JPS6347139B2 - - Google Patents
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- JPS6347139B2 JPS6347139B2 JP18694480A JP18694480A JPS6347139B2 JP S6347139 B2 JPS6347139 B2 JP S6347139B2 JP 18694480 A JP18694480 A JP 18694480A JP 18694480 A JP18694480 A JP 18694480A JP S6347139 B2 JPS6347139 B2 JP S6347139B2
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- etching
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- hclo
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- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本発明は集積回路基板上に、フオトリソグラフ
イにより回路パターンを形成する場合のエツチン
グに係わり、特に、ニクロムの選択エツチングに
関する。 従来のニクロムの選択エツチング液としては、
硝酸第二セリウムアンモニウムに過硫酸アンモニ
ウムを添加した水溶液と、硝酸第二セリウムアン
モニウムに硝酸を添加した水溶液があるが、前者
は液劣化が早く、約１日程度で白色の沈殿物を生
ずるという欠点があり、また後者はサイドエツチ
ングが大きいという欠点がある。即ち、サイドエ
ツチングとは、マスクされた下部の本来ならエツ
チングしたくない部分までエツチングされること
を意味し、このサイドエツチングが大きいと良好
なパターン形成ができなくなり、求める回路特性
が得にくくなる。 本発明は、かかる点に鑑み液寿命の長い、サイ
ドエツチングの少ない集積回路基板のニクロムの
選択エツチングを提供したものである。 即ち、本発明は、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム100〜160ｇ、過塩素酸40〜100c.c.、純水1000c.c.
の割合の水溶液によりニクロムの選択エツチング
を行うことを特徴とする。 以下、本発明を図面に従つて、更に詳細に説明
する。 実験例 １ セラミツク基板上にタンタル薄膜を蒸着し、そ
の上に1000Åの厚のニクロム（Ni 80％、Cr 20
％）を蒸着した上に更に金薄膜を蒸着し、これに
フオトレジストを塗布し、露光現像してパターン
ニングした後、金をエツチングしたものを下記溶
液にてニクロムが完全にエツチング除去できたと
きのサイドエツチングの深さを測定した。使用溶
液は、液温22℃で HClO4と80c.c. H2Oを1000
c.c.とし、Ce（NH4）2（HO3）6を変化させた。 測定結果（各溶液に関する50回の実験結果の平
均値を示す）
イにより回路パターンを形成する場合のエツチン
グに係わり、特に、ニクロムの選択エツチングに
関する。 従来のニクロムの選択エツチング液としては、
硝酸第二セリウムアンモニウムに過硫酸アンモニ
ウムを添加した水溶液と、硝酸第二セリウムアン
モニウムに硝酸を添加した水溶液があるが、前者
は液劣化が早く、約１日程度で白色の沈殿物を生
ずるという欠点があり、また後者はサイドエツチ
ングが大きいという欠点がある。即ち、サイドエ
ツチングとは、マスクされた下部の本来ならエツ
チングしたくない部分までエツチングされること
を意味し、このサイドエツチングが大きいと良好
なパターン形成ができなくなり、求める回路特性
が得にくくなる。 本発明は、かかる点に鑑み液寿命の長い、サイ
ドエツチングの少ない集積回路基板のニクロムの
選択エツチングを提供したものである。 即ち、本発明は、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム100〜160ｇ、過塩素酸40〜100c.c.、純水1000c.c.
