JPS63466A - スパツタリングタ−ゲツト - Google Patents
スパツタリングタ−ゲツトInfo
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- JPS63466A JPS63466A JP14193886A JP14193886A JPS63466A JP S63466 A JPS63466 A JP S63466A JP 14193886 A JP14193886 A JP 14193886A JP 14193886 A JP14193886 A JP 14193886A JP S63466 A JPS63466 A JP S63466A
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- target
- thin film
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- sputtering
- ta2o5
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜形成に用いられるスパッタリングターゲッ
トに関するものである。
トに関するものである。
従来の技術
従来のＤＣスパッタリング法で用いるターゲット材料は
、全体が導電性を有している。このターゲットを用い、
スパッタリングガスとしてＡｒと０２等を導入して活性
スパッタリングを行なうと、ターゲットは一部が食刻さ
れ基板上に薄膜が形成されるとともにターゲット上の非
食刻部分には薄膜が堆積していた。
、全体が導電性を有している。このターゲットを用い、
スパッタリングガスとしてＡｒと０２等を導入して活性
スパッタリングを行なうと、ターゲットは一部が食刻さ
れ基板上に薄膜が形成されるとともにターゲット上の非
食刻部分には薄膜が堆積していた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来のスパッタリングターゲットでは、ター
ゲット上に堆積した薄膜が絶縁破壊を起こし、プラズマ
とターゲットの間でアーク放電が発生していた。そのア
ーク放電によりターゲットの一部が熔融飛散して、基板
上に付着する現象がみられた。基板上に付着したターゲ
ット材料は数十〜数百μｍの大きさがあり、薄膜の重大
な欠陥となっていた。
ゲット上に堆積した薄膜が絶縁破壊を起こし、プラズマ
とターゲットの間でアーク放電が発生していた。そのア
ーク放電によりターゲットの一部が熔融飛散して、基板
上に付着する現象がみられた。基板上に付着したターゲ
ット材料は数十〜数百μｍの大きさがあり、薄膜の重大
な欠陥となっていた。
そこで、本発明は薄膜がターゲット上に堆積しても絶縁
破壊が発生せず基板上に異物が付着しないようにするこ
とを目的とする。
破壊が発生せず基板上に異物が付着しないようにするこ
とを目的とする。
問題点を解決するための手段
ターゲットの非食刻領域の少くとも一部分を絶縁材料で
形成する。
形成する。
作 用
非食刻領域が絶縁材料で形成されているため、この上に
堆積した薄膜はプラズマよ！ｌ１１！！、百■低い電位
のカソードから絶縁されており、絶縁破壊が起こらない
。
堆積した薄膜はプラズマよ！ｌ１１！！、百■低い電位
のカソードから絶縁されており、絶縁破壊が起こらない
。
実施例
第１実施例
本実施例では金属Ｔａを活性スパッタリングして、五酸
化Ｔａの薄膜を成膜する。第１図にはカソードの模式的
断面図を示す。ターゲット１ｏは、中心に直径２６Ｍ、
厚さｓｍｍの５ｉ０２板１Ｓその周囲に内径２６ ｍｍ
＋外径７２ ｍｍ ＋厚さ５ｍｍのドーナツ軟金属Ｔ
ａＬ板２．さらてその周囲に内径７２（財）、外径１０
０ｍｍ 、厚さ５Ｍのドーナツ状Ｓ ！ ０２板３をバ
ッキングプレート４上に張り付けたものである。ターゲ
ラ）１０の下には永久磁石５が設置されており、この装
置がプレーナーマグネト白ン型のスパッタリング装置と
なってぃ゛る。真空チャンバー６の中にＡｒと０２ガス
を４：１の流量比で導入し、ガス圧を０，８Ｐａに設定
し、基板７は１５０℃に加熱した。ＤＣ電源８によりカ
ソードに負の高電圧を印加し、スパッタリングを行った
。
化Ｔａの薄膜を成膜する。第１図にはカソードの模式的
断面図を示す。ターゲット１ｏは、中心に直径２６Ｍ、
厚さｓｍｍの５ｉ０２板１Ｓその周囲に内径２６ ｍｍ
＋外径７２ ｍｍ ＋厚さ５ｍｍのドーナツ軟金属Ｔ
ａＬ板２．さらてその周囲に内径７２（財）、外径１０
０ｍｍ 、厚さ５Ｍのドーナツ状Ｓ ！ ０２板３をバ
ッキングプレート４上に張り付けたものである。ターゲ
ラ）１０の下には永久磁石５が設置されており、この装
置がプレーナーマグネト白ン型のスパッタリング装置と
なってぃ゛る。真空チャンバー６の中にＡｒと０２ガス
を４：１の流量比で導入し、ガス圧を０，８Ｐａに設定
し、基板７は１５０℃に加熱した。ＤＣ電源８によりカ
ソードに負の高電圧を印加し、スパッタリングを行った
。
放電電圧は２７０Ｖ、放電電流は３．ＯＡである。
基板７の上には五酸化メンタルの薄膜が形成された。Ｓ
１０２板１及び３の上にも五酸化タンタルの薄膜が堆
積して１へったが、ここでの絶縁破壊は全く観測されず
、基板７の上に形成されだ五酸化タンタルの薄膜には異
物が付着しておらず、欠陥密度の小さな良好な薄膜が得
られた。
１０２板１及び３の上にも五酸化タンタルの薄膜が堆
積して１へったが、ここでの絶縁破壊は全く観測されず
、基板７の上に形成されだ五酸化タンタルの薄膜には異
物が付着しておらず、欠陥密度の小さな良好な薄膜が得
られた。
第１図中で金属Ｔａ板２は食刻が途中まで進んだ状態を
示している。長時間のスパッタリングにより食刻が進ん
でも食刻される領域は殆ど変化しないで、安定な放電が
持続する。本実施例ではＴａ板２はスパッタリングされ
る領域のみをカバーする大きさしか使用しないので、従
来のターゲットよシムダがない。又Ｔａ板２を使い切っ
た後に、ＳｉＯ２板１．３を別のターゲットに再度使用
できる。
示している。長時間のスパッタリングにより食刻が進ん
でも食刻される領域は殆ど変化しないで、安定な放電が
持続する。本実施例ではＴａ板２はスパッタリングされ
る領域のみをカバーする大きさしか使用しないので、従
