893A
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Landscapes
- Treatment Of Water By Ion Exchange (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子工業等で必要とされる微粒子の険めて少な
い超純水がらの微粒子除去装置に関するものである。
い超純水がらの微粒子除去装置に関するものである。
（従来技術）
今日、超ＬＳＩは２５６にピットが主流であるが、すで
に、ＩＭビ、トが出荷され始めている。
に、ＩＭビ、トが出荷され始めている。
これらの超ＬＳＩ製造工種では、超純水を用いて。
超ＬＳＩの半製品を洗浄するため、超純水の水質は製品
の歩留りだ密接な関係があり、そのため、最近、超純水
の水質が飛躍的に向上してきた。
の歩留りだ密接な関係があり、そのため、最近、超純水
の水質が飛躍的に向上してきた。
最近の超純水製造装置の一例を第１図に示す。
原水ｌは、凝集ヂ過槽３により、濁質外の大半を除去し
た後、逆浸透１１＊４で濁質外、溶解有機物（Ｔｏｅ）
、溶解無機物及びイオン物質の大半を除去する。さらに
、イオン交撲装＃５で残ったイオン物質を除去した後、
紫外線殺菌灯６で生存している細菌を殺菌し、高性能イ
オン交換装着７により、イオン物質を完全に除去し、限
外濾過膜８で上流からの菌の死骸や微粒子を除去する。
た後、逆浸透１１＊４で濁質外、溶解有機物（Ｔｏｅ）
、溶解無機物及びイオン物質の大半を除去する。さらに
、イオン交撲装＃５で残ったイオン物質を除去した後、
紫外線殺菌灯６で生存している細菌を殺菌し、高性能イ
オン交換装着７により、イオン物質を完全に除去し、限
外濾過膜８で上流からの菌の死骸や微粒子を除去する。
限外濾過膜を通った水は、使用される他はもう一度、紫
外線殺菌灯へ循環して、汚れの蓄積を防ぐ万策がとられ
ている。
外線殺菌灯へ循環して、汚れの蓄積を防ぐ万策がとられ
ている。
この超純水の水質は比抵抗で１８ＭΩ；備以上。
’ｒＯｃ ５０ ｐｐｂ以下、生菌ｆｉ０．１個／ｄ
以下、粒径０．２μｍ以上の微粒子２０個／−以下程度
である。
以下、粒径０．２μｍ以上の微粒子２０個／−以下程度
である。
この水質は、２５６にビットでは問題ないが、１Ｍビ、
ト及び４Ｍビ、トの製造に用いられる超純水としては、
微粒子数がまだ多すぎる。４Ｍと、トクラスでは、粒径
０．１μｍ以上の微粒子が１−中［１０個以下と非常に
厳しくなる。
ト及び４Ｍビ、トの製造に用いられる超純水としては、
微粒子数がまだ多すぎる。４Ｍと、トクラスでは、粒径
０．１μｍ以上の微粒子が１−中［１０個以下と非常に
厳しくなる。
（発明が解決しようとする問題点）
微粒子除去の目的で、従来の方法では、最終段に限外濾
過膜があるが、これは完全ではない。限外濾過膜は一般
的には上流からくる微粒子（粒径０．２μｍ以上）に関
しては、はとんどリークさせない（リーク率１０−８以
下）という信頼性がすで確立されているが、膜の下流で
の微粒子汚染の問題がある。すなわち、現在の超純水中
の微粒子の大半は、膜の裏側（透過側）や、それ以後の
配管で発生するものと考えられる。このうち、＠の占め
るウェイトは大きい。すなわち、膜は配管に対して、接
液面積が大きいし、また微粒子の除去が難しい。これは
、模が多孔質の層で構成されているため、膜部材自身の
脱落や、多孔に捕捉されている異物微粒子の放出がある
ためである。
過膜があるが、これは完全ではない。限外濾過膜は一般
的には上流からくる微粒子（粒径０．２μｍ以上）に関
しては、はとんどリークさせない（リーク率１０−８以
下）という信頼性がすで確立されているが、膜の下流で
の微粒子汚染の問題がある。すなわち、現在の超純水中
の微粒子の大半は、膜の裏側（透過側）や、それ以後の
配管で発生するものと考えられる。このうち、＠の占め
るウェイトは大きい。すなわち、膜は配管に対して、接
液面積が大きいし、また微粒子の除去が難しい。これは
、模が多孔質の層で構成されているため、膜部材自身の
脱落や、多孔に捕捉されている異物微粒子の放出がある
ためである。
そこで、膜の後の微粒子除去を目的に本発明者らは鋭意
検討［−た拮果、本発明を完成させた。
検討［−た拮果、本発明を完成させた。
（発明の構成）
即ち、本発明は、「原水の前処理、逆浸透膜処理、イオ
ン交換、紫外線殺菌、高性能イオン交換。
ン交換、紫外線殺菌、高性能イオン交換。
限外濾過膜処理の各工程を経て得られた超純水にさらに
電圧の印加等の手段により、水中の微粒子を帯電させ、
つぎに、この水を強力な電場あるいは磁場を印加した４
に導き、微粒子に富んだ水と、微粒子の少ない水に分け
、微粒子の少ない万の水を使用工程に送ることを特徴と
する超純水からの微粒子除去装置。」である。
電圧の印加等の手段により、水中の微粒子を帯電させ、
つぎに、この水を強力な電場あるいは磁場を印加した４
に導き、微粒子に富んだ水と、微粒子の少ない水に分け
、微粒子の少ない万の水を使用工程に送ることを特徴と
する超純水からの微粒子除去装置。」である。
以下この発明を第２図によって説明する。
