JPS6346550B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6346550B2 JPS6346550B2 JP7596381A JP7596381A JPS6346550B2 JP S6346550 B2 JPS6346550 B2 JP S6346550B2 JP 7596381 A JP7596381 A JP 7596381A JP 7596381 A JP7596381 A JP 7596381A JP S6346550 B2 JPS6346550 B2 JP S6346550B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center conductor
- microstrip line
- microwave
- slit
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
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- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixing For Electrophotography (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄物のマイクロ波加熱に用いられる、
マイクロ波加熱装置の改良に関するものである。
マイクロ波加熱装置の改良に関するものである。
従来より、中心導体に、マイクロ波の伝播方向
に沿つてその方向に対し直角に長いスリツトが複
数個開設され、ラダーパターンが形成されたマイ
クロストリツプ線路を応用したマイクロ波加熱装
置は、既に提案されている(例えば特願昭55−
108644号)。先ずこのマイクロストリツプ線路を
用いたマイクロ波加熱装置について、第1図に従
い説明する。
に沿つてその方向に対し直角に長いスリツトが複
数個開設され、ラダーパターンが形成されたマイ
クロストリツプ線路を応用したマイクロ波加熱装
置は、既に提案されている(例えば特願昭55−
108644号)。先ずこのマイクロストリツプ線路を
用いたマイクロ波加熱装置について、第1図に従
い説明する。
1はマイクロストリツプ線路で、その入力側の
端部には、図示しないマイクロ波発振器に連結さ
れた同軸ケーブル2が接続される。また、その出
力側の端部にはダミーロード3が装着され、マイ
クロストリツプ線路1にて消費し切れなかつたマ
イクロ波を吸収消費する。マイクロストリツプ線
路1は、アルミナセラミツク等の誘電体物質にて
形成された基板4と、その基板4の上面に貼着さ
れた中心導体5、下面に貼着された接地板6とに
より構成される。この中心導体5、接地板6は共
に銀、銅等の導電部材にて形成され、中心導体5
にはマイクロ波の伝播方向に沿つて、複数個のス
リツト7…よりなるラダーパターン8が形成され
る。9は被加熱物としての複写紙で、表面に未定
着トナーが選択的に付着されていて、図示せぬ手
段にて鎖線矢印B方向に、ラダーパターン8上を
走査する。
端部には、図示しないマイクロ波発振器に連結さ
れた同軸ケーブル2が接続される。また、その出
力側の端部にはダミーロード3が装着され、マイ
クロストリツプ線路1にて消費し切れなかつたマ
イクロ波を吸収消費する。マイクロストリツプ線
路1は、アルミナセラミツク等の誘電体物質にて
形成された基板4と、その基板4の上面に貼着さ
れた中心導体5、下面に貼着された接地板6とに
より構成される。この中心導体5、接地板6は共
に銀、銅等の導電部材にて形成され、中心導体5
にはマイクロ波の伝播方向に沿つて、複数個のス
リツト7…よりなるラダーパターン8が形成され
る。9は被加熱物としての複写紙で、表面に未定
着トナーが選択的に付着されていて、図示せぬ手
段にて鎖線矢印B方向に、ラダーパターン8上を
走査する。
而して、矢印A方向よりマイクロ波を印加しつ
つ、ラダーパターン8上に複写紙9を走査させる
と、スリツト7…部より漏洩するマイクロ波によ
り加熱され定着される。
つ、ラダーパターン8上に複写紙9を走査させる
と、スリツト7…部より漏洩するマイクロ波によ
り加熱され定着される。
この従来例において、同軸ケーブル2の特性イ
ンピーダンスZoと、マイクロストリツプ線路1
の幅広のラダーパターン8部の特性インピーダン
スZ1とに、大きな差があつた。具体的には、Z0=
50Ω、Z1=3Ω程度である。従つて、マイクロス
トリツプ線路1と同軸ケーブル2との間にてイン
ピーダンス整合をとるため、第2図に示すように
中心導体5の端部をテーパ状にしていた。このた
め、マイクロストリツプ線路1の端部より、最初
のスリツト7までの距離Lが大きなものとなり、
加熱装置全体がいたずらに長いものとなつてい
た。また、この難点を解決するため、次のような
手段を講じる方法も考えられる。いましばらくこ
の手段について第3図に従がい説明すると5aは
幅広の中心導体で、7…はこの幅広の中心導体5
aに穿設されたスリツトである。2は同軸ケーブ
ルで、9はこの外部導体、10は中心導体であ
る。そして、同軸ケーブル2の外部導体9と、マ
イクロストリツプ線路1の接地板6が接続され、
中心導体5b,10同士が接続される。なお、こ
の際幅広の中心導体5aのマイクロ波の入力側端
部と、基板4のマイクロ波の入力側端部との距離
は、マイクロストリツプ線路1を伝播するマイク
ロ波の波長(λ)の1/4の長さに設定される。ま
た前記基板4と幅広の中心導体5aとの間には幅
狭の中心導体5bが備えられる。こうすることに
より幅広の中心導体5aの端部における反射波
は、透過波によつて打消される。この場合同軸ケ