来のターゲットよシムダがない。又Ｔａ板２を使い切っ
た後に、ＳｉＯ２板１．３を別のターゲットに再度使用
できる。
第２実施例
本実施例ではＳ ｒ Ｔ ｓ Ｏ３を還元したターゲッ
トをスパッタリングして、ＳｒＴｉＯ３薄膜を成膜した
。第２図にターゲットの模式的断面図を示す。
トをスパッタリングして、ＳｒＴｉＯ３薄膜を成膜した
。第２図にターゲットの模式的断面図を示す。
Ｓ ｒ Ｔ ＩＯ３を還元して得た導電性を持つセラミ
ックス２１は、直径１００＋ｎｍ 、厚さ５胴の一様な
円板であり、非食刻域に厚さ○＊ ５ ｍｌのＡ１２ｏ
３板２２を張り付けている。第１実施例と同じスパッタ
リング装置に、第２図の５ＩＴＩＯ３ターゲツトを設置
した。スパッタリングガスはＡｒと０２を２：１の流量
比で導入し、ガス圧を１゜３Ｐａに設定した。
ックス２１は、直径１００＋ｎｍ 、厚さ５胴の一様な
円板であり、非食刻域に厚さ○＊ ５ ｍｌのＡ１２ｏ
３板２２を張り付けている。第１実施例と同じスパッタ
リング装置に、第２図の５ＩＴＩＯ３ターゲツトを設置
した。スパッタリングガスはＡｒと０２を２：１の流量
比で導入し、ガス圧を１゜３Ｐａに設定した。
放電電圧２６５Ｖ 、放電電流１．５ＡでＤＣスパッタ
リングを行った。基板は３５０℃に加熱した。
リングを行った。基板は３５０℃に加熱した。
基板上には５ｒＴｉ○３の薄膜が形成され、Ａｅ２０３
板２２の上２２５ｒＴｉ○３膜が堆積した。第１実施例
と同様に絶縁破壊は起こらず安定に放電が持続した。こ
の様にターゲットの非食刻域の一部分を絶縁材料で形成
しても、堆積した薄膜の絶縁破壊を防ぐ事ができる。
板２２の上２２５ｒＴｉ○３膜が堆積した。第１実施例
と同様に絶縁破壊は起こらず安定に放電が持続した。こ
の様にターゲットの非食刻域の一部分を絶縁材料で形成
しても、堆積した薄膜の絶縁破壊を防ぐ事ができる。
以上実施例においては、ＤＣスノー″ツタリングについ
て述べたが、ＲＦスパッタリングにおいても本発明は同
様に有効である事は明らかである。
て述べたが、ＲＦスパッタリングにおいても本発明は同
様に有効である事は明らかである。
発明の効果
以上のように、この発明のスノ＜１．タリングターゲッ
トを用いれば、非食刻域に堆積した薄膜が絶縁破壊を起
こさないので、基板上に絶縁破壊による異物の付着がな
く、欠陥の少ない薄膜を形成できる。
トを用いれば、非食刻域に堆積した薄膜が絶縁破壊を起
こさないので、基板上に絶縁破壊による異物の付着がな
く、欠陥の少ない薄膜を形成できる。
第１図は本発明の一実施例におけるス・ぐツタリングタ
ーゲットを用いたＤＣスパッタリング装置の模式的断面
図、第２図は本発明の他の実施例のスパッタリングター
ゲットの模式的断面図である。 １・・・・・・ＳｉＯ２板、２・・・・・・金属タンタ
ル板、３・・・・・・５１０２板、４・・・・・・バッ
キングプレート、１０・・・・・・ターゲット。
ーゲットを用いたＤＣスパッタリング装置の模式的断面
図、第２図は本発明の他の実施例のスパッタリングター
ゲットの模式的断面図である。 １・・・・・・ＳｉＯ２板、２・・・・・・金属タンタ
ル板、３・・・・・・５１０２板、４・・・・・・バッ
キングプレート、１０・・・・・・ターゲット。
Claims (1)
- ターゲットの非食刻域の少なくとも一部分を絶縁材料
で形成し、食刻域を導電材料で形成した事を特徴とする
スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14193886A JPS63466A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタリングタ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14193886A JPS63466A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタリングタ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63466A true JPS63466A (ja) | 1988-01-05 |
Family
ID=15303633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14193886A Pending JPS63466A (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | スパツタリングタ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
| JP2009191340A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1986
- 1986-06-18 JP JP14193886A patent/JPS63466A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592174A2 (en) * | 1992-10-05 | 1994-04-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
| EP0592174A3 (en) * | 1992-10-05 | 1994-09-21 | Canon Kk | Process for producing optical recording medium, sputtering method and sputtering target |
| US5589040A (en) * | 1992-10-05 | 1996-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium sputtering method and sputtering target |
| JP2009191340A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
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