限外濾過膜の後に、微粒子帯電化槽１０を設け、電圧の
印加等で微粒子を帯電させる。そして微粒子分離槽１２
に導く。ここでは、強力な電場ある・いは磁場を印加し
である。
印加等で微粒子を帯電させる。そして微粒子分離槽１２
に導く。ここでは、強力な電場ある・いは磁場を印加し
である。
この電場あるいは磁場により、帯′亀している微粒子は
一定の方向に動き、微粒子の多い部分と少ない部分に分
れる。
一定の方向に動き、微粒子の多い部分と少ない部分に分
れる。
微粒子分離４１１１２の作用を第３図を使用してより詳
細に説明する。
細に説明する。
第３図は、電場を印加したときの例であるが、図のよう
な水の流路を形成しておき、電場を印加すると、それぞ
れ帯電した粒子は、電気力により移動し中央には微粒子
の少ない流れができる。
な水の流路を形成しておき、電場を印加すると、それぞ
れ帯電した粒子は、電気力により移動し中央には微粒子
の少ない流れができる。
この中央の微粒子の少ない流れを使用し、他の２つの流
れ、すなわち、マイナスに帯電した粒子を多く含む流れ
とプラスに帯電した粒子を多く含む流れは紫外線殺菌灯
へ循環する。電場の強さは省い万が微粒子の移動速度を
大きくするし、また、流れの厚み（図中のＷ）は薄い万
が微粒子の移動距離が少なくてすむ。
れ、すなわち、マイナスに帯電した粒子を多く含む流れ
とプラスに帯電した粒子を多く含む流れは紫外線殺菌灯
へ循環する。電場の強さは省い万が微粒子の移動速度を
大きくするし、また、流れの厚み（図中のＷ）は薄い万
が微粒子の移動距離が少なくてすむ。
（発明の効果）
以上のように、この発明によれば、超純水製造の最終段
階で、水中の微粒子に電荷を与え、この′ζ荷を利用１
−で、電場あるいは磁場疋より微粒子を分離するため、
微粒子濃度の極めて低い超純水を得ることがでざる。
階で、水中の微粒子に電荷を与え、この′ζ荷を利用１
−で、電場あるいは磁場疋より微粒子を分離するため、
微粒子濃度の極めて低い超純水を得ることがでざる。
第１図は従来の超純水製造装置の一例を示す図、第２図
は本発明の一実施態様を示す図。 第３図は′Ｉ区場を印加したときの水中粒子の挙動を説
明する図である。 １・・・原水 ２・・・原水槽３・・・凝集
濾過槽 ４・・・逆浸透膜５・・・イオン交換装置
６・・・紫外線殺菌灯７・・・高性能イオン交換装置
８・・・限外濾過膜９・・使用水 １０・・・
微粒子帯電化槽１１・・・微粒子帯電水 １２・・・微
粒子分離槽１３・・・マイナスに帯心した粒子を多く含
む流れ１４・・・プラスに帯電した粒子を多（含む流れ
特許出願人 ダイセル化学工業株式会社代珊人 弁理
士遅場 隆
は本発明の一実施態様を示す図。 第３図は′Ｉ区場を印加したときの水中粒子の挙動を説
明する図である。 １・・・原水 ２・・・原水槽３・・・凝集
濾過槽 ４・・・逆浸透膜５・・・イオン交換装置
６・・・紫外線殺菌灯７・・・高性能イオン交換装置
８・・・限外濾過膜９・・使用水 １０・・・
微粒子帯電化槽１１・・・微粒子帯電水 １２・・・微
粒子分離槽１３・・・マイナスに帯心した粒子を多く含
む流れ１４・・・プラスに帯電した粒子を多（含む流れ
特許出願人 ダイセル化学工業株式会社代珊人 弁理
士遅場 隆
Claims (1)
- 原水の前処理、逆浸透膜処理、イオン交換、紫外線殺菌
、高性能イオン交換、限外濾過膜処理の各工程を経て得
られた超純水にさらに、電圧の印加等の手段により、水
中の微粒子を帯電させ、つぎに、この水を強力な電場あ
るいは磁場を印加した槽に導き、微粒子に富んだ水と、
微粒子の少ない水に分け、微粒子の少ない方の水を使用
工程に送ることを特徴とする超純水からの微粒子除去装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14881886A JPS634893A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 超純水からの微粒子除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14881886A JPS634893A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 超純水からの微粒子除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634893A true JPS634893A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15461402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14881886A Pending JPS634893A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 超純水からの微粒子除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634893A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245868A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Nec Kansai Ltd | 排液処理方法 |