ーブル2の特性インピーダンスをZo、幅広の中
心導体5a部のそれをZ1、幅狭の中心導体5b部
のそれをZ2とすると、 Z2 2=Z0・Z1 なる関係を満足するように、マイクロストリツプ
線路1の中心導体5a,5bが形成されることに
なる。
ンピーダンスZoと、マイクロストリツプ線路1
の幅広のラダーパターン8部の特性インピーダン
スZ1とに、大きな差があつた。具体的には、Z0=
50Ω、Z1=3Ω程度である。従つて、マイクロス
トリツプ線路1と同軸ケーブル2との間にてイン
ピーダンス整合をとるため、第2図に示すように
中心導体5の端部をテーパ状にしていた。このた
め、マイクロストリツプ線路1の端部より、最初
のスリツト7までの距離Lが大きなものとなり、
加熱装置全体がいたずらに長いものとなつてい
た。また、この難点を解決するため、次のような
手段を講じる方法も考えられる。いましばらくこ
の手段について第3図に従がい説明すると5aは
幅広の中心導体で、7…はこの幅広の中心導体5
aに穿設されたスリツトである。2は同軸ケーブ
ルで、9はこの外部導体、10は中心導体であ
る。そして、同軸ケーブル2の外部導体9と、マ
イクロストリツプ線路1の接地板6が接続され、
中心導体5b,10同士が接続される。なお、こ
の際幅広の中心導体5aのマイクロ波の入力側端
部と、基板4のマイクロ波の入力側端部との距離
は、マイクロストリツプ線路1を伝播するマイク
ロ波の波長(λ)の1/4の長さに設定される。ま
た前記基板4と幅広の中心導体5aとの間には幅
狭の中心導体5bが備えられる。こうすることに
より幅広の中心導体5aの端部における反射波
は、透過波によつて打消される。この場合同軸ケ
ーブル2の特性インピーダンスをZo、幅広の中
心導体5a部のそれをZ1、幅狭の中心導体5b部
のそれをZ2とすると、 Z2 2=Z0・Z1 なる関係を満足するように、マイクロストリツプ
線路1の中心導体5a,5bが形成されることに
なる。
従つて、矢印A方向より印加されたマイクロ波
は、同軸ケーブル2とマイクロストリツプ線路1
との接合部分にて反射することなく、効率よく伝
播する。いま、周波数が2.45GHz(空気中の波長
は約12cm)のマイクロ波を、誘電率が9のアルミ
ナセラミツク基板4にて形成されたマイクロスト
リツプ線路1に印加すると、マイクロストリツプ
線路1内での波長(λ)は12/√9=4(cm)と
なる。従つてλ/4=1(cm)となり、端部から
最初のスリツト7aまでの距離Lは1cm強とな
る。
は、同軸ケーブル2とマイクロストリツプ線路1
との接合部分にて反射することなく、効率よく伝
播する。いま、周波数が2.45GHz(空気中の波長
は約12cm)のマイクロ波を、誘電率が9のアルミ
ナセラミツク基板4にて形成されたマイクロスト
リツプ線路1に印加すると、マイクロストリツプ
線路1内での波長(λ)は12/√9=4(cm)と
なる。従つてλ/4=1(cm)となり、端部から
最初のスリツト7aまでの距離Lは1cm強とな
る。
こうすることにより従来例よりは短かくするこ
とができる。しかしこれでもなお次のような問題
点を有する。それは幅広の中心導体5aと、幅狭
の中心導体5bとの幅の差が大きすぎることに起
因する問題である。この差があまりに大きいと、
同軸ケーブル2から供給されたマイクロ波は、一
番最初のスリツト7aにて急激かつ大量に漏洩
し、スパークを生じる虞れがある。
とができる。しかしこれでもなお次のような問題
点を有する。それは幅広の中心導体5aと、幅狭
の中心導体5bとの幅の差が大きすぎることに起
因する問題である。この差があまりに大きいと、
同軸ケーブル2から供給されたマイクロ波は、一
番最初のスリツト7aにて急激かつ大量に漏洩
し、スパークを生じる虞れがある。
本発明はかかる難点に鑑みてなされたもので、
マイクロストリツプ線路1の端部より、最初のス
リツト7aまでの距離を長くすることなく、かつ
そのスリツト7aにてスパークが発生することを
防止せんとするものである。以下本発明の一実施
例につき、第4図に従がい説明する。なお、本発
明と従来例とは幅広の中心導体5aの形状が異な
るのみであるので、他の部分は従来例と同一の図
番を付し説明は省略する。
マイクロストリツプ線路1の端部より、最初のス
リツト7aまでの距離を長くすることなく、かつ
そのスリツト7aにてスパークが発生することを
防止せんとするものである。以下本発明の一実施
例につき、第4図に従がい説明する。なお、本発
明と従来例とは幅広の中心導体5aの形状が異な
るのみであるので、他の部分は従来例と同一の図
番を付し説明は省略する。
第4図において、幅広の中心導体5aは、その
端部に行くに従がい漸次幅狭となるように形成さ
れ、その端部と基板4の端部との間は、更に幅の
狭い中心導体5bで連結される。なおこの両端部
間の距離は、マイクロストリツプ線路1を伝播す
るマイクロ波の1/4波長と等しく設定される。ま
たスリツト7の長さも中心導体5aの幅の変化に
沿つて短かく形成される。
端部に行くに従がい漸次幅狭となるように形成さ
れ、その端部と基板4の端部との間は、更に幅の
狭い中心導体5bで連結される。なおこの両端部
間の距離は、マイクロストリツプ線路1を伝播す
るマイクロ波の1/4波長と等しく設定される。ま
たスリツト7の長さも中心導体5aの幅の変化に
沿つて短かく形成される。
このように本発明によると、ラダーパターン8
が形成された中心導体5aの、マイクロ波が印加
される側の端部が漸次幅狭に形成されており、ス
リツト7の長さも短かくなつているので、一番最
初のスリツト7aにて急激かつ大量に漏洩するこ
とがなく、スパークが生じる虞れはない。
が形成された中心導体5aの、マイクロ波が印加