の割合の水溶液によりニクロムの選択エツチング
を行うことを特徴とする。 以下、本発明を図面に従つて、更に詳細に説明
する。 実験例 １ セラミツク基板上にタンタル薄膜を蒸着し、そ
の上に1000Åの厚のニクロム（Ni 80％、Cr 20
％）を蒸着した上に更に金薄膜を蒸着し、これに
フオトレジストを塗布し、露光現像してパターン
ニングした後、金をエツチングしたものを下記溶
液にてニクロムが完全にエツチング除去できたと
きのサイドエツチングの深さを測定した。使用溶
液は、液温22℃で HClO4と80c.c. H2Oを1000
c.c.とし、Ce（NH4）2（HO3）6を変化させた。 測定結果（各溶液に関する50回の実験結果の平
均値を示す）
【表】
この結果を示したのが、第１図Ａであり、横軸
にCe（NH4）2（NO3）6の量ｇを、縦軸にサイドエ
ツチング量μmを示す。 実験例 ２ 実験例１と同一条件でCe（NH4）2（NO3）6を100
ｇ，H2Oを1000c.c.としてHclO4を変化させてサイ
ドエツチング量を測定した。測定結果（各溶液に
関する50回の実験結果の平均値を示す）
にCe（NH4）2（NO3）6の量ｇを、縦軸にサイドエ
ツチング量μmを示す。 実験例 ２ 実験例１と同一条件でCe（NH4）2（NO3）6を100
ｇ，H2Oを1000c.c.としてHclO4を変化させてサイ
ドエツチング量を測定した。測定結果（各溶液に
関する50回の実験結果の平均値を示す）
【表】
この結果を示したのが第１図Ｂであり、横軸に
HclO4の量（c.c.）、縦軸にサイドエツチング量μm
を示す。 これら、第１図Ａ，Ｂを比較するとわかる様
に、サイドエツチング量は、Ce（NH4）2（NO3）6
の量によつてはそれ程変化しないが、HclO4の量
にほゝ比例して増加する。 尚、従来例として、Ce（NH4）2（NO3）6を200
ｇ、NHO3を100c.c.、H2Oを1000c.c.とした溶液で
は、サイドエツチング量で2.5μmでありこれに比
べ第１図の例では大巾にサイドエツチングが改善
されていることがわかる。 次にエツチングレートを測定するため、次の実
験を行つた。 実験例 ３ 実験例１においてニクロム1000Åが完全にエツ
チングされるまでの時間をHclO4が80c.c.、H2Oが
1000c.c.に一定にし、Ce（NH4）2（NO3）6を可変に
して測定した。 測定結果（10回の同一実験に対する平均値を示
す）
HclO4の量（c.c.）、縦軸にサイドエツチング量μm
を示す。 これら、第１図Ａ，Ｂを比較するとわかる様
に、サイドエツチング量は、Ce（NH4）2（NO3）6
の量によつてはそれ程変化しないが、HclO4の量
にほゝ比例して増加する。 尚、従来例として、Ce（NH4）2（NO3）6を200
ｇ、NHO3を100c.c.、H2Oを1000c.c.とした溶液で
は、サイドエツチング量で2.5μmでありこれに比
べ第１図の例では大巾にサイドエツチングが改善
されていることがわかる。 次にエツチングレートを測定するため、次の実
験を行つた。 実験例 ３ 実験例１においてニクロム1000Åが完全にエツ
チングされるまでの時間をHclO4が80c.c.、H2Oが
1000c.c.に一定にし、Ce（NH4）2（NO3）6を可変に
して測定した。 測定結果（10回の同一実験に対する平均値を示
す）
【表】
この結果をグラフにしたのが第２図であり、横
軸にCe（NH4）2（NO3）6の量（c.c.）、縦軸に時間
（秒）を示す。 この第２図からわかるようにCe（NH4）2
（NO3）6が70ｇ以上ではエツチング所要時間の変
化が少なくなり、エツチング制御がし易くなる。 実験例 ４ 実験例３と同様にして、Ce（NH4）2（NO3）6を
100ｇ、H2Oを10000c.c.に一定にし、HclO4を変え
て実験した。 測定結果（10回の同一実験に対する平均値を示
す）
軸にCe（NH4）2（NO3）6の量（c.c.）、縦軸に時間
（秒）を示す。 この第２図からわかるようにCe（NH4）2
（NO3）6が70ｇ以上ではエツチング所要時間の変
化が少なくなり、エツチング制御がし易くなる。 実験例 ４ 実験例３と同様にして、Ce（NH4）2（NO3）6を
100ｇ、H2Oを10000c.c.に一定にし、HclO4を変え
て実験した。 測定結果（10回の同一実験に対する平均値を示
す）
【表】
この結果をグラフにしたのが第３図である。図
中横軸はHclO4の量（c.c.）、縦軸は時間（秒）を
示す。この図からも明らかな通り、エツチング時
間はHclO4はほとんど影響しない。 次に、沈殿物の生成時間を調べるため、次の実
験を行つた。 実験例 ５ 次の６種類の溶液に対し、夫々日をおいて、
1000Åのニクロムピースをいれ、このピースのエ
ツチング時間と沈殿物の有無を調べた。 尚、このときの液温は22℃である。
中横軸はHclO4の量（c.c.）、縦軸は時間（秒）を
示す。この図からも明らかな通り、エツチング時
間はHclO4はほとんど影響しない。 次に、沈殿物の生成時間を調べるため、次の実
験を行つた。 実験例 ５ 次の６種類の溶液に対し、夫々日をおいて、
1000Åのニクロムピースをいれ、このピースのエ
ツチング時間と沈殿物の有無を調べた。 尚、このときの液温は22℃である。
【表】
【表】
測定結果
【表】
このときの沈殿物（乳白色）は10日目より生成
された。
された。
【表】
このときの沈殿物は６日目より生成された。
【表】
このときの沈殿物は３日目より生成された。
【表】
このときは沈殿物生成は認められなかつた。
【表】
このときは沈殿物生成は認められなかつた。
【表】
このときも沈殿物生成は認められなかつた。
これら測定結果（５―１）〜（５―６）を夫々
グラフにしたのが、第４図〜第９図である。 これらの図において、いずれも横軸は、経過日
数、縦軸はエツチング時間（秒）を示す。 そして、沈殿物は、HclO4が多くなる程遅れて
生成されるようになり、又、Ce（NH4）2（NO3）6