| JPH02198687A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 純水の製造方法 |
| JPH02298397A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 純水の製造方法およびそのための装置 |
| US5128043A (en) * | 1991-02-13 | 1992-07-07 | Wildermuth Glen W | Method and apparatus for purifying liquids |
| WO2002062711A1 (fr) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mikasavets Inc. | Dispositif de production de solution aqueuse a atome libre, procede de production de solution aqueuse a atome libre, et solution aqueuse a atome libre |
| WO2010035421A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 株式会社山田エビデンスリサーチ | 水処理装置 |
| CN103864251A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-18 | 北京林业大学 | 一种酯化废水回用膜处理系统 |
| CN114524568A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-24 | 合肥禹王膜工程技术有限公司 | 一种纳米粉体行业零排放污水处理工艺 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14881886A patent/JPS634893A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245868A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Nec Kansai Ltd | 排液処理方法 |
| JPH02198687A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-07 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 純水の製造方法 |
| JPH02298397A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 純水の製造方法およびそのための装置 |
| US5128043A (en) * | 1991-02-13 | 1992-07-07 | Wildermuth Glen W | Method and apparatus for purifying liquids |
| WO2002062711A1 (fr) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mikasavets Inc. | Dispositif de production de solution aqueuse a atome libre, procede de production de solution aqueuse a atome libre, et solution aqueuse a atome libre |
| US7048862B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-05-23 | Waterware Inc. | Free atom aqueous solution producing apparatus, free-atom aqueous solution producing method, and free-atom aqueous solution |
| WO2010035421A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 株式会社山田エビデンスリサーチ | 水処理装置 |
| CN103864251A (zh) * | 2014-03-18 | 2014-06-18 | 北京林业大学 | 一种酯化废水回用膜处理系统 |
| CN114524568A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-24 | 合肥禹王膜工程技术有限公司 | 一种纳米粉体行业零排放污水处理工艺 |
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