される側の端部が漸次幅狭に形成されており、ス
リツト7の長さも短かくなつているので、一番最
初のスリツト7aにて急激かつ大量に漏洩するこ
とがなく、スパークが生じる虞れはない。
また中心導体5aの前記端部から最も近いとこ
ろに位置するスリツト7a(即ち最初のスリツト)
のエツジまでの距離が、このマイクロストリツプ
線路1を伝播するマイクロ波の1/4波長と等しく
してもよい。この場合最初のスリツト7aのエツ
ジにおいてマイクロ波は反射せず、中心導体5a
の端部を多段にしたと同様の効果が得られる。
ろに位置するスリツト7a(即ち最初のスリツト)
のエツジまでの距離が、このマイクロストリツプ
線路1を伝播するマイクロ波の1/4波長と等しく
してもよい。この場合最初のスリツト7aのエツ
ジにおいてマイクロ波は反射せず、中心導体5a
の端部を多段にしたと同様の効果が得られる。
第1図ないし第3図は従来例を示し、第1図お
よび第2図は同一の従来例を示す斜視図および部
分平面図であり、第3図は他の従来例を示す部分
平面図、第4図は本発明の一実施例を示す部分平
面図である。 1……マイクロストリツプ線路、4……基板、
5a……幅広の中心導体、5b……幅狭の中心導
体、7……スリツト、7a……最初のスリツト、
8……ラダーパターン。
よび第2図は同一の従来例を示す斜視図および部
分平面図であり、第3図は他の従来例を示す部分
平面図、第4図は本発明の一実施例を示す部分平
面図である。 1……マイクロストリツプ線路、4……基板、
5a……幅広の中心導体、5b……幅狭の中心導
体、7……スリツト、7a……最初のスリツト、
8……ラダーパターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくともマイクロストリツプ線路の入力側
において、マイクロ波の伝播方向に沿つてラダー
パターンが形成され、かつ端部に行くに従がい漸
次幅狭となるように形成された幅広の中心導体の
端部と、誘電体基板の端部との距離が、マイクロ
ストリツプ線路を伝播するマイクロ波の1/4波長
に等しく、その両端部間は更に幅の狭い中心導体
にて連結されたことを特徴とするマイクロ波加熱
装置。 2 幅広の中心導体の端部と、そこから最も近い
ところに位置するスリツトのエツジとの距離が、
マイクロストリツプ線路を伝播するマイクロ波の
1/4波長に等しいことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のマイクロ波加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7596381A JPS57189492A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Microwave heater |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7596381A JPS57189492A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Microwave heater |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57189492A JPS57189492A (en) | 1982-11-20 |
JPS6346550B2 true JPS6346550B2 (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=13591376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7596381A Granted JPS57189492A (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Microwave heater |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57189492A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | マイクロ波処理装置 |
-
1981
- 1981-05-19 JP JP7596381A patent/JPS57189492A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | マイクロ波処理装置 |
CN104604331A (zh) * | 2012-12-07 | 2015-05-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 微波处理装置 |
JPWO2014087666A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | マイクロ波処理装置 |
CN104604331B (zh) * | 2012-12-07 | 2017-04-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 微波处理装置 |
US9876481B2 (en) | 2012-12-07 | 2018-01-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Microwave processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57189492A (en) | 1982-11-20 |
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