の量が多くなると、例えば160ｇになると、
HclO4が比較的少なくても沈殿物は生成されず安
定した液となる。 この沈殿物は、スプレーエツチングの際には、
特に、ポンプの摩耗とかノズルのつまりを生じ
る。ところが、この沈殿物の生成時間は、第６図
の例に比べ、第５図の例で２倍に、第４図の例で
は３倍強になり、かつ、第５図と第９図の例を比
べてわかるように、HclO4が40c.c.でも、Ce
（NH4）2（NO3）6が100ｇから160ｇになると沈殿物
が全く生じない。 以上の説明から明らかなように、液寿命が改善
され、サイドエツチングも少ないエツチング液は
Ce（NH4）2（NO3）6が100〜160ｇ、HclO4が40〜
100c.c.、H2Oが1000c.c.の割合の溶液であり、更に
好ましくは、Ce（NH4）2（NO3）6が100〜160ｇ、
HclO4が60〜100c.c. H2Oが1000c.c.の割合の溶液
である。
グラフにしたのが、第４図〜第９図である。 これらの図において、いずれも横軸は、経過日
数、縦軸はエツチング時間（秒）を示す。 そして、沈殿物は、HclO4が多くなる程遅れて
生成されるようになり、又、Ce（NH4）2（NO3）6
の量が多くなると、例えば160ｇになると、
HclO4が比較的少なくても沈殿物は生成されず安
定した液となる。 この沈殿物は、スプレーエツチングの際には、
特に、ポンプの摩耗とかノズルのつまりを生じ
る。ところが、この沈殿物の生成時間は、第６図
の例に比べ、第５図の例で２倍に、第４図の例で
は３倍強になり、かつ、第５図と第９図の例を比
べてわかるように、HclO4が40c.c.でも、Ce
（NH4）2（NO3）6が100ｇから160ｇになると沈殿物
が全く生じない。 以上の説明から明らかなように、液寿命が改善
され、サイドエツチングも少ないエツチング液は
Ce（NH4）2（NO3）6が100〜160ｇ、HclO4が40〜
100c.c.、H2Oが1000c.c.の割合の溶液であり、更に
好ましくは、Ce（NH4）2（NO3）6が100〜160ｇ、
HclO4が60〜100c.c. H2Oが1000c.c.の割合の溶液
である。
第１図〜第９図は本発明の比較実施例であり、
第１図はサイドエツチング特性、第２図、第３図
はエツチング時間特性、第４図〜第９図は寿命特
性を示す。
第１図はサイドエツチング特性、第２図、第３図
はエツチング時間特性、第４図〜第９図は寿命特
性を示す。
Claims (1)
- １ 集積回路基板上に、フオトリソグラフイによ
り回路パターンを形成する場合、硝酸第二セリウ
ムアンモニウム100〜160ｇ、過塩素酸40〜100c.c.、
純水1000c.c.の割合の水溶液によりニクロムの選択
エツチングを行うことを特徴とする集積回路のエ
ツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18694480A JPS57111023A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Etching method for integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18694480A JPS57111023A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Etching method for integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111023A JPS57111023A (en) | 1982-07-10 |
| JPS6347139B2 true JPS6347139B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=16197448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18694480A Granted JPS57111023A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Etching method for integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57111023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230366A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nippon Denki Sanei Kk | ドツト式感熱記録装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112048719A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-08 | 江苏中德电子材料科技有限公司 | 铬金属蚀刻液以及蚀刻铬膜、铬镍膜的方法 |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP18694480A patent/JPS57111023A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63230366A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-26 | Nippon Denki Sanei Kk | ドツト式感熱記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111023A (en) | 1982-07-10 |
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