JPS6348830A - 半導体表面処理方法 - Google Patents
半導体表面処理方法Info
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- JPS6348830A JPS6348830A JP19350586A JP19350586A JPS6348830A JP S6348830 A JPS6348830 A JP S6348830A JP 19350586 A JP19350586 A JP 19350586A JP 19350586 A JP19350586 A JP 19350586A JP S6348830 A JPS6348830 A JP S6348830A
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- hydrofluoric acid
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- hydrogen peroxide
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体表面処理方法に関し、特に半導体基板の
表面を処理する方法に係わる。
表面を処理する方法に係わる。
（従来の技術）
従来、半導体基板の表面を処理する方法として、フッ酸
、塩酸、硫酸等を用いる酸処理、トリアルキル（ヒドロ
キシアルキル）アンモニウム・ハイドロキサイド（以下
、ＴＨＡＨという）水溶液と過酸化水素の混合液による
アルカリ処理が用いられている。
、塩酸、硫酸等を用いる酸処理、トリアルキル（ヒドロ
キシアルキル）アンモニウム・ハイドロキサイド（以下
、ＴＨＡＨという）水溶液と過酸化水素の混合液による
アルカリ処理が用いられている。
しかしながら、従来法によれば、以下に述べる問題点を
有する。即ち、フッ酸以外の酸処理は半導体基板表面に
薄い酸化膜が形成されるため、二の酸化膜中に取込まれ
た不純物を除去することができない。また、フッ酸処理
の場合、表面の自然酸化膜のエツチングが行われ、Ｆｅ
、Ａ、ｌ？等の金属不純物を除去する効果が知られてい
るが、処理により基板表面が露出するため、処理液中、
純水中に含まれる微粒子を吸着し品くなる。更に、アル
カリ処理の場合、Ａｕの不純物除去効果は大きいが、Ｆ
ｅ、Ａ、ｆｆ等の金属の除去効果は小さい。
有する。即ち、フッ酸以外の酸処理は半導体基板表面に
薄い酸化膜が形成されるため、二の酸化膜中に取込まれ
た不純物を除去することができない。また、フッ酸処理
の場合、表面の自然酸化膜のエツチングが行われ、Ｆｅ
、Ａ、ｌ？等の金属不純物を除去する効果が知られてい
るが、処理により基板表面が露出するため、処理液中、
純水中に含まれる微粒子を吸着し品くなる。更に、アル
カリ処理の場合、Ａｕの不純物除去効果は大きいが、Ｆ
ｅ、Ａ、ｆｆ等の金属の除去効果は小さい。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、金属不純物
の除去効果が大きいとともに、微粒子の吸着を低減しえ
る半導体表面処理方法を提供することを目的とする。
の除去効果が大きいとともに、微粒子の吸着を低減しえ
る半導体表面処理方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は、半導
体基板を１１９フツ酸処理した後、トリアルキル（ヒド
ロキンアルキル）アンモニウム・ハイドロキサイド水溶
液と過酸化水素との混合液によって処理することを特徴
とし、これにより金属不純物の除去効果を大きくできる
とともに、微粒子の吸着を低減しえる。
体基板を１１９フツ酸処理した後、トリアルキル（ヒド
ロキンアルキル）アンモニウム・ハイドロキサイド水溶
液と過酸化水素との混合液によって処理することを特徴
とし、これにより金属不純物の除去効果を大きくできる
とともに、微粒子の吸着を低減しえる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について説明する。
即ち、本実施例では、まず例えばシリコン基板を稀フッ
酸で処理を行なった。つづいて、この基板をＴＨＡＨ水
溶液と過酸化水素との混合液により処理を行なって、所
定の半導体ウェハを得た。
酸で処理を行なった。つづいて、この基板をＴＨＡＨ水
溶液と過酸化水素との混合液により処理を行なって、所
定の半導体ウェハを得た。
本発明によれば、シリコン基板表面のＦｅ。
Ａ、ｆ’等の金属不純物を従来と比べ多量に除去できる
とともに、微粒子の残存数も酸処理やフッ酸処理と比べ
著しく低減できる。事実、本発明法及び従来法による金
属残留口を比較したところ、第１図に示すようになった
。但し、金属はＡｕ、Ｆｅ。
とともに、微粒子の残存数も酸処理やフッ酸処理と比べ
著しく低減できる。事実、本発明法及び従来法による金
属残留口を比較したところ、第１図に示すようになった
。但し、金属はＡｕ、Ｆｅ。
ＡＩ！について調べた。同図より、Ａｕ、Ａ、ｇの場合
は３種類の従来法と比べて最も少なく、またＦｅの場合
もフッ酸処理と略同程度に減少できることか明らかであ
る。また、同様にして微粒子残留量についても調べたと
ころ、フッ酸処理や酸処理と比べて著しく減少し、かつ
ＴＨＡＷ、過酸化水素の混合液処理と略同程度に減少で
きることが゛明らかである。以上より、本発明が従来と
比べ優れていることが明らかである。
は３種類の従来法と比べて最も少なく、またＦｅの場合
もフッ酸処理と略同程度に減少できることか明らかであ
る。また、同様にして微粒子残留量についても調べたと
ころ、フッ酸処理や酸処理と比べて著しく減少し、かつ
ＴＨＡＷ、過酸化水素の混合液処理と略同程度に減少で
きることが゛明らかである。以上より、本発明が従来と
比べ優れていることが明らかである。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明によれば、金属不純物や微粒子
の洗浄効果が高く、高信頼性のウェハを得られる半導体
表面処理方法を提供できる。
の洗浄効果が高く、高信頼性のウェハを得られる半導体
表面処理方法を提供できる。
第１図は本発明法及び従来法による金属残留量を示す特
性図、第２図は本発明法及び従来法による微粒子残留量
を示す特性図である。
性図、第２図は本発明法及び従来法による微粒子残留量
を示す特性図である。
Claims (1)
- 半導体基板を稀フッ酸処理した後、トリアルキルアンモ
ニウム・ハイドロキサイド水溶液と過酸化水素との混合
液によって処理することを特徴とする半導体表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350586A JPS6348830A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350586A JPS6348830A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348830A true JPS6348830A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16309166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19350586A Pending JPS6348830A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 半導体表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348830A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129955A (en) * | 1989-01-11 | 1992-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method |
| EP2557147A1 (en) | 2011-08-09 | 2013-02-13 | Basf Se | Aqueous alkaline compositions and method for treating the surface of silicon substrates |
| US9076920B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-07-07 | Basf Se | Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5264876A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-28 | Toshiba Corp | Semiconductor surface treating agent |
| JPS6196738A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Nec Corp | シリコン基板の処理方法 |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19350586A patent/JPS6348830A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5264876A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-28 | Toshiba Corp | Semiconductor surface treating agent |
| JPS6196738A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Nec Corp | シリコン基板の処理方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129955A (en) * | 1989-01-11 | 1992-07-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method |
| US9076920B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-07-07 | Basf Se | Aqueous alkaline etching and cleaning composition and method for treating the surface of silicon substrates |
| EP2557147A1 (en) | 2011-08-09 | 2013-02-13 | Basf Se | Aqueous alkaline compositions and method for treating the surface of silicon substrates |
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